JP2005294539A - 半導体装置用テープキャリア及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 銅配線のピッチを狭くしても配線の欠陥が抑制されるようにした半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルム１の片面には厚さ２〜８μｍの接着剤層３が塗布されており、この接着剤層３上にスパッタによるシード層４がＮｉ−Ｃｒ合金層と銅層により形成され、このシード層４上に銅めっき層６を電気めっきにより形成し、配線ピッチが５〜３０μｍの銅配線パターンを形成する。この銅配線パターン上には半導体素子がフリップチップ接合により搭載される。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関し、特に、銅配線のピッチを狭くしても配線の欠陥が抑制されるようにした半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関するものである。

電子機器、デジタル機器等では、ＣＯＦ（Chip On Film）と称する可撓性を有するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用テープキャリアが用いられている。このようなテープキャリアに搭載されるＬＳＩ等の半導体素子は、高密度実装化に伴って外部端子のピッチが狭くなってきている。このため、ＣＯＦの配線ピッチも数十μｍになってきている。

例えば、２層構造の銅層付き絶縁フィルムは厚さが４０μｍ程度に薄くなり、かつ銅層も８〜１２μｍの厚さに薄くなっている。

テープキャリアにおける銅配線は、ピッチが３０μｍ程度に微細になると、従来のノズルによるシャワーエッチングにより配線形成を行おうとすると、テープ搬送を高速にせざるをえず、制御が困難になると共に配線幅が細り、製造が難しくなる。しかし、マスク設計においてフォトレジストパターンの開口幅を工夫することにより、絶縁フィルム上に施された銅層による導体パターン層の銅配線ピッチが３０μｍ程度までは可能である。

図４は、従来のＣＯＦにおける絶縁フィルムテープを示す。この絶縁フィルムテープ４０は、ポリイミドフィルム１上にＮｉ−Ｃｒ合金と銅スパッタ層を含むシード層（seed layer）２を施したものである。この絶縁フィルムテープ４０は、更に、シード層２上に所定のパターンのフォトレジストの形成工程、露光及び現像によるレジストパターンの形成工程、銅メッキ層の形成工程、フォトレジストの剥離工程、前記銅メッキ層へのＳｎめっき工程などが順次施されることにより、ＣＯＦが完成する。

また、Ｎｉ−Ｃｒ合金に代えて、スパッタによりＣｒ層を第１導体として形成し、このＣｒ層上にＣｕ層をスパッタで第１導体保護膜として形成し、更に前記Ｃｕ層上に電解銅めっきによる第２導体を形成し、短絡不良を低減できるようにした配線基板がある（例えば、特許文献１参照。）。

（従来のめっき装置の構成）
図５は、従来のめっき装置の構成を示す。このめっき装置１００は、供給ドラム１０１と、めっき液１１０が満たされためっき槽１０２と、乾燥装置１０３と、銅めっき層が形成されたフィルムテープを巻き取る巻取ドラム１０４と、供給ドラム１０１とめっき槽１０２の間に配置されたガイドロール１０５と、めっき槽１０２内の上段に所定間隔に配置された給電ロール１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ，１０６ｅ，１０６ｆ，１０６ｇ，１０６ｈ，１０６ｉ，１０６ｊと、この給電ロール１０６ａ〜１０６ｊの相互間の下側には所定間隔に配置されたガイドロール１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄ，１０７ｅ，１０７ｆ，１０７ｇ，１０７ｈ，１０７ｉ，１０７ｊ，１０７ｋ，１０７ｌ，１０７ｍ，１０７ｎ，１０７ｏ，１０７ｐ，１０７ｑ，１０７ｒ，１０７ｓと、このガイドロール１０７ａ〜１０７ｓの相互間の上側には所定間隔に配置されたダンサーロール１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄ，１０８ｅ，１０８ｆ，１０８ｇ，１０８ｈ，１０８ｉと、乾燥装置１０３と巻取ドラム１０４の間に配置されたガイドロール１０９とを備えて構成されている。

供給ドラム１０１には、フォトレジスト付きフィルムテープ１１１（以下、フィルムテープ１１１という。）が巻回されている。フィルムテープ１１１は、片面の全域にシード層２が形成されており、このシード層２の表面には配線パターンを作るためのフォトレジスト層が形成されている。フィルムテープ１１１はガイドロール１０５を介してめっき槽１０２に搬入される。

フィルムテープ１１１は、給電ロール１０６ａ、ガイドロール１０７ａ、給電ロール１０６ｂ、ガイドロール１０７ｂの順に通され、更に、ダンサーロール１０８ａ、ガイドロール１０７ｃ、給電ロール１０６ｃ，・・・ガイドロール１０７ｒ、ダンサーロール１０８ｉ、ガイドロール１０７ｓの順でめっき槽１０２内を通過する。

ガイドロール１０７ｓを通過するまでに、フィルムテープ１１１に形成されているフォトレジストのネガパターンに応じて、電気めっきにより導体パターン（銅めっき層）がセミアディティブ法(semi additive process) により形成される。めっきが形成されたフィルムテープ１１１は、乾燥装置１０３によって温風を吹き付けることにより表面のめっき液を蒸発及び乾燥させた後、ガイドロール１０９を介してめっき層付きフィルムテープ１１２として巻取ドラム１０４に巻き取られる。
特開２００３−３７１３７号公報

しかし、従来の半導体装置用テープキャリアによると、シード層が形成された絶縁フィルムテープは、銅配線ピッチが２０μｍ程度に微細になると、シード層の厚さが５μｍ程度になり、図５のようなめっき装置では、絶縁フィルムテープを高速に搬送しないと配線幅に欠陥（配線の細り、太り、欠け）が生じる。また、配線幅に細りを生じさせず、配線の直線性が保てるように絶縁フィルムテープを高速で送ろうとすると、その制御が難しいため、配線ピッチの寸法品質の低下を招き、製品歩留まりが低下する。

したがって、本発明の目的は、銅配線のピッチを狭くしても配線の欠陥が抑制されるようにした半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するため、第１の特徴として、可撓性を有する絶縁フィルム上に銅配線パターンを形成し、前記銅配線パターン上に半導体素子がフリップチップ接合により搭載される半導体装置用テープキャリアにおいて、前記絶縁フィルムは、前記銅配線パターンの形成面に硬化処理された接着剤層を有し、前記銅配線パターンは、前記接着剤層上にスパッタで形成されたシード層上に設けられた銅めっき層により形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。

本発明は、上記の目的を達成するため、第２の特徴として、可撓性を有する絶縁フィルム上に接着剤を塗布及び硬化させて接着剤層を形成し、前記接着剤層上にシード層をスパッタにより形成する第１の工程と、配線パターンに対応したフォトレジストパターンを前記シード層上に形成する第２の工程と、銅めっき層を前記フォトレジストパターンの形成面に電気めっき法により形成する第３の工程と、前記フォトレジストパターンを除去する第４の工程と、前記フォトレジストパターンの除去面に露出している前記シード層を除去する第５の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。

本発明の半導体装置用テープキャリア及びその製造方法によれば、接着剤層が設けられた絶縁フィルム上にスパッタによりシード層を形成し、このシード層の表面に銅めっき層を形成して銅配線パターンを設けたことにより、接着剤層は銅配線の微細化による剥離を抑制し、マイグレーション耐性を向上させるため、配線ピッチを狭くしても配線の細り等の欠陥を抑制することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を基に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのシード層付きフィルムテープの構成を示す。このシード層付きフィルムテープ１０（以下、フィルムテープ１０という）は、可撓性を有し、片面に接着剤層３が形成された絶縁フィルムとしてのポリイミドフィルム１（絶縁基板）上にシード層４がスパッタにより形成されている。このような構成のフィルムテープ１０を半導体装置用テープキャリアに用いた場合、テープキャリアの配線の微細化に伴う配線の剥離を抑制することが可能になる。

シード層４は、Ｎｉ−Ｃｒ合金層とこのＮｉ−Ｃｒ合金層上に設けられた銅層の組み合わせで構成され、これにより銅層の剥離が起きにくくなり、マイグレーション耐性が向上する。シード層４の形成には、スパッタ法が用いられる。その理由は、スパッタにすることでシード層４の銅層の厚みを０．２〜１２μｍの厚さに調整が可能であり、後工程で施される電気銅めっきの厚みとの調整が容易になるためである。

シード層４の銅層（銅スパッタ層）の厚みは０．２〜１２μｍにする。銅層厚みの最小値を０．２μｍとしたのは、スパッタによる成膜、或いは後工程で実施される電気銅めっき層の形成が安定に行える最小の厚さであることによる。また、シード層４の銅層の厚みの上限を１２μｍとしたのは、銅めっきの積み上げが、微細配線のピッチ３０μｍ（銅配線幅：１５μｍ、スペース：１５μｍ）の形成の限界値であり、それ以上厚いと微細配線の直線性が無くなり、欠陥（配線の欠け、細り、太り）が多くなり、歩留まりが悪くなり、製造が不可能になるためである。

接着剤層３の接着剤は、吸水率を０．９％以下にするほか、Ｔｇ（ガラス転移温度）が１８０℃以上の耐熱性を有し、更に、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上を有するものを用いるのがよい。接着剤層３の接着剤の吸水率を０．９％以下とすることにより、水滴に対する感受性が鈍くなり、マイグレーション(Migration) 耐性を向上させることができる。

接着剤層３に熱硬化型の接着剤を用いた場合、その硬化工程の熱処理で熱による歪みの発生を無くす必要がある。そのための接着剤層３は耐熱性が必要になる。また、接着剤層３として、１８０℃×２時間以上の耐熱性を有するものを用いる必要がある。その理由は接着剤層３と配線パターンとの界面におけるピール強度を確保するためである。また、硬化工程の熱処理によって、半導体装置用テープキャリアの全体に熱による歪み（反り）が発生してしまうことを回避するため、熱硬化型の接着剤層３の厚みを２〜８μｍとし、ポリイミドフィルム１の厚みを５０〜６．５μｍとする。

次に、４００℃までの動的粘弾性を０．５Ｇｐａ以上とした理由は、フリップチップ(flip chip) 接続する際の圧力による接着剤層３の凹み変形を少なくするためである。動的粘弾性とは、応力と歪の関係から測定する粘弾性測定において、試料に正弦的応力を加えて試料を変形させることをいい、その際の歪みや応力から歪みの位相遅れを検出する手法を動的粘弾性測定という。

（本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの効果）
本発明の半導体装置用テープキャリアによると、ポリイミドフィルム１上に接着剤層３を形成し、この接着剤層３上にシード層４を形成したことにより、配線の微細化による剥離を抑制することができる。接着剤層３は、吸水率が０．９％以下、Ｔｇが１８０℃以上の耐熱性、及び、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上の特性を備えたものを用いることにより、マイグレーション耐性が向上し、熱による歪みの発生が防止され、フリップチップ接続する際の圧力による接着剤層３の凹み変形を少なくすることができる。

［本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法］
図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を示す。図２において、（ａ）〜（ｆ）は製造方法における第１から第６の工程を示す。まず、（ａ）の様に、ポリイミドフィルム１上に熱硬化型の接着剤層３を２〜８μｍの厚みに設けて硬化させた後、この接着剤層３の表面にシード層４をスパッタ装置により形成する。シード層４は、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金層をスパッタにより形成し、更に、スパッタによりＮｉ−Ｃｒ合金層上に銅層を形成したものである。銅層を０．２μｍの厚みに設けることにより、銅層の配線による配線パターンの剥離に対する強度が安定し、しかも、耐マイグレーション特性を向上させることができる。ついで、スリット送り穴を設ける。

次に、フォトレジスト液をシード層４上に塗布し、露光及び現像を行って、（ｂ）のように、配線パターンに対応したフォトレジストパターン５を形成する。次に、フォトレジストパターン５が形成済みのフォトレジスト付きフィルムテープ１１（以下、フィルムテープ１１という。）をめっき装置に搬入し、（ｃ）のように、シード層４の露出面に銅めっき層６が形成されためっき層付きフィルムテープ１２（以下、フィルムテープ１２という。）を作製する。次に、（ｄ）のように、フィルムテープ１２からフォトレジストパターン５を除去する。ついで、（ｅ）のように、銅めっき層６間のシード層４をエッチバックにより除去し、接着剤層３を露出させる。更に、（ｆ）のように、銅めっき層６を覆うようにしてＳｎめっき層７を施せば、半導体装置用テープキャリア１３が完成する。Ｓｎめっき層７を施すことにより、製造歩留まりの向上が可能になる。

（本発明の実施の形態に係る製造方法の効果）
本発明の実施の形態にかかるテープキャリアの製造方法によれば、ポリイミドフィルム１上に接着剤層３を形成し、この接着剤層３上にシード層４を形成する工程を備えることにより吸水率を低減でき、配線の微細化による剥離が抑制されるので、耐マイグレーション性の向上により、配線の直線性が得られ、配線幅の欠陥（配線の欠け、細り、太り）の少ない、歩留まりの良好なテープキャリアの製造が可能になる。

（本発明に係るめっき装置の構成）
図３は、図２に示した（ｃ）の第３の工程における銅めっき層６を形成するためのめっき装置２０の構成を示す。このめっき装置２０は、給電ドラム２１と、めっき液２２が満たされためっき槽２３と、このめっき槽２３の後段に配置された水洗槽２４と、この水洗槽２４の後段に配置された加熱空気ブロワ２５と、この加熱空気ブロワ２５の後段に配置されたダンサーロール２６と、このダンサーロール２６の後段に配置された巻取ドラム２７とを備えて構成れている。

めっき槽２３は、めっき時に電圧が印加される半円形のアノード袋２８と、このアノード袋２８に同心円状に配設された回転ドラム２９と、この回転ドラム２９を回転駆動する駆動ロール３０と、この駆動ロール３０の回転を回転ドラム２９に伝達するエンドレスのチェーン３１と、回転ドラム２９の前後の空中に配置された給電ロール３２Ａ，３２Ｂとを備えている。

水洗槽２４は、めっき槽２３からのフィルムテープ１２に付着しているめっき液２２を洗い流すための水３３が満たされており、槽内にはフィルムテープ１２を底部近くまで介在させるためのガイドロール３４が配置されている。

加熱空気ブロワ２５は、水洗槽２４を出たフィルムテープ１２の表面に温風を吹き付けて水分を除去するための装置であり、モータ、ファン、及びヒータを備えて構成されている。

給電ロール３２Ｂの後段にはフィルムテープ１１を水洗槽２４に導くためのガイドロール３５が配設され、水洗槽２４とダンサーロール２６の間にはガイドロール３６，３７が配設され、ダンサーロール２６と巻取ドラム２７の間にはガイドロール３８が配設されている。

（めっき装置の動作）
図３において、給電ドラム２１には、図２の（ｂ）の第３の工程で作製されたフィルムテープ１１が巻き付けられている。フィルムテープ１１は、給電ロール３２Ａを経由して回転ドラム２９の約半周に巻き付くようにしてめっき槽２３内を通過し、給電ロール３２Ｂを経由して取り出される。給電ロール３２Ａ，３２Ｂは、フィルムテープ１１のシード層４に接触し、シード層４に直流電圧を印加する。給電ロール３２Ａ，３２Ｂとアノード袋２８の間に所定の電圧を印加することにより、フィルムテープ１１のめっき液２２に接触するシード層４の表面が電気めっきされ、図２の（ｃ）に示すように、銅めっき層６が形成される。

めっき槽２３によりメッキが施されたフィルムテープ１１は、フィルムテープ１２としてガイドロール３５を経由して水洗槽２４に搬入され、テープ表面のめっき液が洗い流される。フィルムテープ１２は水洗槽２４を出た直後、加熱空気ブロワ２５で乾燥が行われる。フィルムテープ１２は、ガイドロール３６，３７を経てダンサーロール２６に搬入され、ガイドロール３８を経て巻取ドラム２７に巻き取られる。このとき、ダンサーロール２６は、巻取ドラム２７の回転速度とフィルムテープ１２の搬送速度との調整をとり、フィルムテープ１２が張り過ぎたり、弛み過ぎたりしないようにしている。

図３に示しためっき装置２０は、図５のめっき装置に比べ、給電ロールの設置数を格段に少なくすることができる。このため、フィルムテープ１１及びフィルムテープ１２の曲げ回数が大幅に減り、銅層（配線パターン）の剥離等を抑制できるため、５〜３０μｍの配線ピッチに対応できるようになる。更に、給電ロールは３２Ａ，３２Ｂの２つに限定したため、突起（銅めっき粒）や窪みの発生がほとんど無く、銅めっき層６が１２μｍ厚以上の銅めっきの表面品質を良好にすることができると共に、高速での銅めっきが可能になる。

因みに、図５に示した従来のめっき装置１００では、給電ロールが１０段以上に及ぶため、微妙な電流密度の不均一が生じ、銅めっき層の表面に粒による突起や異物付着による窪み等の欠陥が生じ易い。

次に、本発明の実施例１について、図２を参照して説明する。
東レ・デュポン株式会社製の「カプトンＥＮ」の３８μｍ厚をポリイミドフィルム１に用い、接着剤に株式会社巴川製紙所製の接着剤Ｘを用い、ポリイミドフィルム１上に厚さ３μｍに塗布及び硬化させて接着剤層３を形成した。この接着剤層３の表面にマグネトロン方式のスパッタ装置によりシード層４を形成した。このシード層４（スパッタ層）は、Ｎｉ−Ｃｒ合金を１００Åの厚さに設け、更に銅層を０．２μｍの厚さにした。これに１０５ｍｍ幅のスリット送り穴を加工した後、ロールコータでフォトレジストを塗布し、これを予備硬化した後、投影露光機で光反応させ、更にアルカリ現像を行って本硬化させることにより、フォトレジストパターン５を作製した。その後、図３に示しためっき装置２０を用い、銅めっき層６を１２μｍの厚さにめっきした。

この銅めっき層６は、配線の直線性があり、配線幅の欠陥（配線の欠け、細り、太り）が少なかった。このことから、歩留まりが良好なテープキャリアの製造が可能であることが確かめられた。

図２の（ｄ）〜（ｆ）に示したように、銅めっき層６を形成した後、フォトレジストパターン５を剥離し、更にエッチバックをし、最後にＳｎめっき層７を形成した。このＳｎめっき層７をベークし、熱硬化型のソルダレジストを印刷版で塗布し、硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。こうして得られた半導体装置用テープキャリアは、製造歩留まりの良いものであった。

この実施例１について、温度８５℃×湿度８５％ＲＨ、連続印加直流電圧６０Ｖの条件で環境試験を実施したところ、それぞれの条件に対して１２００時間をクリアし、従来のＮｉ−２０％Ｃｒ層が５００時間であったのに対し、２．４倍の耐マイグレーション特性を有することを確認した。

次に、本発明の実施例２について説明する。
接着剤に株式会社巴川製紙所製の接着剤Ｖを用い、ポリイミドフィルム１に宇部興産株式会社製の「ユーピレックスＳ」を用いた。ポリイミドフィルム１は厚さ２５μｍ、幅１０５ｍｍ幅のものを用いた。このポリイミドフィルム１上に接着剤Ｖを厚さ３μｍに塗布し、更に加熱硬化させて接着剤層３を形成した。この接着剤層３上にマグネトロン方式のスパッタ装置により、スパッタ層としてＮｉ−Ｃｒ合金を厚さ１００Åに形成し、更に、銅スパッタ層（銅層）を、厚さ０．２μｍに形成した。これに１０５ｍｍ幅のスリット送り穴を加工した後、フォトレジストをロールコータで塗布及び予備硬化し、投影露光機で光反応させた後、アルカリ現像を行って本硬化をし、フォトレジストパターン５を形成した。このフォトレジストパターン５は、配線ピッチが２５μｍになるように設けた。ついで、図３のめっき装置２０を用い、銅めっき層６を１２μｍの厚さにめっきした。この銅めっき層６は配線の直線性があり、配線幅の欠陥（配線の欠け、細り、太り）が少なかったことから、歩留まりの良い半導体装置用テープキャリアの製造が可能であることが確かめられた。

図２の（ｄ）〜（ｆ）に示したように、フォトレジストパターン５を剥離後、エッチバックし、更にＳｎめっき層７を実施した。このＳｎめっき層７をベークし、熱硬化型のソルダレジストを印刷版で塗布し硬化工程の熱処理（１２０℃×１時間）を実施した。こうして得られた半導体装置用テープキャリアは、製造歩留まりの良いものであった。

この実施例２について、温度８５℃×湿度８５％ＲＨ、連続印加直流電圧６０Ｖの条件で環境試験を実施したところ、それぞれの条件に対して１０００時間をクリアし、従来のＮｉ−２０％Ｃｒ層が５００時間であったのに対し、２倍の耐マイグレーション特性を有することを確認した。

上記実施の形態においては、接着剤層３が設けられたフィルムテープを使用したが、図４に示したような接着剤レスのフィルムテープに対して本発明を適用することも可能である。

また、銅めっき層６の形成は図３の構成によるめっき装置で行ったが、この構成に限定されるものではなく、例えば、縦型あるいは横型の銅めっき層を数段に分けて行う方式の銅めっき装置であっても、配線ピッチが３０ミクロン以上であれば、表面品質は劣るものの適用が可能である。

本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアのシード層付きフィルムテープの構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法を示し、（ａ）〜（ｆ）は製造方法の第１〜第６の工程を示す断面図である。 図２に示した（ｃ）の第３の工程における銅めっき層を形成するためのめっき装置の構成を示す構成図である。 従来のＣＯＦにおける絶縁フィルムテープを示す断面図である。 従来のめっき装置の構成を示す構成図である。

符号の説明

１ ポリイミドフィルム
２，４ シード層
３ 接着剤層
５ フォトレジストパターン
６ 銅めっき層
７ Ｓｎめっき層
１０ シード層付きフィルムテープ
１１ フォトレジスト付きフィルムテープ
１２ めっき層付きフィルムテープ
１３ 半導体装置用テープキャリア
２０ めっき装置
２１ 供給ドラム
２２ めっき液
２３ めっき槽
２４ 水洗槽
２５ 加熱空気ブロワ
２６ ダンサーロール
２７ 巻取ドラム
２８ アノード袋
２９ 回転ドラム
３０ 駆動ロール
３１ チェーン
３２Ａ，３２Ｂ 給電ロール
３３ 水
３４，３５，３６，３７，３８ ガイドロール
４０ 絶縁フィルムテープ
１００ めっき装置
１０１ 供給ドラム
１０２ めっき槽
１０３ 乾燥装置
１０４ 巻取ドラム
１０５，１０７ａ〜１０７ｓ ガイドロール
１０６ａ〜１０６ｊ 給電ロール
１０８ａ〜１０８ｉ ダンサーロール
１０９ ガイドロール
１１０ めっき液
１１１ フォトレジスト付きフィルムテープ
１１２ めっき層付きフィルムテープ

Claims (8)

1. 可撓性を有する絶縁フィルム上に銅配線パターンを形成し、前記銅配線パターン上に半導体素子がフリップチップ接合により搭載される半導体装置用テープキャリアにおいて、
   前記絶縁フィルムは、前記銅配線パターンの形成面に硬化処理された接着剤層を有し、
   前記銅配線パターンは、前記接着剤層上にスパッタで形成されたシード層上に設けられた銅めっき層により形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
2. 前記シード層は、銅層の厚みが０．２〜１２μｍの銅層を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
3. 前記銅配線パターンは、配線ピッチが５〜３０μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
4. 前記接着剤層は、吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
5. 可撓性を有する絶縁フィルム上に接着剤を塗布し及び硬化させて接着剤層を形成し、前記接着剤層上にシード層をスパッタにより形成する第１の工程と、
   配線パターンに対応したフォトレジストパターンを前記シード層上に形成する第２の工程と、
   銅めっき層を前記フォトレジストパターンの形成面に電気めっき法により形成する第３の工程と、
   前記フォトレジストパターンを除去する第４の工程と、
   前記フォトレジストパターンの除去面に露出している前記シード層を除去する第５の工程とを含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
6. 前記接着剤層は、吸水率が０．９％以下、４００℃までの動的粘弾性が０．５Ｇｐａ以上、及びガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の特性を有していることを特徴とする請求項５記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
7. 前記接着剤層は、厚みが２〜８μｍであることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
8. 前記第１の工程は、前記シード層をＮｉ−Ｃｒ合金層と０．２μｍ以上の厚みの銅層により形成することを特徴とする請求項５記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
   
   

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