JP2008277749A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 樹脂絶縁層とその上の配線層とを有する配線基板において、
前記配線層が、配線層全厚に亘ってＮｉ：２０〜７５wt％および残部Ｃｕから成るＮi−Ｃｕ合金でスパッタリングにより形成されていることを特徴とする配線基板。 - 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁層上の配線層形成予定領域全面に、前記Ｎｉ−Ｃｕ合金の金属層をスパッタリングにより形成する工程、
前記金属層上にエッチングレジストパターンを形成する工程、
前記エッチングレジストパターンをマスクとして、前記Ｎｉ−Ｃｕ合金の金属層をＣｕエッチング液によりパターニングして配線層を形成する工程、および
前記エッチングレジストパターンを除去する工程
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記配線層を形成する工程は、前記エッチングレジストパターンでマスクされていない前記Ｎｉ−Ｃｕ合金の金属層の露出部分を前記Ｃｕエッチング液により除去することで前記配線層を形成する、請求項２記載の配線基板の製造方法。
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