JPH03155134A - 集積回路装置の配線電極 - Google Patents
集積回路装置の配線電極Info
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- JPH03155134A JPH03155134A JP29462189A JP29462189A JPH03155134A JP H03155134 A JPH03155134 A JP H03155134A JP 29462189 A JP29462189 A JP 29462189A JP 29462189 A JP29462189 A JP 29462189A JP H03155134 A JPH03155134 A JP H03155134A
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- alloy
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Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910017398 Au—Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
本発明は主として半導体集積回路装置の配線電極材料に
関する。 〔従来の技術1 従来、半導体集積回路装置を代表例とする集積回路装置
の配線電極には以下の如きものがあった。 (1)スパッタあるいはCVDによるAr2、あるいは
AE−Si、Ar2−5i−Cu等のA2合金、及び (II)CVDあるいはスパッタによるW、あるいはW
−Ti等のW合金、及び (III )スパッタTi上にスパッタptを形成し、
その上にAuメツキを部分的に施して金電極となし、該
金電極をマスクとして下地pt及びTiをArスパッタ
処理やプラズマ・エッチにより除去して形成した金配線
電極等である。 〔発明が解決しようとする課題] しかし、上記従来技術によると、(I)Ar2及びA2
合金の場合にはエレクトロ・マイグレーションによる断
線が発生すると云う課題があり、(II)W及びW合金
では配線抵抗が高くなると云う課題があり、(III)
Au配線では上部絶縁膜との接着性が悪いと云う課題が
あった。 本発明は、かかる従来の課題を解決し、エレクトロマイ
グレーションによる断線が無く、配線抵抗も比較的低く
、且つ上部絶縁膜とも接着性の良好な新しい集積回路装
置の配線電極を提供する事を目的とする。 [課題を解決するための手段1 上記課題を解決する為に、本発明は、集積回路装置の配
線電極に関し。 (I)銅合金、(If)Ni及びNi合金、(Ill
)金合金等を用いる手段をとる事を基本とする。
関する。 〔従来の技術1 従来、半導体集積回路装置を代表例とする集積回路装置
の配線電極には以下の如きものがあった。 (1)スパッタあるいはCVDによるAr2、あるいは
AE−Si、Ar2−5i−Cu等のA2合金、及び (II)CVDあるいはスパッタによるW、あるいはW
−Ti等のW合金、及び (III )スパッタTi上にスパッタptを形成し、
その上にAuメツキを部分的に施して金電極となし、該
金電極をマスクとして下地pt及びTiをArスパッタ
処理やプラズマ・エッチにより除去して形成した金配線
電極等である。 〔発明が解決しようとする課題] しかし、上記従来技術によると、(I)Ar2及びA2
合金の場合にはエレクトロ・マイグレーションによる断
線が発生すると云う課題があり、(II)W及びW合金
では配線抵抗が高くなると云う課題があり、(III)
Au配線では上部絶縁膜との接着性が悪いと云う課題が
あった。 本発明は、かかる従来の課題を解決し、エレクトロマイ
グレーションによる断線が無く、配線抵抗も比較的低く
、且つ上部絶縁膜とも接着性の良好な新しい集積回路装
置の配線電極を提供する事を目的とする。 [課題を解決するための手段1 上記課題を解決する為に、本発明は、集積回路装置の配
線電極に関し。 (I)銅合金、(If)Ni及びNi合金、(Ill
)金合金等を用いる手段をとる事を基本とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、Siウェーハ表面上に形成されたSiO2膜上に
、スパッタ法によりCu−Ni合金やCu−Ti合金を
形成し、該合金膜をホト・エツチングする事により、銅
合金配線を得る事ができる。 また、Siウェーハ表面上に形成されたSiO□膜上に
Tiスパッタ膜を形成後、ホト・リソグラフィーにより
配線領域を露出させて、電気メツキによりNi配線を形
成するか、あるいはS10□膜上にスパッタ法により直
接Ni合金を形成して、ホト・エツチングして配線を得
ることができる。 更に、Au−Cu、Au−Ni、およびAu−Ag等の
金合金をスパッタ法やメツキ法等により形成する事がで
きる。 [発明の効果1 本発明による集積回路装置の配線電極は、いずれも、エ
レクトロ・マイグレーションによる断線もなく、低抵抗
であり、且つ上部絶縁膜との接着性の良好な配線電極と
なる効果がある。 以上
、スパッタ法によりCu−Ni合金やCu−Ti合金を
形成し、該合金膜をホト・エツチングする事により、銅
合金配線を得る事ができる。 また、Siウェーハ表面上に形成されたSiO□膜上に
Tiスパッタ膜を形成後、ホト・リソグラフィーにより
配線領域を露出させて、電気メツキによりNi配線を形
成するか、あるいはS10□膜上にスパッタ法により直
接Ni合金を形成して、ホト・エツチングして配線を得
ることができる。 更に、Au−Cu、Au−Ni、およびAu−Ag等の
金合金をスパッタ法やメツキ法等により形成する事がで
きる。 [発明の効果1 本発明による集積回路装置の配線電極は、いずれも、エ
レクトロ・マイグレーションによる断線もなく、低抵抗
であり、且つ上部絶縁膜との接着性の良好な配線電極と
なる効果がある。 以上
Claims (3)
- (1)Cu−Ni(洋白)等の銅合金を配線電極に用い
ることを特徴とする集積回路装置の配線電極。 - (2)Ni及びNi合金を配線電極に用いることを特徴
とする集積回路装置の配線電極。 - (3)Au−Cu、Au−Ni、Au−Ag等の金合金
を配線電極に用いる事を特徴とする集積回路装置の配線
電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29462189A JPH03155134A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 集積回路装置の配線電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29462189A JPH03155134A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 集積回路装置の配線電極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03155134A true JPH03155134A (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17810128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29462189A Pending JPH03155134A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 集積回路装置の配線電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03155134A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004049415A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体用合金材料、該合金材料を用いた半導体チップ及びその製造方法 |
JP2008277749A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
DE102014111895A1 (de) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Infineon Technologies Ag | Metallisierte elektrische Komponente |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP29462189A patent/JPH03155134A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004049415A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体用合金材料、該合金材料を用いた半導体チップ及びその製造方法 |
JP2008277749A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
DE102014111895A1 (de) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Infineon Technologies Ag | Metallisierte elektrische Komponente |
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