JPS60103668A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60103668A JPS60103668A JP21116783A JP21116783A JPS60103668A JP S60103668 A JPS60103668 A JP S60103668A JP 21116783 A JP21116783 A JP 21116783A JP 21116783 A JP21116783 A JP 21116783A JP S60103668 A JPS60103668 A JP S60103668A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体装置に関し、特に下地電極にＴｉ−Ｐｉ
−Ａｕ電極を有ｊる半導体装置の多層配線に関するもの
である。
−Ａｕ電極を有ｊる半導体装置の多層配線に関するもの
である。
１−
（従来技術）
従来、全電極の多層配線については、 Ｔｉ−Ｐｔ−Ａ
ｕ／Ｔｉ−Ｐｔ−４ｕという構造が既知である。第１層
のＴｔ−ｐｔ−Ａｕ構造については、高信頼化。
ｕ／Ｔｉ−Ｐｔ−４ｕという構造が既知である。第１層
のＴｔ−ｐｔ−Ａｕ構造については、高信頼化。
高周波化の為に必須の電極であハその形成方法につ騒て
も既知である。しがし、２層配線となると、前記Ｔｉ−
Ｐｔ−Ａｕ／ＴムーＰｔ−Ａｕ 電極についてはいくつ
かの問題がある。その１つは、第２層目のＴｉ−Ｐｔ−
Ａｕ電極形成が困難であハ製造歩留が大幅に低下するこ
とである。他の１つは、Ａｕ−Ｔｉ が反応して接触抵
抗が変化することである。
も既知である。しがし、２層配線となると、前記Ｔｉ−
Ｐｔ−Ａｕ／ＴムーＰｔ−Ａｕ 電極についてはいくつ
かの問題がある。その１つは、第２層目のＴｉ−Ｐｔ−
Ａｕ電極形成が困難であハ製造歩留が大幅に低下するこ
とである。他の１つは、Ａｕ−Ｔｉ が反応して接触抵
抗が変化することである。
これは、第２層目にＡＪを用いた時も同様であハＡｕ−
Ａｌ反応によル信頼度が低下する。
Ａｌ反応によル信頼度が低下する。
（発明の目的）
本発明の目的は、製造歩留りが高く、また信頼性の高い
配線構造を有する半導体装置全提供することにある。
配線構造を有する半導体装置全提供することにある。
（発明の構成）
不発明は、金属の上に金属の窒化膜が形成され、その上
にアルミニウム層が形成されたことを特徴とする。
にアルミニウム層が形成されたことを特徴とする。
（実施例）
以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。
第１図は不発明の一実施例全製造工程順に示したもので
ある。第１図（ａ）はシリコン基板１にベース拡散層３
．エミッタ拡散層４を形成し、シリコン酸化膜２上にＴ
ｌ−Ｐｔ−Ａｕ層５及びＴＩＮ層６全順次形成し次状態
を示す、 Ｔｌ−Ｐｔ−Ａｕの各膜厚は１例えばＴｉ層
１０００〜２０００Ａ、Ｐｔ層１０００〜２０００λ、
Ａｕ層３０００〜６０００λであ、ｉｌｌ、 ’ｒｌＮ
層は５００〜１ｏｏｏ７Ｖの厚さである。
ある。第１図（ａ）はシリコン基板１にベース拡散層３
．エミッタ拡散層４を形成し、シリコン酸化膜２上にＴ
ｌ−Ｐｔ−Ａｕ層５及びＴＩＮ層６全順次形成し次状態
を示す、 Ｔｌ−Ｐｔ−Ａｕの各膜厚は１例えばＴｉ層
１０００〜２０００Ａ、Ｐｔ層１０００〜２０００λ、
Ａｕ層３０００〜６０００λであ、ｉｌｌ、 ’ｒｌＮ
層は５００〜１ｏｏｏ７Ｖの厚さである。
この後、第１図（ｂ）に示すように７オトレジスト７ｖ
ｉ−マスクにして、Ａｒイオンを用いたイオンミリング
法にてＴｉＮ、 Ａｕ、 Ｐｔ、 Ｔｉ ｆ順次エツチ
ングし、Ｔｉ−Ｐｔ−４ｕ−ＴｉＮ電極全形成スル。
ｉ−マスクにして、Ａｒイオンを用いたイオンミリング
法にてＴｉＮ、 Ａｕ、 Ｐｔ、 Ｔｉ ｆ順次エツチ
ングし、Ｔｉ−Ｐｔ−４ｕ−ＴｉＮ電極全形成スル。
その後、第２層と第１層との絶縁を得る為、第１図（Ｃ
）に示すようにシリコン酸化膜或はシリコン窒化膜層８
を５０００〜１００ＯＯＡ程度形成する。
）に示すようにシリコン酸化膜或はシリコン窒化膜層８
を５０００〜１００ＯＯＡ程度形成する。
この後、第１層電極と第２層電極の電気的接触を得る為
、第１図（ｄ）に示すように７オトレジスト９全マスク
にして絶縁膜８に開口部１０を形成する。
、第１図（ｄ）に示すように７オトレジスト９全マスク
にして絶縁膜８に開口部１０を形成する。
コノ後、フォトレジづト９を除去してアルミニウム層葡
スパッタ法等により付着した後、既知の写真食刻たより
アルミニウム電極パターン１１全形成した状態を第１図
（ｅ）に示す。
スパッタ法等により付着した後、既知の写真食刻たより
アルミニウム電極パターン１１全形成した状態を第１図
（ｅ）に示す。
こうして形成した２層電極は、第２層電極にアルミニウ
ム１１を用いている為電極形成が非常に容易であり、高
い製造歩留が得られる。また、第１層のＡｕと第２層の
Ａ７ｉ！ＩＩＱ間には、 ＴｉＮ層６がある為、４００
〜４５０℃の熱処理において、 Ａｕ層とＡ１層１１の
反応を阻止し、耐熱性のある信頼度の高い電極を与える
ことができる。
ム１１を用いている為電極形成が非常に容易であり、高
い製造歩留が得られる。また、第１層のＡｕと第２層の
Ａ７ｉ！ＩＩＱ間には、 ＴｉＮ層６がある為、４００
〜４５０℃の熱処理において、 Ａｕ層とＡ１層１１の
反応を阻止し、耐熱性のある信頼度の高い電極を与える
ことができる。
また、ここで示したＡｕ層とＡＩ層間のＴｉＮ層は、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｃｒの窒化物にて代用しても同様の効果を得る
ことができる。
ｏ、Ｗ、Ｃｒの窒化物にて代用しても同様の効果を得る
ことができる。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の一実施例を製造工程
順に示した断面図である。 ｌ・・・・・・シリコン基板、２・山・・シリコン酸（
ＵＥ。 ３・・・・・・ペース拡散層、４・・川・エミ、り拡散
層、５・・・・・・Ｔｉ −Ｐｔ−Ａｕ層、６・・川・
ＴｉＮ層、７・・・・・・フォトレジスト、８・・・・
・・シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜、９・・・・・
・フォトレジスト％ １ｏ・・・・・・開口部１１１・
川・・アルミニウム電極。 ５−
順に示した断面図である。 ｌ・・・・・・シリコン基板、２・山・・シリコン酸（
ＵＥ。 ３・・・・・・ペース拡散層、４・・川・エミ、り拡散
層、５・・・・・・Ｔｉ −Ｐｔ−Ａｕ層、６・・川・
ＴｉＮ層、７・・・・・・フォトレジスト、８・・・・
・・シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜、９・・・・・
・フォトレジスト％ １ｏ・・・・・・開口部１１１・
川・・アルミニウム電極。 ５−
Claims (2)
- （１）金属上に金属の窒化物層を有し、該窒化物層上に
他の金属層を有する電極構造を備えていることを特徴と
する半導体装置。 - （２）前記金属の窒化物層は、チタン、モリブデン。 タングステン及びクロムの中から選ばれた金属の窒化物
層であり、前記他の金属層はアルミニウムであることを
特徴とする特許請求範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21116783A JPS60103668A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21116783A JPS60103668A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103668A true JPS60103668A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16601513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21116783A Pending JPS60103668A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103668A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272557A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-11-26 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体素子の製造方法 |
| JPH07183377A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US7262139B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-08-28 | Avx Israel, Ltd. | Method suitable for batch ion etching of copper |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP21116783A patent/JPS60103668A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272557A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-11-26 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体素子の製造方法 |
| JPH07183377A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US7262139B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-08-28 | Avx Israel, Ltd. | Method suitable for batch ion etching of copper |
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