JPH0258251A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0258251A JPH0258251A JP20902688A JP20902688A JPH0258251A JP H0258251 A JPH0258251 A JP H0258251A JP 20902688 A JP20902688 A JP 20902688A JP 20902688 A JP20902688 A JP 20902688A JP H0258251 A JPH0258251 A JP H0258251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- metal wiring
- wiring
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 101150045736 fliK gene Proteins 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、多層金属配線を有する半導体装置の［発明の
概要コ 本発明は、多層金属配線を有する半導体装置に於いて、
スピン・オン−グラス膜（以下ＳＯＧ膜という）表面に
金属薄膜を堆積することにより、第１の金属配線と第２
の金属配線とのコンタクト抵抗が高くなることを防止す
るものである。
概要コ 本発明は、多層金属配線を有する半導体装置に於いて、
スピン・オン−グラス膜（以下ＳＯＧ膜という）表面に
金属薄膜を堆積することにより、第１の金属配線と第２
の金属配線とのコンタクト抵抗が高くなることを防止す
るものである。
［従来の技Ｗｌ］
従来、多層金属配線を有する半導体装置の製造方法に関
しては、数多くの提案がなされている。
しては、数多くの提案がなされている。
例えば、日経マイクロデバイス＊ ｐ＋ｐ、３５−４６
．１９８８年６月には、第２図にあるように、第１の金
属配線２１上に絶縁膜２２および５ＯＧＷｊｊ、２３を
堆積した後、前記絶縁膜２２およびＳＯＧ膜に選択的に
窓明けを行い、第２の金属配線２４を形成する方法が提
案されている。
．１９８８年６月には、第２図にあるように、第１の金
属配線２１上に絶縁膜２２および５ＯＧＷｊｊ、２３を
堆積した後、前記絶縁膜２２およびＳＯＧ膜に選択的に
窓明けを行い、第２の金属配線２４を形成する方法が提
案されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術は、第２の金属配線の堆積を行
う工程に於いて、第１の金属配線表面の自然酸化膜を除
去することを目的とする真空中でのエツチングの際、Ｓ
ＯＧ膜中のＯＨ基や炭素化合物が蒸発あるいはエツチン
グされ、第１の金属表面に酸化薄膜や炭素化合物が付着
することがあり、第１層金属配線と第２層金属配線とを
つなぐコンタクトホールの抵抗が高くなる場合が生ずる
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の課
題を解決するもので、その目的とするところは、より安
定化した金属配線間の抵抗を得て、信頼性の高い半導体
装置の製造方法を提供するところにある。
う工程に於いて、第１の金属配線表面の自然酸化膜を除
去することを目的とする真空中でのエツチングの際、Ｓ
ＯＧ膜中のＯＨ基や炭素化合物が蒸発あるいはエツチン
グされ、第１の金属表面に酸化薄膜や炭素化合物が付着
することがあり、第１層金属配線と第２層金属配線とを
つなぐコンタクトホールの抵抗が高くなる場合が生ずる
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の課
題を解決するもので、その目的とするところは、より安
定化した金属配線間の抵抗を得て、信頼性の高い半導体
装置の製造方法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、多層金属配線を有す
る半導体装置の製造工程に於いて、公知の方法により第
１の金属配線まで形成した後、絶縁膜を堆積する工程、
前記絶縁膜表面にＳＯＧ膜を塗布する工程、前記ｓｏａ
Ｍ表面に金属薄膜を堆積する工程、前記金属薄膜、ＳＯ
Ｇ膜、および、絶縁膜に選択的に窓明けを行う工程、前
記金属薄膜表面および窓内を覆って第２の金属配線膜を
堆積する工程、前記スピン・オン・グラス膜表面に金属
薄膜を加工し、配線形成を行う工程からなることを特徴
とする。
る半導体装置の製造工程に於いて、公知の方法により第
１の金属配線まで形成した後、絶縁膜を堆積する工程、
前記絶縁膜表面にＳＯＧ膜を塗布する工程、前記ｓｏａ
Ｍ表面に金属薄膜を堆積する工程、前記金属薄膜、ＳＯ
Ｇ膜、および、絶縁膜に選択的に窓明けを行う工程、前
記金属薄膜表面および窓内を覆って第２の金属配線膜を
堆積する工程、前記スピン・オン・グラス膜表面に金属
薄膜を加工し、配線形成を行う工程からなることを特徴
とする。
［実施例］
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図（α）〜（ｇ）は本発明の実施例を工程順に示す
図である。
図である。
まず、第１図（α）の如く、公知の方法により第１のア
ルミニウム合金配線１１まで形成した後、減圧下での化
学気相成長によりコ酸化硅素からなる絶縁膜１２を堆積
し、次に、平担化の目的でＳＯＧ膜１．３を塗布する。
ルミニウム合金配線１１まで形成した後、減圧下での化
学気相成長によりコ酸化硅素からなる絶縁膜１２を堆積
し、次に、平担化の目的でＳＯＧ膜１．３を塗布する。
ＳＯＧ膜のキュアは水素雰囲気や不活性雰ＦＩＥ気もし
くは真空中で、５００℃〜４５０℃程度で２０分以上の
熱処理により、ＳＯＯ膜中に含まれる水分やＯＨ基等を
できるだけ除去する。次に金属薄膜としてアルミニウム
１６を３００Ｘ〜５００久程度スパッタ付着させる。
くは真空中で、５００℃〜４５０℃程度で２０分以上の
熱処理により、ＳＯＯ膜中に含まれる水分やＯＨ基等を
できるだけ除去する。次に金属薄膜としてアルミニウム
１６を３００Ｘ〜５００久程度スパッタ付着させる。
次に、第１図（、ｈ）にあるよ５に、アルミニウム薄膜
１４表面にポジ型レジスト１５を塗布するそして第１図
（ｃ）にあるように、レジスト層１５をバターニングす
るが、ポジ型レジスト用現像液（例えば、東京応化製Ｎ
ＭＤ−５）で、アルミニウム薄膜１４も併せてエツチン
グできる。
１４表面にポジ型レジスト１５を塗布するそして第１図
（ｃ）にあるように、レジスト層１５をバターニングす
るが、ポジ型レジスト用現像液（例えば、東京応化製Ｎ
ＭＤ−５）で、アルミニウム薄膜１４も併せてエツチン
グできる。
次に１第１図（ｄ ）Ｋあるように１弗素系のガスを用
い、平行平板型の反応性イオンエツチング装置にてＳＯ
Ｇ膜１５および絶縁膜１２をドライエツチングする。
い、平行平板型の反応性イオンエツチング装置にてＳＯ
Ｇ膜１５および絶縁膜１２をドライエツチングする。
次にルジスト層１５を除去し、第１図（ｔ）に示すよう
に、第２のアルミニウム合金膜１６をスパッタ付着させ
、前記第２のアルミニウム合金ｗ１１６ならびにＡｔ１
ｌ膜１４を通常のフォトエッチによりパターン形成を行
う６第２のアルミニウム合金膜１６のスパッタ付着の際
、第１のアルミニウム合金配線１１表面の自然酸化膜を
除去する目的で、不活性ガス（例えば、アルゴン）を用
いて、ウェハーｆｌｉＫ頁バイアスをかけ基板エッチす
るが、ｓｏａ膜ｔ ３は露出していないので、ＯＨ基や
炭素化合物がエツチングされる心配がなくなる。
に、第２のアルミニウム合金膜１６をスパッタ付着させ
、前記第２のアルミニウム合金ｗ１１６ならびにＡｔ１
ｌ膜１４を通常のフォトエッチによりパターン形成を行
う６第２のアルミニウム合金膜１６のスパッタ付着の際
、第１のアルミニウム合金配線１１表面の自然酸化膜を
除去する目的で、不活性ガス（例えば、アルゴン）を用
いて、ウェハーｆｌｉＫ頁バイアスをかけ基板エッチす
るが、ｓｏａ膜ｔ ３は露出していないので、ＯＨ基や
炭素化合物がエツチングされる心配がなくなる。
金属薄膜としては、前述のアルミニウムに限らず、アル
ミニウム合金（例エバ、Ａ ｔＳ ｉ 。
ミニウム合金（例エバ、Ａ ｔＳ ｉ 。
Ａ−ｊ −Ｓ ｉ −Ｏｕ等）、および、モリブデン、
タングステン、チタン等の高融点金属も使用可能だが、
第２の金属配線膜と金属簿膜の一括エッチングや、現像
液による金属薄膜のエツチングの点から、アルミニウム
や、アルミニウム合金であることが望ましい。
タングステン、チタン等の高融点金属も使用可能だが、
第２の金属配線膜と金属簿膜の一括エッチングや、現像
液による金属薄膜のエツチングの点から、アルミニウム
や、アルミニウム合金であることが望ましい。
また、本実施例では、二層金属配線の場合について例示
したが、二層金属配線の場合だけに限らず、多層金属配
線の二層目以降の上層金属配線の場合にも使用可能であ
る。
したが、二層金属配線の場合だけに限らず、多層金属配
線の二層目以降の上層金属配線の場合にも使用可能であ
る。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、第２の金属配線膜の
堆積前の基板エッチの際、金属薄膜により、ｓａＧ膜の
露出を防止できるので、第１の金属配線と第２の金属配
線とのコンタクト抵抗が高くなることを防止でき、信頼
性の高い半導体装置を提供できる。
堆積前の基板エッチの際、金属薄膜により、ｓａＧ膜の
露出を防止できるので、第１の金属配線と第２の金属配
線とのコンタクト抵抗が高くなることを防止でき、信頼
性の高い半導体装置を提供できる。
１・・・・・・第１の金属配線
２・・・・・・絶縁膜
３・・・・・・ＳＯＧ膜
４・・・・・・第２の金属配線
第１図（α）、（ｂ）、 （Ｃ）、（ｄ’）、（ｔ）は
、本発明による実施例の半導体装置の製造工程断面図で
ある。 第２図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である
。 １１・・・・・・第１の金属配線 １２・・・・・・絶縁膜 １３・・・・・ＳＯＧ膜 １４・・・・・・金属薄膜 １５・・・・・・ポジ型のレジスト層 １６・・・・・・第２の金属配線
、本発明による実施例の半導体装置の製造工程断面図で
ある。 第２図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である
。 １１・・・・・・第１の金属配線 １２・・・・・・絶縁膜 １３・・・・・ＳＯＧ膜 １４・・・・・・金属薄膜 １５・・・・・・ポジ型のレジスト層 １６・・・・・・第２の金属配線
Claims (1)
- 多層金属配線を有する半導体装置の製造方法に於いて、
第１の金属配線まで形成した後、絶縁膜を堆積する工程
、前記絶縁膜表面にスピン・オン・グラス膜を塗布する
工程、前記スピン・オン・グラス膜表面に金属薄膜を堆
積する工程、前記金属薄膜、スピン・オン・グラスおよ
び絶縁膜に選択的に窓明けを行う工程、前記金属薄膜表
面および窓内を覆って第２の金属配線膜を堆積する工程
、前記第２の金属配線膜および金属薄膜を加工し、配線
形成を行う工程からなることを特徴とする半導体装置の
製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20902688A JPH0258251A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20902688A JPH0258251A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258251A true JPH0258251A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16566039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20902688A Pending JPH0258251A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103777486A (zh) * | 2012-10-24 | 2014-05-07 | 柯尼卡美能达株式会社 | 图像形成装置 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20902688A patent/JPH0258251A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103777486A (zh) * | 2012-10-24 | 2014-05-07 | 柯尼卡美能达株式会社 | 图像形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4337115A (en) | Method of forming electrodes on the surface of a semiconductor substrate | |
| JPS6110256A (ja) | 集積回路の接点孔への相互接続線の自動位置決め方法 | |
| US5369053A (en) | Method for patterning aluminum metallizations | |
| JPS6115582B2 (ja) | ||
| JPH0258251A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04127454A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6329940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58116751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6059742B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6193629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61141158A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JPH05291256A (ja) | 薄膜導体パターンの製造方法 | |
| JPH0536839A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58110055A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3329148B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPS5841775B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ | |
| JPS61150235A (ja) | 多層配線構造体の製造方法 | |
| JPS60120526A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| JP2699498B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0237724A (ja) | 半導体装置の突起型電極の形成方法 | |
| JPH0334319A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5870556A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62120020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0669203A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6019661B2 (ja) | 電極形成法 |