JPS6115582B2 - - Google Patents
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- JPS6115582B2 JPS6115582B2 JP7898078A JP7898078A JPS6115582B2 JP S6115582 B2 JPS6115582 B2 JP S6115582B2 JP 7898078 A JP7898078 A JP 7898078A JP 7898078 A JP7898078 A JP 7898078A JP S6115582 B2 JPS6115582 B2 JP S6115582B2
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- Japan
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- thin film
- aluminum
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- type thin
- etching
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- Expired
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は減圧した雰囲気中での蝕刻加工に関し
特にアルミニウムを主とする金属の加工法にかか
わる。
特にアルミニウムを主とする金属の加工法にかか
わる。
近年、半導体装置の製造工程に於て各種薄膜の
蝕刻には、溶液に代つて減圧した雰囲気中でのプ
ラズマ放電を利用した蝕刻法いわゆるプラズマエ
ツチング法が利用されてきている。このプラズマ
エツチング法によるアルミニウムのエツチングに
於ては、この被加工物であるアルミニウム表面に
形成されるアルミニウム酸化物のエツチング速度
が遅く、この膜のエツチングに数分間必要であ
る。この間にも最も一般的にマスキング材料とし
て使用されるホトレジストもエツチングされるた
め、従来法に於てはエツチングのパターン精度が
低下する。
蝕刻には、溶液に代つて減圧した雰囲気中でのプ
ラズマ放電を利用した蝕刻法いわゆるプラズマエ
ツチング法が利用されてきている。このプラズマ
エツチング法によるアルミニウムのエツチングに
於ては、この被加工物であるアルミニウム表面に
形成されるアルミニウム酸化物のエツチング速度
が遅く、この膜のエツチングに数分間必要であ
る。この間にも最も一般的にマスキング材料とし
て使用されるホトレジストもエツチングされるた
め、従来法に於てはエツチングのパターン精度が
低下する。
本発明は上記従来法の欠点を除き、マスキング
パターンに忠実な加工パターンを再現性良く得る
ことを目的とする。
パターンに忠実な加工パターンを再現性良く得る
ことを目的とする。
本発明によれば、基板上にアルミニウムを真空
蒸着法で被着させた後、空気中でのアルミニウム
の酸化を防止するため、同一真空内で、前記アル
ミニウム膜の表面に異る材料の薄膜を被着させ
る。
蒸着法で被着させた後、空気中でのアルミニウム
の酸化を防止するため、同一真空内で、前記アル
ミニウム膜の表面に異る材料の薄膜を被着させ
る。
このように形成した薄膜上にホトレジストパタ
ーンを形成してプラズマエツチング法を適用すれ
ば、最上層薄膜に続いて酸化アルミニウムを表面
に有しないアルミニウム膜が順次エツチングされ
ホトレジストパターンに忠実な加工パターンが得
られる。
ーンを形成してプラズマエツチング法を適用すれ
ば、最上層薄膜に続いて酸化アルミニウムを表面
に有しないアルミニウム膜が順次エツチングされ
ホトレジストパターンに忠実な加工パターンが得
られる。
本発明をより良く理解するため、図に用いて説
明する。以下の説明では、簡単のため半導体材料
としてシリコン、主配線材料としてアルミニウム
酸化防止用材料としてモリブデンを例とする。第
１図ａのように所望のＰ型及びＮ型導電層を形成
したシリコン基板１の一主面を覆うシリコン酸化
膜２に開孔３を設ける。次に、その基板１表面に
真空蒸着法によりアルミニウム４及びモリブデン
５を同一真空内で順次被着する〔第１図ｂ〕。し
かる後、前記モリブデン５表面に所望のパターン
をホトレジスト６にて形成し〔第１図ｃ〕、該ホ
トレジストパターンを含む基板１にプラズマエツ
チング処理を施す〔第１図ｄ〕。次に酸素プラズ
マ中にてホトレジストの灰化処理を施し、マスキ
ングに用いたホトレジスト６を除去する〔第１図
ｅ〕。このようにしてアルミニウム表面を空気中
に曝すことなくエツチングが実施できるため、エ
ツチングによるホトレジストの消耗を少なくでき
る。したがつて微細なパターン加工が可能とな
る。
明する。以下の説明では、簡単のため半導体材料
としてシリコン、主配線材料としてアルミニウム
酸化防止用材料としてモリブデンを例とする。第
１図ａのように所望のＰ型及びＮ型導電層を形成
したシリコン基板１の一主面を覆うシリコン酸化
膜２に開孔３を設ける。次に、その基板１表面に
真空蒸着法によりアルミニウム４及びモリブデン
５を同一真空内で順次被着する〔第１図ｂ〕。し
かる後、前記モリブデン５表面に所望のパターン
をホトレジスト６にて形成し〔第１図ｃ〕、該ホ
トレジストパターンを含む基板１にプラズマエツ
チング処理を施す〔第１図ｄ〕。次に酸素プラズ
マ中にてホトレジストの灰化処理を施し、マスキ
ングに用いたホトレジスト６を除去する〔第１図
ｅ〕。このようにしてアルミニウム表面を空気中
に曝すことなくエツチングが実施できるため、エ
ツチングによるホトレジストの消耗を少なくでき
る。したがつて微細なパターン加工が可能とな
る。
上記例では第２種薄膜としてモリブデンを用い
たが、この膜は材料自身或は、その材料を空気中
に曝した時に形成される酸化膜が、アルミニウム
に使用されるエツチングガスに対してアルミニウ
ムと同等程度がそれ以上のエツチング速度を有し
ている材料であれば良い。
たが、この膜は材料自身或は、その材料を空気中
に曝した時に形成される酸化膜が、アルミニウム
に使用されるエツチングガスに対してアルミニウ
ムと同等程度がそれ以上のエツチング速度を有し
ている材料であれば良い。
または、アルミニウムエツチングガスとは異な
るガスを用いて同一排気系中でエツチングできる
材料であれば良い。この時には先ずこの第２種膜
のエツチング完了後にガスを切り換えることによ
つてアルミニウムのエツチングを実施すれば同様
の効果が得られる。
るガスを用いて同一排気系中でエツチングできる
材料であれば良い。この時には先ずこの第２種膜
のエツチング完了後にガスを切り換えることによ
つてアルミニウムのエツチングを実施すれば同様
の効果が得られる。
一般にはアルミニウムのプラズマエツチングに
は四塩化炭素（Ccl4）が用いられている。前記例
のモリブデンは四塩化炭素でも、テトラフロロメ
タン（CFa）でもエツチング可能であるので、前
記にいずれの方法も採用できる。モリブデンの他
にはチタン等も同様の効果が期待できる。前記例
では配線主材料としてアルミニウムを用いたが、
銅（Cu）やシリコン（Si）を含んだアルミニウ
ム合金にも同様の効果が期待できる。
は四塩化炭素（Ccl4）が用いられている。前記例
のモリブデンは四塩化炭素でも、テトラフロロメ
タン（CFa）でもエツチング可能であるので、前
記にいずれの方法も採用できる。モリブデンの他
にはチタン等も同様の効果が期待できる。前記例
では配線主材料としてアルミニウムを用いたが、
銅（Cu）やシリコン（Si）を含んだアルミニウ
ム合金にも同様の効果が期待できる。
このようにして得た配線層を有する半導体装置
では、先願特許51−140854の効果が得られる。
では、先願特許51−140854の効果が得られる。
上記のように得た配線層に於て、モリブデン層
の全部或は一部を除去する場合には、前記配線層
を有するシリコン基板にテトラフロロメタンを用
いたプラズマエツチング処理を施すか、或は、除
去したい部分を除く表面をホトレジストにて被覆
して同様の処理を施せば良い。この時、テトラフ
ロロメタンを用いたプラズマエツチング処理では
アルミニウムはエツチングされず、また、二酸化
シリコンのエツチング速度は遅いのでモリブデン
層のエツチングに好適である。
の全部或は一部を除去する場合には、前記配線層
を有するシリコン基板にテトラフロロメタンを用
いたプラズマエツチング処理を施すか、或は、除
去したい部分を除く表面をホトレジストにて被覆
して同様の処理を施せば良い。この時、テトラフ
ロロメタンを用いたプラズマエツチング処理では
アルミニウムはエツチングされず、また、二酸化
シリコンのエツチング速度は遅いのでモリブデン
層のエツチングに好適である。
前記アルミニウム膜４及びモリブデン膜５の膜
厚は、実用的には、各々1.0〜1.5μ、500〜1000
Å程度が好適である。
厚は、実用的には、各々1.0〜1.5μ、500〜1000
Å程度が好適である。
以上のように本発明によれば、ホトレジストパ
ターンに忠実なアルミニウム加工パターンが再現
性良く得られ、本発明の大きな効果は微細な配線
パターンが得られることにある。
ターンに忠実なアルミニウム加工パターンが再現
性良く得られ、本発明の大きな効果は微細な配線
パターンが得られることにある。
第１図ａ〜ｅは、本発明による一実施例の各工
程断面図である。 １……シリコン、２……二酸化シリコン、４…
…アルミニウム、５……チタン、６……ホトレジ
スト。
程断面図である。 １……シリコン、２……二酸化シリコン、４…
…アルミニウム、５……チタン、６……ホトレジ
スト。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に主配線材料からなる第１種薄
膜と膜材料及びその酸化物のプラズマ蝕刻速度が
前記主配線材料と同等以上である第２種薄膜を同
一排気系中にて連続的に順次被着する工程と、該
第２種薄膜上に所望のマスキングパターンを形成
する工程と、該パターンをマスクとして前記第２
種薄膜及びその酸化物に続き、第１種薄膜を同一
排気系中にて連続的に順次基板に達するまで、プ
ラズマ蝕刻する工程とを含むことを特徴とする配
線パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7898078A JPS556844A (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of formating wiring pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7898078A JPS556844A (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of formating wiring pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS556844A JPS556844A (en) | 1980-01-18 |
| JPS6115582B2 true JPS6115582B2 (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=13677032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7898078A Granted JPS556844A (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Method of formating wiring pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS556844A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470589A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-05 | Koufu Nippon Denki Kk | フォトセンサ信号検出回路 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519873A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method of metallic layer pattern for semiconductor |
| JPS5715441A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Fujitsu Ltd | Formation of aluminum interconnection |
| JPS5739538A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Etching method of aluminum |
| JPS5749231A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for electrode and wiring layer |
| JPS57130429A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-12 | Hitachi Ltd | Formation of electrode wiring |
| JPS583253A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Seiko Epson Corp | 半導体基板上への金属配線形成方法 |
| JP2552876B2 (ja) * | 1987-08-25 | 1996-11-13 | 本田技研工業株式会社 | 車輌盗難防止装置 |
| JPH0714712B2 (ja) * | 1987-08-25 | 1995-02-22 | 本田技研工業株式会社 | 車輌盗難防止装置 |
-
1978
- 1978-06-28 JP JP7898078A patent/JPS556844A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470589A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-05 | Koufu Nippon Denki Kk | フォトセンサ信号検出回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS556844A (en) | 1980-01-18 |
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