JPH0697292A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0697292A JPH0697292A JP24785092A JP24785092A JPH0697292A JP H0697292 A JPH0697292 A JP H0697292A JP 24785092 A JP24785092 A JP 24785092A JP 24785092 A JP24785092 A JP 24785092A JP H0697292 A JPH0697292 A JP H0697292A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- wiring
- intermediate insulating
- semiconductor device
- layer
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下層Ａｌ配線と上層Ａｌ配線を中間絶縁膜層
のコンタクトホールを介して導通させる半導体装置にお
いて、中間絶縁膜のコンタクトエッチング時に生じるＡ
ｌ系ポリマーの発生を防止する。 【構成】 下層Ａｌ配線上１に中間絶縁膜と異なる種類
の絶縁膜２を形成することで、中間絶縁膜のコンタクト
エッチング時に起こる炭素ふっ化物系のガスプラズマと
Ａｌ原子の反応を、中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜層
に阻止させ、Ａｌ系ポリマーの発生を防ぐ。
のコンタクトホールを介して導通させる半導体装置にお
いて、中間絶縁膜のコンタクトエッチング時に生じるＡ
ｌ系ポリマーの発生を防止する。 【構成】 下層Ａｌ配線上１に中間絶縁膜と異なる種類
の絶縁膜２を形成することで、中間絶縁膜のコンタクト
エッチング時に起こる炭素ふっ化物系のガスプラズマと
Ａｌ原子の反応を、中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜層
に阻止させ、Ａｌ系ポリマーの発生を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、下層Ａｌ配線と上層Ａ
ｌ配線を中間絶縁膜層のコンタクトホールを介して導通
させる半導体装置の製造方法に関する。
ｌ配線を中間絶縁膜層のコンタクトホールを介して導通
させる半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について、図面に基づいて説
明する。図２（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体装置の工程
順断面図である。図２（ａ）は、半導体装置表面の下地
絶縁膜１上に、下層Ａｌ配線２を形成したものであり、
図２（ｂ）は、ＣＶＤ装置を用いて中間絶縁膜４を形成
したものである。図２（ｃ）において、レジスト膜５
に、フォトリソグラフィ法を用いてコンタクトホールの
パターンを形成し、炭素ふっ化物系のガスによるドライ
エッチングにより中間絶縁膜４をエッチングする。この
エッチング中に炭素ふっ化物系のガスプラズマと下層Ａ
ｌ配線２のＡｌ原子の反応により、コンタクトホール内
の中間絶縁膜４の側壁上にはＡｌ系ポリマー７が付着す
る。図２（ｄ）は、レジスト膜５を剥離したものであ
り、図２（ｅ）において、上層Ａｌ配線６をＰＶＤ法に
より堆積させたものである。従来の技術として以上のよ
うな半導体装置の製造方法が知られていた。
明する。図２（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体装置の工程
順断面図である。図２（ａ）は、半導体装置表面の下地
絶縁膜１上に、下層Ａｌ配線２を形成したものであり、
図２（ｂ）は、ＣＶＤ装置を用いて中間絶縁膜４を形成
したものである。図２（ｃ）において、レジスト膜５
に、フォトリソグラフィ法を用いてコンタクトホールの
パターンを形成し、炭素ふっ化物系のガスによるドライ
エッチングにより中間絶縁膜４をエッチングする。この
エッチング中に炭素ふっ化物系のガスプラズマと下層Ａ
ｌ配線２のＡｌ原子の反応により、コンタクトホール内
の中間絶縁膜４の側壁上にはＡｌ系ポリマー７が付着す
る。図２（ｄ）は、レジスト膜５を剥離したものであ
り、図２（ｅ）において、上層Ａｌ配線６をＰＶＤ法に
より堆積させたものである。従来の技術として以上のよ
うな半導体装置の製造方法が知られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の製造方
法では、図２（ｃ）の工程であるドライエッチング時に
生じたＡｌ系ポリマー７が、図２（ｄ）および（ｅ）の
後工程のパーティクル汚染源となったり、上層Ａｌ配線
６のコンタクトホール内のコンタクト部分での被覆性に
悪影響を与えてしまうという欠点を有していた。
法では、図２（ｃ）の工程であるドライエッチング時に
生じたＡｌ系ポリマー７が、図２（ｄ）および（ｅ）の
後工程のパーティクル汚染源となったり、上層Ａｌ配線
６のコンタクトホール内のコンタクト部分での被覆性に
悪影響を与えてしまうという欠点を有していた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は上記課題
を解決するために、下層Ａｌ配線上に中間絶縁膜と異な
る種類の絶縁膜を形成することで、中間絶縁膜のエッチ
ング終了時に、中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜で下層
Ａｌ配線表面を覆う構造にした。
を解決するために、下層Ａｌ配線上に中間絶縁膜と異な
る種類の絶縁膜を形成することで、中間絶縁膜のエッチ
ング終了時に、中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜で下層
Ａｌ配線表面を覆う構造にした。
【０００５】
【作用】上記のような構造を使用することにより、エッ
チング時に起きていた炭素ふっ化物系のガスプラズマと
Ａｌ原子の反応は、中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜層
に阻止されるため、Ａｌ系ポリマーの発生を防ぐことが
できるのである。
チング時に起きていた炭素ふっ化物系のガスプラズマと
Ａｌ原子の反応は、中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜層
に阻止されるため、Ａｌ系ポリマーの発生を防ぐことが
できるのである。
【０００６】なお、このＡｌ系ポリマーは、Ａｌ、フッ
素、炭素の化合物と推定される。
素、炭素の化合物と推定される。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例について、図面に基づ
いて説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例を
示す半導体装置の工程順断面図である。図１（ａ）は、
半導体装置表面の下地絶縁膜１上に、パターン化された
下層Ａｌ配線２を形成し、下地絶縁膜１と下層Ａｌ配線
２を８０℃の純水中に１５分間浸漬することにより、Ａ
ｌ2 Ｏ3 絶縁膜３を下層Ａｌ配線２の全表面に数十ｎｍ
の厚みで形成させたものであり、図１（ｂ）は、ＣＶＤ
装置を用いて中間絶縁膜４を形成したものである。図１
（ｃ）において、レジスト膜５に、フォトリソグラフィ
法を用いてコンタクトホールのパターンを形成し、炭素
ふっ化物系のガスによるドライエッチングにより、Ａｌ
2 Ｏ3 絶縁膜３の表面が露出するまで、中間絶縁膜４を
エッチングする。図１（ｄ）は、レジスト膜５を剥離
し、Ａｒガスなどの不活性ガスを用いた逆スパッタリン
グ法によりＡｌ2 Ｏ3 絶縁膜３を取り除いて下層Ａｌ配
線２を露出させたものである。
いて説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例を
示す半導体装置の工程順断面図である。図１（ａ）は、
半導体装置表面の下地絶縁膜１上に、パターン化された
下層Ａｌ配線２を形成し、下地絶縁膜１と下層Ａｌ配線
２を８０℃の純水中に１５分間浸漬することにより、Ａ
ｌ2 Ｏ3 絶縁膜３を下層Ａｌ配線２の全表面に数十ｎｍ
の厚みで形成させたものであり、図１（ｂ）は、ＣＶＤ
装置を用いて中間絶縁膜４を形成したものである。図１
（ｃ）において、レジスト膜５に、フォトリソグラフィ
法を用いてコンタクトホールのパターンを形成し、炭素
ふっ化物系のガスによるドライエッチングにより、Ａｌ
2 Ｏ3 絶縁膜３の表面が露出するまで、中間絶縁膜４を
エッチングする。図１（ｄ）は、レジスト膜５を剥離
し、Ａｒガスなどの不活性ガスを用いた逆スパッタリン
グ法によりＡｌ2 Ｏ3 絶縁膜３を取り除いて下層Ａｌ配
線２を露出させたものである。
【０００８】図１（ｅ）は、図１（ｄ）の後工程とし
て、全面に上層Ａｌ配線６をスパッタリング法にて形成
したものである。以上のような実施例において、ドライ
エッチング中の炭素ふっ化物系のガスプラズマと下層Ａ
ｌ配線２のＡｌ原子の接触は、Ａｌ2 Ｏ3 絶縁膜３に阻
止され、Ａｌ系ポリマーの発生を防ぐことができるので
ある。また、図１（ａ）において、Ａｌ2 Ｏ3 絶縁膜３
の代わりに、Ｓｉ3 Ｎ4絶縁膜をＣＶＤ法により形成さ
せても、同様にＡｌ系ポリマーの発生を防ぐことができ
る。
て、全面に上層Ａｌ配線６をスパッタリング法にて形成
したものである。以上のような実施例において、ドライ
エッチング中の炭素ふっ化物系のガスプラズマと下層Ａ
ｌ配線２のＡｌ原子の接触は、Ａｌ2 Ｏ3 絶縁膜３に阻
止され、Ａｌ系ポリマーの発生を防ぐことができるので
ある。また、図１（ａ）において、Ａｌ2 Ｏ3 絶縁膜３
の代わりに、Ｓｉ3 Ｎ4絶縁膜をＣＶＤ法により形成さ
せても、同様にＡｌ系ポリマーの発生を防ぐことができ
る。
【０００９】
【発明の効果】この発明は，以上説明したように、下層
Ａｌ配線上に予め中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜を形
成することにより、中間絶縁膜のエッチング終了時に、
中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜で下層Ａｌ配線表面を
覆う状態にできるので、エッチング時に起きる炭素ふっ
化物系のガスプラズマとＡｌ原子の反応は阻止されるた
め、下層Ａｌ配線と上層Ａｌ配線のコンタクト部分にＡ
ｌ系ポリマーの発生を防ぐ効果がある。
Ａｌ配線上に予め中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜を形
成することにより、中間絶縁膜のエッチング終了時に、
中間絶縁膜と異なる種類の絶縁膜で下層Ａｌ配線表面を
覆う状態にできるので、エッチング時に起きる炭素ふっ
化物系のガスプラズマとＡｌ原子の反応は阻止されるた
め、下層Ａｌ配線と上層Ａｌ配線のコンタクト部分にＡ
ｌ系ポリマーの発生を防ぐ効果がある。
【図１】本発明の実施例を示す半導体装置の工程順断面
図である。
図である。
【図２】従来の半導体装置の工程順断面図である。
【符号の説明】 １ 下地絶縁膜 ２ 下層Ａｌ配線 ３ Ａｌ2 Ｏ3 絶縁膜 ４ 中間絶縁膜 ５ レジスト膜 ６ 上層Ａｌ配線 ７ Ａｌ系ポリマー
Claims (2)
- 【請求項１】 下層Ａｌ配線と上層Ａｌ配線を中間絶縁
膜層のコンタクトホールを介して導通させる半導体装置
において、全表面の一部分を除いて、中間絶縁膜と異な
る絶縁膜にて被覆された下層Ａｌ配線上に、前記下層Ａ
ｌ配線の露出部分で上層Ａｌ配線が接続するように形成
されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記下層Ａｌ配線上に前記中間絶縁膜と
異なる種類の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表
面全体に前記中間絶縁膜を形成する工程と、フォトリソ
グラフィ法及びプラズマエッチング法により前記コンタ
クトホールを前記絶縁膜が露出するまで前記中間絶縁膜
に形成する工程と、前記絶縁膜を除去する工程からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置およびその
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24785092A JPH0697292A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24785092A JPH0697292A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697292A true JPH0697292A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17169589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24785092A Pending JPH0697292A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697292A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7919864B2 (en) * | 2003-10-13 | 2011-04-05 | Stmicroelectronics S.A. | Forming of the last metallization level of an integrated circuit |
| US8043956B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-10-25 | Globalfoundries Inc. | Wire bonding on reactive metal surfaces of a metallization of a semiconductor device by providing a protective layer |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24785092A patent/JPH0697292A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7919864B2 (en) * | 2003-10-13 | 2011-04-05 | Stmicroelectronics S.A. | Forming of the last metallization level of an integrated circuit |
| US8043956B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-10-25 | Globalfoundries Inc. | Wire bonding on reactive metal surfaces of a metallization of a semiconductor device by providing a protective layer |
| US8216880B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-07-10 | Globalfoundries Inc. | Wire bonding on reactive metal surfaces of a metallization of a semiconductor device by providing a protection layer |
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