JPS6362104B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6362104B2 JPS6362104B2 JP57120903A JP12090382A JPS6362104B2 JP S6362104 B2 JPS6362104 B2 JP S6362104B2 JP 57120903 A JP57120903 A JP 57120903A JP 12090382 A JP12090382 A JP 12090382A JP S6362104 B2 JPS6362104 B2 JP S6362104B2
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- JP
- Japan
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- insulating film
- wiring
- communication hole
- metal wiring
- photoresist
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- Expired
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に多
層配線構造を有する半導体装置の層間連絡孔の製
造方法に関するものである。
層配線構造を有する半導体装置の層間連絡孔の製
造方法に関するものである。
半導体装置の集積度を高める為には多層配線を
行なう必要があり、また小型で急峻な層間連絡孔
が用いられている。
行なう必要があり、また小型で急峻な層間連絡孔
が用いられている。
また、第１図の如く従来回避されていた第一の
層間連絡孔直上に第２の層間連絡孔を形成するこ
とも用いられている。
層間連絡孔直上に第２の層間連絡孔を形成するこ
とも用いられている。
第１図は半導体基板上に第１の金属配線形成
後、第１の絶縁膜を成長し急峻な第１の層間連絡
孔を形成し、該第１の層間連絡孔を被覆するよう
第２の金属配線を形成し、第２の絶縁膜成長後、
第１の層間連絡孔上に第２の層間連絡孔を形成し
た所である。
後、第１の絶縁膜を成長し急峻な第１の層間連絡
孔を形成し、該第１の層間連絡孔を被覆するよう
第２の金属配線を形成し、第２の絶縁膜成長後、
第１の層間連絡孔上に第２の層間連絡孔を形成し
た所である。
該方法は第１の層間連絡孔及び第２の金属配線
により非常に急峻な段ができてしまう。次に第３
の配線形成の為金属蒸着物例えばアルミニウム
（Al）を蒸着すると第２図の如く該段部でのステ
ツプカバレツジが悪くなり配線寿命等の信頼性上
の大きな問題となる。
により非常に急峻な段ができてしまう。次に第３
の配線形成の為金属蒸着物例えばアルミニウム
（Al）を蒸着すると第２図の如く該段部でのステ
ツプカバレツジが悪くなり配線寿命等の信頼性上
の大きな問題となる。
又、第３の配線をメツキ等で行なう場合にはメ
ツキ用の電極を形成する訳だが第２図の如く第２
配線の保護膜としてチタン（Ti）等の薄い膜を
蒸着するが該方法でも段部でのステツプカバレツ
ジが悪く完全な保護膜にはならない。該保護膜上
にAlを蒸着しフオトリゾグラフイ技術及び金属
腐食技術を用いて電極を形成する訳だが、Tiの
ステツプカバレツジが悪い為第３図の如く第２の
金属配線も腐食され、第２の金属配線の断線ある
いは配線寿命等の問題がある。
ツキ用の電極を形成する訳だが第２図の如く第２
配線の保護膜としてチタン（Ti）等の薄い膜を
蒸着するが該方法でも段部でのステツプカバレツ
ジが悪く完全な保護膜にはならない。該保護膜上
にAlを蒸着しフオトリゾグラフイ技術及び金属
腐食技術を用いて電極を形成する訳だが、Tiの
ステツプカバレツジが悪い為第３図の如く第２の
金属配線も腐食され、第２の金属配線の断線ある
いは配線寿命等の問題がある。
本発明は第２の金属配線の断線あるいは配線寿
命等の信頼性上の問題をなくした半導体装置の製
造方法を提供するものである。
命等の信頼性上の問題をなくした半導体装置の製
造方法を提供するものである。
本発明の特徴は、半導体製造工程に於いて、第
１の金属配線上の第１の絶縁膜に第１の層間連絡
孔を形成し、該第１の層間連絡孔を被覆するよう
第２の金属配線を形成して、第２の絶縁膜を成長
する工程と、該第２の絶縁膜上にフオトレジスト
を塗布し、選択露光により第１の層間連絡孔直上
に、該第１の層間連絡孔と同等以上の開口部を形
成し、急峻な段部のみフオトレジストが残るよう
露光してパターンを形成する工程と、該フオトレ
ジストパターンをマスクに第２の絶縁膜をエツチ
アウトし急峻な段部が第２の絶縁膜により埋めつ
くされることを特徴とする半導体装置の製造方法
にある。
１の金属配線上の第１の絶縁膜に第１の層間連絡
孔を形成し、該第１の層間連絡孔を被覆するよう
第２の金属配線を形成して、第２の絶縁膜を成長
する工程と、該第２の絶縁膜上にフオトレジスト
を塗布し、選択露光により第１の層間連絡孔直上
に、該第１の層間連絡孔と同等以上の開口部を形
成し、急峻な段部のみフオトレジストが残るよう
露光してパターンを形成する工程と、該フオトレ
ジストパターンをマスクに第２の絶縁膜をエツチ
アウトし急峻な段部が第２の絶縁膜により埋めつ
くされることを特徴とする半導体装置の製造方法
にある。
該方法によれば、第１の層間連絡孔及び第２の
金属配線による急峻な段を完全に埋めつくされ、
第３の配線のステツプカバレツジの問題は解決す
る。又、メツキ配線を行なう場合でも保護膜は完
全に第２の金属配線を被覆でき電極形成の際の金
属腐食の際でも第２の金属配線を腐食することは
ない。
金属配線による急峻な段を完全に埋めつくされ、
第３の配線のステツプカバレツジの問題は解決す
る。又、メツキ配線を行なう場合でも保護膜は完
全に第２の金属配線を被覆でき電極形成の際の金
属腐食の際でも第２の金属配線を腐食することは
ない。
次に本発明の実施例を順を追つて説明する。
第４図は半導体基板１上に第１の配線３を形成
し、その後、第一の層間絶縁膜４を成長し、第１
の層間連絡孔を形成し、第２の金属配線５を形成
した構造を示す。次に全面に層間絶縁膜６を全面
に成長後フオトレジスト９を塗布した所を第５図
に示す。該状態に於いては、第１の層間連絡孔、
第２金属配線及び第２の層間絶縁膜により形成さ
れる急峻な段部には厚くポジフオトレジストが塗
布される。次に第１の層間連絡孔直上に第１の層
間連絡孔と同等以上の開孔部を該フオトレジスト
に選択露光して開孔部を形成する。この露光条件
を適度に設定すれば急峻な段部にはフオトレジス
トが残つている。該状態を第６図に示す。次に該
フオトレジストをマスクに第２の絶縁膜をエツチ
ングし、フオトレジスト層を除去した図を第７図
に示す。第８図に第２の金属配線保護膜（Ti）
７、電極用のAl、８を蒸着後フオトレジスト１
０でパターン形成した構造を示す。
し、その後、第一の層間絶縁膜４を成長し、第１
の層間連絡孔を形成し、第２の金属配線５を形成
した構造を示す。次に全面に層間絶縁膜６を全面
に成長後フオトレジスト９を塗布した所を第５図
に示す。該状態に於いては、第１の層間連絡孔、
第２金属配線及び第２の層間絶縁膜により形成さ
れる急峻な段部には厚くポジフオトレジストが塗
布される。次に第１の層間連絡孔直上に第１の層
間連絡孔と同等以上の開孔部を該フオトレジスト
に選択露光して開孔部を形成する。この露光条件
を適度に設定すれば急峻な段部にはフオトレジス
トが残つている。該状態を第６図に示す。次に該
フオトレジストをマスクに第２の絶縁膜をエツチ
ングし、フオトレジスト層を除去した図を第７図
に示す。第８図に第２の金属配線保護膜（Ti）
７、電極用のAl、８を蒸着後フオトレジスト１
０でパターン形成した構造を示す。
次に該フオトレジスト層をマスクにAlを金属
腐食技術を用いて電極形成後金メツキ等で第３の
配線を形成した構造を第９図に示す。次にフオト
レジスト、Al、Tiを除去し、第３の配線を形成
した構造を第１０図に示す。
腐食技術を用いて電極形成後金メツキ等で第３の
配線を形成した構造を第９図に示す。次にフオト
レジスト、Al、Tiを除去し、第３の配線を形成
した構造を第１０図に示す。
該方法により第２の金属配線も腐食されず、又
第３の配線もステツプカバレツジ等の問題なく、
信頼性の高い多層配線が形成できる。
第３の配線もステツプカバレツジ等の問題なく、
信頼性の高い多層配線が形成できる。
第１図乃至第３図は従来の半導体装置の製造方
法の断面図、第４図乃至第１０図は本発明の製造
方法の一実施例を工程順に説明する為の断面図で
ある。 尚、図に於いて、１……シリコン基板、２……
酸化膜、３……第１の配線、４……第１の絶縁
膜、５……第２の金属配線、６……第２の絶縁
膜、７……保護膜（チタン）、８……電極用アル
ミニウム、９……フオトレジスト、１０……フオ
トレジスト、１１……第３のメツキ配線、であ
る。
法の断面図、第４図乃至第１０図は本発明の製造
方法の一実施例を工程順に説明する為の断面図で
ある。 尚、図に於いて、１……シリコン基板、２……
酸化膜、３……第１の配線、４……第１の絶縁
膜、５……第２の金属配線、６……第２の絶縁
膜、７……保護膜（チタン）、８……電極用アル
ミニウム、９……フオトレジスト、１０……フオ
トレジスト、１１……第３のメツキ配線、であ
る。
Claims (1)
- １ 半導体装置の製造工程に於いて、第１の金属
配線上の第１の絶縁膜に第１の層間連絡孔を形成
し該第１の層間連絡孔を被覆して第２の金属配線
を形成しその上に第２の絶縁膜を形成する工程
と、該第２の絶縁膜上にフオトレジストを塗布し
選択露光により該第１の層間連絡孔直上に該第１
の層間連絡孔と同等以上の開孔部を形成し、かつ
該開孔部内の、該第２の金属配線の急峻な段部上
の該第２の絶縁膜の急峻な段部にのみフオトレジ
ストを残すよう露光してパターンニングする工程
と、該フオトレジストパターンをマスクに該第２
の絶縁膜をエツチアウトし前記第２の金属配線の
急峻な段部を前記第２の絶縁膜により埋めつくす
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12090382A JPS5911647A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12090382A JPS5911647A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911647A JPS5911647A (ja) | 1984-01-21 |
| JPS6362104B2 true JPS6362104B2 (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=14797844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12090382A Granted JPS5911647A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911647A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146224A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Kobe Steel Ltd | 強度のばらつきの少ない高靭性高張力高炭素鋼線材の製造方法 |
| JPH03116852A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP12090382A patent/JPS5911647A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100748A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5911647A (ja) | 1984-01-21 |
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