JPH0289319A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0289319A JPH0289319A JP24276588A JP24276588A JPH0289319A JP H0289319 A JPH0289319 A JP H0289319A JP 24276588 A JP24276588 A JP 24276588A JP 24276588 A JP24276588 A JP 24276588A JP H0289319 A JPH0289319 A JP H0289319A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に高Ｓ積化に
適した微細配線の形成方法に関する。
適した微細配線の形成方法に関する。
従来、半導体装置の配線形成方法は、一部の開孔部を除
き半導体基板表面を被膜するように形成された電気絶縁
膜上に金属膜を被着させ、ポ！〜リソグラフィーを用い
て選択的にこれをバターニングする方法が一般的である
。
き半導体基板表面を被膜するように形成された電気絶縁
膜上に金属膜を被着させ、ポ！〜リソグラフィーを用い
て選択的にこれをバターニングする方法が一般的である
。
しかし、上述した従来の配線形成方法では、得られる配
線パターン幅はホトリングラフイーにより形成したパタ
ーンとほぼ同じとなるので、ホトリソグラフィーの微細
化の限界が配線パターンの微細化の限界となる。この際
、配線金属のエツチング加工時にマスクからのサイド・
エツチングかあれば更に微細化は困難となる。従って、
従来の方法により得られる配線パターンは、例えは、配
線幅１．０μ、配線間隔１．０μ程度が一般的なレベル
である。
線パターン幅はホトリングラフイーにより形成したパタ
ーンとほぼ同じとなるので、ホトリソグラフィーの微細
化の限界が配線パターンの微細化の限界となる。この際
、配線金属のエツチング加工時にマスクからのサイド・
エツチングかあれば更に微細化は困難となる。従って、
従来の方法により得られる配線パターンは、例えは、配
線幅１．０μ、配線間隔１．０μ程度が一般的なレベル
である。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、ホトリソグラフィ
によるパターンより微細な配線パターンを得ることがで
きる半導体装置の製造方法を提供することである。
によるパターンより微細な配線パターンを得ることがで
きる半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、シリコン基
板の酸化シリコン絶縁膜上に配線金属とは異なる金属膜
のオーバー・エッチング・パターンを窒化シリコン膜を
マスクとして形成する工程と、前記配線金属膜とは異な
る金属膜のオーバー・エッチング・パターンの側面に配
線金属膜を形成する配線金属膜の成長工程と、前記配線
金属とは異なる金属膜および窒化シリコン膜のマスク・
パターンをそれぞれ除去するエツチング工程から成る金
属配線の形成工程を含んで構成される。
板の酸化シリコン絶縁膜上に配線金属とは異なる金属膜
のオーバー・エッチング・パターンを窒化シリコン膜を
マスクとして形成する工程と、前記配線金属膜とは異な
る金属膜のオーバー・エッチング・パターンの側面に配
線金属膜を形成する配線金属膜の成長工程と、前記配線
金属とは異なる金属膜および窒化シリコン膜のマスク・
パターンをそれぞれ除去するエツチング工程から成る金
属配線の形成工程を含んで構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を示す工程順
序図である。本実施例によれば、先ず、シリコン基板ｌ
の一生面上にＰＮ接合（図示せず）及び酸化シリコン膜
２を形成し、更に酸化シリコン膜２の電極用開孔内に白
金シリサイド層３を設ける。次に前記開孔を含む酸化シ
リコン膜２の表面にタングステン層及び窒化シリコン膜
をそれぞれ順次被着し、ホトリソグラフィーとエツチン
グ加工によりタングステン層４及び窒化シリコン膜５の
パターンを形成する〔第１図（ａ）参照〕、このとき、
タングステン層４は窒化シリコン膜５よりサイド・エツ
チングさせるのが好適である。次にアルミニウムの選択
成長によりタングステン層４の露出面にアルミニウム膜
６を成長する。この成長膜厚によりアルミニウム配線の
線幅が制御できる〔第１図（ｂ ）参照〕。ついで、窒
化シリコン膜５及びタングステン層４をプラズマエツチ
ング法等で除去しアルミニウム配線６ａ。
序図である。本実施例によれば、先ず、シリコン基板ｌ
の一生面上にＰＮ接合（図示せず）及び酸化シリコン膜
２を形成し、更に酸化シリコン膜２の電極用開孔内に白
金シリサイド層３を設ける。次に前記開孔を含む酸化シ
リコン膜２の表面にタングステン層及び窒化シリコン膜
をそれぞれ順次被着し、ホトリソグラフィーとエツチン
グ加工によりタングステン層４及び窒化シリコン膜５の
パターンを形成する〔第１図（ａ）参照〕、このとき、
タングステン層４は窒化シリコン膜５よりサイド・エツ
チングさせるのが好適である。次にアルミニウムの選択
成長によりタングステン層４の露出面にアルミニウム膜
６を成長する。この成長膜厚によりアルミニウム配線の
線幅が制御できる〔第１図（ｂ ）参照〕。ついで、窒
化シリコン膜５及びタングステン層４をプラズマエツチ
ング法等で除去しアルミニウム配線６ａ。
６ｂ、６ｃ、６ｄ・・・を形成するものである〔第１図
（ｃ）参照〕。
（ｃ）参照〕。
第２図（ａ）〜（ｂ）は本発明の他の実施例を示す工程
順序図である。本実施例は酸化シリコン膜２に設けた開
孔部内にアルミニウム層７を埋設した後〔第２図（ａ）
参照〕、前実施例と同じ工程を行ったものである。これ
によると、タングステン層を被着しこの膜をエツチング
加工する際、シリコン基板の開孔部内の表面保護が前実
施例のように白金シリサイド層を用いた場合より強化さ
れるので、より安定した特性の配線パターンを得られる
利点がある。なお以上はタングステンを用いた場合を説
明したがモリブデンその他の金属を用いても同等の効果
を得ることができる。
順序図である。本実施例は酸化シリコン膜２に設けた開
孔部内にアルミニウム層７を埋設した後〔第２図（ａ）
参照〕、前実施例と同じ工程を行ったものである。これ
によると、タングステン層を被着しこの膜をエツチング
加工する際、シリコン基板の開孔部内の表面保護が前実
施例のように白金シリサイド層を用いた場合より強化さ
れるので、より安定した特性の配線パターンを得られる
利点がある。なお以上はタングステンを用いた場合を説
明したがモリブデンその他の金属を用いても同等の効果
を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、従来と同じホト
ソリグラフィー寸法を用いて、より微細な配線パターン
を得ることができるので、半導体装置の高度化及び配線
容量の低減化による高速化を図ることが可能である。
ソリグラフィー寸法を用いて、より微細な配線パターン
を得ることができるので、半導体装置の高度化及び配線
容量の低減化による高速化を図ることが可能である。
金シリサイド層、４・・・タングステン層、５・・・窒
化シリコン膜、６．７・・・アルミニウム膜、６ａ。
化シリコン膜、６．７・・・アルミニウム膜、６ａ。
６ｂ、６ｃ、６ｄ・・・アルミニウム配線。
Claims (1)
- シリコン基板の酸化シリコン絶縁膜上に配線金属とは異
なる金属膜のオーバー・エッチング・パターンを窒化シ
リコン膜をマスクとして形成する工程と、前記配線金属
膜とは異なる金属膜のオーバー・エッチング・パターン
の側面に配線金属膜を形成する配線金属膜の成長工程と
、前記配線金属とは異なる金属膜および窒化シリコン膜
のマスク・パターンをそれぞれ除去するエッチング工程
から成る金属配線の形成工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276588A JPH0289319A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276588A JPH0289319A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289319A true JPH0289319A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17093943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24276588A Pending JPH0289319A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329605B1 (ko) * | 1995-09-25 | 2002-11-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선제조방법 |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP24276588A patent/JPH0289319A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329605B1 (ko) * | 1995-09-25 | 2002-11-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선제조방법 |
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