JPS5994457A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5994457A JPS5994457A JP20339482A JP20339482A JPS5994457A JP S5994457 A JPS5994457 A JP S5994457A JP 20339482 A JP20339482 A JP 20339482A JP 20339482 A JP20339482 A JP 20339482A JP S5994457 A JPS5994457 A JP S5994457A
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- Japan
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- semiconductor device
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- thin metal
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置にかか、！７．特ＶＣコンタクト
開孔部の構造に関するものである。
開孔部の構造に関するものである。
従来、所望のトランジスタ全形成した半導体基板表面に
、絶縁膜を付しフォトエツチング工程を経てコンタクト
曲孔全形成する場合、金属薄膜パターンと接触すべきコ
ンタクト開孔内の不純物拡散層又は金属パターン表面が
平面に形成されていた。従って、半導体装置のパターン
微細化が進み、コンタクト開孔のＤｔｏ ４１が小さく
なると共に、半導体基板上の不純物拡散層又は金属パタ
ーン表面と上部に位置する金属薄膜パターンの接触面積
が小さくなり％接触抵抗を大きくしていた。このため半
導体装置のパターン微細化の障害となったり、半導体装
置の性能低下をもたらすと同時に、微細パターンとして
製造した製品の歩留２品質の低下をもたらしていた。
、絶縁膜を付しフォトエツチング工程を経てコンタクト
曲孔全形成する場合、金属薄膜パターンと接触すべきコ
ンタクト開孔内の不純物拡散層又は金属パターン表面が
平面に形成されていた。従って、半導体装置のパターン
微細化が進み、コンタクト開孔のＤｔｏ ４１が小さく
なると共に、半導体基板上の不純物拡散層又は金属パタ
ーン表面と上部に位置する金属薄膜パターンの接触面積
が小さくなり％接触抵抗を大きくしていた。このため半
導体装置のパターン微細化の障害となったり、半導体装
置の性能低下をもたらすと同時に、微細パターンとして
製造した製品の歩留２品質の低下をもたらしていた。
この発明の目的は、パターンの微細化や半導体装置の性
能向上が可能でかつ歩留や品質の低下がないコンタクト
開孔部の構造を有する半導体装置を提供することにある
。
能向上が可能でかつ歩留や品質の低下がないコンタクト
開孔部の構造を有する半導体装置を提供することにある
。
この発明の特徴は、半導体基板の主表面上にコンタクト
開孔を有する絶縁膜が設けられ、コンタクト開孔の内に
露出せる該主表面と接する金属薄膜パターンが形成され
た半導体装置において、前記コンタクト開孔内の接触面
が段差のある形状を有することにある。
開孔を有する絶縁膜が設けられ、コンタクト開孔の内に
露出せる該主表面と接する金属薄膜パターンが形成され
た半導体装置において、前記コンタクト開孔内の接触面
が段差のある形状を有することにある。
次に、この発明の実施例につき図面を用いて説明する。
第１図〜第４図は、この発明の一実施例を順に説明する
ためのコンタクト開孔部の断面図である。この実施例の
コンタクト開孔部の形成方法は、所望のトランジスタや
配線としての不純物拡散１ｖＩ２全形成した半導体基板
１の表面に絶縁膜３を付し、フォトエツチング工程を経
て絶縁膜３及び半導体基板１をエツチングし、さらに半
導体基板上の露出面全面に不純物全拡散し、最後に金層
薄膜パターン６を形成し、不純物拡散層２，５と金属薄
膜パターン６のコンタクトをとっている。
ためのコンタクト開孔部の断面図である。この実施例の
コンタクト開孔部の形成方法は、所望のトランジスタや
配線としての不純物拡散１ｖＩ２全形成した半導体基板
１の表面に絶縁膜３を付し、フォトエツチング工程を経
て絶縁膜３及び半導体基板１をエツチングし、さらに半
導体基板上の露出面全面に不純物全拡散し、最後に金層
薄膜パターン６を形成し、不純物拡散層２，５と金属薄
膜パターン６のコンタクトをとっている。
すなわち、拡散９イオン注入工程やフォトレジスト・パ
ターンニング工程、エッチング工程等を経て所望のトラ
ンジスタや配線としての金属パターン、不純物拡散層２
を形成した半導体基板１０表面に、は化シリコン膜や窒
化シリコン膜あるいはリンガラス膜等の絶縁膜３を付し
、フォトレジストパターンコンタ工程を経てコンタクト
開孔部のみフォトレジス）ｆ除去したパターン４全形成
する。次に、このフォトレジスト全保護膜とじて前記彪
縁膜３全エツチングし、さらに半導体基板１の上部をエ
ツチングして、半導体基板の表面にｍ＋影形成る。この
τ傅の底面及び側面が後に金属薄膜パターンと接する接
触面となる。さらに、接触面全体に不純物全拡散し、オ
ーミックコンタクＨ−形成するために拡散層５′に形成
する。最後に拡散層５と外部を接続するために金属薄膜
パターン６を付しコンタクトラ取る。ここで、接触面と
しての溝の底面？１辺２μの正方形とし、溝の深さ全２
μとすると接触面全体の面積が２０平方μとなり、底面
のみでコンタクトラ取っていた従来の方法と比較すると
５倍の面積増加となる。
ターンニング工程、エッチング工程等を経て所望のトラ
ンジスタや配線としての金属パターン、不純物拡散層２
を形成した半導体基板１０表面に、は化シリコン膜や窒
化シリコン膜あるいはリンガラス膜等の絶縁膜３を付し
、フォトレジストパターンコンタ工程を経てコンタクト
開孔部のみフォトレジス）ｆ除去したパターン４全形成
する。次に、このフォトレジスト全保護膜とじて前記彪
縁膜３全エツチングし、さらに半導体基板１の上部をエ
ツチングして、半導体基板の表面にｍ＋影形成る。この
τ傅の底面及び側面が後に金属薄膜パターンと接する接
触面となる。さらに、接触面全体に不純物全拡散し、オ
ーミックコンタクＨ−形成するために拡散層５′に形成
する。最後に拡散層５と外部を接続するために金属薄膜
パターン６を付しコンタクトラ取る。ここで、接触面と
しての溝の底面？１辺２μの正方形とし、溝の深さ全２
μとすると接触面全体の面積が２０平方μとなり、底面
のみでコンタクトラ取っていた従来の方法と比較すると
５倍の面積増加となる。
この実施例によれば、半導体装置のパターン微細化が進
み、コンタクト開孔の横方向の寸法が小さくなっても、
半導体基板上の不純物拡散層又は金属パターン表面と上
部に位置する金属薄膜パターンの接触面積を小さくする
ことがなく、接触抵抗を大きくすることがない。従って
、コンタクト開孔部の横方向の寸法がパターン微細化の
障害となっ′ｆｃＬ半導体装置の性能低下をもたらすこ
とかないばかりか、微細パターンとして製造した製品の
歩留９品質の低下もない。
み、コンタクト開孔の横方向の寸法が小さくなっても、
半導体基板上の不純物拡散層又は金属パターン表面と上
部に位置する金属薄膜パターンの接触面積を小さくする
ことがなく、接触抵抗を大きくすることがない。従って
、コンタクト開孔部の横方向の寸法がパターン微細化の
障害となっ′ｆｃＬ半導体装置の性能低下をもたらすこ
とかないばかりか、微細パターンとして製造した製品の
歩留９品質の低下もない。
上述の夷ｑ：４例において、金属薄膜パターンは、金属
の二層構造に変更できるし、絶縁膜も多層構造に変更で
きる。又、図においては、半導体基板上の不純物拡散層
とのコンタクトに関してのみ示したが、多結晶シリコン
、モリブデン、タングステン、アルミ等の金属やシリサ
イド等とのコンタクトに関しても同様に拡張できる。さ
らに、接触面の形状も角柱１円筒状の形状のみに限らず
種々の段差をもう形状に変更でき−ることは言うまでも
無い。□ ゛
の二層構造に変更できるし、絶縁膜も多層構造に変更で
きる。又、図においては、半導体基板上の不純物拡散層
とのコンタクトに関してのみ示したが、多結晶シリコン
、モリブデン、タングステン、アルミ等の金属やシリサ
イド等とのコンタクトに関しても同様に拡張できる。さ
らに、接触面の形状も角柱１円筒状の形状のみに限らず
種々の段差をもう形状に変更でき−ることは言うまでも
無い。□ ゛
第１図〜第４図は、本発明の一実施例を順に説明するた
めのコンタ〉ト開孔邪の断面図である。 尚、図において、 １・・・・・・半導体−板、２：・パ・・不純物拡散層
、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・フォトレジス
トパターン、５・・・・・・不純物拡散層、６・・・・
・・金属薄膜パターン、である。
めのコンタ〉ト開孔邪の断面図である。 尚、図において、 １・・・・・・半導体−板、２：・パ・・不純物拡散層
、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・フォトレジス
トパターン、５・・・・・・不純物拡散層、６・・・・
・・金属薄膜パターン、である。
Claims (1)
- 半導体基板の主表面上にコンタクト開孔を有する絶縁膜
が設けられ、コンタクト開孔の内に露出せる該主表面と
接する金属薄膜パターンが設けられた半導体装置におい
て、前記コンタクト開孔内の接触面が段差のある形状を
有すること全特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20339482A JPS5994457A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20339482A JPS5994457A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994457A true JPS5994457A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16473313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20339482A Pending JPS5994457A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181125A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Nec Corp | 半導体装置のオ−ミツク電極及びその製造方法 |
| JPS63219160A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Nec Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379378A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semoconductor davice and its production |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20339482A patent/JPS5994457A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379378A (en) * | 1976-12-23 | 1978-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semoconductor davice and its production |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181125A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Nec Corp | 半導体装置のオ−ミツク電極及びその製造方法 |
| JPS63219160A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Nec Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
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