JPH02140955A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02140955A JPH02140955A JP63295069A JP29506988A JPH02140955A JP H02140955 A JPH02140955 A JP H02140955A JP 63295069 A JP63295069 A JP 63295069A JP 29506988 A JP29506988 A JP 29506988A JP H02140955 A JPH02140955 A JP H02140955A
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- films
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、半導体装置の、特に金属配線構造に関するも
のである。
のである。
従来微細化された半導体装置の配線方法は、第2図の如
(1例えば半導体素子がJ1g成された半導体基板21
上の酸化シリコン膜22にコンタクトホールが形成され
、配線用のアルミニウム合金(例えばAl−3i)23
を0.5〜1.ojznスパックし、更にヒロック、マ
イグレーション防止の為に窒化チクン24を0.1um
程度スパッタする0次にフォトレジストをマスクして、
前記111層膜をドライエツチングしパクーニングして
からパッシベーション膜として気相成長によるPSG膜
2膜上5化シリコン膜26を成長させた後。
(1例えば半導体素子がJ1g成された半導体基板21
上の酸化シリコン膜22にコンタクトホールが形成され
、配線用のアルミニウム合金(例えばAl−3i)23
を0.5〜1.ojznスパックし、更にヒロック、マ
イグレーション防止の為に窒化チクン24を0.1um
程度スパッタする0次にフォトレジストをマスクして、
前記111層膜をドライエツチングしパクーニングして
からパッシベーション膜として気相成長によるPSG膜
2膜上5化シリコン膜26を成長させた後。
外部電極取り出し用のボンディングパッド27を開孔し
ている。
ている。
【発明が解決しようとする課題1
しかしながら従来技術では、外部電極取り出しの為にア
ルミニウムや金ワイヤーをパッド領域27にボンディン
グしているが、窒化チクン24がアルミニウム合金23
の間に介在している為ボンディング性が悪く、組み立て
実装の歩留りや信頼性にも問題が多い。
ルミニウムや金ワイヤーをパッド領域27にボンディン
グしているが、窒化チクン24がアルミニウム合金23
の間に介在している為ボンディング性が悪く、組み立て
実装の歩留りや信頼性にも問題が多い。
しかるに本発明は、かかる課題を解決するものであり、
その目的とするところは、ボンディング性を向上し信頼
性の高い微細半導体装置を安定供給することである。
その目的とするところは、ボンディング性を向上し信頼
性の高い微細半導体装置を安定供給することである。
〔課題を解決するための手1“p]
本発明の半導体装置は、アルミニウムもしくはその合金
薄膜上に高融点金属またはその化合物なrI′i層した
配線を有し、且つ外部電陽取り出し用のボンディングパ
ッド領域の少なくとも一部は該高融点金属またはその化
合物が除去されていることを特徴とする。
薄膜上に高融点金属またはその化合物なrI′i層した
配線を有し、且つ外部電陽取り出し用のボンディングパ
ッド領域の少なくとも一部は該高融点金属またはその化
合物が除去されていることを特徴とする。
〔実 施 例1
以下本発明の実施例における工程を、第1図に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
サブミクロンルールの集偵口路製造において、トランジ
スクや抵抗等の半導体素子が形成された半導体基鈑11
上の層間酸化シリコン膜12にコンタクトホールが開孔
されており、配線用のアルミニウム合金13を約1.0
μnl 、更に窒化チタン14を約500人スパックし
である0次に)才1−レジストをマスクにして、前記f
Fi層膜13.14をC1,やBCl3の様なハロゲン
系ガスでドライエツチングして同時パクーニングした後
、パシベーション膜として気相成長により、PSG膜1
膜上5ラズマ窒化膜16を成長させる。続いて外部電極
取り出し用のボンディングパッドを設ける為、前記プラ
ズマ窒化膜16はN F sガスを用いて、又PSGI
I!t!17はCHF z / O□ガスを用いてドラ
イエツチングした後、更にCF410@ガスで窒化チタ
ン1lQ14を除去しである。この様にしてなる半導体
装置を用いた1組み立て実装工程のボンディング不良は
激減し、信頼性上においても問題はなくなった。
スクや抵抗等の半導体素子が形成された半導体基鈑11
上の層間酸化シリコン膜12にコンタクトホールが開孔
されており、配線用のアルミニウム合金13を約1.0
μnl 、更に窒化チタン14を約500人スパックし
である0次に)才1−レジストをマスクにして、前記f
Fi層膜13.14をC1,やBCl3の様なハロゲン
系ガスでドライエツチングして同時パクーニングした後
、パシベーション膜として気相成長により、PSG膜1
膜上5ラズマ窒化膜16を成長させる。続いて外部電極
取り出し用のボンディングパッドを設ける為、前記プラ
ズマ窒化膜16はN F sガスを用いて、又PSGI
I!t!17はCHF z / O□ガスを用いてドラ
イエツチングした後、更にCF410@ガスで窒化チタ
ン1lQ14を除去しである。この様にしてなる半導体
装置を用いた1組み立て実装工程のボンディング不良は
激減し、信頼性上においても問題はなくなった。
この他の実施例として、アルミニウム合金を用いた2F
yJQL!線構逍にも本発明を辿HI したか、前記と
同様な改善がみられた。
yJQL!線構逍にも本発明を辿HI したか、前記と
同様な改善がみられた。
尚、ヒロック、マイグレーション防止膜としてゴ(化チ
タンを用いたが、これはフォ1−リソ工程でのハレーシ
ョン防止も北ねている為であり、これに限らずモリブデ
ン、タングステンチタンの様な高融点金属やそのシリサ
イド等の導電材でも応用できる。又アルミニウム合金配
線としては、アルミニウムーシリコンに限らずチタン、
銅、白金等やこれらの混合物を含む2元、3元系の合金
でも良く、その形成方法は、加熱、無加熱あるいはバイ
アスの有無に限定されない、更に配線の下に、バリア金
属を敷いた場合にも適用できる。
タンを用いたが、これはフォ1−リソ工程でのハレーシ
ョン防止も北ねている為であり、これに限らずモリブデ
ン、タングステンチタンの様な高融点金属やそのシリサ
イド等の導電材でも応用できる。又アルミニウム合金配
線としては、アルミニウムーシリコンに限らずチタン、
銅、白金等やこれらの混合物を含む2元、3元系の合金
でも良く、その形成方法は、加熱、無加熱あるいはバイ
アスの有無に限定されない、更に配線の下に、バリア金
属を敷いた場合にも適用できる。
[発明の効果1
以上の如く本発明によれば、アルミニウムもしくはその
合金上に異種金属を積層した構造の配線であっても、ボ
ンディングパッド領域ではアルミニウムもしくはその合
金を露出してやることにより、積層金属配線の特性を損
なうこともなく、ボンディング性を向上し組み立て歩留
り、信頼性を向上する効果があり、微細半導体装置の実
用化と安定供給が可能となる。
合金上に異種金属を積層した構造の配線であっても、ボ
ンディングパッド領域ではアルミニウムもしくはその合
金を露出してやることにより、積層金属配線の特性を損
なうこともなく、ボンディング性を向上し組み立て歩留
り、信頼性を向上する効果があり、微細半導体装置の実
用化と安定供給が可能となる。
11゜
12゜
13゜
l 4.
15゜
1 G、
17.
2 l ・
22 ・
23 ・
24 ・
25 ・
2G ・
27 ・
・半導体バ板
・酸化シリコン
・アルミニウム合金膜
・窒化チタン膜
・PSGIIIJ
・プラズマ窒化膜
・ボンディングパッド領域
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 上 (卵 雅 誉(lul1名)
第1図は1本発明の一実施例による配m構造を示す概略
断面図である。 第2図は、従来の配線構造を示す概略断面図である。
断面図である。 第2図は、従来の配線構造を示す概略断面図である。
Claims (1)
- アルミニウムもしくはその合金薄膜上に高融点金属ま
たはその化合物を積層した配線を有し、且つ外部電極取
り出し用のボンディングパッド領域の少なくとも一部は
該高融点金属またはその化合物が除去されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63295069A JPH02140955A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63295069A JPH02140955A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02140955A true JPH02140955A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17815915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63295069A Pending JPH02140955A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02140955A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0685088A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH07201986A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100336776B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2002-05-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 패드 형성방법 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63295069A patent/JPH02140955A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0685088A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH07201986A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100336776B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2002-05-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 패드 형성방법 |
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