JPH03171732A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03171732A JPH03171732A JP31090389A JP31090389A JPH03171732A JP H03171732 A JPH03171732 A JP H03171732A JP 31090389 A JP31090389 A JP 31090389A JP 31090389 A JP31090389 A JP 31090389A JP H03171732 A JPH03171732 A JP H03171732A
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- Japan
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- oxide film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置、特にバツシベーション膜の改良
に関する６のである． ［発明の概要１ 本発明は、半導体装置において、パツシベーション膜の
構造を下層部に窒化膜、上層部に酸化膜という２層構造
にすることにより、耐湿面に関して高い信頼性を保持し
つつ、外部からの応力によるバッシベーションのクラツ
クを防止するものである． ［従来の技術］ 従来のバッシベーション膜の構造については、半導体装
置のデザインルールが２ｇｍ以下に微細化されてきた頃
から第２図にあるように、下層部に酸化膜２０４、上層
部に窒化膜２０５という２層構造が採られてきた． ［発明が解決しようとする課題１ しかし、上記の従来の構造においては、パッシベーショ
ン膜の下層部には酸化膜２０４を、上層部には窒化膜２
０５を形成しているため、酸化膜と比較して膜の性質が
緻密な窒化膜ゆえにｉｉ１１性には優れてはいるが、外
部応力に対しては酸化膜より割れやすいという問題があ
った． 特に、半導体装置の組立工程においてバッシベーション
膜にクラックが入ってしまい、耐湿面に関する問題を引
き起こすことがあった．〔課題を解決するための千段】 本発明の半導体装置は ａ）半導体基板表面に酸化膜を形成する工程と、ｂ）該
酸化謹上に金属配綿材料を形成する工程と、 Ｃ）該金属配線材料上に窒化膜を形成する工程と、 ｄ）該窒化膜上に酸化膜を形成する工程から成ることを
特徴とする． ［実 施 例１ 以下、本発明について実施例に基づいて説明してゆく． 第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例を製造工程順
に示す図である．但し、半導体基板としてシリコンウエ
ーハを、金属配線材料としてアルミ配線を、窒化膜とし
てプラズマナイトライド膜を、酸化膜として酸化シリコ
ン膜を選ぶ．まず、第１図（ａ）にあるように、シリコ
ンウ工−ハｌｏｔの表面に酸化シリコン膜１０２を形成
する． 次に、第１図（ｂ）にあるように．ＡＩ−Ｓｉ（１％）
を全面にスパッタしてｌｕｍの厚さに蒸着し、フォトリ
ソグラフィ工程でアルミ配線ｌ０３を形成する． 次に、第１図（Ｃ）にあるように、プラズマナイトライ
ド膜１０４を０．６μｍの厚さで全面に形成する． 次に、第１図（ｄ）にあるように，酸化シリコン膜１０
５をＩＬＬｍの厚さで全面に形成する．以上の工程で製
造されるものが、本発明の半導体装置である． 〔発明の効果〕 上述のように本発明によれば，バッシベーションの下層
部に窒化膜を、上層部に酸化膜を形成することにより，
耐湿面に関して高い信頼性を維持させつつ、外部からの
応力を緩和して、パッシベーション膜のクラックを防止
することが出来る．
に関する６のである． ［発明の概要１ 本発明は、半導体装置において、パツシベーション膜の
構造を下層部に窒化膜、上層部に酸化膜という２層構造
にすることにより、耐湿面に関して高い信頼性を保持し
つつ、外部からの応力によるバッシベーションのクラツ
クを防止するものである． ［従来の技術］ 従来のバッシベーション膜の構造については、半導体装
置のデザインルールが２ｇｍ以下に微細化されてきた頃
から第２図にあるように、下層部に酸化膜２０４、上層
部に窒化膜２０５という２層構造が採られてきた． ［発明が解決しようとする課題１ しかし、上記の従来の構造においては、パッシベーショ
ン膜の下層部には酸化膜２０４を、上層部には窒化膜２
０５を形成しているため、酸化膜と比較して膜の性質が
緻密な窒化膜ゆえにｉｉ１１性には優れてはいるが、外
部応力に対しては酸化膜より割れやすいという問題があ
った． 特に、半導体装置の組立工程においてバッシベーション
膜にクラックが入ってしまい、耐湿面に関する問題を引
き起こすことがあった．〔課題を解決するための千段】 本発明の半導体装置は ａ）半導体基板表面に酸化膜を形成する工程と、ｂ）該
酸化謹上に金属配綿材料を形成する工程と、 Ｃ）該金属配線材料上に窒化膜を形成する工程と、 ｄ）該窒化膜上に酸化膜を形成する工程から成ることを
特徴とする． ［実 施 例１ 以下、本発明について実施例に基づいて説明してゆく． 第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例を製造工程順
に示す図である．但し、半導体基板としてシリコンウエ
ーハを、金属配線材料としてアルミ配線を、窒化膜とし
てプラズマナイトライド膜を、酸化膜として酸化シリコ
ン膜を選ぶ．まず、第１図（ａ）にあるように、シリコ
ンウ工−ハｌｏｔの表面に酸化シリコン膜１０２を形成
する． 次に、第１図（ｂ）にあるように．ＡＩ−Ｓｉ（１％）
を全面にスパッタしてｌｕｍの厚さに蒸着し、フォトリ
ソグラフィ工程でアルミ配線ｌ０３を形成する． 次に、第１図（Ｃ）にあるように、プラズマナイトライ
ド膜１０４を０．６μｍの厚さで全面に形成する． 次に、第１図（ｄ）にあるように，酸化シリコン膜１０
５をＩＬＬｍの厚さで全面に形成する．以上の工程で製
造されるものが、本発明の半導体装置である． 〔発明の効果〕 上述のように本発明によれば，バッシベーションの下層
部に窒化膜を、上層部に酸化膜を形成することにより，
耐湿面に関して高い信頼性を維持させつつ、外部からの
応力を緩和して、パッシベーション膜のクラックを防止
することが出来る．
第１図の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置の製造
装置の断面図である． 第２図は、従来の半導体装置の断面図を示す．１０１ １０２ １０３ １ ０４ ｌ ○ ５ ２０１ ２ ０ ２ ２０３ ２０４ ２ ０５ ・シリコンウエーハ ・酸化シリコン膜 ・アルミ配綿 ・プラズマナイトライド膜 ・酸化シリコン膜 ・半導体基板 ・酸化膜 ・金属配線材料 ・酸化膜 ・窒化膜 以上
装置の断面図である． 第２図は、従来の半導体装置の断面図を示す．１０１ １０２ １０３ １ ０４ ｌ ○ ５ ２０１ ２ ０ ２ ２０３ ２０４ ２ ０５ ・シリコンウエーハ ・酸化シリコン膜 ・アルミ配綿 ・プラズマナイトライド膜 ・酸化シリコン膜 ・半導体基板 ・酸化膜 ・金属配線材料 ・酸化膜 ・窒化膜 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ）半導体基板表面に酸化膜を形成する工程と、ｂ）該
酸化膜上に金属配線材料を形成する工程と、 ｃ）該金属配線材料上に窒化膜を形成する工程と、 ｄ）該窒化膜上に酸化膜を形成する工程から成ることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31090389A JPH03171732A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31090389A JPH03171732A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03171732A true JPH03171732A (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=18010772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31090389A Pending JPH03171732A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03171732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000074693A (ko) * | 1999-05-25 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체 소자의 수분 침투 방지층 형성방법 |
| KR100385955B1 (ko) * | 2001-02-13 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 다중막으로 이루어진 스페이서를 갖는 반도체 소자 및 그제조방법 |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP31090389A patent/JPH03171732A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000074693A (ko) * | 1999-05-25 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체 소자의 수분 침투 방지층 형성방법 |
| KR100385955B1 (ko) * | 2001-02-13 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 다중막으로 이루어진 스페이서를 갖는 반도체 소자 및 그제조방법 |
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