JPS63257268A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS63257268A JPS63257268A JP9222187A JP9222187A JPS63257268A JP S63257268 A JPS63257268 A JP S63257268A JP 9222187 A JP9222187 A JP 9222187A JP 9222187 A JP9222187 A JP 9222187A JP S63257268 A JPS63257268 A JP S63257268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- impurity diffusion
- diffusion region
- insulating layer
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に高融点金属硅化物
層を用いた′に律配線を有する半導体集積回路に関する
。
層を用いた′に律配線を有する半導体集積回路に関する
。
半導体集積回路の高集積化に伴い電極配線パターンの微
細化が重要となる。従来より配線材料としては主にアル
ミニウムが用いられており、近年電極配線の微細化が進
むにつれアルミニウム奄極配ＩｆｉｌＩＶｃ加わる機械
的、電気的ストレスによるアルεニウムのマイクレージ
ョンやアルｉ二＋ツム中ニ拡散したシリコンの界面にお
ける析出等が装置の信頼性低下の髪因として重要視され
つつある。そこでこれらの埃象を抑制する為モリブデン
やタングステン等の高融点金属の硅化物とアルミニウム
の多層膜を配線として用いる方法がとられている。
細化が重要となる。従来より配線材料としては主にアル
ミニウムが用いられており、近年電極配線の微細化が進
むにつれアルミニウム奄極配ＩｆｉｌＩＶｃ加わる機械
的、電気的ストレスによるアルεニウムのマイクレージ
ョンやアルｉ二＋ツム中ニ拡散したシリコンの界面にお
ける析出等が装置の信頼性低下の髪因として重要視され
つつある。そこでこれらの埃象を抑制する為モリブデン
やタングステン等の高融点金属の硅化物とアルミニウム
の多層膜を配線として用いる方法がとられている。
さらに高融点金属配線を配線として用いることも試みら
れておりモリブデンとチタンの２層構造とすることによ
ってシリコンとのコンタクト抵抗を低減した高融点金属
配線の報告がある。
れておりモリブデンとチタンの２層構造とすることによ
ってシリコンとのコンタクト抵抗を低減した高融点金属
配線の報告がある。
第３図は従来の半導体集積回路の一例を示す半導体チッ
プの１＠面図である。
プの１＠面図である。
第３図に示すように、−導電型半導体基板１の表面に素
子形成領域を区画するようにフィールド絶縁層２が設け
られ、前記素子形成領域に逆導電型の不純物拡散領域３
が設けられている。前記素子形成領域およびフィールド
絶縁層２の上に絶縁、’ｄ ４が形成され、不純物拡散
領域３の上の絶縁層４に開口部が設けられる。前記開口
部の不純物拡散領域３とコンタクトし、絶縁層４の上に
延在する硅化タングステン層７とアルミニウム層８から
なる２層構造の電極配線が形成される。
子形成領域を区画するようにフィールド絶縁層２が設け
られ、前記素子形成領域に逆導電型の不純物拡散領域３
が設けられている。前記素子形成領域およびフィールド
絶縁層２の上に絶縁、’ｄ ４が形成され、不純物拡散
領域３の上の絶縁層４に開口部が設けられる。前記開口
部の不純物拡散領域３とコンタクトし、絶縁層４の上に
延在する硅化タングステン層７とアルミニウム層８から
なる２層構造の電極配線が形成される。
〔発明が解決しようとする問題点：）
上述した従来の半導体集積回路は、高融点金属硅化物層
とアルミニウム層の２層構造の電極配線により不純物拡
散層とコンタクトされており、不細物拡散層のシリコン
と高融点金属硅化物層とのコンタクト抵抗が高いという
問題点がある。
とアルミニウム層の２層構造の電極配線により不純物拡
散層とコンタクトされており、不細物拡散層のシリコン
と高融点金属硅化物層とのコンタクト抵抗が高いという
問題点がある。
本発明の目的は、低いコンタクト抵抗の電極配線を有す
る半導体集積回路を提供することにある。
る半導体集積回路を提供することにある。
本発明の半導体集積回路は、−導電型の半導体基板と、
該半導体基板の主表面に素子形成領域を区画するように
設けられたフィールド絶縁層と、前記素子形成領域に設
けられた逆導電型の不純物拡散領域と、該不純物拡散領
域上に開口部を有し前記素子形成領域と前記フィールド
絶縁層上に設けられた絶縁層と、前記開口部の前記不純
物拡散領域表面に設けられたチタニウム層と、前記チタ
ニウム層を介１７て前記不純物拡散領域とコンタクトし
ｍＪ記絶縁層上に延在する高融点金属硅化物ｊ脅とアル
ミニウム層の積層からなる電極配線とを含んで講成され
る。
該半導体基板の主表面に素子形成領域を区画するように
設けられたフィールド絶縁層と、前記素子形成領域に設
けられた逆導電型の不純物拡散領域と、該不純物拡散領
域上に開口部を有し前記素子形成領域と前記フィールド
絶縁層上に設けられた絶縁層と、前記開口部の前記不純
物拡散領域表面に設けられたチタニウム層と、前記チタ
ニウム層を介１７て前記不純物拡散領域とコンタクトし
ｍＪ記絶縁層上に延在する高融点金属硅化物ｊ脅とアル
ミニウム層の積層からなる電極配線とを含んで講成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、−導電型の半導体基
板１の表面に素子形成領域を区画するフィールド絶縁層
２を形成し、前記素子形成領域に逆導電型の不純物拡散
領域３を形成する。次に前記素子形成領域を含む全面に
膜ｎ、０．５μｍの酸化シリコン層４を気相成長法によ
り堆積し、酸化シリコン層４を選択的にエツチングして
不純物拡散領域３の上に開口部５を設ける。
板１の表面に素子形成領域を区画するフィールド絶縁層
２を形成し、前記素子形成領域に逆導電型の不純物拡散
領域３を形成する。次に前記素子形成領域を含む全面に
膜ｎ、０．５μｍの酸化シリコン層４を気相成長法によ
り堆積し、酸化シリコン層４を選択的にエツチングして
不純物拡散領域３の上に開口部５を設ける。
次に、第１図（ｂ）に示すように開口部５を含む全面に
膜厚０．０８μｍのチタニウム層６．膜厚ｏ、１μｍの
硅化タングステン層７．膜厚１０１１ｍのアルミニウム
＊ｓｔ−スパッタリング法で順次積層して形成する。
膜厚０．０８μｍのチタニウム層６．膜厚ｏ、１μｍの
硅化タングステン層７．膜厚１０１１ｍのアルミニウム
＊ｓｔ−スパッタリング法で順次積層して形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、アルミニウム層８、
硅化タングステン層７．チタニウム層６を順次選択的に
エツチングして眩去し、開口部５の不純物拡散領域３と
コンタクトする電極配線を形成する。この実施例では、
′電極配線は３層構造となっている。
硅化タングステン層７．チタニウム層６を順次選択的に
エツチングして眩去し、開口部５の不純物拡散領域３と
コンタクトする電極配線を形成する。この実施例では、
′電極配線は３層構造となっている。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例を説明す
るだめの工程順に示した半導体チップの断面図である。
るだめの工程順に示した半導体チップの断面図である。
第２図（ａ）に示すように、−導電型の半導体基板１の
表面に素子形成領域を区画するフィールド絶縁層２を形
成し、前記素子形成領域に逆導電型の不純物拡散領域３
を形成する。次に、前記素子形成領域を含む全面に膜厚
０．５μｍの酸化シリコン層４を堆積し、酸化シリコン
層４を選択的にエツチングして不純物拡散領域３の上に
開口部を設け、該開口部を含む全面＋／ｃ膜厚０．０８
μｍのチタニウム層６をスパッタリング法により形成し
、回転塗布法で全面にホトレジスト層９を形成する。
表面に素子形成領域を区画するフィールド絶縁層２を形
成し、前記素子形成領域に逆導電型の不純物拡散領域３
を形成する。次に、前記素子形成領域を含む全面に膜厚
０．５μｍの酸化シリコン層４を堆積し、酸化シリコン
層４を選択的にエツチングして不純物拡散領域３の上に
開口部を設け、該開口部を含む全面＋／ｃ膜厚０．０８
μｍのチタニウム層６をスパッタリング法により形成し
、回転塗布法で全面にホトレジスト層９を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、０□系ガスプラズマ
による全面エツチングを行い前記開口部以外のホトレジ
ストＩ＠ ９を除去する。
による全面エツチングを行い前記開口部以外のホトレジ
ストＩ＠ ９を除去する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、ＣＣｌ４系のガスプ
ラズマによるエツチングで絶縁層４の上のチタニウムＩ
ｉ＃６を除去する。
ラズマによるエツチングで絶縁層４の上のチタニウムＩ
ｉ＃６を除去する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、ホトレジスト層９を
除去した後、スパッタリング法により全面に膜４０．１
μｍの硅化タングステン層７および膜厚１０μｍのアル
ミニウム層８を順次堆積し、アルミニウム層８と硅化タ
ングステン層７を選択的にエツチングして前記開口部の
不純物拡散領域３とコンタクトする電極配線を形成する
。
除去した後、スパッタリング法により全面に膜４０．１
μｍの硅化タングステン層７および膜厚１０μｍのアル
ミニウム層８を順次堆積し、アルミニウム層８と硅化タ
ングステン層７を選択的にエツチングして前記開口部の
不純物拡散領域３とコンタクトする電極配線を形成する
。
なお、電極配線の硅化タングステン層の代りに硅化モリ
ブデン層を用いても良く、アルミニウム層はシリコン、
銅等の不純物を含むものであっても良い。
ブデン層を用いても良く、アルミニウム層はシリコン、
銅等の不純物を含むものであっても良い。
以上説明したように本発明は、高融点金属硅化物層とア
ルミニウム層の２層構造を有する電極配線がチタン層を
介して不純物拡散層とコンタクトされることにより、コ
ンタクト抵抗が低くかつ熱的安定性が高く、さらに電気
的機械的ストレスに強い高信頼性の半導体集積回路が実
現できるという効果を有する。
ルミニウム層の２層構造を有する電極配線がチタン層を
介して不純物拡散層とコンタクトされることにより、コ
ンタクト抵抗が低くかつ熱的安定性が高く、さらに電気
的機械的ストレスに強い高信頼性の半導体集積回路が実
現できるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）および第２図（ａ）〜（ｄ）は本
発明の第１および第２の実施例を説明するための工程順
に示した半導体チップの断面図、第３図は従来の半導体
集積回路の一例を示す半導体チップの断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
絶縁１ｍ 。 ３・・・・・・不純物拡散領域、４・・・・・・酸化シ
リコン層、５・・・・・・開口部、６・・・・・・チタ
ニウム層、７・・・・・・硅化タングステン層、８・・
・・・・アルミニウム層、９・・−・・・ホトレジスト
層。 代理人 弁理士 内 原 晋１’ ”””’：係
／区 第Ｚ図
発明の第１および第２の実施例を説明するための工程順
に示した半導体チップの断面図、第３図は従来の半導体
集積回路の一例を示す半導体チップの断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
絶縁１ｍ 。 ３・・・・・・不純物拡散領域、４・・・・・・酸化シ
リコン層、５・・・・・・開口部、６・・・・・・チタ
ニウム層、７・・・・・・硅化タングステン層、８・・
・・・・アルミニウム層、９・・−・・・ホトレジスト
層。 代理人 弁理士 内 原 晋１’ ”””’：係
／区 第Ｚ図
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と、該半導体基板の主表面に素子
形成領域を区画するように設けられたフィールド絶縁層
と、前記素子形成領域に設けられた逆導電型の不純物拡
散領域と、該不純物拡散領域上に開口部を有し前記素子
形成領域と前記フィールド絶縁層上に設けられた絶縁層
と、前記開口部の前記不純物拡散領域表面に設けられた
チタニウム層と、前記チタニウム層を介して前記不純物
拡散領域とコンタクトし前記絶縁層上に延在する高融点
金属硅化物層とアルミニウム層の積層からなる電極配線
とを含むことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222187A JPS63257268A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222187A JPS63257268A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257268A true JPS63257268A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14048391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222187A Pending JPS63257268A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63257268A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685414B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1994-10-26 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | チタニウムタングステンおよび選択的ｃｖｄタングステンによる凹部相互接続方法 |
| US5541444A (en) * | 1989-09-09 | 1996-07-30 | Canon Kabushiki Kaisha & Tadahiro Ohmi | Device and method of manufacturing the same and semiconductor device and method of manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63172463A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP9222187A patent/JPS63257268A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63172463A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685414B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1994-10-26 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | チタニウムタングステンおよび選択的ｃｖｄタングステンによる凹部相互接続方法 |
| US5541444A (en) * | 1989-09-09 | 1996-07-30 | Canon Kabushiki Kaisha & Tadahiro Ohmi | Device and method of manufacturing the same and semiconductor device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63257268A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2005191182A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10229086A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62136857A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62190850A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6347952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5966150A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0462855A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0258228A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS59194432A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61287151A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03296219A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60142544A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20010064077A (ko) | 리프트-오프법을 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPH04196428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0344929A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6047445A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03191525A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS60254636A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6254957A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0794583A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0234931A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03173432A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04314353A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH05235179A (ja) | 半導体装置 |