JPH04196428A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04196428A JPH04196428A JP32808290A JP32808290A JPH04196428A JP H04196428 A JPH04196428 A JP H04196428A JP 32808290 A JP32808290 A JP 32808290A JP 32808290 A JP32808290 A JP 32808290A JP H04196428 A JPH04196428 A JP H04196428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- metal wiring
- conductors
- semiconductor device
- micron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005324 grain boundary diffusion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置、特にウェハプロセスで形成され
る集積回路の製造方法に関する。
る集積回路の製造方法に関する。
［発明の概要〕
本発明は、半導体装置の製造方法において、電流経路と
なる金属配線を１ミクロン以下の微細な配線の平行結合
で構成する事により、金属配線の最大許容電流密度を上
げる事が可能となり、金属配線のエレクトロマイグレー
シミンによる断線不良を防止するものである。
なる金属配線を１ミクロン以下の微細な配線の平行結合
で構成する事により、金属配線の最大許容電流密度を上
げる事が可能となり、金属配線のエレクトロマイグレー
シミンによる断線不良を防止するものである。
［従来の技術］
従来、金属配線を形成する方法として、第２図にあるよ
うに、電流経路として用いられる配線は単一配線構造の
金属膜どなるような工程が用いられている。
うに、電流経路として用いられる配線は単一配線構造の
金属膜どなるような工程が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来の技術においては、金属配線に定状
的に電流が流れる様な場合、特にその金属配線の最大許
容電流密度以上に流れる場合、金属配線のエレクトロマ
イグレーション現象の反応が顕著になる。このような状
況で使用しつづけると、金属配線は設計寿命より短い時
間で断線が生じる事により、半導体装置の機能不良が発
生し、信頼性上の問題を発生させる事が考えられる。
的に電流が流れる様な場合、特にその金属配線の最大許
容電流密度以上に流れる場合、金属配線のエレクトロマ
イグレーション現象の反応が顕著になる。このような状
況で使用しつづけると、金属配線は設計寿命より短い時
間で断線が生じる事により、半導体装置の機能不良が発
生し、信頼性上の問題を発生させる事が考えられる。
本発明は、このような従来の半導体装置の問題点を解決
するもので、その目的とするところは、より安定した信
頼性の高い半導体装置を提供するところにある。
するもので、その目的とするところは、より安定した信
頼性の高い半導体装置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置に用いら
れる金属配線において、１系統の電流経路が１ミクロン
以下の配線幅を有する金属配線の複数の平行結合から構
成される事を特徴とする。
れる金属配線において、１系統の電流経路が１ミクロン
以下の配線幅を有する金属配線の複数の平行結合から構
成される事を特徴とする。
［実施例］
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における半導体
装置の製造工程に従う断面図である。
装置の製造工程に従う断面図である。
第１図（ｅ）は、本発明の実施例における半導体装置の
平面図である。
平面図である。
まず、第１図（ａ）にあるように、比抵抗１０（Ω−ｃ
ｍ）のＮ型シリコン基板１００上に、二酸化珪素からな
る絶縁［１０１を通常の熱酸化法で形成する。
ｍ）のＮ型シリコン基板１００上に、二酸化珪素からな
る絶縁［１０１を通常の熱酸化法で形成する。
次に、第１図（ｂ）にあるように、Ａ１１０２を通常の
蒸着あるいはスパッタリングにより１ミクロン厚となる
よう形成させる。
蒸着あるいはスパッタリングにより１ミクロン厚となる
よう形成させる。
次に、第１図（ｃ）にあるように、前述で形成したＡ１
１０２をレジストを用いてパターンニングする。この場
合、パターンニングに用いるフォトマスクは、パターン
ユング後の金属配線が細い金属配線の平行集合となるよ
うなマスクを用いる。
１０２をレジストを用いてパターンニングする。この場
合、パターンニングに用いるフォトマスクは、パターン
ユング後の金属配線が細い金属配線の平行集合となるよ
うなマスクを用いる。
ここで、細い金属配線の平行集合の個々の金属配線幅は
１ミクロン以下になるようにデザインする。
１ミクロン以下になるようにデザインする。
また、それらの微細配線の間隔は極力狭くなるようにし
、微細配線の数を極力多く形成するようにする。
、微細配線の数を極力多く形成するようにする。
次に、第１（ｄ）にあるように、前述で形成された金属
配線１０３上にパッシベーション１１１０４を形成する
。
配線１０３上にパッシベーション１１１０４を形成する
。
以上の工程を経て、金属配線が形成される。第１図（ｅ
）は、形成された金属配置５１０５の平面図である。本
実施例において、形成される金属配線は配線幅が１ミク
ロン以下となるように加工されているので、金属配線の
材料となるＡ１粒子のグレインサイズは少なくても１ミ
クロン以上になるように、Ａ１のスパッタ時にコントロ
ールしなければならない。
）は、形成された金属配置５１０５の平面図である。本
実施例において、形成される金属配線は配線幅が１ミク
ロン以下となるように加工されているので、金属配線の
材料となるＡ１粒子のグレインサイズは少なくても１ミ
クロン以上になるように、Ａ１のスパッタ時にコントロ
ールしなければならない。
本実施例においては、Ａ１の単層構造の場合を述べたが
、しばしばＴｉ、Ｗなどの金属との積層構造配線を採用
する場合があるが、この場合においてはＡ１粒子のグレ
インサイズはより小さくなる傾向にあるので、更にグレ
インサイズのコントロールに対して注意が必要である。
、しばしばＴｉ、Ｗなどの金属との積層構造配線を採用
する場合があるが、この場合においてはＡ１粒子のグレ
インサイズはより小さくなる傾向にあるので、更にグレ
インサイズのコントロールに対して注意が必要である。
また、本実施例で形成される金属配線は、１ミクロン以
下の微細配線幅で形成される事より、金属配線上のパッ
シベーション膜からの応力に対する影響を受は易いので
、パッシベーション膜の低応力化についても注意が必要
である。
下の微細配線幅で形成される事より、金属配線上のパッ
シベーション膜からの応力に対する影響を受は易いので
、パッシベーション膜の低応力化についても注意が必要
である。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、Ａｌ配線を１ミク
ロン以下の微細配線の集合体として形成する事で、個々
のＡｌ配線幅がＡ１粒子のグレインサイズよりも小さく
なる、いわゆるバンブー構造となることで、エレクトロ
マイグレーションの発生原因といわれる粒界拡散現象を
最小限に抑える事が出来る。金属配線膜を微細に分割さ
せた構造では、分割しない単一の金属配線よりも断面積
の減少するが、前記の説明の効果によりエレクトロマイ
グレーションに対する耐量は向上する事になる効果の方
が大きい。このように、Ａ１配線のエレクトロマイグレ
ーションの耐量を向上させ、金属配線の断線不良を低減
する事ができ、より信頼性の高い半導体装置を提供する
事ができる。
ロン以下の微細配線の集合体として形成する事で、個々
のＡｌ配線幅がＡ１粒子のグレインサイズよりも小さく
なる、いわゆるバンブー構造となることで、エレクトロ
マイグレーションの発生原因といわれる粒界拡散現象を
最小限に抑える事が出来る。金属配線膜を微細に分割さ
せた構造では、分割しない単一の金属配線よりも断面積
の減少するが、前記の説明の効果によりエレクトロマイ
グレーションに対する耐量は向上する事になる効果の方
が大きい。このように、Ａ１配線のエレクトロマイグレ
ーションの耐量を向上させ、金属配線の断線不良を低減
する事ができ、より信頼性の高い半導体装置を提供する
事ができる。
第１図（ａ）〜＜ｅ＞は、本発明による実施例の半導体
装置の製造工程の断面図である。 第２図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である
。 １００・・・Ｎ型シリコン基板 １０１・・・絶縁膜 １０２・・・Ａ１ １０３ ・・−Ａｌｉｉｉ［ｉｉｔ＆ １０４・・・パッシベーション 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
装置の製造工程の断面図である。 第２図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図である
。 １００・・・Ｎ型シリコン基板 １０１・・・絶縁膜 １０２・・・Ａ１ １０３ ・・−Ａｌｉｉｉ［ｉｉｔ＆ １０４・・・パッシベーション 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体装置に用いられる金属配線において、１系統の
電流経路が１ミクロン以下の配線幅を有する金属配線の
複数の平行結合から構成される事を特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808290A JPH04196428A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808290A JPH04196428A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196428A true JPH04196428A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18206313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32808290A Pending JPH04196428A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701282A3 (en) * | 1994-08-01 | 1996-10-30 | Motorola Inc | Interconnection structure having a localized reduced maximum current density and method of manufacturing an interconnection level in a semiconductor device |
| US6975124B2 (en) * | 2003-09-22 | 2005-12-13 | International Business Machines Corp. | Multipoint nanoprobe |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32808290A patent/JPH04196428A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701282A3 (en) * | 1994-08-01 | 1996-10-30 | Motorola Inc | Interconnection structure having a localized reduced maximum current density and method of manufacturing an interconnection level in a semiconductor device |
| US5760476A (en) * | 1994-08-01 | 1998-06-02 | Motorola, Inc. | Interconnect run between a first point and a second point in a semiconductor device for reducing electromigration failure |
| US6975124B2 (en) * | 2003-09-22 | 2005-12-13 | International Business Machines Corp. | Multipoint nanoprobe |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04196428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61225837A (ja) | 半導体装置の層間接続方法 | |
| KR20010102317A (ko) | 반도체 칩 제조 방법 | |
| JPS60262443A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPH0786281A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS5863150A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5823940B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPS62136857A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63257268A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04111324A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0338832A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPH04326521A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH06163721A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04314353A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS62241373A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0334545A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58176950A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH01270248A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04250628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60245252A (ja) | 多層配線部材 | |
| JPH04254330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58110055A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59224142A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPH08111460A (ja) | 多層配線の構造および製造方法 | |
| JPH0645448A (ja) | 半導体装置 |