JPH04254330A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04254330A JPH04254330A JP1509191A JP1509191A JPH04254330A JP H04254330 A JPH04254330 A JP H04254330A JP 1509191 A JP1509191 A JP 1509191A JP 1509191 A JP1509191 A JP 1509191A JP H04254330 A JPH04254330 A JP H04254330A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に金属配線の形成方法に関する。
関し、特に金属配線の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造工程における金
属配線の製造方法を図面を用いて説明する。まず図２（
ａ）に示すように、半導体素子が形成されたＳｉ等の半
導体基板１上に酸化シリコン膜等の絶縁膜２を形成した
のちパターニングしコンタクトホール３を形成する。 次に、図２（ｂ）に示すように、全面に厚さ約１．３〜
１．７μｍのアルミ等の金属膜６を形成する。次に図２
（ｃ）に示すように、金属膜６を所定のパターンにエッ
チングし、金属配線６Ａを形成する。
属配線の製造方法を図面を用いて説明する。まず図２（
ａ）に示すように、半導体素子が形成されたＳｉ等の半
導体基板１上に酸化シリコン膜等の絶縁膜２を形成した
のちパターニングしコンタクトホール３を形成する。 次に、図２（ｂ）に示すように、全面に厚さ約１．３〜
１．７μｍのアルミ等の金属膜６を形成する。次に図２
（ｃ）に示すように、金属膜６を所定のパターンにエッ
チングし、金属配線６Ａを形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、この
従来の金属配線の形成方法では、配線形成のパターニン
グを１回のフォトレジストによる露光によってのみ行な
っていたため、金属膜の内部や上部にごみ等の異物が存
在していたり、更にはフォトレジスト膜上に異物がある
場合には、金属配線６Ａの一部が欠落してしまう。この
欠落は金属配線が断線寸前にも及び、半導体装置の歩留
及び信頼性を低下させるという問題点があった。
従来の金属配線の形成方法では、配線形成のパターニン
グを１回のフォトレジストによる露光によってのみ行な
っていたため、金属膜の内部や上部にごみ等の異物が存
在していたり、更にはフォトレジスト膜上に異物がある
場合には、金属配線６Ａの一部が欠落してしまう。この
欠落は金属配線が断線寸前にも及び、半導体装置の歩留
及び信頼性を低下させるという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成したのちパター
ニングしコンタクトホールを形成する工程と、このコン
タクトホールを含む全面に第１の金属膜を形成したのち
パターニングし下層配線を形成する工程と、全面に第２
の金属膜を形成したのちパターニングし前記下層配線を
覆う上層配線を形成する工程とを含むものである。
造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成したのちパター
ニングしコンタクトホールを形成する工程と、このコン
タクトホールを含む全面に第１の金属膜を形成したのち
パターニングし下層配線を形成する工程と、全面に第２
の金属膜を形成したのちパターニングし前記下層配線を
覆う上層配線を形成する工程とを含むものである。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する
ための半導体チップの断面図である。
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する
ための半導体チップの断面図である。
【０００６】まず図１（ａ）に示すように、トランジス
タや抵抗等の半導体素子が形成されたＳｉ等からなる半
導体基板１上に厚さ約７００ｎｍの酸化膜等からなる絶
縁膜２を形成したのち、選択的に沸酸等でエッチングし
コンタクトホール３を形成する。次に図１（ｂ）に示す
ように、第１金属膜として厚さ約０．５μｍの第１Ａｌ
膜４をスパッタリング法で形成する。
タや抵抗等の半導体素子が形成されたＳｉ等からなる半
導体基板１上に厚さ約７００ｎｍの酸化膜等からなる絶
縁膜２を形成したのち、選択的に沸酸等でエッチングし
コンタクトホール３を形成する。次に図１（ｂ）に示す
ように、第１金属膜として厚さ約０．５μｍの第１Ａｌ
膜４をスパッタリング法で形成する。
【０００７】次に図１（ｃ）に示すように、第１Ａｌ膜
を選択的にエッチングし、第１Ａｌ配線４Ａを形成する
。次に第２金属膜として厚さ０．８〜１．２μｍの第２
Ａｌ膜５をスパッタリング法で形成する。次に図１（ｄ
）に示すように、第２Ａｌ膜５を第１Ａｌ配線４Ａより
約１〜２μｍ太いパターンにエッチングし第１Ａｌ配線
４Ａを覆う第２Ａｌ配線５Ａを形成し、第１Ａｌ配線４
Ａと第２Ａｌ配線５Ａからなる金属配線を形成する。
を選択的にエッチングし、第１Ａｌ配線４Ａを形成する
。次に第２金属膜として厚さ０．８〜１．２μｍの第２
Ａｌ膜５をスパッタリング法で形成する。次に図１（ｄ
）に示すように、第２Ａｌ膜５を第１Ａｌ配線４Ａより
約１〜２μｍ太いパターンにエッチングし第１Ａｌ配線
４Ａを覆う第２Ａｌ配線５Ａを形成し、第１Ａｌ配線４
Ａと第２Ａｌ配線５Ａからなる金属配線を形成する。
【０００８】このよう本実施例によれば、パターニング
時に第１Ａｌ配線４Ａの一部が欠けてしまっても、第２
Ａｌ膜５を形成し、再度パターニングすることによりこ
の欠けた部分を補うことができ、少なくとも切れかかっ
た配線の存在確率を小さくできるため半導体装置の歩留
り及び信頼性を向上させることができる。
時に第１Ａｌ配線４Ａの一部が欠けてしまっても、第２
Ａｌ膜５を形成し、再度パターニングすることによりこ
の欠けた部分を補うことができ、少なくとも切れかかっ
た配線の存在確率を小さくできるため半導体装置の歩留
り及び信頼性を向上させることができる。
【０００９】尚、上記実施例においては下層配線として
の第１Ａｌ配線を１層のＡｌ膜で形成する場合について
説明したが、Ｗ膜とＡｌ膜との２層にしてもよい。この
場合、第２Ａｌ膜５をエッチングする時に、異物により
第２Ａｌ配線５Ａに欠落が生じても、Ｗ膜のエンチング
レートを小さくしておくことにより、配線の断線を防ぐ
ことができる。また、Ｗ膜を下層に用いることにより、
Ａｌ配線のエレクトロマイグレーションを防止できると
いう利点もある。
の第１Ａｌ配線を１層のＡｌ膜で形成する場合について
説明したが、Ｗ膜とＡｌ膜との２層にしてもよい。この
場合、第２Ａｌ膜５をエッチングする時に、異物により
第２Ａｌ配線５Ａに欠落が生じても、Ｗ膜のエンチング
レートを小さくしておくことにより、配線の断線を防ぐ
ことができる。また、Ｗ膜を下層に用いることにより、
Ａｌ配線のエレクトロマイグレーションを防止できると
いう利点もある。
【００１０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、金属配線を
下層配線とこれを覆う上層配線とで構成することにより
、成膜時のごみやフォトレジスト膜上のごみ等の異物が
あっても、配線が断線することはなくなる。従って、半
導体装置の歩留り及び信頼性を向上させることができる
という効果がある。
下層配線とこれを覆う上層配線とで構成することにより
、成膜時のごみやフォトレジスト膜上のごみ等の異物が
あっても、配線が断線することはなくなる。従って、半
導体装置の歩留り及び信頼性を向上させることができる
という効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図である。
プの断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
半導体チップの断面図である。
半導体チップの断面図である。
１ 半導体基板
２ 絶縁膜
３ コンタクトホール
４ 第１Ａｌ膜
４Ａ 第１Ａｌ配線
５ 第２Ａｌ膜
５Ａ 第２Ａｌ配線
６ 金属膜
６Ａ 金属配線
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を形成したのち
パターニングしコンタクトホールを形成する工程と、こ
のコンタクトホールを含む全面に第１の金属膜を形成し
たのちパターニングし下層配線を形成する工程と、全面
に第２の金属膜を形成したのちパターニングし前記下層
配線を覆う上層配線を形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 第１の金属膜はタングステンとアルミ
ニウムの２層膜から形成される請求項１記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1509191A JPH04254330A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1509191A JPH04254330A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254330A true JPH04254330A (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=11879177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1509191A Pending JPH04254330A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04254330A (ja) |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP1509191A patent/JPH04254330A/ja active Pending
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