JPS6254957A

JPS6254957A - イメ−ジセンサ

Info

Publication number: JPS6254957A
Application number: JP60193975A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Tsushima; 対馬　修一; Toru Oda; 徹織田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1985-09-04
Filing date: 1985-09-04
Publication date: 1987-03-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光導電層として非晶質シリコン（以下ａ−Ｓ
ｉと記す）膜を使用し、多層配線構造を備えたイメージ
センサに関するものである。

（従来の技術及びその問題点）従来、この種のイメージセンサは、第２図に示したよう
に構成されている。第２図において、１は基板、２はａ
−８Ｌからなる光導電層、３は電極・配線層（以下−次
配線層と呼ぶ）、４はポリイミド系樹脂膜からなる多層
配線構造の層間絶縁層、５は二次配線層である。なお光
導電層２が、第３図に示したように、一対の電極で挟ま
れた構造のものもあり、６は透明電極である。

一次配線層３はＡｌｇ　Ｃｒ、ＮｉＣｒ等の各種金属材
料が使用される。このうちＡｌは成膜が容易でかつパタ
ーン化も容易であるが、次のような欠点を有している。

■　高湿雰囲気下で腐食され易い。

■　層間絶縁層４のポリイミドと結合し易く、スルホー
ルの形成が困難であり、また二次配線層５との接触抵抗
が非常に大きくなる。

一方、Ｃｒ又はＮ　ｉ　Ｃｒ　（以下単にＮ　ｉ　Ｃｒ
と記す）の場合は、Ａｉ＋の場合の欠点を十分改善でき
るが、別に次のような欠点を有する。

■　パターン形成の八めに用いるフォトレジストが剥離
しにくく、金属膜表面に残ることがあり、これがスルホ
ール部に発生すると、Ａｇの場合と同様に二次配線層５
との接触抵抗が大きくなる。

■　ａ−３ｉ膜は基板を押し曲げる方向に内部応力が働
くが、ＮｉＣｒ膜は基板を反らせる方向に内部応力が働
く。このため、ａ−３ｉ膜が基板から剥がれ易くなる。

ここで、本発明者等は、各種の実験を行なった結果、Ｎ
ｉＣｒ膜の膜厚が厚い程ａ−８Ｌ膜が基板から剥がれ易
いことを見出した。従ってその剥離の発生を防止するに
は、ＮｉＣｒ膜の膜厚を薄くすることが必要であるが、
しかし膜厚を薄くすると光導電層２（センサービット部
）のエツジ部で断線が発生し易くなる。

本発明は、これらの点に鑑みてなされたもので、ａ−８
Ｌ膜の基板からの剥離がなく、しかも電極・配線層の断
線が発生しないイメージセンサを提供するものである。

（問題点を解決するための手段）本発明では、第４図に示したように、少なくとも光導電
層２上及びその近傍に配置される電極・配線層が、Ｎｌ
　ｅ　Ｎ　ｉＣｒ又はＣｒからなる膜８を下地とし、そ
の上にＡｌ膜９を積層して構成するものである。

（作　用）Ｎ　ｉ　Ｃｒ膜８の薄膜化が可能になり、ａ−５ｉ膜を
基板から剥がそうとする力を低減させ、かつその上から
Ａρ膜９で押え付けることにより引き剥がす力をさらに
低減させることができる。このときのＮｉＣｒ膜の膜厚
は３００〜３０００人、　Ａｌ１［の膜厚は２０００Å
以上が好ましい。なお、電極・配線層の外部回路との接
続部及びスルホール接続部では下地のＮ　ｉ　Ｃｒ膜上
に積層Ａｌがない状態としておくことが、Ａｌ電極の欠
点を除去するために是非必要である。

（実施例）以下図面を用いて実施例を説明する。第１図は、本発明
の一実施例を示したもので、１は基板、２はａ−３ｉ膜
からなる光導電層、４はポリイミド系樹脂膜からなる層
間絶縁層、５は二次配線層、８は一次配線層を構成する
ＮｉＣｒ膜、９は同じく一次配、線層を構成するＡｍ膜
、１０は保護層である。

次に、具体的な製造方法を述べる。まず厚さ１ｍの石英
ガラスからなる基板１の上に、厚さ０．８、μｍのａ−
８ｉ：Ｈ膜をプラズマＣＶＤ法により形成し、これを１
００μｍ　Ｘ　２００μｍのセンサービットにパターン
化して光導電層２とした。次いで、Ｎ１Ｃｒ（Ｎｉ８０
％）膜８を真空蒸着法により１０００人の厚さで形成し
、さらにこの上にＡｌ膜９を４０００人の厚さに真空蒸
着法により形成した後、これをパターン化し、同時に、
外部回路との接続部（図示せず）及びスルホール接続部
のＡｌを除去した。次に、感光性ポリイミド（東し株式
会社製、商品名フォトニース０Ｒ−３１００）を塗布し
、スルホールの形成を含むパターン化を行ない、膜厚３
μｍの層間絶縁層４を形成した。さらに、５０００人の
Ａｍを蒸着し、これをパターン化して二次配線層５を形
成した。最後に外部回路との接続部を除き、Ｓｉ、Ｎ。

からなる保護膜１０をプラズマＣＶＤ法により５０００
人の厚さで形成した。

このようにして得られた本実施例のイメージセンサは、
光導電層２のエツジ部での一次配線層の断線やａ−８ｉ
膜の剥離もなく、極めて良好なものであった。

これに対し、第１の比較例として、ＮｉＣｒ膜８の上に
Ａｉ！を積層せず、他は実施例と同様に構成したものは
、ａ−３ｉ膜の剥離はないが、光導電層のエツジ部での
断線が発生した。

また、第２の比較例として、ＮｉＣｒ膜８の膜厚を５０
００人とした以外は実施例と同様に構成したものは、ａ
−８ｉ膜の剥離が発生した。

（発明の効果）以上説明したように、本発明によれば、■　ａ−５ｉ膜
の基板からの剥離を防止することができる。

■　スルホール接続部において、良好な接触抵抗が得ら
れる。

■　外部回路との接続部の腐食を防止することができる
。

■　光導電層のエツジ部における電極・配線層の断線が
防止できる。

等の利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の断面図、第２図は、従来
例の断面図、第３図は、他の従来例の光導電層部分の断
面図、第４図は９本発明の基本構成の断面図である。１　・・・基板、　２・・・ａ−８ｉからなる光導電層
、４・・・ポリイミド系樹脂膜からなる層間絶縁層。５　・・・二次配線層、　８　・・・ＮｉＣｒ膜、９　
・・・Ａｌ膜、　１０・・・保護層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光導電層として非晶質シリコン膜を使用し、多層
配線構造を備えたイメージセンサにおいて、電極・配線
層の少なくとも前記光導電層上及びその近傍に配置され
る部分が、Ｎｉ、ＮｉＣｒ又はＣｒを下地とし、その上
にＡｌを積層してなることを特徴とするイメージセンサ
。
（２）前記電極・配線層のうち外部回路との接続部は、
Ｎｉ、ＮｉＣｒ又はＣｒが表面に現われていることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のイメージセン
サ。
（３）前記多層配線構造の層間絶縁層がポリイミド系樹
脂膜からなるとともに、前記電極・配線層のスルホール
接続部ではＮｉ、ＮｉＣｒ又はＣｒからなる下地の上に
積層Ａｌがないことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載のイメージセンサ。
（４）前記Ｎｉ、ＮｉＣｒ又はＣｒの膜厚が３００〜３
０００Å、Ａｌの膜厚が２０００Å以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のイメージセン
サ。