JPS62210648A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62210648A JPS62210648A JP5545186A JP5545186A JPS62210648A JP S62210648 A JPS62210648 A JP S62210648A JP 5545186 A JP5545186 A JP 5545186A JP 5545186 A JP5545186 A JP 5545186A JP S62210648 A JPS62210648 A JP S62210648A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の改良に関するものである。
第７図ないし第１１図は従来の二層配線を用いたシリコ
ン半導体装置の断面図であり、図において（１）はシリ
コン基板、（２）はシリコン酸化膜、（３）は１層目の
アルミニウム配線、（４）は１Ｎ目配線と２層目配線の
絶縁をとるための窒化シリコン膵からなる絶縁膜、（５
）は２層目のアルミシリコン配線である。（６）はスル
ホール、（７）は絶縁膜（４）上に析出したシリコン膜
である。
ン半導体装置の断面図であり、図において（１）はシリ
コン基板、（２）はシリコン酸化膜、（３）は１層目の
アルミニウム配線、（４）は１Ｎ目配線と２層目配線の
絶縁をとるための窒化シリコン膵からなる絶縁膜、（５
）は２層目のアルミシリコン配線である。（６）はスル
ホール、（７）は絶縁膜（４）上に析出したシリコン膜
である。
次に、このような構造のシリコン半導体素子の製造方法
を第８図〜第１１図で示す。まず、第８図で、１層目の
アルミニウム配線（３）のパターン形成が終った後、シ
リコン基板（１）上に層間の絶縁膜（４）を形成し、そ
れに１層−２層目の配線間の接続を行なうスルホール（
６）を形成する。次に、第９図でアルミシリコン屡（５
）をスパッタ法などにより形成する。この時、アルミシ
リコン膜（５）から固溶限以上ノシ１ｙフン膜（７）が
絶縁膜（４）とアルミシリコン膜（５）との界面に析出
する。次に、第１０図で写真製版技術を行いてアルミシ
リコン膜（５）を所定の形状にパターニングする。とこ
ろで、アルミシリコン膜（５）のエツチング液とシリコ
ン膜（７）のエツチング液とは異なるため、絶縁膜（４
）上に析出したシリコン膜（７）がとり残されろことと
なる。そこで、第１１図で、析出したシリコン膜（７）
をＯ？４ガスプラズマにて除去することになる。ところ
で、層間の絶縁膜（４）として窒化シリコンを用いてい
るが、これも０７４ ガスプラズマにてエツチングされ
る物質であるため、析出したシリコン膜（７）を過剰に
エツチングすると層間の絶縁膜（４）のエツチングが進
行することになる。
を第８図〜第１１図で示す。まず、第８図で、１層目の
アルミニウム配線（３）のパターン形成が終った後、シ
リコン基板（１）上に層間の絶縁膜（４）を形成し、そ
れに１層−２層目の配線間の接続を行なうスルホール（
６）を形成する。次に、第９図でアルミシリコン屡（５
）をスパッタ法などにより形成する。この時、アルミシ
リコン膜（５）から固溶限以上ノシ１ｙフン膜（７）が
絶縁膜（４）とアルミシリコン膜（５）との界面に析出
する。次に、第１０図で写真製版技術を行いてアルミシ
リコン膜（５）を所定の形状にパターニングする。とこ
ろで、アルミシリコン膜（５）のエツチング液とシリコ
ン膜（７）のエツチング液とは異なるため、絶縁膜（４
）上に析出したシリコン膜（７）がとり残されろことと
なる。そこで、第１１図で、析出したシリコン膜（７）
をＯ？４ガスプラズマにて除去することになる。ところ
で、層間の絶縁膜（４）として窒化シリコンを用いてい
るが、これも０７４ ガスプラズマにてエツチングされ
る物質であるため、析出したシリコン膜（７）を過剰に
エツチングすると層間の絶縁膜（４）のエツチングが進
行することになる。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
従来の窒化シリコン膜を層間絶縁膜として用いた二層配
線を有するシリコン半導体素子は、２Ｎ目アルミシリコ
ン配線をパターニングする時に析出したシリコン膜をＣ
ア４のプラズマにて除去することが必要であるが、この
時に層間の絶縁膜の窒化シリコン膜が同時に除去されて
しまい、甚だしい場合には一層目のアルミニウム配線が
露出してしまうという問題点があった。
従来の窒化シリコン膜を層間絶縁膜として用いた二層配
線を有するシリコン半導体素子は、２Ｎ目アルミシリコ
ン配線をパターニングする時に析出したシリコン膜をＣ
ア４のプラズマにて除去することが必要であるが、この
時に層間の絶縁膜の窒化シリコン膜が同時に除去されて
しまい、甚だしい場合には一層目のアルミニウム配線が
露出してしまうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、アルミシリコン膜のパターニングの後に、析
出シリコン膜をエツチングする際に、層間の絶縁用窒化
シリコン膜の膜減りを減少できる半導体装置を得ること
を目的とする。
たもので、アルミシリコン膜のパターニングの後に、析
出シリコン膜をエツチングする際に、層間の絶縁用窒化
シリコン膜の膜減りを減少できる半導体装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る半導体装置は、窒化シリコン膜上にアル
ミシリコン配線を行なう半導体装置において、窒化シリ
コン膜上に酸化シリコン膜を形成した後、この酸化シリ
コン膜上にアルミニウム配線を行ったものである。
ミシリコン配線を行なう半導体装置において、窒化シリ
コン膜上に酸化シリコン膜を形成した後、この酸化シリ
コン膜上にアルミニウム配線を行ったものである。
この発明における半導体装置は、窒化シリコン膜上に形
成した酸化シリコン膜がＯＦ４ガスプラズマでエツチン
グされる際に、そのエツチング速度が非常に遅いため、
０ＩＰ４ガスプラズマエツチを過剰に行っても下層の窒
化シリコン膜がおかされることはほとんどなくなる。
成した酸化シリコン膜がＯＦ４ガスプラズマでエツチン
グされる際に、そのエツチング速度が非常に遅いため、
０ＩＰ４ガスプラズマエツチを過剰に行っても下層の窒
化シリコン膜がおかされることはほとんどなくなる。
以下、この発明の一実施例を第１図ないし第６図につい
て説明する。図において、（１）はシリコン基板、（２
）は酸化シリコン膜、（３）は１層目のアルミニウム配
線、（４）は窒化シリコン膜からなる層間の絶縁膜、（
５）は２層目のアルミシリコン配線、（７）は析出シリ
コン膜、（８）は酸化シリコン膜である。
て説明する。図において、（１）はシリコン基板、（２
）は酸化シリコン膜、（３）は１層目のアルミニウム配
線、（４）は窒化シリコン膜からなる層間の絶縁膜、（
５）は２層目のアルミシリコン配線、（７）は析出シリ
コン膜、（８）は酸化シリコン膜である。
次に、シリコン半導体素子の製造方法を図に従つて説明
する。まず、第２図で、１層目のアルミニウム配線（３
）のバターニングを完了したシリコン基板（１）上にＯ
ＶＤ法により層間の絶縁膜（４）を形成する。次に、第
３図において、窒化シリコン膜（４）上に、ＯｖＤ法に
より酸化シリコン膜（８）を約１００ＯＡりは形成する
。次に、第４図で１−２層配線間の接続をとるためのス
ルーホール（６）を写真製版技術により形成し、更に、
第５図で、２層目配線用のアルミシリコン膜（５）をス
パッタ法などで形成する。
する。まず、第２図で、１層目のアルミニウム配線（３
）のバターニングを完了したシリコン基板（１）上にＯ
ＶＤ法により層間の絶縁膜（４）を形成する。次に、第
３図において、窒化シリコン膜（４）上に、ＯｖＤ法に
より酸化シリコン膜（８）を約１００ＯＡりは形成する
。次に、第４図で１−２層配線間の接続をとるためのス
ルーホール（６）を写真製版技術により形成し、更に、
第５図で、２層目配線用のアルミシリコン膜（５）をス
パッタ法などで形成する。
次に、第６図で、２層目のアルミシリコン膜（５）の配
線のバターニングを行ない、ついで、析出シリコン膜（
７）を除去する。この時、酸化シリコン膜（８）が窒化
シリコン膜（４）を覆っているため、ＯＦ４ガスプラズ
マでの析出シリコン膜（７）の除去の際においても窒化
シリコンＮ（４）の厚さが減少することは全くなくなる
。
線のバターニングを行ない、ついで、析出シリコン膜（
７）を除去する。この時、酸化シリコン膜（８）が窒化
シリコン膜（４）を覆っているため、ＯＦ４ガスプラズ
マでの析出シリコン膜（７）の除去の際においても窒化
シリコンＮ（４）の厚さが減少することは全くなくなる
。
なお上記実施例ではシリコン半導体の場合につψて述べ
たが、その他の半導体、たとえばＧａＡ３１０などでも
適用し得る。また、上記実施例では層間の絶縁膜として
窒化シリコン膜を用いた２層配線を有するシリコン半導
体素子について述べたが、１層配線の場合でも配線下の
絶縁膜として窒化シリコン膜を用いる半導体素子の場合
にも同様に適用し得ることは貫うまでもない。
たが、その他の半導体、たとえばＧａＡ３１０などでも
適用し得る。また、上記実施例では層間の絶縁膜として
窒化シリコン膜を用いた２層配線を有するシリコン半導
体素子について述べたが、１層配線の場合でも配線下の
絶縁膜として窒化シリコン膜を用いる半導体素子の場合
にも同様に適用し得ることは貫うまでもない。
以上のようにこの発明によれば、層間絶縁用窒化シリコ
ン膜上を覆って酸化シリコンを形成し、この酸化シリコ
ン膜上にアルミ・シリコン配線を行うようにしたため、
析出シリコン膜をＯＦ４ガスプラズマエッチにより過剰
にエツチングしても層間絶縁用窒化シリコン膜はまった
く膜減りすることがなく、１層目アルミ配線上の窒化シ
リコン膜厚減少によるパッシベーション効果の低下や耐
湿性の低下を防止できる効果がある。
ン膜上を覆って酸化シリコンを形成し、この酸化シリコ
ン膜上にアルミ・シリコン配線を行うようにしたため、
析出シリコン膜をＯＦ４ガスプラズマエッチにより過剰
にエツチングしても層間絶縁用窒化シリコン膜はまった
く膜減りすることがなく、１層目アルミ配線上の窒化シ
リコン膜厚減少によるパッシベーション効果の低下や耐
湿性の低下を防止できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２〜６図
はこの発明による製造工程を示す断面図、第７図は従来
の半導体装置の断面図、第８〜１１図はその従来の製造
工程を示す断面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）は酸化シリ
コン膜、（３）はアルミニウム配線、（４）は絶縁膜、
（５）はアルミシリコン配線、（７）はシリコン膜、（
８）は酸化シリコン膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
はこの発明による製造工程を示す断面図、第７図は従来
の半導体装置の断面図、第８〜１１図はその従来の製造
工程を示す断面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）は酸化シリ
コン膜、（３）はアルミニウム配線、（４）は絶縁膜、
（５）はアルミシリコン配線、（７）はシリコン膜、（
８）は酸化シリコン膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 窒化シリコン膜上にアルミシリコン配線を行なう半導体
装置において窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成
しこの酸化シリコン膜上に上記アルミシリコン配線を行
つたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5545186A JPS62210648A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5545186A JPS62210648A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62210648A true JPS62210648A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12998964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5545186A Pending JPS62210648A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62210648A (ja) |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP5545186A patent/JPS62210648A/ja active Pending
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