JPS636850A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法

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JPS636850A
JPS636850A JP61150445A JP15044586A JPS636850A JP S636850 A JPS636850 A JP S636850A JP 61150445 A JP61150445 A JP 61150445A JP 15044586 A JP15044586 A JP 15044586A JP S636850 A JPS636850 A JP S636850A
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bump
film
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Yasushi Iyogi
五代儀　靖
Koji Yamakawa
晃司 山川
Nobuo Iwase
岩瀬　暢男
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、情報処理装置等の電子部品の製造方法に関し
、特にＴ　Ａ　Ｂ　（Ｔ　ａｔ）ｅ　Ａ　ＩＪｔｏｌｌ
ｌａｔｆ４ｄ１３ｏｎｄｉｎｇ）によりリードを半導体
チップの電極部に接続する電子部品の製造方法にかかわ
るものである。
（従来の技術） ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体チップは、省電力化又は利用範
囲を拡大する目的で小型化つまりポータプル化が促進さ
れてきている。また、同様にパッケージにおいても小型
化、薄型化が要求されている。更に、半導体チップでは
その上面周辺に形成されたＡ２電極部から外部端子へ＠
極す−ドを取出して取扱い易（し、かつ外部応力に対す
る保護を目的としてパッケージ等が施されている。
ところで、半導体チップのＡＲ電極から外部端子へ電極
リードを取出す方法としてはワイヤボンディング方式、
フリップチップ方式、ＴＡＢ方式が知られている。しか
しながら、ワイヤボンディング方式は２５〜３０μｍψ
のＡＬＪ、Ａり極細線を１本づつ順次接続する方法であ
るため、電極端子数の層大、Ａｎ電極部のピッチ幅及び
Ａ２電極部の面積の減少等により信頼性が低下する問題
があった。また、フリップチップ方式は、ピッチ幅及び
面積の減少と共に、接合強度の低下、更に検査が困難で
あると同時に信頼性の低下も避けられないという問題が
あった。これに対し、ＴＡＢ方式、特に転写原版を使用
してバンプを電極リードに転写し、このリードを半導体
チップのＮ極部に該バンプを介して接続する方法はＡ２
電極部のピッチ幅及び面積の減少に対してもＮ極リード
の幅を変えたり、バンプの大きざを変えたりすることに
よって充分に対応でき、信頼性の高い接続が可能とする
。以下、このＴＡＢ方式による電子部品の製造方法を第
２図を参照して説明する。
まず、第２図（ａ）に示すようにシリコンやガラスから
なる基板１上に導電ｖｉ２及び転写性を考慮した表面に
導電性をもつ薄い酸ｆヒ膜３を順次形成し、該酸化１３
上に写真蝕剣法によりバンプの形成予定部が開口された
マスク材としてのレジストパターン４を形成して転写原
版５を作製した後、電気メッキによりレジストパターン
４の開口部から露出した酸化膜３に金属製のバンプ６を
形成する。この際、メッキ金属の均一な析出を考慮して
該原版を逆にしてメッキ液に浸漬して電気メッキを行な
っている。つづいて、同図（ｂ）に示すようにポリイミ
ドフィルム７上に設けられた電極リード８を原版５のバ
ンプ６上に配置し、加熱したボンディングツール９によ
り該リード８をバンプ６に加熱圧着する。この後、ボン
ディングツール９及びリード８を上昇させることによっ
て、同図（Ｃ）に示すように原版５のバンプ６をリード
８に転写される。ひきつづき、同図（ｄ）に示すように
半導体チップ１０のパッシベーション膜１１から露出し
たＡ２電極部（ポンディングパッド）１２の上方にリー
ド８の転写されたバンプ６を位置させ、更に該バンプ６
の上方にボンディングツール９を配置させる。次いで、
ボンディングツール９によりリード８のバンプ６を半導
体チップ１０のＡＪ２電極部１２に加熱圧着することに
よって、同図（ｅ）に示すようにリード８をバンプ６を
介して半導体チップ１０のＡ２電極部１２に接続して電
子部品を製造する。
しかしながら、上述したＴＡＢ方式にあっては転写原版
５にバンプ６を形成するための電気メッキ工程や洗浄工
程においてバンプの剥離、脱落を生じて、製造歩留りの
低下を招く問題があった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、転写原版にバンプを形成するための電気メッキ
工程や洗浄工程での該バンプの剥離、脱落を防止及び電
極リードをバンプを介して半導体チップの電極部に接合
する際の強度向上を達成した電子部品の製造方法を提供
しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、基板上に導電摸及び導電性酸化膜が被覆され
、かつ所望の開口部を有するマスク材が設けられた転写
原版に電気メッキによりバンプを形成し、このバンプを
リードに転写した後、このリードをバンプを介して半導
体チップの所定の電極部に接続する電子部品の製造にお
いて、前記転写原版側の領域の結晶粒径が大きい結晶粒
径分布をもつバンプを形成することを特徴とする電子部
品の製造方法である。
上記結晶粒径分布をもつバンプとしては、転写原版側の
領域が他の領域より結晶粒径が大きく、かつ該原版側領
域の平均粒径が例えば１μｍ以上であるもの等を挙げる
ことかできる。このような結晶粒径分布をもつバンプを
転写原版に形成するには、例えばメッキ初期の電流密度
をＲ終メッキ状態時の電流密度に対して２〜５倍程度に
上げ、その後通常の電流密度で電気メッキを行な等のメ
ッキ条件の時間的変化を用いることができる。
（作用） しかして、本発明によれば転写原版に結晶粒径の分布を
もたせたバンプを形成することによって、該原版の導電
製酸化膜への密着製が良好となって電気メッキ工程や洗
浄工程でのバンプの剥離、脱落を防止できる。しかも、
フィルムリード側へのバンプの転写も良好となる。
（発明の実施例） 以下、本発明の実施例を第１図及び前述した第２＄照し
て説明する。
実施例 まず、ガラス基板１上に導電膜としての厚さ１０００人
のＯｒｌ！２及び導電性酸化膜としてのＩＴＯ膜（Ｉｎ
ＳｎＯ２）を蒸着法により順次形成した後、該ＩＴＯ膜
３上に写真蝕刻法によりバンプの形成予定部が開口され
たマスク材としてのレジストパターン４を形成して転写
原版５を作製した。つづいて、前記転写原版５を電解金
メッキ液中に逆にして浸漬、つまりレジストパターン４
が下面側となるように浸漬した後、初期電流密度を奨励
条件の３倍の値で３０秒間電気メッキを行ない、その後
奨励条件で電気メッキを行なうことにより、第２蔽示す
ようにレジストパターン４の開口部から露出したＩ　Ｔ
ｏｇ！３に厚さ２５μｍの金ペンプロを形成した。こう
して形成された金バンプ６の厚さ方向の断面を観察した
結果、第１図に示すように［ＴＯ１ｌｆｆ３に接してい
る側の結晶粒径が１μｍ以上で、それより上の結晶粒径
は５０００人位で、結晶粒径の分布をもつものであるこ
とが確認された。
次いで、同図（ｂ）に示すようにポリイミドフィルム７
上に設けられた表面に３ｎメッキ処理が施されたＣＬＪ
電極り〜ド８を前記転写原版５のバンプ６上に配置し、
加熱したボンディングツール９により該電極リード８を
バンプ６に２８０℃、２　Ｋｇの条件で２秒間加熱圧着
７した。この後、ボンディングツール９及び電極リード
８を上昇させることによって、同図（Ｃ）に示すように
転写原版５のバンプ６をリード８に転写された。
次いで、同図１）に示すように半導体チップ１０のパッ
シベーション摸１１から露出したＡρ電極部（ポンディ
ングパッド）１２の上方に電極リード８に転写されたバ
ンプ６を位置させ、更に該バンプ６の上方にボンディン
グツール９を配置させた。つづいて、ボンディングツー
ル９によりリード８のバンプ６を半導体チップ１０のへ
λ電極部１２に２８０℃、２　ｋの条件で２秒間加熱圧
着することによって、同図（ｅ）に示すように電極リー
ド８を金バンプ６を介して半導体チップ１０のＡＱ、電
極部１２に接続して電子部品を製造した。
比較例 転写原版へのバンプの形成に際しての電気メッキをメッ
キ初期から終了までの電流密度を奨励条件で行なった以
外、前記実施例と同様な方法により半導体チップに電極
リードをバンプを介して接続し、電子部品を製造した。
なお、電気メッキ後の金バンプの厚さ方向の断面を観察
したところ、結晶粒径が全て５０００人位で、結晶粒径
の分布を有するものではなかった。
しかして、本実施例及び比較例の電気メッキ工程中及び
メッキ後の清浄工程でのバンプの転写原版からの剥離、
脱落を調べた。その結果、比較例の場合には金バンプの
剥離、脱落が生じたのに対し、本実施例の場合には金バ
ンプの剥離、脱落は全く生じなかった。
また、本実施例及び比較例により製造された電子部品に
ついて、金バンプと半導体チップのへ２電極部との接合
強度を調べた。その結果、比較例では金バンプの接合強
度が１０〜２０ｇであったの対し、本実施例の金バンプ
の接合強度は２５ｇ以上と極めて高いことが確認された
。
なお、転写原版に初期電流密度を奨励条件の値の５倍で
３秒間電気メッキを行ない、その後奨励条件の値で電気
メッキをｊテなったところ、前述した第゛１図と略同様
な結晶粒径の分布をもつ金バンプが転写原版に形成され
、メッキ工程や洗浄工程での剥離、脱落は全く生じなか
った。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によれば転写原版にバンプを
形成するための電気メッキ工程や洗浄工程での該バンプ
の剥離、脱落を防止でき、かつ電極リードをバンプを介
して半導体チップの電瞳部に接続した際の接合強憤を高
めることができ、ひいては歩留り及び信頼性の向上を達
成した電子部品の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例にあける転写原版にバンプを形
成した状態を示す拡大断面図、第２図は電子部品の製造
工程を示す断面同である。 １・・・基板、２・・・導電膜（Ｃｒ膜）、３・・・導
電性酸化膜（ＩＴ（［）、４・・・レジストパターン、
５・・・転写原版、６・・・バンプ、８・・・電極リー
ド、１０・・・半導体チップ、１２・・・ＡλＮ極部。 出願人代理人　弁理士　　鈴江武彦 第１図 第２　図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）、基板上に導電膜及び導電性酸化膜が被覆され、
    かつ所望の開口部を有するマスク材が設けられた転写原
    版に電気メッキによりバンプを形成し、このバンプをリ
    ードに転写した後、このリードをバンプを介して半導体
    チップの所定の電極部に接続する電子部品の製造におい
    て、前記転写原版側の領域の結晶粒径が大きい結晶粒径
    分布をもつバンプを形成することを特徴とする電子部品
    の製造方法。
  2. （２）、バンプは、転写原版側の領域の平均粒径が１μ
    ｍ以上である結晶粒径分布を有することを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の電子部品の製造方法。
JP61150445A 1986-06-26 1986-06-26 電子部品の製造方法 Pending JPS636850A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014071069A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Japan Electronic Materials Corp 垂直型プローブ

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2633586B2 (ja) * 1987-10-21 1997-07-23 株式会社東芝 バンプ構造を有する半導体装置
JPH04155835A (ja) * 1990-10-18 1992-05-28 Mitsubishi Electric Corp 集積回路装置の製造方法
JP2931477B2 (ja) * 1991-06-07 1999-08-09 シャープ株式会社 薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法
JP3349886B2 (ja) * 1996-04-18 2002-11-25 松下電器産業株式会社 半導体素子の２段突起形状バンプの形成方法
JP3798569B2 (ja) * 1999-02-23 2006-07-19 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP4387548B2 (ja) * 2000-03-28 2009-12-16 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
KR100642765B1 (ko) * 2004-09-15 2006-11-10 삼성전자주식회사 하이브리드 범프를 포함하는 미세전자소자칩, 이의패키지, 이를 포함하는 액정디스플레이장치 및 이러한미세전자소자칩의 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS557022B1 (ja) * 1968-05-10 1980-02-21
FR2460347A1 (fr) * 1979-06-29 1981-01-23 Thomson Csf Procede de metallisation directe d'un substrat conducteur par galvanoplastie et substrat conducteur comportant une telle metallisation
JPS57152147A (en) * 1981-03-16 1982-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Formation of metal projection on metal lead
JP3036993B2 (ja) * 1992-09-07 2000-04-24 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス部材の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014071069A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Japan Electronic Materials Corp 垂直型プローブ

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