JP2931477B2 - 薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド構造体
およびその製造方法に関し、特に端子接続構造に特徴を
有する薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法に関す
るものである。
およびその製造方法に関し、特に端子接続構造に特徴を
有する薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置の大容量化、かつ小
型化の傾向に伴って、磁気ヘッドの高記録密度化、なら
びに多トラック化が要求されるようになってきた。トラ
ック数を増大するためには、各トラック幅を狭小化し、
磁気ヘッドの端子幅も必然的に小さくする必要がある。
このため、隣接端子間の間隔が小さくなり、端子引出部
の接続精度の高精度化が要求されるようになってきた。
型化の傾向に伴って、磁気ヘッドの高記録密度化、なら
びに多トラック化が要求されるようになってきた。トラ
ック数を増大するためには、各トラック幅を狭小化し、
磁気ヘッドの端子幅も必然的に小さくする必要がある。
このため、隣接端子間の間隔が小さくなり、端子引出部
の接続精度の高精度化が要求されるようになってきた。
【０００３】まず、従来の薄膜磁気ヘッド構造体におけ
る端子引出部の接続構造について説明する。
る端子引出部の接続構造について説明する。
【０００４】図２６は、従来の薄膜磁気ヘッド構造体の
端子接続構造を示す平面図、図２７は、図２６のＩＶ−
ＩＶ線に沿う断面図である。
端子接続構造を示す平面図、図２７は、図２６のＩＶ−
ＩＶ線に沿う断面図である。
【０００５】図２６、図２７を参照して、従来の薄膜磁
気ヘッド構造体は、可撓性プリント基板５１０、薄膜磁
気ヘッド部５２０および支持板５３０から構成されてい
る。この可撓性プリント基板５１０は、リード端子５０
２、ベースフィルム５０３およびカバーフィルム５０４
から構成されている。ポリイミドからなるベースフィル
ム５０３の表面上には、多数のリード端子５０２が配さ
れている。このリード端子５０２は、銅箔とこの銅箔上
にメッキ法により形成されたＡｕ層から構成されてい
る。リード端子５０２の表面上には、カバーフィルム５
０４が接着されている。このカバーフィルム５０４から
は、各リード端子５０２の一部が露出している。
気ヘッド構造体は、可撓性プリント基板５１０、薄膜磁
気ヘッド部５２０および支持板５３０から構成されてい
る。この可撓性プリント基板５１０は、リード端子５０
２、ベースフィルム５０３およびカバーフィルム５０４
から構成されている。ポリイミドからなるベースフィル
ム５０３の表面上には、多数のリード端子５０２が配さ
れている。このリード端子５０２は、銅箔とこの銅箔上
にメッキ法により形成されたＡｕ層から構成されてい
る。リード端子５０２の表面上には、カバーフィルム５
０４が接着されている。このカバーフィルム５０４から
は、各リード端子５０２の一部が露出している。
【０００６】薄膜磁気ヘッド部５２０は、外部接続端子
５１１、磁性基板５１２、素子部５１３および保護板５
１４から構成されている。磁性基板５１２の表面上であ
って、媒体摺動面５１９側には素子部５１３が形成され
ている。媒体摺動面５１９は、テープなどの磁性媒体が
摺動する面である。外部接続端子５１１は、この素子部
５１３と電気的に接続され、かつ磁性基板５１２の表面
上を他端へ延びるように形成されている。この外部接続
端子５１１は、各素子から各々２本ずつ引出されてい
る。素子から引出される接続端子５１１の一方５１１ａ
は、外部との接続用である。それゆえ、その先端は幅の
広い外部取出しパターン５１１ｃとなっている。また、
素子から引出される接続端子５１１の他方５１１ｂは、
接地されている。素子部５１３の表面上には、フェライ
ト、ガラスなどからなる保護板５１４が接着されてい
る。なお、媒体摺動面５１９は、磁性基板５１２、素子
部５１３および保護板５１４からなっており、所望の曲
率を有している。
５１１、磁性基板５１２、素子部５１３および保護板５
１４から構成されている。磁性基板５１２の表面上であ
って、媒体摺動面５１９側には素子部５１３が形成され
ている。媒体摺動面５１９は、テープなどの磁性媒体が
摺動する面である。外部接続端子５１１は、この素子部
５１３と電気的に接続され、かつ磁性基板５１２の表面
上を他端へ延びるように形成されている。この外部接続
端子５１１は、各素子から各々２本ずつ引出されてい
る。素子から引出される接続端子５１１の一方５１１ａ
は、外部との接続用である。それゆえ、その先端は幅の
広い外部取出しパターン５１１ｃとなっている。また、
素子から引出される接続端子５１１の他方５１１ｂは、
接地されている。素子部５１３の表面上には、フェライ
ト、ガラスなどからなる保護板５１４が接着されてい
る。なお、媒体摺動面５１９は、磁性基板５１２、素子
部５１３および保護板５１４からなっており、所望の曲
率を有している。
【０００７】プリント基板５１０のベースフィルム５０
３と薄膜磁気ヘッド部５２０の磁性基板５１２は、支持
板５３０に接着されている。この接着の際、接続される
べきリード端子５０２と外部接続端子５１１の各々が相
対する位置となるように、支持板５３０に対して可撓性
プリント基板５１０および薄膜磁気ヘッド部５２０が各
々高精度に位置決めされている。対応するリード端子５
０２と外部接続端子５１１はワイヤ５０１によって電気
的に接続されている。このワイヤ５０１は、Ａｕ、Ａｌ
などからなっている。このリード端子５０２と外部接続
端子５１１の接続には、ワイヤボンディング技術による
端子接続方法が採用されている。すなわち、この方法は
超音波振動を与えながらワイヤ５０１を各端子５０２、
５１１に圧着する方法である。
３と薄膜磁気ヘッド部５２０の磁性基板５１２は、支持
板５３０に接着されている。この接着の際、接続される
べきリード端子５０２と外部接続端子５１１の各々が相
対する位置となるように、支持板５３０に対して可撓性
プリント基板５１０および薄膜磁気ヘッド部５２０が各
々高精度に位置決めされている。対応するリード端子５
０２と外部接続端子５１１はワイヤ５０１によって電気
的に接続されている。このワイヤ５０１は、Ａｕ、Ａｌ
などからなっている。このリード端子５０２と外部接続
端子５１１の接続には、ワイヤボンディング技術による
端子接続方法が採用されている。すなわち、この方法は
超音波振動を与えながらワイヤ５０１を各端子５０２、
５１１に圧着する方法である。
【０００８】上記のように、従来の薄膜磁気ヘッド構造
体は構成されている。次に、従来の薄膜磁気ヘッド構造
体の製造方法について説明する。
体は構成されている。次に、従来の薄膜磁気ヘッド構造
体の製造方法について説明する。
【０００９】まず、シート状のフィルムに可撓性プリン
ト基板を構成すべき１組のリード端子が多数個形成され
る。このシート状のフィルムを打抜くことによって、フ
ィルムとリード端子を含む可撓性プリント基板が多数形
成される。この可撓性プリント基板の１つと薄膜磁気ヘ
ッド部が、支持板に位置決めされた後、接着される。リ
ード端子と外部接続端子がワイヤボンディング技術によ
って電気的に接続される。この後、リード端子、外部接
続端子、ワイヤなどがモールドによって封止される。
ト基板を構成すべき１組のリード端子が多数個形成され
る。このシート状のフィルムを打抜くことによって、フ
ィルムとリード端子を含む可撓性プリント基板が多数形
成される。この可撓性プリント基板の１つと薄膜磁気ヘ
ッド部が、支持板に位置決めされた後、接着される。リ
ード端子と外部接続端子がワイヤボンディング技術によ
って電気的に接続される。この後、リード端子、外部接
続端子、ワイヤなどがモールドによって封止される。
【００１０】このように従来の薄膜磁気ヘッド構造体は
製造される。
製造される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の薄
膜磁気ヘッド構造体においては、対応するリード端子５
０２と外部接続端子５１１はワイヤ５０１によって電気
的に接続されている。このように、ワイヤ５０１により
両端子を接続する場合、各ワイヤ５０１の両端で接続を
行なわねばならない。このため、多点箇所での煩雑なワ
イヤボンディング作業が必要になるという問題点があっ
た。また、ワイヤボンディング工程の自動化を図るため
には、あらかじめ支持板５３０に可撓性プリント基板５
１０と薄膜磁気ヘッド部５２０を接着しておかなければ
ならない。また、その接着に際して、支持板５３０に対
して可撓性プリント基板５１０と薄膜磁気ヘッド部５２
０とを高精度に位置決めした後に接着する必要がある。
膜磁気ヘッド構造体においては、対応するリード端子５
０２と外部接続端子５１１はワイヤ５０１によって電気
的に接続されている。このように、ワイヤ５０１により
両端子を接続する場合、各ワイヤ５０１の両端で接続を
行なわねばならない。このため、多点箇所での煩雑なワ
イヤボンディング作業が必要になるという問題点があっ
た。また、ワイヤボンディング工程の自動化を図るため
には、あらかじめ支持板５３０に可撓性プリント基板５
１０と薄膜磁気ヘッド部５２０を接着しておかなければ
ならない。また、その接着に際して、支持板５３０に対
して可撓性プリント基板５１０と薄膜磁気ヘッド部５２
０とを高精度に位置決めした後に接着する必要がある。
【００１２】また、支持板５３０に可撓性プリント基板
５１０を接着する際に、これらの接着部に気泡を取込む
場合がある。この気泡は、ワイヤボンディングの際の超
音波を吸収する。このため、超音波がリード端子５０２
へ伝わらず、ワイヤ５０１とリード端子５０２の十分な
圧着が困難となる。よって、ワイヤ５０１とリード端子
５０２のボンダビリティが低下するという問題点があっ
た。
５１０を接着する際に、これらの接着部に気泡を取込む
場合がある。この気泡は、ワイヤボンディングの際の超
音波を吸収する。このため、超音波がリード端子５０２
へ伝わらず、ワイヤ５０１とリード端子５０２の十分な
圧着が困難となる。よって、ワイヤ５０１とリード端子
５０２のボンダビリティが低下するという問題点があっ
た。
【００１３】さらに、ワイヤボンディング時には温度が
１５０℃程度となる。この温度では、ベースフィルム５
０３とリード端子５０２を接着する接着剤が軟化するお
それがある。接着剤が軟化した場合、ワイヤボンディン
グ時の超音波は、ベースフィルム５０３により吸収され
る。これにより、超音波はリード端子５０２へ十分に伝
わらず、ワイヤ５０１とリード端子５０２のボンダビリ
ティが低下する。したがって、比較的低温でのワイヤボ
ンディングが必要となるなどボンディング条件の抽出が
困難になるとともに、条件設定のマージン（余裕）が非
常に小さく不安定なものとなるという問題点があった。
１５０℃程度となる。この温度では、ベースフィルム５
０３とリード端子５０２を接着する接着剤が軟化するお
それがある。接着剤が軟化した場合、ワイヤボンディン
グ時の超音波は、ベースフィルム５０３により吸収され
る。これにより、超音波はリード端子５０２へ十分に伝
わらず、ワイヤ５０１とリード端子５０２のボンダビリ
ティが低下する。したがって、比較的低温でのワイヤボ
ンディングが必要となるなどボンディング条件の抽出が
困難になるとともに、条件設定のマージン（余裕）が非
常に小さく不安定なものとなるという問題点があった。
【００１４】加えて、薄膜磁気ヘッド構造体を構成する
可撓性プリント基板５１０は、シート状のフィルムから
打抜かれた後に、支持板５３０に接着される。このた
め、各可撓性プリント基板５１０を支持板５３０に接着
する工程が非常に煩雑となり、自動化の工程を図り難い
という問題点もあった。
可撓性プリント基板５１０は、シート状のフィルムから
打抜かれた後に、支持板５３０に接着される。このた
め、各可撓性プリント基板５１０を支持板５３０に接着
する工程が非常に煩雑となり、自動化の工程を図り難い
という問題点もあった。
【００１５】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、電気的接続の信頼性が高く、作
業性が良好で、かつ接続工程の自動化を容易に行なうこ
とのできる端子接続構造を有する薄膜磁気ヘッド構造体
およびその製造方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、電気的接続の信頼性が高く、作
業性が良好で、かつ接続工程の自動化を容易に行なうこ
とのできる端子接続構造を有する薄膜磁気ヘッド構造体
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
構造体は、主表面を有し、薄膜磁気ヘッドを含む薄膜磁
気ヘッド用基板と、薄膜磁気ヘッドに含まれる素子部か
ら延びるように薄膜磁気ヘッド用基板の主表面上に配置
された複数個のＡｌ（アルミニウム）からなる接続端子
と、接続端子の各々と対応するように配置された複数個
のリード端子と、リード端子を、少なくとも対応する接
続端子と対向する部分の表裏両面が露出するようにして
保持する端子形成用基板と、を備え、接続端子とリード
端子とは、対向する部分において、リード端子の表面上
に形成されたＡｕ（金）バンプからなる導電層を介して
接続されてなるものである。
構造体は、主表面を有し、薄膜磁気ヘッドを含む薄膜磁
気ヘッド用基板と、薄膜磁気ヘッドに含まれる素子部か
ら延びるように薄膜磁気ヘッド用基板の主表面上に配置
された複数個のＡｌ（アルミニウム）からなる接続端子
と、接続端子の各々と対応するように配置された複数個
のリード端子と、リード端子を、少なくとも対応する接
続端子と対向する部分の表裏両面が露出するようにして
保持する端子形成用基板と、を備え、接続端子とリード
端子とは、対向する部分において、リード端子の表面上
に形成されたＡｕ（金）バンプからなる導電層を介して
接続されてなるものである。
【００１７】
【００１８】本発明の薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法
は、薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドに接続するリー
ド端子を有する薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法であっ
て、少なくとも表裏両面が露出する部分を有するように
複数個のリード端子を保持する端子形成用基板を準備す
る工程と、薄膜磁気ヘッドを含み、その薄膜磁気ヘッド
に含まれる素子部から延びるように複数個のＡｌ（アル
ミニウム）からなる接続端子が形成された主表面を有す
る薄膜磁気ヘッド用基板を準備する工程と、リード端子
の露出部分にＡｕ（金）バンプからなる導電層を形成す
る工程と、リード端子と接続端子の各々が互いに対向す
るように、端子形成用基板と薄膜磁気ヘッド用基板を配
置する工程と、リード端子の露出部分を直接押圧するこ
とにより、リード端子と接続端子を導電層を介して接続
する工程と、を備えてなるものである。
は、薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドに接続するリー
ド端子を有する薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法であっ
て、少なくとも表裏両面が露出する部分を有するように
複数個のリード端子を保持する端子形成用基板を準備す
る工程と、薄膜磁気ヘッドを含み、その薄膜磁気ヘッド
に含まれる素子部から延びるように複数個のＡｌ（アル
ミニウム）からなる接続端子が形成された主表面を有す
る薄膜磁気ヘッド用基板を準備する工程と、リード端子
の露出部分にＡｕ（金）バンプからなる導電層を形成す
る工程と、リード端子と接続端子の各々が互いに対向す
るように、端子形成用基板と薄膜磁気ヘッド用基板を配
置する工程と、リード端子の露出部分を直接押圧するこ
とにより、リード端子と接続端子を導電層を介して接続
する工程と、を備えてなるものである。
【００１９】本発明の他の薄膜磁気ヘッド構造体の製造
方法は、薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドに接続する
リード端子を有する薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法で
あって、少なくとも露出する部分を有するように複数個
のリード端子を互いに電気的に絶縁して保持する端子形
成用基板が所定間隔で複数個形成されたテープを準備す
る工程と、薄膜磁気ヘッドを含み、その薄膜磁気ヘッド
に含まれる素子部から延びるように複数個の接続端子が
形成された主表面を有する複数個の薄膜磁気ヘッド用基
板を準備する工程と、リード端子の露出部分および接続
端子のいずれか一方に導電層を形成する工程と、テープ
を一定ピッチで送りながら、順次、リード端子と接続端
子の各々が互いに対向するように、テープに形成された
端子形成用基板の各々に薄膜磁気ヘッド用基板の各々を
配置して、リード端子の露出部分と接続端子を導電層を
介して接続していく工程と、リード端子を利用して素子
部の電気的特性を検査する工程と、端子形成用基板をテ
ープから分離する工程と、を備えてなるものである。
方法は、薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドに接続する
リード端子を有する薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法で
あって、少なくとも露出する部分を有するように複数個
のリード端子を互いに電気的に絶縁して保持する端子形
成用基板が所定間隔で複数個形成されたテープを準備す
る工程と、薄膜磁気ヘッドを含み、その薄膜磁気ヘッド
に含まれる素子部から延びるように複数個の接続端子が
形成された主表面を有する複数個の薄膜磁気ヘッド用基
板を準備する工程と、リード端子の露出部分および接続
端子のいずれか一方に導電層を形成する工程と、テープ
を一定ピッチで送りながら、順次、リード端子と接続端
子の各々が互いに対向するように、テープに形成された
端子形成用基板の各々に薄膜磁気ヘッド用基板の各々を
配置して、リード端子の露出部分と接続端子を導電層を
介して接続していく工程と、リード端子を利用して素子
部の電気的特性を検査する工程と、端子形成用基板をテ
ープから分離する工程と、を備えてなるものである。
【００２０】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッド構造体によれば、導電
層を介して対応するリード端子と外部接続端子の表面が
対向するように接続されている。このため、端子形成用
基板を薄膜磁気ヘッド用基板に直接、接合・支持するこ
とが可能となる。よって両基板を支持する支持板は不要
となる。支持板が不要であるため、薄膜磁気ヘッド用基
板を支持板に位置決めし、また端子形成用基板を支持板
に位置決めするという２回の位置決めは不要となる。す
なわち、端子形成用基板を薄膜磁気ヘッド用基板に位置
決めするのみで位置決めは完了する。したがって、高精
度の位置決めを必要とせず、接着工程の簡略化を図るこ
とも可能となる。
層を介して対応するリード端子と外部接続端子の表面が
対向するように接続されている。このため、端子形成用
基板を薄膜磁気ヘッド用基板に直接、接合・支持するこ
とが可能となる。よって両基板を支持する支持板は不要
となる。支持板が不要であるため、薄膜磁気ヘッド用基
板を支持板に位置決めし、また端子形成用基板を支持板
に位置決めするという２回の位置決めは不要となる。す
なわち、端子形成用基板を薄膜磁気ヘッド用基板に位置
決めするのみで位置決めは完了する。したがって、高精
度の位置決めを必要とせず、接着工程の簡略化を図るこ
とも可能となる。
【００２１】また、ワイヤボンディング技術を用いない
ため、超音波の吸収などによる不十分な圧着も生じな
い。よって、電気的接続の信頼性も向上する。
ため、超音波の吸収などによる不十分な圧着も生じな
い。よって、電気的接続の信頼性も向上する。
【００２２】さらに、両端子の表面は対向しているた
め、その接続は加圧などにより一括して行なうことがで
きる。このため、ワイヤボンディングのように多点箇所
での接続は不要となり、作業性の大幅な向上を図ること
が可能となる。
め、その接続は加圧などにより一括して行なうことがで
きる。このため、ワイヤボンディングのように多点箇所
での接続は不要となり、作業性の大幅な向上を図ること
が可能となる。
【００２３】また、リード端子の表面上にＡｕバンプか
らなる導電層を形成したものを用いることにより、工程
の簡略化を図ることができる。
らなる導電層を形成したものを用いることにより、工程
の簡略化を図ることができる。
【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法
によれば、上記の効果を有する薄膜磁気ヘッド構造体を
得ることができる。
によれば、上記の効果を有する薄膜磁気ヘッド構造体を
得ることができる。
【００２５】本発明の他の薄膜磁気ヘッド構造体の製造
方法によれば、端子形成用基板は、テープに多数配列さ
れた状態で、薄膜磁気ヘッド用基板に位置決め・接合さ
れる。このため、テープを移動させることにより、テー
プに配列された端子形成用基板を連続的に薄膜磁気ヘッ
ド用基板に接合することが可能となる。よって、端子形
成用基板単体を１つずつ薄膜磁気ヘッド用基板に接合す
るのに比較して、自動化の工程を図ることが容易とな
る。また、作業性の大幅な向上を図ることも可能であ
る。
方法によれば、端子形成用基板は、テープに多数配列さ
れた状態で、薄膜磁気ヘッド用基板に位置決め・接合さ
れる。このため、テープを移動させることにより、テー
プに配列された端子形成用基板を連続的に薄膜磁気ヘッ
ド用基板に接合することが可能となる。よって、端子形
成用基板単体を１つずつ薄膜磁気ヘッド用基板に接合す
るのに比較して、自動化の工程を図ることが容易とな
る。また、作業性の大幅な向上を図ることも可能であ
る。
【００２６】また、テープ単位で、接合、樹脂モールド
および電気的特性の評価を行なえる。このため、薄膜磁
気ヘッド構造体の製造の自動化を容易に図ることがで
き、かつ工数を数十パーセント程度削減して大幅なコス
トダウンを図ることも可能である。通常のリードフレー
ムでは各リード端子がフレームに短絡接続される。この
ため、リード端子をフレームから分離しなければリード
端子を用いて薄膜磁気ヘッドの電気的特性を検査するこ
とができない。これに対して、本発明では複数のリード
端子が互いに電気的に絶縁されてテープに保持されてい
る。このため、リード端子と接続端子との接続直後であ
って、端子形成用基板をテープから分離する前にも、リ
ード端子を利用して薄膜磁気ヘッドの素子部の電気的特
性を検査することができる。これにより、テープの状態
で、リードにヘッドを一括して位置合せした後、それら
を一括して接続し、さらに電気的特性評価を行なうこと
ができる。
および電気的特性の評価を行なえる。このため、薄膜磁
気ヘッド構造体の製造の自動化を容易に図ることがで
き、かつ工数を数十パーセント程度削減して大幅なコス
トダウンを図ることも可能である。通常のリードフレー
ムでは各リード端子がフレームに短絡接続される。この
ため、リード端子をフレームから分離しなければリード
端子を用いて薄膜磁気ヘッドの電気的特性を検査するこ
とができない。これに対して、本発明では複数のリード
端子が互いに電気的に絶縁されてテープに保持されてい
る。このため、リード端子と接続端子との接続直後であ
って、端子形成用基板をテープから分離する前にも、リ
ード端子を利用して薄膜磁気ヘッドの素子部の電気的特
性を検査することができる。これにより、テープの状態
で、リードにヘッドを一括して位置合せした後、それら
を一括して接続し、さらに電気的特性評価を行なうこと
ができる。
【００２７】
【実施例】第１の参考例 図１は、第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の概
略構成を示す平面図、図２は、図１のＩ−Ｉ線に沿う断
面図である。図１と図２を参照して、薄膜磁気ヘッド構
造体５０は、可撓性プリント基板１０と薄膜磁気ヘッド
部２０から構成されている。
略構成を示す平面図、図２は、図１のＩ−Ｉ線に沿う断
面図である。図１と図２を参照して、薄膜磁気ヘッド構
造体５０は、可撓性プリント基板１０と薄膜磁気ヘッド
部２０から構成されている。
【００２８】薄膜磁気ヘッド部２０は外部接続端子１
１、磁性基板１２、素子部１３および保護板１４から構
成されている。フェライトなどからなる磁性基板１２の
媒体摺動面１９側の表面上には、素子部１３が形成され
ている。また、磁性基板１２の表面上には、素子部１３
から他端へ延びるように外部接続端子１１が形成されて
いる。この外部接続端子１１は、外部との接続用１１ａ
および接地用１１ｂからなっている。また、外部接続端
子１１は、アルミニウム（Ａｌ）からなり、かつその膜
厚は３０００Å程度である。この３０００Åという膜厚
は、ボンディング後のＡｕとの接合界面において、十分
な引張り強度を得るのに必要な最小限の膜厚である。こ
の膜厚であれば、外部接続端子１１ａとＡｕとの接合の
信頼性は、ＩＣチップと同等であることを確認してい
る。外部接続端子１１ａの先端には、Ｔｉ−Ｗ合金のバ
リアメタル膜とＡｕからなるメッキ下地膜（図示せず）
を介して、Ａｕバンプが形成されている。すなわち、外
部接続端子１１ａの先端には、Ａｕバンプを含む導電層
１が形成されている。このＡｕバンプの厚みは２０〜３
０μｍ程度である。素子部１３の表面上には、フェライ
ト、ガラス、セラミックスなどからなる保護板１４が接
着されている。磁性基板１２、素子部１３および保護板
１４は、所望の曲率に加工された媒体摺動面１９を構成
している。この媒体摺動面１９は、テープなどの磁気媒
体が摺動する面である。
１、磁性基板１２、素子部１３および保護板１４から構
成されている。フェライトなどからなる磁性基板１２の
媒体摺動面１９側の表面上には、素子部１３が形成され
ている。また、磁性基板１２の表面上には、素子部１３
から他端へ延びるように外部接続端子１１が形成されて
いる。この外部接続端子１１は、外部との接続用１１ａ
および接地用１１ｂからなっている。また、外部接続端
子１１は、アルミニウム（Ａｌ）からなり、かつその膜
厚は３０００Å程度である。この３０００Åという膜厚
は、ボンディング後のＡｕとの接合界面において、十分
な引張り強度を得るのに必要な最小限の膜厚である。こ
の膜厚であれば、外部接続端子１１ａとＡｕとの接合の
信頼性は、ＩＣチップと同等であることを確認してい
る。外部接続端子１１ａの先端には、Ｔｉ−Ｗ合金のバ
リアメタル膜とＡｕからなるメッキ下地膜（図示せず）
を介して、Ａｕバンプが形成されている。すなわち、外
部接続端子１１ａの先端には、Ａｕバンプを含む導電層
１が形成されている。このＡｕバンプの厚みは２０〜３
０μｍ程度である。素子部１３の表面上には、フェライ
ト、ガラス、セラミックスなどからなる保護板１４が接
着されている。磁性基板１２、素子部１３および保護板
１４は、所望の曲率に加工された媒体摺動面１９を構成
している。この媒体摺動面１９は、テープなどの磁気媒
体が摺動する面である。
【００２９】可撓性プリント基板１０は、ベースフィル
ム３、リード端子２、およびカバー部材４から構成され
ている。ベースフィルム３の表面上には、多数のリード
端子２が配置・形成されている。このリード端子２は銅
箔からなっている。リード端子２の表面上を被覆するよ
うに、ソルダーレジスト等からなるカバー部材４が接着
されている。このベースフィルム３とカバー部材４から
は、リード端子２の一部表面が露出している。このリー
ド端子２の露出した部分には、メッキ法によりＡｕ層が
表面全面に形成されている。この露出したリード端子２
の部分をインナーリード端子２ａとする。リード端子２
は、インナーリード端子２ａとフィルムに保持される部
分２ｃとアウターリード端子（図示せず）からなってい
る。
ム３、リード端子２、およびカバー部材４から構成され
ている。ベースフィルム３の表面上には、多数のリード
端子２が配置・形成されている。このリード端子２は銅
箔からなっている。リード端子２の表面上を被覆するよ
うに、ソルダーレジスト等からなるカバー部材４が接着
されている。このベースフィルム３とカバー部材４から
は、リード端子２の一部表面が露出している。このリー
ド端子２の露出した部分には、メッキ法によりＡｕ層が
表面全面に形成されている。この露出したリード端子２
の部分をインナーリード端子２ａとする。リード端子２
は、インナーリード端子２ａとフィルムに保持される部
分２ｃとアウターリード端子（図示せず）からなってい
る。
【００３０】各インナーリード端子２ａは、外部接続端
子１１ａ上に形成された導電層１に含まれるＡｕバンプ
と同一ピッチで配置・形成されている。このインナーリ
ード端子２ａと各々対応するＡｕバンプが、接合され、
電気的に接続されている。インナーリード端子２ａとＡ
ｕバンプとの接合は、インナーリード端子２ａの表面に
Ａｕ層が形成されているため、同一材料同士の接合とな
る。よって、接続部の信頼性を高めることができる。
子１１ａ上に形成された導電層１に含まれるＡｕバンプ
と同一ピッチで配置・形成されている。このインナーリ
ード端子２ａと各々対応するＡｕバンプが、接合され、
電気的に接続されている。インナーリード端子２ａとＡ
ｕバンプとの接合は、インナーリード端子２ａの表面に
Ａｕ層が形成されているため、同一材料同士の接合とな
る。よって、接続部の信頼性を高めることができる。
【００３１】上記のように、第１の参考例による薄膜磁
気ヘッド構造体は構成されている。
気ヘッド構造体は構成されている。
【００３２】次に、Ａｕバンプを含む導電層１の構成に
ついて詳細に説明する。図３（ａ）は、図１のＰ部にお
ける薄膜磁気ヘッド部２０の概略構成を示す平面図、図
３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図で
ある。これらの図を参照して、外部接続用のリード端子
１１ａの先端部は、幅の広い外部取出パターン部１１ｃ
となっている。外部接続端子１１が形成された磁性基板
１２の表面上には外部接続端子１１を覆うように、酸化
物（ＳｉＯ2 ）からなる表面保護膜１５が形成されてい
る。この表面保護膜１５には、孔１５ａが形成されてい
る。この孔１５ａからは、外部取出パターン部１１ｃの
一部表面が露出している。この外部取出パターン部１１
ｃの露出部を被覆するように、Ｔｉ−Ｗ合金からなるバ
リヤメタル膜１６が形成されている。このバリヤメタル
１６膜は拡散防止の役割をなしている。このバリヤメタ
ル膜１６の表面上には、Ａｕからなるメッキ下地膜１７
が堆積されている。このメッキ下地膜１７の表面上に
は、Ａｕバンプ１ａが形成されている。このＡｕバンプ
１ａの厚みは、２０〜３０μｍ程度である。このよう
に、導電層１は、Ａｕバンプ１ａ，バリヤメタル膜１６
およびメッキ下地膜１７から構成されている。
ついて詳細に説明する。図３（ａ）は、図１のＰ部にお
ける薄膜磁気ヘッド部２０の概略構成を示す平面図、図
３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図で
ある。これらの図を参照して、外部接続用のリード端子
１１ａの先端部は、幅の広い外部取出パターン部１１ｃ
となっている。外部接続端子１１が形成された磁性基板
１２の表面上には外部接続端子１１を覆うように、酸化
物（ＳｉＯ2 ）からなる表面保護膜１５が形成されてい
る。この表面保護膜１５には、孔１５ａが形成されてい
る。この孔１５ａからは、外部取出パターン部１１ｃの
一部表面が露出している。この外部取出パターン部１１
ｃの露出部を被覆するように、Ｔｉ−Ｗ合金からなるバ
リヤメタル膜１６が形成されている。このバリヤメタル
１６膜は拡散防止の役割をなしている。このバリヤメタ
ル膜１６の表面上には、Ａｕからなるメッキ下地膜１７
が堆積されている。このメッキ下地膜１７の表面上に
は、Ａｕバンプ１ａが形成されている。このＡｕバンプ
１ａの厚みは、２０〜３０μｍ程度である。このよう
に、導電層１は、Ａｕバンプ１ａ，バリヤメタル膜１６
およびメッキ下地膜１７から構成されている。
【００３３】次に、上記の導電層１の製造方法について
説明する。図４〜図８は、本発明の導電層１の製造方法
を工程順に示す断面図である。
説明する。図４〜図８は、本発明の導電層１の製造方法
を工程順に示す断面図である。
【００３４】図４を参照して、磁性基板１２の表面上に
は、外部接続端子１１を被覆するように表面酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）１５が形成される。この表面酸化膜１５には、
パターニングによって孔１５ａが形成される。この孔１
５ａからは、外部取出パターン部１１ｃの一部表面が露
出する。
は、外部接続端子１１を被覆するように表面酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）１５が形成される。この表面酸化膜１５には、
パターニングによって孔１５ａが形成される。この孔１
５ａからは、外部取出パターン部１１ｃの一部表面が露
出する。
【００３５】図５を参照して、磁性基板１２の表面全面
に、Ｔｉ−Ｗ合金からなるバリヤメタル膜１６が蒸着さ
れる。このバリヤメタル膜１６の表面全面には、Ａｕか
らなるメッキ下地膜１７が蒸着される。
に、Ｔｉ−Ｗ合金からなるバリヤメタル膜１６が蒸着さ
れる。このバリヤメタル膜１６の表面全面には、Ａｕか
らなるメッキ下地膜１７が蒸着される。
【００３６】図６を参照して、メッキ下地膜１７の表面
上には、フォトレジスト膜１８が塗布される。このフォ
トレジスト膜１８には、感光などにより孔１８ａが形成
される。この孔１８ａは、リード端子１１の各外部取出
パターン部１１ｃ上方に形成される。この孔１８ａから
は、メッキ下地膜１７の一部表面が露出する。
上には、フォトレジスト膜１８が塗布される。このフォ
トレジスト膜１８には、感光などにより孔１８ａが形成
される。この孔１８ａは、リード端子１１の各外部取出
パターン部１１ｃ上方に形成される。この孔１８ａから
は、メッキ下地膜１７の一部表面が露出する。
【００３７】図７を参照して、電気メッキ法によって、
各孔１８ａを埋込むようにＡｕバンプ１ａが形成され
る。このＡｕバンプ１ａは、バリヤメタル膜１６とメッ
キ下地膜１７を介して外部取出パターン部１１ｃと電気
的に接続される。
各孔１８ａを埋込むようにＡｕバンプ１ａが形成され
る。このＡｕバンプ１ａは、バリヤメタル膜１６とメッ
キ下地膜１７を介して外部取出パターン部１１ｃと電気
的に接続される。
【００３８】図８を参照して、フォトレジスト膜１８が
除去される。また、バリヤメタル膜１６およびメッキ下
地膜１７は、Ａｕバンプ１ａをマスクとして外部取出パ
ターン部１１ｃ上方以外除去される。
除去される。また、バリヤメタル膜１６およびメッキ下
地膜１７は、Ａｕバンプ１ａをマスクとして外部取出パ
ターン部１１ｃ上方以外除去される。
【００３９】上記のようにして、導電層１が形成され
る。次に、第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法について、図９〜図１４を用いて説明する。
る。次に、第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法について、図９〜図１４を用いて説明する。
【００４０】図９は、第１の参考例による薄膜磁気ヘッ
ド構造体の製造に用いる第１のキャリアテープの概略構
成を示す平面図である。図９を参照して、キャリアテー
プ４０は、フィルム、カバー部材および複数のリード端
子２から構成されている。フィルム３の両端には、複数
のスプロケット孔３１が一定ピッチで形成されている。
また、フィルム３の比較的内側には、一定の距離を介し
て孔３２が形成されている。この孔３２から先端が突出
すように複数のリード端子２がフィルム３上に形成・接
着されている。このリード端子２の一方端部であって、
孔３２から突出している部分はインナーリード端子２ａ
である。リード端子２を覆うように、カバー部材が形成
されている。また、リード端子２の他方端部はアウター
リード端子２ｂである。１個の可撓性プリント基板を構
成すべき１組のリード端子が、フィルムの長手方向に多
数個配列されている。このように構成されるキャリアテ
ープ４０の幅は３５ｍｍまたは７０ｍｍである。キャリ
アテープ４０のスプロケット孔３１には、スプロケット
ホイール（図示せず）が係合している。このキャリアテ
ープ４０を用いて薄膜磁気ヘッド構造体は以下のように
製造される。
ド構造体の製造に用いる第１のキャリアテープの概略構
成を示す平面図である。図９を参照して、キャリアテー
プ４０は、フィルム、カバー部材および複数のリード端
子２から構成されている。フィルム３の両端には、複数
のスプロケット孔３１が一定ピッチで形成されている。
また、フィルム３の比較的内側には、一定の距離を介し
て孔３２が形成されている。この孔３２から先端が突出
すように複数のリード端子２がフィルム３上に形成・接
着されている。このリード端子２の一方端部であって、
孔３２から突出している部分はインナーリード端子２ａ
である。リード端子２を覆うように、カバー部材が形成
されている。また、リード端子２の他方端部はアウター
リード端子２ｂである。１個の可撓性プリント基板を構
成すべき１組のリード端子が、フィルムの長手方向に多
数個配列されている。このように構成されるキャリアテ
ープ４０の幅は３５ｍｍまたは７０ｍｍである。キャリ
アテープ４０のスプロケット孔３１には、スプロケット
ホイール（図示せず）が係合している。このキャリアテ
ープ４０を用いて薄膜磁気ヘッド構造体は以下のように
製造される。
【００４１】図１０〜図１２は、第１の参考例による薄
膜磁気ヘッド構造体の製造方法を工程順に示す図９のＩ
ＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
膜磁気ヘッド構造体の製造方法を工程順に示す図９のＩ
ＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【００４２】図１０を参照して、スプロケットホイール
（図示せず）により、キャリアテープ４０は一定のピッ
チで送られる。この後、インナーリード端子２ａの任意
の点がＣＣＤカメラにより検出される。これにより、イ
ンナーリード端子２ａの位置確認が行なわれる。
（図示せず）により、キャリアテープ４０は一定のピッ
チで送られる。この後、インナーリード端子２ａの任意
の点がＣＣＤカメラにより検出される。これにより、イ
ンナーリード端子２ａの位置確認が行なわれる。
【００４３】図１１を参照して、インナーリード端子２
ａの位置確認と同時に、外部接続端子１１の任意の点が
ＣＣＤカメラにより検出される。これにより、インナー
リード端子２ａの任意の点と外部接続端子１１の任意の
点の相対位置（Ｘ、Ｙ、θ方向）が補正される。このよ
うにして、インナーリード端子２ａと外部接続パターン
部１１ｃの位置合わせが行なわれる。
ａの位置確認と同時に、外部接続端子１１の任意の点が
ＣＣＤカメラにより検出される。これにより、インナー
リード端子２ａの任意の点と外部接続端子１１の任意の
点の相対位置（Ｘ、Ｙ、θ方向）が補正される。このよ
うにして、インナーリード端子２ａと外部接続パターン
部１１ｃの位置合わせが行なわれる。
【００４４】図１２を参照して、この位置合わせの後、
インナーリード端子２ａと外部接続パターン部に形成さ
れた導電層１が、ツールにより加圧接合される。この接
合条件としては、ツールの温度が５００℃、ステージの
温度が１５０℃であり、かつ荷重４０〜６０ｇ／リー
ド、時間１〜２ｓｅｃ．程度である。インナーリード端
子２ａと外部取出パターン部１１ｃの接合が終了した
後、キャリアテープ４０の状態で封止樹脂を用いてモー
ルドが行なわれる。この後、アウターリード端子を利用
して、プローバ（ｐｒｏｂｅｒ）により電気的特性が検
査される。
インナーリード端子２ａと外部接続パターン部に形成さ
れた導電層１が、ツールにより加圧接合される。この接
合条件としては、ツールの温度が５００℃、ステージの
温度が１５０℃であり、かつ荷重４０〜６０ｇ／リー
ド、時間１〜２ｓｅｃ．程度である。インナーリード端
子２ａと外部取出パターン部１１ｃの接合が終了した
後、キャリアテープ４０の状態で封止樹脂を用いてモー
ルドが行なわれる。この後、アウターリード端子を利用
して、プローバ（ｐｒｏｂｅｒ）により電気的特性が検
査される。
【００４５】このようにして薄膜磁気ヘッド部２０がキ
ャリアテープ４０に配置された状態を図１３に示す。こ
の図１３の状態（すなわち、薄膜磁気ヘッド部２０がキ
ャリアテープ４０に配置された状態）から、キャリアテ
ープ４０が可撓性プリント基板ごとに打抜かれる。この
打抜きにより、図１４に示すような可撓性プリント基板
１０と薄膜磁気ヘッド部２０からなる薄膜磁気ヘッド構
造体５０が製造される。
ャリアテープ４０に配置された状態を図１３に示す。こ
の図１３の状態（すなわち、薄膜磁気ヘッド部２０がキ
ャリアテープ４０に配置された状態）から、キャリアテ
ープ４０が可撓性プリント基板ごとに打抜かれる。この
打抜きにより、図１４に示すような可撓性プリント基板
１０と薄膜磁気ヘッド部２０からなる薄膜磁気ヘッド構
造体５０が製造される。
【００４６】上記のように、第１の参考例による薄膜磁
気ヘッド構造体は製造される。
気ヘッド構造体は製造される。
【００４７】なお、第１の参考例による薄膜磁気ヘッド
構造体の製造に用いられるキャリアテープは、図９に示
されるものに限られない。すなわち、図１５に示すよう
に、アライメントマーク３３を配置してもよい。このア
ライメントマーク３３は、リード端子２の材料を利用し
てアライメントしやすい形状に加工することも可能であ
る。アライメントマーク３３を配置することにより、薄
膜磁気ヘッド部を接合するための位置合わせが容易にな
る。
構造体の製造に用いられるキャリアテープは、図９に示
されるものに限られない。すなわち、図１５に示すよう
に、アライメントマーク３３を配置してもよい。このア
ライメントマーク３３は、リード端子２の材料を利用し
てアライメントしやすい形状に加工することも可能であ
る。アライメントマーク３３を配置することにより、薄
膜磁気ヘッド部を接合するための位置合わせが容易にな
る。
【００４８】また、可撓性プリント基板となるべき１組
のリード端子の配置は、図９および図１５に示すものに
限られず、図１６および図１７に示すように自由に配置
することが可能である。
のリード端子の配置は、図９および図１５に示すものに
限られず、図１６および図１７に示すように自由に配置
することが可能である。
【００４９】なお、図１５、図１６、図１７において
は、アライメントマーク３３を配した構成を示したが、
特にアライメントマーク３３がなくてもよい。
は、アライメントマーク３３を配した構成を示したが、
特にアライメントマーク３３がなくてもよい。
【００５０】第２の参考例 次に、第２の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の構成
について説明する。
について説明する。
【００５１】図１８（ａ）、（ｂ）は、第２の参考例に
よる薄膜磁気ヘッド構造体を構成する薄膜磁気ヘッド部
およびリード基板部の概略構成を示す平面図である。ま
た図１９は、図１８に示す薄膜磁気ヘッド部およびリー
ド基板部を接合した薄膜磁気ヘッド構造体の概略構成を
示す側面図である。図１８と図１９を参照して、薄膜磁
気ヘッド構造体１５０は、薄膜磁気ヘッド部１２０およ
びリード基板部１１０から構成されている。
よる薄膜磁気ヘッド構造体を構成する薄膜磁気ヘッド部
およびリード基板部の概略構成を示す平面図である。ま
た図１９は、図１８に示す薄膜磁気ヘッド部およびリー
ド基板部を接合した薄膜磁気ヘッド構造体の概略構成を
示す側面図である。図１８と図１９を参照して、薄膜磁
気ヘッド構造体１５０は、薄膜磁気ヘッド部１２０およ
びリード基板部１１０から構成されている。
【００５２】薄膜磁気ヘッド部１２０は、磁性基板１１
２、素子部１１３、外部接続端子１１１、導電層１、保
護板１１４などから構成されている。フェライトなどか
らなる磁性基板１の媒体摺動面１１９側の表面上には、
素子部１１３が形成されている。この素子部１１３から
延びるように、磁性基板１１２の表面上には外部接続端
子１１１が形成されている。この外部接続端子１１１
は、外部との接続用１１１ａおよび接地用１１１ｂから
なっている。外部との接続用１１１ａの先端は、幅の広
い外部取出パターン部１１１ｃとなっている。また、こ
の外部接続端子１１１はアルミニウム（Ａｌ）などから
なっている。素子部１１３の表面上には、素子部１１３
を覆うように保護板１１４が接着されている。この磁性
基板１１２、素子部１１３および保護板１１４より、一
定の曲率を有する媒体摺動面１１９が構成されている。
また、外部取出パターン部１１１ｃ上には、導電層１が
形成されている。この導電層１は、図３に示すようにバ
リヤメタル膜１６、メッキ下地膜１７およびＡｕバンプ
１ａから構成されている。
２、素子部１１３、外部接続端子１１１、導電層１、保
護板１１４などから構成されている。フェライトなどか
らなる磁性基板１の媒体摺動面１１９側の表面上には、
素子部１１３が形成されている。この素子部１１３から
延びるように、磁性基板１１２の表面上には外部接続端
子１１１が形成されている。この外部接続端子１１１
は、外部との接続用１１１ａおよび接地用１１１ｂから
なっている。外部との接続用１１１ａの先端は、幅の広
い外部取出パターン部１１１ｃとなっている。また、こ
の外部接続端子１１１はアルミニウム（Ａｌ）などから
なっている。素子部１１３の表面上には、素子部１１３
を覆うように保護板１１４が接着されている。この磁性
基板１１２、素子部１１３および保護板１１４より、一
定の曲率を有する媒体摺動面１１９が構成されている。
また、外部取出パターン部１１１ｃ上には、導電層１が
形成されている。この導電層１は、図３に示すようにバ
リヤメタル膜１６、メッキ下地膜１７およびＡｕバンプ
１ａから構成されている。
【００５３】リード基板部１１０は、ガラス基板１０３
およびリード端子１０２から構成されている。ガラス基
板１０３の表面上には、複数のリード端子１０２が形成
されている。このリード端子１０２は、領域Ａ0 から領
域Ｂ0 に延びる複数のリード端子１０２ａと、領域Ｂ0
から領域Ｃ0 に延びる複数のリード端子１０２ｂからな
っている。この複数のリード端子１０２ａは、外部取出
パターン部１１１ｃと同一ピッチで形成されている。ま
た、複数のリード基板１０２ｂは、領域Ｂ0 においては
リード端子１０２ａより大きなピッチで形成されてい
る。また、リード端子１０２ｂは領域Ｃ0 において領域
Ｂ0 のピッチより大きいピッチで形成されている。これ
らの端子ピッチは、実装するドライバＩＣ１０５の外部
取出パターン部（図示せず）と同一ピッチにする。この
リード端子１０２ａ、１０２ｂは、ガラス基板８の表面
全面に蒸着されたリード層のパターニングによって形成
される。領域Ｂ0 には、ドライバＩＣ１０５が各リード
端子１０２ａ、１０２ｂと電気的に接続されるように取
付けられている。
およびリード端子１０２から構成されている。ガラス基
板１０３の表面上には、複数のリード端子１０２が形成
されている。このリード端子１０２は、領域Ａ0 から領
域Ｂ0 に延びる複数のリード端子１０２ａと、領域Ｂ0
から領域Ｃ0 に延びる複数のリード端子１０２ｂからな
っている。この複数のリード端子１０２ａは、外部取出
パターン部１１１ｃと同一ピッチで形成されている。ま
た、複数のリード基板１０２ｂは、領域Ｂ0 においては
リード端子１０２ａより大きなピッチで形成されてい
る。また、リード端子１０２ｂは領域Ｃ0 において領域
Ｂ0 のピッチより大きいピッチで形成されている。これ
らの端子ピッチは、実装するドライバＩＣ１０５の外部
取出パターン部（図示せず）と同一ピッチにする。この
リード端子１０２ａ、１０２ｂは、ガラス基板８の表面
全面に蒸着されたリード層のパターニングによって形成
される。領域Ｂ0 には、ドライバＩＣ１０５が各リード
端子１０２ａ、１０２ｂと電気的に接続されるように取
付けられている。
【００５４】リード基板部１１０の表面上に形成された
リード端子１０２ａと、これに対応する外部取出パター
ン部１１１ｃは、導電層１を介して電気的に接続されて
いる。また、この接続は、ガラス基板１０３と磁性基板
１１２の端子１０２、１１１が形成された面を対向させ
た状態で接合することにより行なわれる。
リード端子１０２ａと、これに対応する外部取出パター
ン部１１１ｃは、導電層１を介して電気的に接続されて
いる。また、この接続は、ガラス基板１０３と磁性基板
１１２の端子１０２、１１１が形成された面を対向させ
た状態で接合することにより行なわれる。
【００５５】次に、リード基板部１１０と薄膜磁気ヘッ
ド部１２０の接合方法について説明する。
ド部１２０の接合方法について説明する。
【００５６】図１８、図１９を参照して、リード基板部
１１０と薄膜磁気ヘッド部１２０の接合に際して、リー
ド端子１０２ａと外部接続端子１１１の位置合わせが行
なわれる。まず、リード端子１０２ａの任意の点がＣＣ
Ｄカメラにより検出される。これにより、リード基板部
１１０の位置確認が行なわれる。これと同時に、外部接
続端子１１１の任意の点がＣＣＤカメラにより検出され
る。これにより、リード端子１０２ａの任意の点と外部
接続端子１１１の任意の点との相対位置（Ｘ、Ｙ、θ方
向）が補正される。この後、リード基板部１１０と薄膜
磁気ヘッド部１２０の端子が形成された面を各々対向さ
せてツールにより加圧する。リード基板部１１０と薄膜
磁気ヘッド部１２０の接合部分に光硬化性樹脂またはエ
ポキシなどの樹脂が充填される。これらの樹脂は、ＵＶ
照射または熱により硬化させられる。このようにして、
本参考例による薄膜磁気ヘッド構造体１５０の接合が完
了する。
１１０と薄膜磁気ヘッド部１２０の接合に際して、リー
ド端子１０２ａと外部接続端子１１１の位置合わせが行
なわれる。まず、リード端子１０２ａの任意の点がＣＣ
Ｄカメラにより検出される。これにより、リード基板部
１１０の位置確認が行なわれる。これと同時に、外部接
続端子１１１の任意の点がＣＣＤカメラにより検出され
る。これにより、リード端子１０２ａの任意の点と外部
接続端子１１１の任意の点との相対位置（Ｘ、Ｙ、θ方
向）が補正される。この後、リード基板部１１０と薄膜
磁気ヘッド部１２０の端子が形成された面を各々対向さ
せてツールにより加圧する。リード基板部１１０と薄膜
磁気ヘッド部１２０の接合部分に光硬化性樹脂またはエ
ポキシなどの樹脂が充填される。これらの樹脂は、ＵＶ
照射または熱により硬化させられる。このようにして、
本参考例による薄膜磁気ヘッド構造体１５０の接合が完
了する。
【００５７】なお、ドライバＩＣ１０５とリード基板部
１１０のリード端子１０２ａ、１０２ｂの接合に際して
も、上記と同様の工程を経ることにより一括して接合を
行なうことが可能である。また、この薄膜磁気ヘッド保
護構造体１５０と外部基板などとの接合は、リード基板
部１１０の領域Ｃ0 において行なわれる。この接合に際
しては、領域Ｃ0 におけるリード端子１０２ｂの接続数
が少なく、かつピッチが比較的大きいため、半田付けな
どで十分対応可能である。
１１０のリード端子１０２ａ、１０２ｂの接合に際して
も、上記と同様の工程を経ることにより一括して接合を
行なうことが可能である。また、この薄膜磁気ヘッド保
護構造体１５０と外部基板などとの接合は、リード基板
部１１０の領域Ｃ0 において行なわれる。この接合に際
しては、領域Ｃ0 におけるリード端子１０２ｂの接続数
が少なく、かつピッチが比較的大きいため、半田付けな
どで十分対応可能である。
【００５８】第３の参考例 次に、第３の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の構成
について説明する。
について説明する。
【００５９】図２０（ａ）、（ｂ）は、第３の参考例に
よる薄膜磁気ヘッド構造体を構成する薄膜磁気ヘッド部
およびリード基板部の概略構成を示す平面図である。ま
た図２１は、図２０に示す薄膜磁気ヘッド部とリード基
板部とを接合した薄膜磁気ヘッド構造体の概略構成を示
す側面図である。図２０と図２１を参照して、薄膜磁気
ヘッド構造体２５０は、薄膜磁気ヘッド部２２０とリー
ド基板部２１０から構成されている。
よる薄膜磁気ヘッド構造体を構成する薄膜磁気ヘッド部
およびリード基板部の概略構成を示す平面図である。ま
た図２１は、図２０に示す薄膜磁気ヘッド部とリード基
板部とを接合した薄膜磁気ヘッド構造体の概略構成を示
す側面図である。図２０と図２１を参照して、薄膜磁気
ヘッド構造体２５０は、薄膜磁気ヘッド部２２０とリー
ド基板部２１０から構成されている。
【００６０】薄膜磁気ヘッド部２２０は、磁性基板２１
２、素子部２１３、外部接続端子２１１、導電層１など
から構成されている。これらの構成は、図１８、図１９
に示す第２の参考例における薄膜磁気ヘッド構造体１５
０の構成とほぼ同様である。ただし、素子部２１３の表
面上に保護板が取付けられていない点で図１８、図１９
の薄膜磁気ヘッド構造体１５０とは異なる。また、媒体
摺動面側の端部から外部取出パターン部２１１ｃまでの
距離はＬに設定されている。さらに、薄膜磁気ヘッド部
２２０の幅はＷに設定されている。
２、素子部２１３、外部接続端子２１１、導電層１など
から構成されている。これらの構成は、図１８、図１９
に示す第２の参考例における薄膜磁気ヘッド構造体１５
０の構成とほぼ同様である。ただし、素子部２１３の表
面上に保護板が取付けられていない点で図１８、図１９
の薄膜磁気ヘッド構造体１５０とは異なる。また、媒体
摺動面側の端部から外部取出パターン部２１１ｃまでの
距離はＬに設定されている。さらに、薄膜磁気ヘッド部
２２０の幅はＷに設定されている。
【００６１】リード基板部２１０は、ガラス基板２０３
およびリード端子２０２から構成されている。これらの
構成は、図１８、図１９に示す第２の参考例における薄
膜磁気ヘッド構造体１５０の構成とほぼ同様である。た
だし、ガラス基板２０３の表面上に形成されるリード端
子２０２ａの先端からガラス基板２０３の先端までの距
離がＬに設定されている。また、ガラス基板２０３の幅
はＷに設定されている。領域Ｂ1 には、ドライバＩＣ２
０５が、各リード端子２０２ａ、２０２ｂと電気的に接
続されるように取付けられている。また、領域Ｃ1 は、
外部基板との接続に用いられる領域である。
およびリード端子２０２から構成されている。これらの
構成は、図１８、図１９に示す第２の参考例における薄
膜磁気ヘッド構造体１５０の構成とほぼ同様である。た
だし、ガラス基板２０３の表面上に形成されるリード端
子２０２ａの先端からガラス基板２０３の先端までの距
離がＬに設定されている。また、ガラス基板２０３の幅
はＷに設定されている。領域Ｂ1 には、ドライバＩＣ２
０５が、各リード端子２０２ａ、２０２ｂと電気的に接
続されるように取付けられている。また、領域Ｃ1 は、
外部基板との接続に用いられる領域である。
【００６２】多数のリード端子２０２ａとこれに対応す
る外部取出パターン部２１１ｃが各々導電層１を介して
電気的に接続されている。また、この接続は、ガラス基
板２０３と磁性基板２１２の端子２０２ａ、２０２ｂ、
２１１が形成された面を対向させた状態で接合すること
により行なわれる。さらに、リード基板部２１０の領域
Ａ1 から距離Ｌを設定した領域は、薄膜磁気ヘッド部２
２０の素子部２１３を覆うように接着されている。この
ガラス基板２０３、素子部２１３および磁性基板２１９
からなる端部は、所望の曲率を有する媒体摺動面２１９
に加工されている。
る外部取出パターン部２１１ｃが各々導電層１を介して
電気的に接続されている。また、この接続は、ガラス基
板２０３と磁性基板２１２の端子２０２ａ、２０２ｂ、
２１１が形成された面を対向させた状態で接合すること
により行なわれる。さらに、リード基板部２１０の領域
Ａ1 から距離Ｌを設定した領域は、薄膜磁気ヘッド部２
２０の素子部２１３を覆うように接着されている。この
ガラス基板２０３、素子部２１３および磁性基板２１９
からなる端部は、所望の曲率を有する媒体摺動面２１９
に加工されている。
【００６３】次に、リード基板部２１０と薄膜磁気ヘッ
ド部２２０の接合方法について説明する。
ド部２２０の接合方法について説明する。
【００６４】図２０と図２１を参照して、リード基板部
２１０と薄膜磁気ヘッド部２２０は、端部からの距離Ｌ
と幅Ｗが設定されている。このため、この接合において
は、各端子形成面を対面させた状態で媒体摺動面となる
べき端面を揃えて加圧するだけでよい。この接合によ
り、リード端子２０２ａと外部取出パターン部２１１ｃ
上に形成された導電層１の相対位置は精度よく定まる。
この後、リード基板部２１０と薄膜磁気ヘッド部２２０
を加圧した状態で、その接合部に光硬化樹脂またはエポ
キシなどの樹脂が充填される。この樹脂は、ＵＶ照射ま
たは熱により硬化させられる。
２１０と薄膜磁気ヘッド部２２０は、端部からの距離Ｌ
と幅Ｗが設定されている。このため、この接合において
は、各端子形成面を対面させた状態で媒体摺動面となる
べき端面を揃えて加圧するだけでよい。この接合によ
り、リード端子２０２ａと外部取出パターン部２１１ｃ
上に形成された導電層１の相対位置は精度よく定まる。
この後、リード基板部２１０と薄膜磁気ヘッド部２２０
を加圧した状態で、その接合部に光硬化樹脂またはエポ
キシなどの樹脂が充填される。この樹脂は、ＵＶ照射ま
たは熱により硬化させられる。
【００６５】リード基板部２１０と薄膜磁気ヘッド部２
２０を接合した後、磁性基板２１２、素子部２１３およ
びガラス基板２０３から構成される端面が加工される。
この加工により、端面は所定の曲率を有する媒体摺動面
（図２１に点線で示す面）に加工される。
２０を接合した後、磁性基板２１２、素子部２１３およ
びガラス基板２０３から構成される端面が加工される。
この加工により、端面は所定の曲率を有する媒体摺動面
（図２１に点線で示す面）に加工される。
【００６６】なお、ドライバＩＣ２０５とリード基板部
２１０の接合については、図１８、図１９に示す薄膜磁
気ヘッド構造体１５０と同様に行なわれる。すなわち、
ドライバＩＣ２０５とリード端子２０２ａ、２０２ｂの
相対位置がＣＣＤカメラにより補正される。この後、加
圧接合によりドライバＩＣ２０５は、各リード端子２０
２ａ、２０２ｂと電気的に接続するようにガラス基板２
０３に取付けられる。
２１０の接合については、図１８、図１９に示す薄膜磁
気ヘッド構造体１５０と同様に行なわれる。すなわち、
ドライバＩＣ２０５とリード端子２０２ａ、２０２ｂの
相対位置がＣＣＤカメラにより補正される。この後、加
圧接合によりドライバＩＣ２０５は、各リード端子２０
２ａ、２０２ｂと電気的に接続するようにガラス基板２
０３に取付けられる。
【００６７】特に、第３の参考例による薄膜磁気ヘッド
構造体２５０では、リード基板部２１０により、素子部
２１３の表面上が保護される。すなわち、ガラス基板２
０３は保護板の役割をもなす。このため、保護板は不要
となり、その接着工程は省略できる。
構造体２５０では、リード基板部２１０により、素子部
２１３の表面上が保護される。すなわち、ガラス基板２
０３は保護板の役割をもなす。このため、保護板は不要
となり、その接着工程は省略できる。
【００６８】実施例 上記の第１、第２および第３の参考例 による薄膜磁気ヘ
ッド構造体５０（図２）、１５０（図１９）、２５０
（図２１）においては、導電層１として図３に示す構造
が用いられている。しかしながら、第１、第２および第
３の参考例（図２、図１９、図２１）に用いられる導電
層１は、上記のものに限られず、Ａｕバンプのみから構
成されていてもよい。以下、Ａｕバンプのみからなる導
電層１の製造方法について、代表例として第１の参考例
を挙げて説明する。
ッド構造体５０（図２）、１５０（図１９）、２５０
（図２１）においては、導電層１として図３に示す構造
が用いられている。しかしながら、第１、第２および第
３の参考例（図２、図１９、図２１）に用いられる導電
層１は、上記のものに限られず、Ａｕバンプのみから構
成されていてもよい。以下、Ａｕバンプのみからなる導
電層１の製造方法について、代表例として第１の参考例
を挙げて説明する。
【００６９】図２２は、本発明の他の導電層の製造方法
を概略的に示す断面図である。図２２を参照して、可撓
性プリント基板１０ならびに薄膜磁気ヘッド部２０とは
別個に基材９０が準備される。この基材９０を準備する
工程について、まず基板８１が用意される。この基板８
１は、ガラス、セラミックス等からなる。次に、基板８
１の表面上にＰｔ、ＩＴＯなどからなる導電層材８２が
形成される。この導電層材８２を被覆するように、耐熱
性絶縁膜などからなるメッキ用マスク材８３が基板８１
の表面上に形成される。このメッキ用マスク材８３に
は、複数個の開口窓８３ａが設けられる。この複数個の
開口窓８３ａは、インナーリード端子２ａまたは外部取
出パターン部１１ｃと同一ピッチとなるように配列され
る。また、この開口窓８３ａからは、導電層材８２の一
部表面が露出する。このように、基材９０が準備され
る。
を概略的に示す断面図である。図２２を参照して、可撓
性プリント基板１０ならびに薄膜磁気ヘッド部２０とは
別個に基材９０が準備される。この基材９０を準備する
工程について、まず基板８１が用意される。この基板８
１は、ガラス、セラミックス等からなる。次に、基板８
１の表面上にＰｔ、ＩＴＯなどからなる導電層材８２が
形成される。この導電層材８２を被覆するように、耐熱
性絶縁膜などからなるメッキ用マスク材８３が基板８１
の表面上に形成される。このメッキ用マスク材８３に
は、複数個の開口窓８３ａが設けられる。この複数個の
開口窓８３ａは、インナーリード端子２ａまたは外部取
出パターン部１１ｃと同一ピッチとなるように配列され
る。また、この開口窓８３ａからは、導電層材８２の一
部表面が露出する。このように、基材９０が準備され
る。
【００７０】この基材９０を用いて、電解メッキ法が行
なわれる。この電解メッキ法により、導電路となる導電
層材８３の露出部分（開口窓８３ａの部分）には、Ａｕ
バンプ１ｂが選択的に形成される。このＡｕバンプ１ｂ
は、インナーリード端子２ａまたは外部取出パターン部
１１ｃと同一ピッチとなるように配置・形成される。ま
た、Ａｕバンプ１ｂの厚みは、２０〜３０μｍ程度であ
る。この基材９０に形成されたＡｕバンプ１ｂは、イン
ナーリード端子２ａまたは外部取出パターン部１１ｃの
いずれかに位置合わせされる。この位置合わせの際、Ａ
ｕバンプ１ｂと両端子２ａ、１１ｃは同一ピッチである
ため、精度の良い位置合わせが可能である。位置合わせ
の後、熱圧着により各Ａｕバンプ１ｂは、各インナーリ
ード端子２ａまたは各外部取出パターン部１１ｃに転写
される。この転写により、各インナーリード端子２ａま
たは各外部取出パターン部１１ｃには、Ａｕバンプ１ｂ
が取付けられる。これにより、インナーリード端子２ａ
または外部取出パターン部１１ｃ上にＡｕバンプ１ｂか
らなる導電層１が形成される。
なわれる。この電解メッキ法により、導電路となる導電
層材８３の露出部分（開口窓８３ａの部分）には、Ａｕ
バンプ１ｂが選択的に形成される。このＡｕバンプ１ｂ
は、インナーリード端子２ａまたは外部取出パターン部
１１ｃと同一ピッチとなるように配置・形成される。ま
た、Ａｕバンプ１ｂの厚みは、２０〜３０μｍ程度であ
る。この基材９０に形成されたＡｕバンプ１ｂは、イン
ナーリード端子２ａまたは外部取出パターン部１１ｃの
いずれかに位置合わせされる。この位置合わせの際、Ａ
ｕバンプ１ｂと両端子２ａ、１１ｃは同一ピッチである
ため、精度の良い位置合わせが可能である。位置合わせ
の後、熱圧着により各Ａｕバンプ１ｂは、各インナーリ
ード端子２ａまたは各外部取出パターン部１１ｃに転写
される。この転写により、各インナーリード端子２ａま
たは各外部取出パターン部１１ｃには、Ａｕバンプ１ｂ
が取付けられる。これにより、インナーリード端子２ａ
または外部取出パターン部１１ｃ上にＡｕバンプ１ｂか
らなる導電層１が形成される。
【００７１】なお、第１の参考例のインナーリード端子
２ａ、外部取出パータン部１１ｃは、それぞれ、第２の
参考例のリード端子１０２ａ、外部取出パータン部１１
１ｃ（図１９）、第３の参考例のリード端子２０２ａ、
外部取出パターン部２１１ｃ（図２１）に対応する。
２ａ、外部取出パータン部１１ｃは、それぞれ、第２の
参考例のリード端子１０２ａ、外部取出パータン部１１
１ｃ（図１９）、第３の参考例のリード端子２０２ａ、
外部取出パターン部２１１ｃ（図２１）に対応する。
【００７２】この導電層１は、第１の参考例における薄
膜磁気ヘッド構造体５０に採用する場合に特に有効であ
る。すなわち、このＡｕバンプ１ｂを特にインナーリー
ド端子２ａに形成したキャリアテープは、転写バンプ付
キャリアテープとして半導体分野では実用化されてお
り、この転写バンプ付キャリアテープを第１の参考例に
おける薄膜磁気ヘッド５０に採用すれば、薄膜磁気ヘッ
ド５０を作成するにあたり、Ａｕバンプの形成プロセス
における工程の簡略化を図ることができる。
膜磁気ヘッド構造体５０に採用する場合に特に有効であ
る。すなわち、このＡｕバンプ１ｂを特にインナーリー
ド端子２ａに形成したキャリアテープは、転写バンプ付
キャリアテープとして半導体分野では実用化されてお
り、この転写バンプ付キャリアテープを第１の参考例に
おける薄膜磁気ヘッド５０に採用すれば、薄膜磁気ヘッ
ド５０を作成するにあたり、Ａｕバンプの形成プロセス
における工程の簡略化を図ることができる。
【００７３】また、導電層１は、上記のものに限られ
ず、錫や半田材、もしくはプラスチックボールにＡｕメ
ッキしたＡｕボールなどでもよい。また、導電層１とし
て厚み方向のみに導電性の得られる異方性導電フィルム
を用いる方法もある。すなわち、第１、第２、第３の参
考例におけるリード端子２ａ、１０２ａ、２０２ａと外
部取出パターン部１１ｃ、１１１ｃ、２１１ｃの間に異
方性導電フィルムを介在させ、加圧・加熱することによ
り一括してボンディングをすることもできる。さらに別
の方法として、超音波あるいは超音波と熱を併用して、
第１、第２、第３の参考例における外部取出パターン部
１１ｃ、１１１ｃ、２１１ｃ上の各Ａｕバンプ１と各リ
ード端子２ａ、１０２ａ、２０２ａとを１本ずつ接合す
る、いわゆるシングルポイントボンディングも可能であ
る。加えて、Ａｕバンプなどの導電層１は、リード端子
２ａ、１０２ａ、２０２ａ側でも、外部取出パターン部
１１ｃ、１１１ｃ、２１１ｃ側に設けても同一の効果が
得られる。
ず、錫や半田材、もしくはプラスチックボールにＡｕメ
ッキしたＡｕボールなどでもよい。また、導電層１とし
て厚み方向のみに導電性の得られる異方性導電フィルム
を用いる方法もある。すなわち、第１、第２、第３の参
考例におけるリード端子２ａ、１０２ａ、２０２ａと外
部取出パターン部１１ｃ、１１１ｃ、２１１ｃの間に異
方性導電フィルムを介在させ、加圧・加熱することによ
り一括してボンディングをすることもできる。さらに別
の方法として、超音波あるいは超音波と熱を併用して、
第１、第２、第３の参考例における外部取出パターン部
１１ｃ、１１１ｃ、２１１ｃ上の各Ａｕバンプ１と各リ
ード端子２ａ、１０２ａ、２０２ａとを１本ずつ接合す
る、いわゆるシングルポイントボンディングも可能であ
る。加えて、Ａｕバンプなどの導電層１は、リード端子
２ａ、１０２ａ、２０２ａ側でも、外部取出パターン部
１１ｃ、１１１ｃ、２１１ｃ側に設けても同一の効果が
得られる。
【００７４】次に、第１の参考例による薄膜磁気ヘッド
構造体５０のアウターリード端子のピッチを大きくする
方法、あるいは外部回路との接続において可撓性プリン
ト基板１０の寸法を大きくする方法について説明する。
構造体５０のアウターリード端子のピッチを大きくする
方法、あるいは外部回路との接続において可撓性プリン
ト基板１０の寸法を大きくする方法について説明する。
【００７５】図２３は、本発明の薄膜磁気ヘッド構造体
に、さらに可撓性プリント基板を取付けた状態を概略的
に示す平面図である。図２３を参照して、第１の参考例
による薄膜磁気ヘッド構造体５０の可撓性プリント基板
１０は、上述のとおり３５ｍｍまたは７０ｍｍ幅のキャ
リアテープにより形成される。このため、可撓性プリン
ト基板１０の寸法には限界がある。すなわち、アウター
リード端子２ｂのピッチをある程度以上大きくすること
ができない。これにより、外部基板との電気的な接続
が、距離的、空間的に困難となる場合が生じ、多種多様
な用途への適用が困難となる場合がある。
に、さらに可撓性プリント基板を取付けた状態を概略的
に示す平面図である。図２３を参照して、第１の参考例
による薄膜磁気ヘッド構造体５０の可撓性プリント基板
１０は、上述のとおり３５ｍｍまたは７０ｍｍ幅のキャ
リアテープにより形成される。このため、可撓性プリン
ト基板１０の寸法には限界がある。すなわち、アウター
リード端子２ｂのピッチをある程度以上大きくすること
ができない。これにより、外部基板との電気的な接続
が、距離的、空間的に困難となる場合が生じ、多種多様
な用途への適用が困難となる場合がある。
【００７６】上記のような問題点を解決するために、薄
膜磁気ヘッド構造体５０のアウターリード端子２ｂに、
第２の可撓性プリント基板８０を接続することが考えら
れる。この第２の可撓性プリント基板８０は、銅箔がベ
ースフィルム８３とカバーフィルム８４に挟まれた構成
となっている。この銅箔は、ベースフィルムとカバーフ
ィルムの両端部から露出している。この露出した銅箔上
に半田層がメッキされている。このメッキが施された銅
箔の一方端部はインナーリード端子８２ａであり、他方
端部はアウターリード端子８２ｂである。このインナー
リード端子８２ａは、薄膜磁気ヘッド構造体５０のアウ
ターリード端子２ｂと同一ピッチで配列されている。し
たがって、アウターリード端子２ｂとインナーリード端
子８２ａの位置合わせについては、これらのリード端子
を用いて容易に行なうことができる。また、アウターリ
ード端子８２ｂは、インナーリード端子８２ａに比較し
て大きいピッチで形成されている。このように、第２の
可撓性プリント基板により、外部基板との接合部のピッ
チを変えることができる。このため、可撓性プリント基
板８０を用いることにより、多種多様なピッチを有する
外部基板と接合することが可能となり、その適用範囲は
大幅に拡大する。なお、薄膜磁気ヘッド構造体５０と第
２の可撓性プリント基板８０の接合および第２の可撓性
プリント基板８０と外部基板（図示せず）の接合には、
Ａｕバンプなどの本発明で述べる導電層を適用すること
ができる。この接合は、キャリアテープの状態で行える
ので、自動化は容易であり、生産性を低下させることに
はつながらない。また、第２、第３の参考例による薄膜
磁気ヘッド構造体１５０、２５０では、リード基板部１
１０，２１０の寸法の制限は特にない。よって、可撓性
プリント基板８０を用いなくともその設計の自由度は非
常に高い。
膜磁気ヘッド構造体５０のアウターリード端子２ｂに、
第２の可撓性プリント基板８０を接続することが考えら
れる。この第２の可撓性プリント基板８０は、銅箔がベ
ースフィルム８３とカバーフィルム８４に挟まれた構成
となっている。この銅箔は、ベースフィルムとカバーフ
ィルムの両端部から露出している。この露出した銅箔上
に半田層がメッキされている。このメッキが施された銅
箔の一方端部はインナーリード端子８２ａであり、他方
端部はアウターリード端子８２ｂである。このインナー
リード端子８２ａは、薄膜磁気ヘッド構造体５０のアウ
ターリード端子２ｂと同一ピッチで配列されている。し
たがって、アウターリード端子２ｂとインナーリード端
子８２ａの位置合わせについては、これらのリード端子
を用いて容易に行なうことができる。また、アウターリ
ード端子８２ｂは、インナーリード端子８２ａに比較し
て大きいピッチで形成されている。このように、第２の
可撓性プリント基板により、外部基板との接合部のピッ
チを変えることができる。このため、可撓性プリント基
板８０を用いることにより、多種多様なピッチを有する
外部基板と接合することが可能となり、その適用範囲は
大幅に拡大する。なお、薄膜磁気ヘッド構造体５０と第
２の可撓性プリント基板８０の接合および第２の可撓性
プリント基板８０と外部基板（図示せず）の接合には、
Ａｕバンプなどの本発明で述べる導電層を適用すること
ができる。この接合は、キャリアテープの状態で行える
ので、自動化は容易であり、生産性を低下させることに
はつながらない。また、第２、第３の参考例による薄膜
磁気ヘッド構造体１５０、２５０では、リード基板部１
１０，２１０の寸法の制限は特にない。よって、可撓性
プリント基板８０を用いなくともその設計の自由度は非
常に高い。
【００７７】次に、ヘッドハウジングケースおよびヘッ
ドユニットについて説明する。図２４は、本発明のガイ
ドケースの概略構成を示す斜視図である。図２４を参照
して、ヘッドハウジングケース３１０は、テープガイド
３０２とヘッドケース３０３とを樹脂により一体成形し
たものである。このヘッドハウジングケース３１０のヘ
ッド挿入孔３０１に図２３などに示す薄膜磁気ヘッド構
造体５０を挿入することにより、図２５に示すヘッドユ
ニット３００を得ることができる。
ドユニットについて説明する。図２４は、本発明のガイ
ドケースの概略構成を示す斜視図である。図２４を参照
して、ヘッドハウジングケース３１０は、テープガイド
３０２とヘッドケース３０３とを樹脂により一体成形し
たものである。このヘッドハウジングケース３１０のヘ
ッド挿入孔３０１に図２３などに示す薄膜磁気ヘッド構
造体５０を挿入することにより、図２５に示すヘッドユ
ニット３００を得ることができる。
【００７８】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッド構造体によれ
ば、導電層を介して対応するリード端子と接続端子の両
端子の表面が対向するように接続されている。このた
め、端子形成用基板を薄膜磁気ヘッド用基板に直接、接
合・支持することが可能となる。よって、両基板を支持
する支持板は不要となる。支持板が不要であるため、薄
膜磁気ヘッド用基板を支持板に位置決めし、また端子形
成用基板を支持板に位置決めするという２回の位置決め
は不要となる。すなわち、端子形成用基板を薄膜磁気ヘ
ッド用基板に位置決めするのみで位置決めは完了する。
したがって、高精度の位置決めを必要とせず、接着工程
も簡略化される。
ば、導電層を介して対応するリード端子と接続端子の両
端子の表面が対向するように接続されている。このた
め、端子形成用基板を薄膜磁気ヘッド用基板に直接、接
合・支持することが可能となる。よって、両基板を支持
する支持板は不要となる。支持板が不要であるため、薄
膜磁気ヘッド用基板を支持板に位置決めし、また端子形
成用基板を支持板に位置決めするという２回の位置決め
は不要となる。すなわち、端子形成用基板を薄膜磁気ヘ
ッド用基板に位置決めするのみで位置決めは完了する。
したがって、高精度の位置決めを必要とせず、接着工程
も簡略化される。
【００７９】また、ワイヤボンディング技術を用いない
ため、超音波の吸収などによる不十分な圧着も生じな
い。よって、電気的接続の信頼性も向上する。さらに、
両端子の接続は、両端子の表面が対向しているため、加
圧などにより一括して行なうことができる。よって、ワ
イヤボンディングのように多点箇所での接続が不要とな
り、作業性の大幅な向上を図ることも可能となる。ま
た、リード端子の表面上にＡｕバンプからなる導電層を
形成したものを用いることにより、工程の簡略化を図る
ことができる。
ため、超音波の吸収などによる不十分な圧着も生じな
い。よって、電気的接続の信頼性も向上する。さらに、
両端子の接続は、両端子の表面が対向しているため、加
圧などにより一括して行なうことができる。よって、ワ
イヤボンディングのように多点箇所での接続が不要とな
り、作業性の大幅な向上を図ることも可能となる。ま
た、リード端子の表面上にＡｕバンプからなる導電層を
形成したものを用いることにより、工程の簡略化を図る
ことができる。
【００８０】本発明の薄膜磁気ヘッド構造体の製造方法
によれば、上記の効果を有する薄膜磁気ヘッド構造体を
得ることができる。
によれば、上記の効果を有する薄膜磁気ヘッド構造体を
得ることができる。
【００８１】本発明の他の薄膜磁気ヘッド構造体の製造
方法によれば、端子形成用基板は、テープに多数配列さ
れた状態である。このため、各端子形成用基板は、薄膜
磁気ヘッド用基板に連続的に位置決め・接合することが
可能となる。このため、端子形成用基板単体を１つずつ
薄膜磁気ヘッド用基板に位置決め・接合するのに比較し
て、自動化の工程を図ることが容易となる。また、キャ
リアテープを利用することにより接続端子とリード端子
の接合、樹脂モールド、磁気ヘッドの電気的特性検査、
端子用形成基板の打ち抜きなどのプロセスが、一連の流
れの中で行なえ、生産性の大幅向上が可能となることは
言うまでもない。また、通常のリードフレームでは、各
リード端子がフレームに短絡接続されるため、リード端
子をフレームから分離しなければリード端子を用いて薄
膜磁気ヘッドの電気的特性を検査することはできない。
これに対して、本発明では複数のリード端子が互いに電
気的に接続されてテープに保持されている。よって、リ
ード端子と接続端子との接続直後であって、端子形成用
基板をテープから分離する前にも、リード端子を利用し
て薄膜磁気ヘッドの素子部の電気的特性を検査すること
ができる。これにより、テープの状態で、リードにヘッ
ドを一括して位置合せした後、それらを一括して接続
し、さらに電気的特性評価を行なうことができる。
方法によれば、端子形成用基板は、テープに多数配列さ
れた状態である。このため、各端子形成用基板は、薄膜
磁気ヘッド用基板に連続的に位置決め・接合することが
可能となる。このため、端子形成用基板単体を１つずつ
薄膜磁気ヘッド用基板に位置決め・接合するのに比較し
て、自動化の工程を図ることが容易となる。また、キャ
リアテープを利用することにより接続端子とリード端子
の接合、樹脂モールド、磁気ヘッドの電気的特性検査、
端子用形成基板の打ち抜きなどのプロセスが、一連の流
れの中で行なえ、生産性の大幅向上が可能となることは
言うまでもない。また、通常のリードフレームでは、各
リード端子がフレームに短絡接続されるため、リード端
子をフレームから分離しなければリード端子を用いて薄
膜磁気ヘッドの電気的特性を検査することはできない。
これに対して、本発明では複数のリード端子が互いに電
気的に接続されてテープに保持されている。よって、リ
ード端子と接続端子との接続直後であって、端子形成用
基板をテープから分離する前にも、リード端子を利用し
て薄膜磁気ヘッドの素子部の電気的特性を検査すること
ができる。これにより、テープの状態で、リードにヘッ
ドを一括して位置合せした後、それらを一括して接続
し、さらに電気的特性評価を行なうことができる。
【図１】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の概
略構成を示す平面図である。
略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＰ部における薄膜磁気ヘッド部の概略構
成を示す平面図（ａ）、図３（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿
う断面図（ｂ）である。
成を示す平面図（ａ）、図３（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿
う断面図（ｂ）である。
【図４】本発明の導電層の製造方法の第１工程を示す断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の導電層の製造方法の第２工程を示す断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の導電層の製造方法の第３工程を示す断
面図である。
面図である。
【図７】本発明の導電層の製造方法の第４工程を示す断
面図である。
面図である。
【図８】本発明の導電層の製造方法の第５工程を示す断
面図である。
面図である。
【図９】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の製
造に用いる第１のキャリアテープの概略構成を示す平面
図である。
造に用いる第１のキャリアテープの概略構成を示す平面
図である。
【図１０】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法の第１工程を概略的に示す図９のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う拡大断面図である。
製造方法の第１工程を概略的に示す図９のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う拡大断面図である。
【図１１】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法の第２工程を概略的に示す図９のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う拡大断面図である。
製造方法の第２工程を概略的に示す図９のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う拡大断面図である。
【図１２】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法の第３工程を概略的に示す図９のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う拡大断面図である。
製造方法の第３工程を概略的に示す図９のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う拡大断面図である。
【図１３】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
製造方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図１４】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
製造方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図１５】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造に用いる第２のキャリアテープの概略構成を示す平
面図である。
製造に用いる第２のキャリアテープの概略構成を示す平
面図である。
【図１６】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造に用いる第３のキャリアテープの概略構成を示す平
面図である。
製造に用いる第３のキャリアテープの概略構成を示す平
面図である。
【図１７】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
製造に用いる第４のキャリアテープの概略構成を示す平
面図である。
製造に用いる第４のキャリアテープの概略構成を示す平
面図である。
【図１８】第２の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体を
構成する薄膜磁気ヘッド部（ａ）、リード基板部（ｂ）
の概略構成を示す平面図である。
構成する薄膜磁気ヘッド部（ａ）、リード基板部（ｂ）
の概略構成を示す平面図である。
【図１９】第２の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
概略構成を示す側面図である。
概略構成を示す側面図である。
【図２０】第３の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体を
構成する薄膜磁気ヘッド部（ａ）、リード基板部（ｂ）
の概略構成を示す平面図である。
構成する薄膜磁気ヘッド部（ａ）、リード基板部（ｂ）
の概略構成を示す平面図である。
【図２１】第３の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体の
概略構成を示す側面図である。
概略構成を示す側面図である。
【図２２】本発明の導電層の他の製造方法を概略的に示
す基材の断面図である。
す基材の断面図である。
【図２３】第１の参考例による薄膜磁気ヘッド構造体に
可撓性プリント基板を取付けた状態を概略的に示す平面
図である。
可撓性プリント基板を取付けた状態を概略的に示す平面
図である。
【図２４】本発明のガイドケースの概略構成を示す斜視
図である。
図である。
【図２５】本発明の薄膜磁気ヘッド構造体をガイドケー
スに挿入した状態を概略的に示す斜視図である。
スに挿入した状態を概略的に示す斜視図である。
【図２６】従来の薄膜磁気ヘッド構造体の概略構成を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２７】図２６のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
１ Ａｕバンプ ２、１０２ａ、２０２ａ リード端子 ３ ベースフィルム ４ カバーフィルム １１、１１１、２１１ 外部接続端子 １２、１１２、２１２ 磁性基板 １３、１１３、２１３ 素子部 １０３、２０３ ガラス基板 ５０、１５０、２５０ 薄膜磁気ヘッド構造体
Claims (3)
- 【請求項１】 主表面を有し、薄膜磁気ヘッドを含む薄
膜磁気ヘッド用基板と、 前記薄膜磁気ヘッドに含まれる素子部から延びるように
前記薄膜磁気ヘッド用基板の主表面上に配置された複数
個のＡｌからなる接続端子と、 該接続端子の各々と対応するように配置された複数個の
リード端子と、 該リード端子を、少なくとも対応する接続端子と対向す
る部分の表裏両面が露出するようにして保持する端子形
成用基板と、を備え、 前記接続端子と前記リード端子とは、前記対向する部分
において、前記リード端子の表面上に形成されたＡｕバ
ンプからなる導電層を介して接続されてなることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド構造体。 - 【請求項２】 薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドに
接続するリード端子を有する薄膜磁気ヘッド構造体の製
造方法であって、 少なくとも表裏両面が露出する部分を有するように複数
個の前記リード端子を保持する端子形成用基板を準備す
る工程と、 前記薄膜磁気ヘッドを含み、その薄膜磁気ヘッドに含ま
れる素子部から延びるように複数個のＡｌからなる接続
端子が形成された主表面を有する薄膜磁気ヘッド用基板
を準備する工程と、 前記リード端子の露出部分にＡｕバンプからなる導電層
を形成する工程と、 前記リード端子と前記接続端子の各々が互いに対向する
ように、前記端子形成用基板と前記薄膜磁気ヘッド用基
板を配置する工程と、 前記リード端子の露出部分を直接押圧することにより、
前記リード端子と前記接続端子を前記導電層を介して接
続する工程と、を備えてなることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド構造体の製造方法。 - 【請求項３】 薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドに
接続するリード端子を有する薄膜磁気ヘッド構造体の製
造方法であって、 少なくとも露出する部分を有するように複数個のリード
端子を互いに電気的に絶縁して保持する端子形成用基板
が所定間隔で複数個形成されたテープを準備する工程
と、 前記薄膜磁気ヘッドを含み、その薄膜磁気ヘッドに含ま
れる素子部から延びるように複数個の接続端子が形成さ
れた主表面を有する複数個の薄膜磁気ヘッド用基板を準
備する工程と、 前記リード端子の露出部分および前記接続端子のいずれ
か一方に導電層を形成する工程と、 前記テープを一定ピッチで送りながら、順次、前記リー
ド端子と前記接続端子の各々が互いに対向するように、
前記テープに形成された前記端子形成用基板の各々に前
記薄膜磁気ヘッド用基板の各々を配置して、前記リード
端子の露出部分と前記接続端子を前記導電層を介して接
続していく工程と、 前記リード端子を利用して前記素子部の電気的特性を検
査する工程と、 前記端子形成用基板を前記テープから分離する工程と、
を備えてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド構造体の
製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4133553A JP2931477B2 (ja) | 1991-06-07 | 1992-05-26 | 薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法 |
| DE69228274T DE69228274T2 (de) | 1991-06-07 | 1992-06-03 | Dünnfilmmagnetkopf und Herstellungsverfahren |
| EP92109401A EP0517198B1 (en) | 1991-06-07 | 1992-06-03 | Thin film magnetic head structure and methods of fabricating the same |
| US08/254,426 US5485337A (en) | 1991-06-07 | 1994-06-06 | Thin film magnetic head structure and method of fabricating the same for accurately locating and connecting terminals to terminal connections |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13679791 | 1991-06-07 | ||
| JP3-136797 | 1991-07-04 | ||
| JP3-163244 | 1991-07-04 | ||
| JP16324491 | 1991-07-04 | ||
| JP4133553A JP2931477B2 (ja) | 1991-06-07 | 1992-05-26 | 薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159233A JPH05159233A (ja) | 1993-06-25 |
| JP2931477B2 true JP2931477B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=27316718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4133553A Expired - Lifetime JP2931477B2 (ja) | 1991-06-07 | 1992-05-26 | 薄膜磁気ヘッド構造体およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5485337A (ja) |
| EP (1) | EP0517198B1 (ja) |
| JP (1) | JP2931477B2 (ja) |
| DE (1) | DE69228274T2 (ja) |
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| BE1008374A3 (nl) * | 1994-04-22 | 1996-04-02 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het verbinden van twee van sporenpatronen voorziene strippen, alsmede magneetkop voorzien van twee volgens de werkwijze met elkaar verbonden strippen. |
| JPH08203030A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Sony Corp | 磁気ヘッド装置及びその製造方法 |
| JPH08212516A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Masaaki Matsui | 支持ビームに対する接触型薄膜磁気ヘッド素子の接合方法 |
| JP3383455B2 (ja) * | 1995-02-10 | 2003-03-04 | 正顯 松井 | 支持ビームに対する磁気ヘッド素子の接合方法 |
| JPH11219507A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Star Micronics Co Ltd | 磁気書込み用ヘッド |
| JP2001067634A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Mitsumi Electric Co Ltd | 磁気ヘッド装置 |
| KR101002346B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2010-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 칩 실장형 필름 패키지 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4357640A (en) * | 1980-10-24 | 1982-11-02 | Nortronics Company, Inc. | Thin film magnetic transducer |
| JPS58182120A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS598116A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS5979417A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sony Corp | 磁気ヘツド装置 |
| JPS59172106A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チヤンネル薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS601614A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Sony Corp | 多素子磁気ヘツド装置の製法 |
| US4546541A (en) * | 1983-10-14 | 1985-10-15 | Applied Magnetics Corporation | Method of attaching electrical conductors to thin film magnetic transducer |
| JPS619815A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Canon Electronics Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6168309U (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-10 | ||
| US4859629A (en) * | 1986-04-18 | 1989-08-22 | M/A-Com, Inc. | Method of fabricating a semiconductor beam lead device |
| JPS636850A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Toshiba Corp | 電子部品の製造方法 |
| US5134460A (en) * | 1986-08-11 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Aluminum bump, reworkable bump, and titanium nitride structure for tab bonding |
| JPS63106910A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| US4789914A (en) * | 1986-10-28 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic read-write head/arm assemblies |
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| KR910006967B1 (ko) * | 1987-11-18 | 1991-09-14 | 가시오 게이상기 가부시기가이샤 | 반도체 장치의 범프 전극 구조 및 그 형성 방법 |
| JPH083888B2 (ja) * | 1987-12-23 | 1996-01-17 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド |
| FR2630244B1 (fr) * | 1988-04-15 | 1990-07-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'ecriture et de lecture sur un support magnetique et son procede de fabrication |
| US4999298A (en) * | 1988-04-27 | 1991-03-12 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Hollow fiber bioreactor culture system and method |
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| US5001542A (en) * | 1988-12-05 | 1991-03-19 | Hitachi Chemical Company | Composition for circuit connection, method for connection using the same, and connected structure of semiconductor chips |
| JPH02244414A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドのリード線接続構造 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP4133553A patent/JP2931477B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1992-06-03 EP EP92109401A patent/EP0517198B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-06 US US08/254,426 patent/US5485337A/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH05159233A (ja) | 1993-06-25 |
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| DE69228274T2 (de) | 1999-08-12 |
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|---|---|---|---|
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