JPS601614A - 多素子磁気ヘツド装置の製法 - Google Patents
多素子磁気ヘツド装置の製法Info
- Publication number
- JPS601614A JPS601614A JP10887083A JP10887083A JPS601614A JP S601614 A JPS601614 A JP S601614A JP 10887083 A JP10887083 A JP 10887083A JP 10887083 A JP10887083 A JP 10887083A JP S601614 A JPS601614 A JP S601614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- resin
- lead
- element magnetic
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/17—Construction or disposition of windings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電磁誘導型、或いは磁気抵抗効果(MR)型
磁気ヘッド等の薄膜型磁気ヘッドによる多素子磁気ヘッ
ドを得る場合に適用して好適な多素子磁気ヘッドの製法
に係わる。
磁気ヘッド等の薄膜型磁気ヘッドによる多素子磁気ヘッ
ドを得る場合に適用して好適な多素子磁気ヘッドの製法
に係わる。
背景技術とその問題点
例えばPCM信号を記録または再生する多チャンネル、
すなわち多素子磁気ヘッドとして薄膜型の多素子磁気ヘ
ッドか用いられる。
すなわち多素子磁気ヘッドとして薄膜型の多素子磁気ヘ
ッドか用いられる。
この薄膜型多素子磁気ヘッドを第1図及び第2図を参照
して説明する。図中(1)は、電磁誘導型構成による多
素子磁気ヘッドを全体として示すもので、このヘッド+
11は、例えばMn−ZnnラフエライトMn−Ni系
フェライト等より成る磁性基板(2)上に多数の薄膜磁
気ヘッド素子りが並置配列される。この場合、基板(2
)には、去の一生面(2a)に臨んで、基板(2)の長
平方向に沿って溝(3)が形成され、これに非磁性材(
4)、例えばガラスが充填される。また基板(2)の面
(2a)上には、基板(2)が導電性を有する場合には
これの上に5i(h等の非磁性絶縁層(5)が被着され
、これの上に導体手段(6)が被着配置される。この導
体手段(6)は、例えば全チャンネル、例えば22チヤ
ンネルに対して共通のバイアス線輪となる帯状薄膜導電
体(7)と、各チャンネルに対応して設けられる信号線
輪となる帯状薄膜導電体(8)とよりなる。これら導電
体(7)及び(8)は、少なくともその一部が凹部(3
)に沿って設けられ、この凹部(3)と、これの上の導
体手段(6)を横切って各チャンネルに対応するパーマ
ロイ等より成る薄膜磁性層(9)が夫々被着される。こ
の場合、導体手段(6)上にはSiO2等の絶縁層(5
)が被着されて薄膜磁性層(9)との電気的絶縁がなさ
れる。各磁性層(9)の一端は例えば上述の磁性N(5
)による非磁性ギヤソプスペーザー(10)を介して磁
性基板(2)の、凹部(3)に沿う一側縁(2b)に臨
むように延在させる。他端は、例えは絶縁層(5)に穿
設した窓(5a)を通じて基板(2)の而(2a)に磁
気的に密に結合させる。このようにして、共通の基抱(
2)と各磁性層(9)とによって夫々閉磁路が形成され
、各閉磁路に関して、夫々薄膜導電体(8)より成る信
号線輪と共通の薄膜導電体(7)より成るバイアス線輪
とを有し、各閉磁路に、ギヤソブスペーザーα0)によ
ってギャップ長が規定されて作動磁気ギャップgが形成
された各チャンネルの磁気ヘッド素子りが構成されるも
のである。
して説明する。図中(1)は、電磁誘導型構成による多
素子磁気ヘッドを全体として示すもので、このヘッド+
11は、例えばMn−ZnnラフエライトMn−Ni系
フェライト等より成る磁性基板(2)上に多数の薄膜磁
気ヘッド素子りが並置配列される。この場合、基板(2
)には、去の一生面(2a)に臨んで、基板(2)の長
平方向に沿って溝(3)が形成され、これに非磁性材(
4)、例えばガラスが充填される。また基板(2)の面
(2a)上には、基板(2)が導電性を有する場合には
これの上に5i(h等の非磁性絶縁層(5)が被着され
、これの上に導体手段(6)が被着配置される。この導
体手段(6)は、例えば全チャンネル、例えば22チヤ
ンネルに対して共通のバイアス線輪となる帯状薄膜導電
体(7)と、各チャンネルに対応して設けられる信号線
輪となる帯状薄膜導電体(8)とよりなる。これら導電
体(7)及び(8)は、少なくともその一部が凹部(3
)に沿って設けられ、この凹部(3)と、これの上の導
体手段(6)を横切って各チャンネルに対応するパーマ
ロイ等より成る薄膜磁性層(9)が夫々被着される。こ
の場合、導体手段(6)上にはSiO2等の絶縁層(5
)が被着されて薄膜磁性層(9)との電気的絶縁がなさ
れる。各磁性層(9)の一端は例えば上述の磁性N(5
)による非磁性ギヤソプスペーザー(10)を介して磁
性基板(2)の、凹部(3)に沿う一側縁(2b)に臨
むように延在させる。他端は、例えは絶縁層(5)に穿
設した窓(5a)を通じて基板(2)の而(2a)に磁
気的に密に結合させる。このようにして、共通の基抱(
2)と各磁性層(9)とによって夫々閉磁路が形成され
、各閉磁路に関して、夫々薄膜導電体(8)より成る信
号線輪と共通の薄膜導電体(7)より成るバイアス線輪
とを有し、各閉磁路に、ギヤソブスペーザーα0)によ
ってギャップ長が規定されて作動磁気ギャップgが形成
された各チャンネルの磁気ヘッド素子りが構成されるも
のである。
そして、各磁気ヘッド素子り上には、基板(2)に対向
して耐摩耗性にすぐれた保護基り、(11)が接着剤(
12)を介して接合される。
して耐摩耗性にすぐれた保護基り、(11)が接着剤(
12)を介して接合される。
一方、導体手段(6)の各薄膜導体(7)及び(8)の
各両端部(7a) (7b)及び(8a) (8b)は
、夫に外部回路、すなわち、この磁気ヘッド(11に記
録信号を供給するシリアル−パラレル変換器等を含む出
力回路、或いはこの磁気ヘッド(1)よりの再生信号を
供給するパラレル−シリアル変換器を含む入力回路等の
外部回路に接続される端子として、基板(2)の側縁(
2b)と対向する他側縁(2C)に延在させる。この場
合、保護基板(11)の幅は磁性基板(2)の幅より小
として、各端子(7a) (7b)及び(8a)(8b
)が保護基板(11)外に露呈するようになされる。
各両端部(7a) (7b)及び(8a) (8b)は
、夫に外部回路、すなわち、この磁気ヘッド(11に記
録信号を供給するシリアル−パラレル変換器等を含む出
力回路、或いはこの磁気ヘッド(1)よりの再生信号を
供給するパラレル−シリアル変換器を含む入力回路等の
外部回路に接続される端子として、基板(2)の側縁(
2b)と対向する他側縁(2C)に延在させる。この場
合、保護基板(11)の幅は磁性基板(2)の幅より小
として、各端子(7a) (7b)及び(8a)(8b
)が保護基板(11)外に露呈するようになされる。
そして、基板(2)の側縁(2b)側において内基板(
2)及び(11)の接合体を切削研摩して各ヘッド素子
りの磁気ギャップgが臨む磁気媒体との対接面(13)
が形成される。
2)及び(11)の接合体を切削研摩して各ヘッド素子
りの磁気ギャップgが臨む磁気媒体との対接面(13)
が形成される。
このような多素子磁気ヘッド(1)と、上述した外部回
路とは、夫々対応する端子間を例えばフレキラブル配線
基橡によって接続する。ところが、この場合、互いに別
体に構成された多素子磁気ヘッドと外部回路とを磁気ヘ
ッド外で接続することは、断線等の事故が生じ易く、信
頼性に問罪がある。
路とは、夫々対応する端子間を例えばフレキラブル配線
基橡によって接続する。ところが、この場合、互いに別
体に構成された多素子磁気ヘッドと外部回路とを磁気ヘ
ッド外で接続することは、断線等の事故が生じ易く、信
頼性に問罪がある。
発明の目的
本発明は、上述したような多素子磁気ヘッドにおいて、
ごれをこれに接続される外部回路と一体に構成し、信頼
性の向上をはかるようにし、更に特別の手順をとること
によって製造の簡易化と、より高い信頼性の向上をはか
るようにした多素子磁気ヘッドの製法を提イ」(するも
のである。
ごれをこれに接続される外部回路と一体に構成し、信頼
性の向上をはかるようにし、更に特別の手順をとること
によって製造の簡易化と、より高い信頼性の向上をはか
るようにした多素子磁気ヘッドの製法を提イ」(するも
のである。
発明の概要
すなわち、本発明においては、上述した磁気ヘッドに付
随する外部回路を構成する集積回路と、多素子磁気ヘッ
ド、例えば上述した薄膜多素子磁気ヘッドとを樹脂中に
一体に封じ込むものである。
随する外部回路を構成する集積回路と、多素子磁気ヘッ
ド、例えば上述した薄膜多素子磁気ヘッドとを樹脂中に
一体に封じ込むものである。
そして、また、この場合に、特に本発明においては、樹
脂モールド作業と、樹脂注入すなわちキャスティング作
業とを行うものである。そして樹脂モールドによってリ
ードフレームの一部とこれに接続される集積回路をモー
ルド体中に封じ込むと共にこのモールド体に多素子磁気
ヘッドの載置部を成型する。その後この載置部に多素子
磁気ヘッドを載置した後、モールド体上に注形型を合致
させモールド体と、注形型との共働によって樹脂の注型
、いわゆるキャスティングを行う。このようにして磁気
ヘッドとその外部回路とが一体に構成された磁気ヘッド
を得るが、この場合、樹脂モールドに際して用いられる
金型によって、磁気ヘッドに欠損を与えることなく、し
かも、キャスティングによる場合に比し、耐個等の封止
効果にずくれた樹脂モールドによって集積回路と、これ
が接続されるリード部とを覆うようにしたことによって
シール効果の高い、すなわち信頼性の高い多素子磁気ヘ
ッドを得るものである。
脂モールド作業と、樹脂注入すなわちキャスティング作
業とを行うものである。そして樹脂モールドによってリ
ードフレームの一部とこれに接続される集積回路をモー
ルド体中に封じ込むと共にこのモールド体に多素子磁気
ヘッドの載置部を成型する。その後この載置部に多素子
磁気ヘッドを載置した後、モールド体上に注形型を合致
させモールド体と、注形型との共働によって樹脂の注型
、いわゆるキャスティングを行う。このようにして磁気
ヘッドとその外部回路とが一体に構成された磁気ヘッド
を得るが、この場合、樹脂モールドに際して用いられる
金型によって、磁気ヘッドに欠損を与えることなく、し
かも、キャスティングによる場合に比し、耐個等の封止
効果にずくれた樹脂モールドによって集積回路と、これ
が接続されるリード部とを覆うようにしたことによって
シール効果の高い、すなわち信頼性の高い多素子磁気ヘ
ッドを得るものである。
すなわち本発明においては、リードフレームに集積回路
を載置し配線を施す工程と、リードフレームの集積回路
の配置部を埋込め、多素子磁気へソドと接続されるリー
ド部の各一端部を露出させ且つ多素子磁気ヘッドの載置
部を構成するように樹脂モールドする工程と、多素子磁
気ヘッドを樹脂モールドによって得たモールド体の多素
子磁気ヘッド載置部−ヒに載置し磁気ヘッドとリード部
の露出端との配線をなす工程と、モールド体に注形型を
合致させて磁気ヘッドの磁気媒体との対接面を外部に露
呈させるように樹脂を注入し樹脂を硬化させる工程とを
経る。
を載置し配線を施す工程と、リードフレームの集積回路
の配置部を埋込め、多素子磁気へソドと接続されるリー
ド部の各一端部を露出させ且つ多素子磁気ヘッドの載置
部を構成するように樹脂モールドする工程と、多素子磁
気ヘッドを樹脂モールドによって得たモールド体の多素
子磁気ヘッド載置部−ヒに載置し磁気ヘッドとリード部
の露出端との配線をなす工程と、モールド体に注形型を
合致させて磁気ヘッドの磁気媒体との対接面を外部に露
呈させるように樹脂を注入し樹脂を硬化させる工程とを
経る。
実施例
第3図以Fを参照して本発明製法の一例を詳細に説明す
る。この例では、例えば第3図に示すリードフレーム(
21)を設番プるこのリードフレーム(21)は、金属
板を選択的にエツチングすることによって得るものであ
り、最終的に集積回路が載置取着される回路取付部(2
2)と、集積回路より外部に導出される端子となるリー
ド部(23)と、集積回路と磁気ヘッドとの各接続配線
の各一端となるリード部(26)と、これらを相互に連
結する枠部(24)と、各リード部(23)を横切るよ
うに配置され樹脂モールド体の樹脂の流延を制限する制
限部(25)とが全体として一体に形成されて成る。
る。この例では、例えば第3図に示すリードフレーム(
21)を設番プるこのリードフレーム(21)は、金属
板を選択的にエツチングすることによって得るものであ
り、最終的に集積回路が載置取着される回路取付部(2
2)と、集積回路より外部に導出される端子となるリー
ド部(23)と、集積回路と磁気ヘッドとの各接続配線
の各一端となるリード部(26)と、これらを相互に連
結する枠部(24)と、各リード部(23)を横切るよ
うに配置され樹脂モールド体の樹脂の流延を制限する制
限部(25)とが全体として一体に形成されて成る。
そして、第4図に示すように、このリードフレーム(2
1)の回路取付部(22)上に前述した例えばシリアル
−パラレル変換器等の磁気ヘッドに何階する回路を有す
る集積回路(41)をボンディングし、更に図示しない
が所要のリード部にコンデンカ′等の回路(41)を付
随する回路部品(80)を接続する。そして、集積回路
(41)の、磁気ヘッドに接続すべき各端子とこれに対
応するリードフレーム(21)のリード部(26)とを
リードワイヤ(42)によって接続し、回路(41)の
外部に導出すべき端子と対応するリード部(23)とを
同様にリードワイヤ(43)によって接続する。
1)の回路取付部(22)上に前述した例えばシリアル
−パラレル変換器等の磁気ヘッドに何階する回路を有す
る集積回路(41)をボンディングし、更に図示しない
が所要のリード部にコンデンカ′等の回路(41)を付
随する回路部品(80)を接続する。そして、集積回路
(41)の、磁気ヘッドに接続すべき各端子とこれに対
応するリードフレーム(21)のリード部(26)とを
リードワイヤ(42)によって接続し、回路(41)の
外部に導出すべき端子と対応するリード部(23)とを
同様にリードワイヤ(43)によって接続する。
そして、このリードフレーム(21)を、モールド金型
内の所定部に配置して樹脂モールド作業を行って第5図
及び第6図に示すように集積回路(41)と更にこれに
コンデンサ等の回路部品(80)が付随して配設される
場合はこの部品(8o)と、各リード(42)及び(4
3)とを包み込むように埋込んで樹脂モールド体(3I
)を成型する。この場合、樹脂モールド体(31)は、
リードフレーム(2I)のリード部 (23)の各外端
が外部に導出ようにする。またこのモールド体(31)
には、多素子磁気ヘッドの配置部(34)をその成型時
形成路(41)と対向する側とは反対側、すなわち前方
部が開放され、更に底面(34a)上にはモールド体(
31)の外面(31a)より低い突堤(33)がリード
部(26)の延長方向を横切って設けられて成る。また
、このモールド体(31)の外面(31a )は−平坦
部に形成される。そして、リードフレーム(21)は、
モールド体 (31)の成型後に、枠部(24)を切断
排除し、各リード部(23)間の制限部(25)を切断
することによって各リード部(23)間、(26)間を
夫々電気的に分離する。
内の所定部に配置して樹脂モールド作業を行って第5図
及び第6図に示すように集積回路(41)と更にこれに
コンデンサ等の回路部品(80)が付随して配設される
場合はこの部品(8o)と、各リード(42)及び(4
3)とを包み込むように埋込んで樹脂モールド体(3I
)を成型する。この場合、樹脂モールド体(31)は、
リードフレーム(2I)のリード部 (23)の各外端
が外部に導出ようにする。またこのモールド体(31)
には、多素子磁気ヘッドの配置部(34)をその成型時
形成路(41)と対向する側とは反対側、すなわち前方
部が開放され、更に底面(34a)上にはモールド体(
31)の外面(31a)より低い突堤(33)がリード
部(26)の延長方向を横切って設けられて成る。また
、このモールド体(31)の外面(31a )は−平坦
部に形成される。そして、リードフレーム(21)は、
モールド体 (31)の成型後に、枠部(24)を切断
排除し、各リード部(23)間の制限部(25)を切断
することによって各リード部(23)間、(26)間を
夫々電気的に分離する。
尚、第6図に不ずようにリードフレーム(21)の、集
積回路の取付部(22)の裏面には、熱伝導度の高い金
属放熱体(51)を配置し、その外面がモールド体(3
1)の外面に露呈するようになし得る。
積回路の取付部(22)の裏面には、熱伝導度の高い金
属放熱体(51)を配置し、その外面がモールド体(3
1)の外面に露呈するようになし得る。
ド(1)をその磁気ギャップが臨む前方端を配置部(3
4)より前方に突出させて載置する。この磁気ヘッド(
1)は例えば第1図及び第2図に示した薄膜型磁気ヘッ
ドで、その基板(2)上の各端子(7a)(7b) (
8a) (8b)が夫々集積回路の対応する出力若しく
は入力端子に接続された対応するり一重部(26)に、
突堤(33)を越えて、夫々リードワイヤ(44)によ
って接続される。
4)より前方に突出させて載置する。この磁気ヘッド(
1)は例えば第1図及び第2図に示した薄膜型磁気ヘッ
ドで、その基板(2)上の各端子(7a)(7b) (
8a) (8b)が夫々集積回路の対応する出力若しく
は入力端子に接続された対応するり一重部(26)に、
突堤(33)を越えて、夫々リードワイヤ(44)によ
って接続される。
次にこのようにして集積回路(伺)が埋込まれ磁気ヘッ
ド(1)が配置された樹脂モールド体(31)に対して
樹脂の注入、いわゆるキャスティングを行う。このキャ
スティングは第9図に示すようにモールド体(31)の
外面(31a )に例えば離型処理が施された耐熱性樹
脂板よりなる注形型(61)を衝合させ、この注形型(
61)によって、磁気ヘッド配置部(34)を閉蓋する
。そして注形型(61)によって閉蓋された磁気ヘッド
配置部(34)内に、その前方の開放端側より溶融樹脂
を注入する、すなわち、キャスティングする。その後、
この注入樹脂を硬化させた後、型(61)をモールド体
(31)よりとりはずす。
ド(1)が配置された樹脂モールド体(31)に対して
樹脂の注入、いわゆるキャスティングを行う。このキャ
スティングは第9図に示すようにモールド体(31)の
外面(31a )に例えば離型処理が施された耐熱性樹
脂板よりなる注形型(61)を衝合させ、この注形型(
61)によって、磁気ヘッド配置部(34)を閉蓋する
。そして注形型(61)によって閉蓋された磁気ヘッド
配置部(34)内に、その前方の開放端側より溶融樹脂
を注入する、すなわち、キャスティングする。その後、
この注入樹脂を硬化させた後、型(61)をモールド体
(31)よりとりはずす。
このようにすると、第10図に示すようにモールド体(
3工)の磁気ヘッド配置部(34)中に樹脂(71)−
が充填されて、集積回路(41)と磁気ヘッド(1)と
、更にこれらとリード部(23) (26)との接続を
行う各リードワイヤ等が樹脂(71)とモールド体(3
1)とによって外部と遮断封止された磁気ヘッド装置が
得られる。そして、この場合、この樹脂注入処理後に、
樹脂(71)から突設された磁気ヘッド(1)の前方を
研摩して磁気媒体との対接面(13)を形成する。
3工)の磁気ヘッド配置部(34)中に樹脂(71)−
が充填されて、集積回路(41)と磁気ヘッド(1)と
、更にこれらとリード部(23) (26)との接続を
行う各リードワイヤ等が樹脂(71)とモールド体(3
1)とによって外部と遮断封止された磁気ヘッド装置が
得られる。そして、この場合、この樹脂注入処理後に、
樹脂(71)から突設された磁気ヘッド(1)の前方を
研摩して磁気媒体との対接面(13)を形成する。
尚、上述した例においては、磁気ヘッド(1)が、電磁
誘導型磁気ヘッドである場合について説明したが、磁気
ヘッド(11がMR型型成膜ヘッドある場合に適用する
こともできることは云う迄もないところである。また再
生ヘッドをMRヘッド、記録ヘッドを電磁誘導型ヘッド
とする場合は、夫々上述した本発明製法によっ°ζ得た
磁気ヘッド装置を例えば夫々その放熱体(51)を有す
る側を外面にして重ね合せて一体化することによって相
互に所定の位置関係に保持された記録、再生ヘッドを得
ることができる。
誘導型磁気ヘッドである場合について説明したが、磁気
ヘッド(11がMR型型成膜ヘッドある場合に適用する
こともできることは云う迄もないところである。また再
生ヘッドをMRヘッド、記録ヘッドを電磁誘導型ヘッド
とする場合は、夫々上述した本発明製法によっ°ζ得た
磁気ヘッド装置を例えば夫々その放熱体(51)を有す
る側を外面にして重ね合せて一体化することによって相
互に所定の位置関係に保持された記録、再生ヘッドを得
ることができる。
発明の効果
上述したように本発明製法によれば、磁気ヘッドに付随
する外部回路を構成する集積回路と、多素子磁気ヘッド
とを樹脂中に一体に封じ込むものであるがこの場合に、
特に樹脂モールド体中に集積回路を配置し、その後、こ
のモールド体に多素子磁気ヘッドをとりつけてこのモー
ルド体と注形型との共働によって樹脂の注型、いわゆる
キャスティングを行うようにしたので、樹脂モールドに
際して用いられる金型によって磁気ヘッドに欠損を与え
ることなく、しかも、キャスティングによる場合に比し
、耐湿等の封止効果にすぐれた樹脂モールドによって全
体の大半を覆うように°したことによって、シール効果
の高い、すなわら信頼性の高い多素子磁気ヘッド装置を
得ることができるものである。
する外部回路を構成する集積回路と、多素子磁気ヘッド
とを樹脂中に一体に封じ込むものであるがこの場合に、
特に樹脂モールド体中に集積回路を配置し、その後、こ
のモールド体に多素子磁気ヘッドをとりつけてこのモー
ルド体と注形型との共働によって樹脂の注型、いわゆる
キャスティングを行うようにしたので、樹脂モールドに
際して用いられる金型によって磁気ヘッドに欠損を与え
ることなく、しかも、キャスティングによる場合に比し
、耐湿等の封止効果にすぐれた樹脂モールドによって全
体の大半を覆うように°したことによって、シール効果
の高い、すなわら信頼性の高い多素子磁気ヘッド装置を
得ることができるものである。
第1図は本発明の説明に供する多素子磁気ヘッドの一例
の拡大断面図、第2図はその拡大平面図、第3図及び第
4図は夫々本発明装置に用いるリードフレームの一例と
これに集積回路を配置した状態の拡大平面図、第5図及
び第6図はモールド体の一例の拡大斜視図及びその拡大
断面図、第7図及び第8図は夫々モールド体に磁気ヘッ
ドをとりつけた状態の拡大平面図及びその拡大断面図、
第9図はモールド体と注形型の組合せ状態の断面図第1
0図は本発明製法によって得た多素子磁気ヘッド装置の
一例の拡大斜視図である。 +1)ば多素子磁気ヘッド、(21)はリードフレーム
、(31)はモールド体、(34)は磁気ヘッド配置部
、(41)は集積回路、(61)は注形型、(71)は
樹脂である。 第6図 31# 第8図
の拡大断面図、第2図はその拡大平面図、第3図及び第
4図は夫々本発明装置に用いるリードフレームの一例と
これに集積回路を配置した状態の拡大平面図、第5図及
び第6図はモールド体の一例の拡大斜視図及びその拡大
断面図、第7図及び第8図は夫々モールド体に磁気ヘッ
ドをとりつけた状態の拡大平面図及びその拡大断面図、
第9図はモールド体と注形型の組合せ状態の断面図第1
0図は本発明製法によって得た多素子磁気ヘッド装置の
一例の拡大斜視図である。 +1)ば多素子磁気ヘッド、(21)はリードフレーム
、(31)はモールド体、(34)は磁気ヘッド配置部
、(41)は集積回路、(61)は注形型、(71)は
樹脂である。 第6図 31# 第8図
Claims (1)
- リードフレームに集積回路を載置し配線を施す工程と、
上記リードフレームの上記集積回路の配置部を埋込み、
多素子磁気ヘッドと接続されるリード部の各一端部を露
出させ且つ上記多素子磁気ヘッドの載置部を構成するよ
うに樹脂モールドを施す工程と、上記多素子磁気ヘッド
を上記樹脂モールドによっζ得たモールド体の上記多素
子磁気ヘッド載置部上に載置し該磁気ヘッドと上記リー
ド部の露出端との配線をなす工程と、上記モールド体に
注形型を合致させて上記磁気ヘッドの磁気媒体との対接
面を外部に露呈させるように樹脂を注入し該樹脂を硬化
させる工程とを有する多素子磁気ヘッド装置の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10887083A JPS601614A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 多素子磁気ヘツド装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10887083A JPS601614A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 多素子磁気ヘツド装置の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS601614A true JPS601614A (ja) | 1985-01-07 |
JPH0520804B2 JPH0520804B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=14495670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10887083A Granted JPS601614A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 多素子磁気ヘツド装置の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS601614A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2588989A1 (fr) * | 1985-10-23 | 1987-04-24 | Bull Sa | Procede pour fabriquer un transducteur magnetique comportant plusieurs tetes |
JPH01283550A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Konica Corp | ハロゲン化銀写真感光材料 |
EP0517198A2 (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film magnetic head structure and method of fabricating the same |
US6437944B2 (en) | 1997-10-20 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Head slider supporting device, disk device and suspension |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4968716A (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-03 | ||
JPS50104628A (ja) * | 1974-01-19 | 1975-08-18 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10887083A patent/JPS601614A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4968716A (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-03 | ||
JPS50104628A (ja) * | 1974-01-19 | 1975-08-18 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2588989A1 (fr) * | 1985-10-23 | 1987-04-24 | Bull Sa | Procede pour fabriquer un transducteur magnetique comportant plusieurs tetes |
US4736210A (en) * | 1985-10-23 | 1988-04-05 | Bull S.A. | Magnetic transducer including a plurality of heads and method for producing the magnetic transducer |
JPH01283550A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Konica Corp | ハロゲン化銀写真感光材料 |
EP0517198A2 (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film magnetic head structure and method of fabricating the same |
US5485337A (en) * | 1991-06-07 | 1996-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film magnetic head structure and method of fabricating the same for accurately locating and connecting terminals to terminal connections |
US6437944B2 (en) | 1997-10-20 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Head slider supporting device, disk device and suspension |
US6583962B2 (en) | 1997-10-20 | 2003-06-24 | Fujitsu Limited | Head slider supporting device, disk device and suspension having thermal protection for head IC chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0520804B2 (ja) | 1993-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1209259A (en) | Magnetic transducer head | |
JP2702012B2 (ja) | Icチップ用支持体 | |
US5255430A (en) | Method of assembling a module for a smart card | |
JPS63188964A (ja) | 集積回路パツケ−ジ | |
JPH03503342A (ja) | 半導体装置パッケージ及びその製造方法 | |
JPS6394645A (ja) | 電子装置 | |
US5382546A (en) | Semiconductor device and method of fabricating same, as well as lead frame used therein and method of fabricating same | |
JPS601614A (ja) | 多素子磁気ヘツド装置の製法 | |
JPS6314455A (ja) | 半導体装置 | |
JP3460533B2 (ja) | Bga型半導体装置 | |
KR910007862B1 (ko) | 박막자기헤드의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 박막자기헤드 | |
JP2000082827A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS60101704A (ja) | 多素子磁気ヘツド装置の製法 | |
JPH05151424A (ja) | 集積回路トークン | |
JP2794262B2 (ja) | 電子回路パッケージ | |
JPH0936155A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS601615A (ja) | 多素子磁気ヘツド装置の製法 | |
JPH09162342A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS62260343A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0258356A (ja) | 電子部品塔載装置 | |
JPS6113414A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH05291320A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP3705235B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2569371B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2711375B2 (ja) | リードフレームを有する電子部品搭載用基板 |