JP2702012B2 - Ｉｃチップ用支持体 - Google Patents

Ｉｃチップ用支持体

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JP2702012B2
JP2702012B2 JP26244391A JP26244391A JP2702012B2 JP 2702012 B2 JP2702012 B2 JP 2702012B2 JP 26244391 A JP26244391 A JP 26244391A JP 26244391 A JP26244391 A JP 26244391A JP 2702012 B2 JP2702012 B2 JP 2702012B2
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ゲー・アー・オー・ゲゼルシャフト・フュア・アウトマチオン・ウント・オルガニザチオン・エムベーハー
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Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】この発明は識別カードまたは他の
データ搬送媒体に組込まれるＩＣモジュール用の支持体
に関する。 【０００２】 【従来の技術】一般に、ＩＣモジュールが組込まれた識
別カードを形成する場合、ＩＣモジュールおよびその配
線用コンタクトを搭載した支持体がカード本体とは別個
に形成される。この支持体は、低温積層工程において、
複数の層により、例えば円形の箱状に形成される。 【０００３】ＩＣモジュール等の電子回路が組込まれた
識別カードまたは他のデータ搬送媒体は、通常の識別カ
ードと比較して、より大きな記憶容量をもち、かつ種々
の情報伝達にも使用できるという点で有利である。広範
囲の用途のために、多数のＩＣ識別カードを製造するこ
とが要求される。従って、このような多数のＩＣ識別カ
ードを製造する方法に使用可能なＩＣモジュール用支持
体を製造することも非常に重要なことである。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ここで注意すべきこと
は、この支持体の半導体ウェーファおよび配線用リード
が識別カードの製造中および使用時に非常に大きなスト
レスを受けるということである。更に、種々の用途に使
用されるために、機械的強度、耐久性、外部変化に対す
る適応性等の種々の要求がこの種識別カードに対して課
せられることになる。またこれらの要求はカードの構造
自体のみでなく、ＩＣのコンタクト領域に対してもあて
はまることである。 【０００５】この種ＩＣ識別カードの発展に伴ない、種
々のコンタクト方法、例えば電流的、容量的、光学的コ
ンタクト方法が知られるようになった。このコンタクト
方法の選択は用途やカードの製造技術等により決定され
る。従って、ここで問題となるのは、いかにして、多数
のカードを経済的に製造し、組込まれた半導体ウェーフ
ァを良好に保護し、かつ高度な技術を要することなく種
々の要求を満足するような調整を可能にするかというこ
とである。 【０００６】 【課題を解決するための手段と作用】この発明におい
て、上記課題は半導体ウェーファを箔に結合した状態
で、所定の厚さに鋳型することにより解決される。従来
においては、例えばシリコン結晶層上に小さなコンタク
ト領域を形成することにより、半導体ウェーファに対す
るコンタクトを形成する方法が知られている。この場
合、シリコン結晶層のコンタクト領域は細い金線により
コンタクト金属領域の結線用リードに結合される。この
コンタクト金属領域は半導体ウェーファの支持体として
も使用されている。一列の方法において、この半導体ウ
ェーファは可撓性材料により支持される（例えば西独公
告公報第２４１４２９７号明細書に記載されている）。
例えば８ミリフィルムのように、等間隔で窓をもつ非導
電性の材料を使用し、この窓を通してコンタクト金属領
域からの導電性端部を延出させる。ウェーファ上のすべ
てのコンタクト領域はコンタクト金属領域に同時に結合
されるので、従来の方法と比較してこの方法は非常に効
果的である。同様の方法で、窓のないフィルム上に半導
体ウェーファを配置することも可能である。 【０００７】この発明においては、このような従来の技
術を効果的に利用することにより良好なＩＣモジュール
用支持体を得ている。また本発明においては鋳込技術を
利用しているので、用途に応じて支持体の特性を容易に
変更し得る。 【０００８】 【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。 【０００９】 図１（ａ）および（ｂ）はそれぞれフィ
ルムの窓内に形成された半導体ウェーファの上面図およ
び断面図を示す。図から明らかなように、フィルム３の
窓２内に配置された半導体ウェーファ１は、前工程にお
いて形成されたコンタクトリード４の端部に、適当なオ
ートメーション装置により結合される。フィルム３の搬
送はこのフィルム３に形成された透孔５により精度良く
制御される。 【００１０】こうして得られた支持体を図２に示す。半
導体ウェーファが配置されたフィルム３が鋳込器６に向
けて搬送される。２つのモールド部６ａおよび６ｂがフ
ィルム面に対して垂直方向に可動的に設けられている。
この鋳込器６内にはモールド材料が注入路を介して注入
される。通路８は鋳造工程において空気がこの鋳込ユニ
ット内にはいりこむのを阻止するために形成されてい
る。この種の鋳込器は通常良く知られているものであ
る。このモールド材料を適当に選択することにより、完
成した支持体の硬度を広範囲に変更することが可能であ
る。 【００１１】図２に示すようにして得られた支持体は、
この鋳込工程後において、単体ユニット１０として切出
される。この支持体は間接的コンタクト方法、例えば容
量的および光学的コンタクト方式に適している。 【００１２】図３は電流的コンタクト方式に適した支持
体を示す。この支持体を形成するために、コンタクト領
域４ａ上には鋳込工程の前に例えば導電性の層７が形成
される。この層７をシリコンのような非導電性で、弾性
的な材料で形成してもよい。こうして形成された層７を
もつ支持体は鋳込器に送られて、前述したと同様にして
モールド成型された後に、導体ユニットとして切出され
る。またこの層７はモールド１１よりもわずかに高めに
形成される。この支持体が識別カード本体に組込まれた
時に、この層７はカード本体の被膜と同一平面上に位置
することになる。層７が導電性材料により形成されてい
る場合には直接的コンタクト方式が使えるし、またこの
層７がシリコン等の非導電性材料により形成されている
場合には、このシリコン層を介して針がコンタクト領域
４ａに突通される。この場合、コンタクト領域の外部環
境から保護され有利である。 【００１３】 上述の実施例においては、半導体ウェー
ファは適当な結線リードによりフィルムの窓内に保持さ
れる。しかし、これではコンタクト領域間の間隔を狭く
できない。上述の実施例においては、コンタクト領域間
の最小間隔は窓および半導体ウェーファの寸法により決
定される。このコンタクト領域間の間隔を狭くするため
には、図４に示す実施例が有利である。図４において、
フィルム１２の一方の面に配置されたコンタクト領域１
６は、フィルムの他方の面上に取り付けられた半導体ウ
ェーファ１と貫通導電方式により接続されている。 【００１４】図５（ａ）および（ｂ）は上述した方法に
より形成した支持体１５の断面図および上面図を示す。
鋳込工程は前述したと同様にして実施される。図５
（ｂ）に示すように、隣接するコンタクト領域間の間隔
を狭くすることができる。 【００１５】図６は貫通導通されたフィルムを利用した
支持体を示す。この支持体は非常に頑丈な構造をもつ。
この支持体は導通された透孔をもつフィルム１２と、ス
ペーサ用フィルム１７と、裏面被膜１８とを備えてい
る。この被膜１８はモールド材料を通過させるための開
口部１９を備えている。またスペーサ用フィルム１７は
等間隔で半導体ウェーファ３１を受入れるための空間２
０を限定している。 【００１６】鋳込器６内において、この空間２０にモー
ルド材料が注入される。この鋳込工程において、種々の
膜間にもモールド材料が侵入する。隣接する半導体ウェ
ーファ６において、膜１２，１７および１８が適当な接
着剤２５により相互に結合されている。このように、モ
ールド材料の侵入は容易にかつ限定された範囲で実行さ
れることになる。 【００１７】複合被膜を鋳込器の側壁に押付けることに
より、モールド材料の侵入を制限することが可能であ
る。この支持体はグラスファイバにより補強されたエポ
キシ樹脂により形成された被膜を使用し、このフィルム
用樹脂と同じモールド材料を使用することにより更に頑
丈に構成される。この場合も、モールド材料は被膜間に
侵入し、支持体の構造を堅固にし、かつコンパクトにす
る。 【００１８】図７（ａ）および（ｂ）は更に別の実施例
を示す。この実施例において、半導体ウェーファ３０は
通常のボンディング法によりコンタクト領域と結線され
る。このため、搬送フィルム３１は一定間隔でパンチン
グされ、フィンガ部３２ａをもつリセス３２が形成され
る。この後、このフィルム３１上に導電膜３３が取付け
られる。通常のエッチング技術により、支持体が完成さ
れた時にコンタクト領域として使用される領域３４がこ
の導電膜３３から形成される。 【００１９】こうして得られたフィルムに、自動式ボン
ディングユニットにより半導体ウェーファが結合され
る。各半導体ウェーファがリセス３２内に収容され、適
当な接着剤３６により導電膜３３上に取付けられる。こ
の後、半導体ウェーファ３０の結線部が金線３７により
コンタクト領域３４と結合される。 【００２０】図８は図７（ａ）および（ｂ）に示す実施
例に基いて構成された支持体４０を示す。ここではフィ
ンガ延長部３２ａをもつリセス３２には鋳込器において
モールド材料が詰込まれる。この工程において、モール
ド材はエッチング処理により生じたコンタクト領域３４
間の空間領域３９内にも注入される。空洞部には必らず
しも樹脂を詰込む必要はない。例えば、図８に示すよう
に支持体の片側面を接着性フィルム３８により密封され
た場合、空洞部に樹脂を詰込むのは容易なことである。
この接着性フィルムは、この支持体を更に処理する場合
に、はがされるものではあるが、この支持体を長期にわ
たって保存する場合等にはコンタクト領域を保護するた
めにも使用される。 【発明の効果】
【図面の簡単な説明】 【図１】ａおよびｂは箔に結合された半導体ウェーファ
の上面および平面図である。 【図２】間接的コンタクト方式に適切な支持体の説明図
である。 【図３】貫通導通されたフィルムに取付けられた半導体
ウェーファの説明図である。 【図４】貫通導通されたフィルムに取付けられた半導体
ウェーファの説明図である。 【図５】ａおよびｂは貫通導通されたフィルムを使用し
た支持体の断面図および上面図である。 【図６】貫通導通されたフィルムおよび被膜を使用した
支持体の断面図である。 【図７】ａおよびｂは導電箔にボンディングされた半導
体ウェーファを備えた支持体の上面図および断面図であ
る。 【図８】図７ａおよび図７ｂに示す支持体にモールド材
料を注入して得られた支持体の断面図を示す。 【符号の説明】 １…半導体ウェーファ（チップ）、２…まど、３…フィ
ルム、４…リード、１０…モールド部。

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 １．識別カードや金融カードなどのデータ搬送媒体にＩ
    Ｃチップを組み込むためのＩＣチップ用支持体におい
    て、 外部との交信に適するように複数個のコンタクト領域が
    相互に離隔して配置されている支持フィルムと、 この支持フィルムに載置され、各コンタクト領域に電気
    的に接続されているＩＣチップと、 このＩＣチップを完全に覆い、コンタクト領域相互の間
    隙を埋める硬化性樹脂体により形成した注型品とを具備
    し、 この注型品は支持フィルムに平行で平坦な面を有してい
    て、この平坦な面に垂直な方向の厚さが均一であり、コ
    ンタクト領域が注型品の必須不可欠な一部として注型品
    の中に配置されていてＩＣチップと外部との交信を可能
    にしていることを特徴とするＩＣチップ用支持体。 ２．コンタクト領域が注型品に埋め込まれていて、非接
    触型交信に適していることを特徴とする請求項１に記載
    のＩＣチップ用支持体。 ３．コンタクト領域が注型品に埋め込まれていて、注型
    品に埋め込まれている各コンタクト領域には支持体の一
    方の平坦な表面にほぼ面一になるように形成された導電
    性の突起部が設けられていて、この突起部がコンタクト
    領域に電流電極を当てて行う交信に適していることを特
    徴とする請求項１に記載のＩＣチップ用支持体。 ４．コンタクト領域が注型品に埋め込まれていて、注型
    品に埋め込まれている各コンタクト領域には電流電極を
    突き刺してコンタクト領域と交信をするのに適した柔軟
    な非導電性材料で形成された突起部が設けられているこ
    とを特徴とする請求項１に記載のＩＣチップ用支持体。 ５．支持フィルムが支持体の中央に配置されていること
    を特徴とする請求項２、３、４のいずれか１項に記載の
    ＩＣチップ用支持体。
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Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3051195C2 (de) * 1980-08-05 1997-08-28 Gao Ges Automation Org Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten
US4549247A (en) * 1980-11-21 1985-10-22 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Carrier element for IC-modules
DE3131216C3 (de) * 1981-04-14 1994-09-01 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte mit IC-Baustein
FR2520541A1 (fr) * 1982-01-22 1983-07-29 Flonic Sa Procede d'insertion d'un circuit integre dans une carte a memoire et carte obtenue suivant ce procede
FR2521350B1 (fr) * 1982-02-05 1986-01-24 Hitachi Ltd Boitier porteur de puce semi-conductrice
DE3235650A1 (de) * 1982-09-27 1984-03-29 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung
CH660551GA3 (ja) * 1982-12-27 1987-05-15
DE3248385A1 (de) * 1982-12-28 1984-06-28 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit integriertem schaltkreis
US4581678A (en) * 1983-03-16 1986-04-08 Oxley Developments Company Limited Circuit component assemblies
DE3466108D1 (en) * 1983-06-09 1987-10-15 Flonic Sa Method of producing memory cards, and cards obtained thereby
FR2548857B1 (fr) * 1983-07-04 1987-11-27 Cortaillod Cables Sa Procede de fabrication en continu d'une carte imprimee
DE3338597A1 (de) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS6180195U (ja) * 1984-11-01 1986-05-28
JPS61123990A (ja) * 1984-11-05 1986-06-11 Casio Comput Co Ltd Ｉｃカ−ド
FR2579798B1 (fr) * 1985-04-02 1990-09-28 Ebauchesfabrik Eta Ag Procede de fabrication de modules electroniques pour cartes a microcircuits et modules obtenus selon ce procede
FR2580416B1 (fr) * 1985-04-12 1987-06-05 Radiotechnique Compelec Procede et dispositif pour fabriquer une carte d'identification electronique
FR2583574B1 (fr) * 1985-06-14 1988-06-17 Eurotechnique Sa Micromodule a contacts enterres et carte contenant des circuits comportant un tel micromodule.
FR2584862B1 (fr) * 1985-07-12 1988-05-20 Eurotechnique Sa Procede de fabrication en continu de micromodules pour cartes contenant des composants, bande continue de micromodules et micromodules realises selon un tel procede
WO1987000486A1 (en) * 1985-07-17 1987-01-29 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board for ic cards
FR2588695B1 (fr) * 1985-10-11 1988-07-29 Eurotechnique Sa Procede de fabrication d'un microboitier, microboitier a contacts effleurants et application aux cartes contenant des composants
FR2590052B1 (fr) * 1985-11-08 1991-03-01 Eurotechnique Sa Procede de recyclage d'une carte comportant un composant, carte prevue pour etre recyclee
FR2590051B1 (fr) * 1985-11-08 1991-05-17 Eurotechnique Sa Carte comportant un composant et micromodule a contacts de flanc
DE3624852A1 (de) * 1986-01-10 1987-07-16 Orga Druck Gmbh Elektronische daten- und/oder programmtraeger und verfahren zu seiner herstellung
JPS62161595A (ja) * 1986-01-13 1987-07-17 日立マクセル株式会社 Ｉｃカ−ドの製造方法
JP2502511B2 (ja) * 1986-02-06 1996-05-29 日立マクセル株式会社 半導体装置の製造方法
JPS6314455A (ja) * 1986-07-07 1988-01-21 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置
JPH0524554Y2 (ja) * 1986-07-21 1993-06-22
FR2609821B1 (fr) * 1987-01-16 1989-03-31 Flonic Sa Procede de realisation de cartes a memoire et cartes obtenues par la mise en oeuvre dudit procede
AU8034087A (en) * 1987-02-20 1988-09-14 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package assembly
US4907060A (en) * 1987-06-02 1990-03-06 Nelson John L Encapsulated thermoelectric heat pump and method of manufacture
FR2617668B1 (fr) * 1987-07-03 1995-07-07 Radiotechnique Compelec Dispositif comportant un circuit electronique monte sur un support souple et carte souple le comprenant
FR2620586A1 (fr) * 1987-09-14 1989-03-17 Em Microelectronic Marin Sa Procede de fabrication de modules electroniques, notamment pour cartes a microcircuits
FR2624652B1 (fr) * 1987-12-14 1990-08-31 Sgs Thomson Microelectronics Procede de mise en place sur un support, d'un composant electronique, muni de ses contacts
US5182631A (en) * 1988-04-15 1993-01-26 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Film carrier for RF IC
FR2630843B1 (fr) * 1988-04-28 1990-08-03 Schlumberger Ind Sa Procede de realisation de cartes comportant des elements graphiques et cartes obtenues par ledit procede
US5030407A (en) * 1988-04-28 1991-07-09 Schlumberger Industries Method of making cards having graphics elements thereon
US5387306A (en) * 1988-06-21 1995-02-07 Gec Avery Limited Manufacturing integrated circuit cards
DE68912426T2 (de) * 1988-06-21 1994-05-11 Gec Avery Ltd Herstellung von tragbaren elektronischen Karten.
USRE35578E (en) * 1988-12-12 1997-08-12 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method to install an electronic component and its electrical connections on a support, and product obtained thereby
FR2641102B1 (ja) * 1988-12-27 1991-02-22 Ebauchesfabrik Eta Ag
DE3905657A1 (de) * 1989-02-24 1990-08-30 Telefunken Electronic Gmbh Flexible traegerfolie
JPH063819B2 (ja) * 1989-04-17 1994-01-12 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の実装構造および実装方法
DE3912891A1 (de) * 1989-04-19 1990-11-08 Siemens Ag Montagevorrichtung zur kontaktierung und zum einbau eines integrierten schaltkreissystems fuer eine wertkarte
US5244840A (en) * 1989-05-23 1993-09-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an encapsulated IC card having a molded frame and a circuit board
DE3924439A1 (de) * 1989-07-24 1991-04-18 Edgar Schneider Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente
JPH0680706B2 (ja) * 1989-08-22 1994-10-12 三菱電機株式会社 キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US5155068A (en) * 1989-08-31 1992-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an IC module for an IC card whereby an IC device and surrounding encapsulant are thinned by material removal
DE9100665U1 (de) * 1991-01-21 1992-07-16 TELBUS Gesellschaft für elektronische Kommunikations-Systeme mbH, 85391 Allershausen Trägerelement für integrierte Halbleiter-Schaltkreise, insbesondere zum Einbau in Chip-Karten
US5091769A (en) * 1991-03-27 1992-02-25 Eichelberger Charles W Configuration for testing and burn-in of integrated circuit chips
US5681356A (en) * 1991-05-10 1997-10-28 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Method and apparatus for producing a plastic molded chip card having reduced wall thickness
US5278442A (en) * 1991-07-15 1994-01-11 Prinz Fritz B Electronic packages and smart structures formed by thermal spray deposition
EP0553477A2 (de) * 1992-01-30 1993-08-04 Siemens Aktiengesellschaft Mit Bauelementen zu bestückende Leiterplatte
DE4209184C1 (ja) * 1992-03-21 1993-05-19 Orga Kartensysteme Gmbh, 6072 Dreieich, De
DE4224103A1 (de) * 1992-07-22 1994-01-27 Manfred Dr Ing Michalk Miniaturgehäuse mit elektronischen Bauelementen
JP2774906B2 (ja) * 1992-09-17 1998-07-09 三菱電機株式会社 薄形半導体装置及びその製造方法
DE4232625A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Siemens Ag Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen
CH686325A5 (de) * 1992-11-27 1996-02-29 Esec Sempac Sa Elektronikmodul und Chip-Karte.
ZA941671B (en) * 1993-03-11 1994-10-12 Csir Attaching an electronic circuit to a substrate.
GB9313749D0 (en) * 1993-07-02 1993-08-18 Gec Avery Ltd A device comprising a flexible printed circuit
EP0644587B1 (en) * 1993-09-01 2002-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and fabrication method
DE4336501A1 (de) * 1993-10-26 1995-04-27 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung von Ausweiskarten mit elektronischen Modulen
DE4337921C2 (de) * 1993-11-06 1998-09-03 Ods Gmbh & Co Kg Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule
DE4340847A1 (de) * 1993-11-26 1995-06-01 Optosys Gmbh Berlin Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE4401588C2 (de) * 1994-01-20 2003-02-20 Gemplus Gmbh Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-Modul
FR2715754B1 (fr) * 1994-02-01 1996-03-29 Gemplus Card Int Procédé de protection des plots de contacts d'une carte à mémoire.
KR960703272A (ko) * 1994-05-23 1996-06-19 마에다 카츠노수케 전자소자 팩케이지 및 그 제조방법 (electronic device package and method for manufacturing the same)
JP3267449B2 (ja) * 1994-05-31 2002-03-18 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録装置
FR2721731B1 (fr) * 1994-06-24 1996-08-09 Schlumberger Ind Sa Carte à mémoire.
DE4427309C2 (de) * 1994-08-02 1999-12-02 Ibm Herstellung eines Trägerelementmoduls zum Einbau in Chipkarten oder andere Datenträgerkarten
DE19512191C2 (de) * 1995-03-31 2000-03-09 Siemens Ag Kartenförmiger Datenträger und Leadframe zur Verwendung in einem solchen Datenträger
DE19526010B4 (de) * 1995-07-17 2005-10-13 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement
FR2738077B1 (fr) * 1995-08-23 1997-09-19 Schlumberger Ind Sa Micro-boitier electronique pour carte a memoire electronique et procede de realisation
US5817207A (en) 1995-10-17 1998-10-06 Leighton; Keith R. Radio frequency identification card and hot lamination process for the manufacture of radio frequency identification cards
DE19539181C2 (de) * 1995-10-20 1998-05-14 Ods Gmbh & Co Kg Chipkartenmodul sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
DE19541072A1 (de) * 1995-11-03 1997-05-07 Siemens Ag Chipmodul
DE19609636C1 (de) * 1996-03-12 1997-08-14 Siemens Ag Chipkarte und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte
DE19625228C2 (de) * 1996-06-24 1998-05-14 Siemens Ag Systemträger für die Montage einer integrierten Schaltung in einem Spritzgußgehäuse
US5786988A (en) * 1996-07-02 1998-07-28 Sandisk Corporation Integrated circuit chips made bendable by forming indentations in their back surfaces flexible packages thereof and methods of manufacture
DE19705615A1 (de) * 1997-02-14 1998-06-04 Dirk Prof Dr Ing Jansen Chipkarte mit Temperatur- Aufzeichnungsfunktion
DE19708617C2 (de) * 1997-03-03 1999-02-04 Siemens Ag Chipkartenmodul und Verfahren zu seiner Herstellung sowie diesen umfassende Chipkarte
EP0942392A3 (en) * 1998-03-13 2000-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Chip card
DE29824520U1 (de) * 1998-09-10 2001-06-28 Skidata Ag, Gartenau Kartenförmiger Datenträger
DE19845665C2 (de) * 1998-10-05 2000-08-17 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen IC-Baustein zum Einbau in Chipkarten
FR2788882A1 (fr) * 1999-01-27 2000-07-28 Schlumberger Systems & Service Dispositif a circuits integres, module electronique pour carte a puce utilisant le dispositif et procede de fabrication dudit dispositif
TW449796B (en) * 2000-08-02 2001-08-11 Chiou Wen Wen Manufacturing method for integrated circuit module
WO2002063683A2 (en) 2001-02-09 2002-08-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device obtained by means of said method
DE102004028218B4 (de) * 2004-06-09 2006-06-29 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung eines tragbaren Datenträgers
EP1780662A1 (fr) * 2005-10-27 2007-05-02 Axalto SA Module renforcé pour carte à puce et procédé de fabrication dudit module
EP1804202A1 (en) * 2006-01-02 2007-07-04 Tibc Corporation Tape carrier and module for contact type IC card and method for manufacturing the tape carrier
ES2393884T3 (es) * 2007-02-09 2012-12-28 Nagraid S.A. Procedimiento de fabricación de tarjetas electrónicas comprendiendo al menos un motivo impreso
JP5277894B2 (ja) * 2008-11-19 2013-08-28 富士通株式会社 樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置
US8649820B2 (en) 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
USD703208S1 (en) 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD701864S1 (en) * 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
USD707682S1 (en) * 2012-12-05 2014-06-24 Logomotion, S.R.O. Memory card
US9647997B2 (en) 2013-03-13 2017-05-09 Nagrastar, Llc USB interface for performing transport I/O
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
USD759022S1 (en) 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
USD758372S1 (en) 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD780763S1 (en) * 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1915501U (de) 1964-04-11 1965-05-13 Fritsch K G A Hoernchenwickelgeraet fuer teigausrollmaschinen.
DE1909480U (de) 1964-12-07 1965-02-04 Fritz Krug Geraet zum schleifen von saegeketten.
GB1243175A (en) * 1967-09-01 1971-08-18 Lucas Industries Ltd Electrical component assemblies
DE1817434C3 (de) * 1967-12-30 1980-05-14 Sony Corp., Tokio Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung
DE1909480C2 (de) * 1968-03-01 1984-10-11 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Trägeranordnung und Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von Halbleiterchips
US3570115A (en) * 1968-05-06 1971-03-16 Honeywell Inc Method for mounting electronic chips
DE1789063A1 (de) * 1968-09-30 1971-12-30 Siemens Ag Traeger fuer Halbleiterbauelemente
DE1915501C3 (de) * 1969-03-26 1975-10-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Verbinden einer integrierten Schaltung mit äußeren elektrischen Zuleitungen
US3591839A (en) * 1969-08-27 1971-07-06 Siliconix Inc Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture
US3848077A (en) * 1970-10-16 1974-11-12 M Whitman Package for electronic semiconductor devices
US3864728A (en) * 1970-11-20 1975-02-04 Siemens Ag Semiconductor components having bimetallic lead connected thereto
US3706464A (en) * 1970-12-13 1972-12-19 Canadian Kenworth Ltd Power system for loading an empty trailer onto a tractor or for loading pre-loaded trailers onto a fifth wheel of the tractor
JPS5247419Y2 (ja) * 1972-10-09 1977-10-27
JPS5040166U (ja) * 1973-08-10 1975-04-24
JPS5853874B2 (ja) * 1973-09-03 1983-12-01 アリムラ クニタカ アツデンオンカンソシオ モチイタ ケンシユツホウホウ
US3868724A (en) * 1973-11-21 1975-02-25 Fairchild Camera Instr Co Multi-layer connecting structures for packaging semiconductor devices mounted on a flexible carrier
DE2414297C3 (de) * 1974-03-25 1980-01-17 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur teilautomatischen Herstellung von Zwischenträgern für Halbleiterbauelemente
JPS5716386Y2 (ja) * 1974-04-18 1982-04-06
JPS519578A (en) * 1974-07-12 1976-01-26 Sharp Kk Handotaisochino seizoho
US4004133A (en) * 1974-12-30 1977-01-18 Rca Corporation Credit card containing electronic circuit
FR2299724A1 (fr) * 1975-01-29 1976-08-27 Honeywell Bull Soc Ind Perfectionnements aux supports de conditionnement de micro-plaquettes de circuits integres
JPS51130866A (en) * 1975-05-08 1976-11-13 Seiko Instr & Electronics Method of mounting electronic timekeeper circuits
US4222516A (en) * 1975-12-31 1980-09-16 Compagnie Internationale Pour L'informatique Cii-Honeywell Bull Standardized information card
FR2337381A1 (fr) * 1975-12-31 1977-07-29 Honeywell Bull Soc Ind Carte portative pour systeme de traitement de signaux electriques et procede de fabrication de cette carte
US4064552A (en) * 1976-02-03 1977-12-20 Angelucci Thomas L Multilayer flexible printed circuit tape
US4143456A (en) * 1976-06-28 1979-03-13 Citizen Watch Commpany Ltd. Semiconductor device insulation method
JPS591463B2 (ja) * 1976-07-01 1984-01-12 鐘淵化学工業株式会社 起泡性組成物
JPS535571A (en) * 1976-07-05 1978-01-19 Seiko Instr & Electronics Ltd Circuit block and its manufacture
JPS5923110B2 (ja) * 1976-11-09 1984-05-30 松下電器産業株式会社 フイルムキヤリア状電子部品の取付装置
JPS53147968A (en) * 1977-05-30 1978-12-23 Hitachi Ltd Thick film circuit board
US4300153A (en) * 1977-09-22 1981-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Flat shaped semiconductor encapsulation
JPS5481073A (en) * 1977-12-12 1979-06-28 Seiko Instr & Electronics Ltd Sealing method for semiconductor element
JPS5513985A (en) * 1978-07-18 1980-01-31 Citizen Watch Co Ltd Ic mounting structure
FR2439478A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Boitier plat pour dispositifs a circuits integres
FR2439438A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Ruban porteur de dispositifs de traitement de signaux electriques, son procede de fabrication et application de ce ruban a un element de traitement de signaux
JPS5562591A (en) * 1978-10-30 1980-05-12 Fujitsu Ltd Memory card
DE2920012C2 (de) 1979-05-17 1988-09-29 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit IC-Baustein und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Ausweiskarte
FR2480008A1 (fr) * 1980-04-04 1981-10-09 Flonic Sa Perfectionnements aux cartes a memoire
DE3019207A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Traegerelement fuer einen ic-chip
DE3051195C2 (de) * 1980-08-05 1997-08-28 Gao Ges Automation Org Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten
JPS6018145B2 (ja) * 1980-09-22 1985-05-09 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
GB2093401B (en) * 1981-01-17 1985-07-17 Sanyo Electric Co Composite film

Also Published As

Publication number Publication date
GB2149209A (en) 1985-06-05
FR2488446A1 (fr) 1982-02-12
US4709254A (en) 1987-11-24
JPH05270183A (ja) 1993-10-19
BE889815A (fr) 1981-11-16
CH663115A5 (de) 1987-11-13
US4803542A (en) 1989-02-07
GB2081974B (en) 1985-07-17
NL194174C (nl) 2001-08-03
DE3029667C2 (ja) 1990-10-11
DE3051195C2 (de) 1997-08-28
FR2488446B1 (ja) 1984-11-16
GB2149209B (en) 1985-12-04
JPH0158657B2 (ja) 1989-12-13
GB2081974A (en) 1982-02-24
IT8123372A0 (it) 1981-08-04
NL194174B (nl) 2001-04-02
GB8431488D0 (en) 1985-01-23
IT1137805B (it) 1986-09-10
DE3029667A1 (de) 1982-03-11
SE461694B (sv) 1990-03-12
SE8104663L (sv) 1982-02-06
JPS5754356A (ja) 1982-03-31
NL8103598A (nl) 1982-03-01

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