NL8103598A - Dragerelement voor een ic-bouwsteen. - Google Patents

Dragerelement voor een ic-bouwsteen. Download PDF

Info

Publication number
NL8103598A
NL8103598A NL8103598A NL8103598A NL8103598A NL 8103598 A NL8103598 A NL 8103598A NL 8103598 A NL8103598 A NL 8103598A NL 8103598 A NL8103598 A NL 8103598A NL 8103598 A NL8103598 A NL 8103598A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
foil
element according
carrier element
contacted
semiconductor wafer
Prior art date
Application number
NL8103598A
Other languages
English (en)
Other versions
NL194174B (nl
NL194174C (nl
Original Assignee
Gao Ges Automation Org
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6108951&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=NL8103598(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Gao Ges Automation Org filed Critical Gao Ges Automation Org
Publication of NL8103598A publication Critical patent/NL8103598A/nl
Publication of NL194174B publication Critical patent/NL194174B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL194174C publication Critical patent/NL194174C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5388—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates for flat cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

^¾¾. * -1- 22041/JF/mb
Korte aanduiding* Dragerelement voor een IC-bouwsteen.
De uitvinding heeft betrekking op een dragerelement voor een IC-bouwsteen voor inbouw in identificatiekaarten of soortgelijke 5 informatiedragers·
In de Duitse octrooiaanvrage P 29 20 012 van aanvraagster wordt een identificatiekaart met een ingebedde geïntegreerde schakeling beschreven. Voor het vervaardigen van de kaarten wordt een zogenaamd tussenprodukt (dragerelement) toegepast, 10 welk de IC-bouwsteen met alle contactelementen opneemt en dat als kant en klare-eenheid onafhankelijk van de kaartënvervaardiging kan worden geproduceerd.
Het dragerelement, dat een cirkelvormige, doosachtige opbouw kan hebben, wordt onder toepassing van meerdere folies in een 15 koud-lamelleerproces (kleeftechniek) vervaardigd.
IC-identificatiekaarten of ook andere met soortgelijke electronische schakelingen uitgeruste informatiedragers .bieden ten opzichte van de gebruikelijke voor automatisering geschikte kaarten wezenlijke voordelen, die o.a· betrekking hebben op de hogere opslagcapaciteit 20 en de geschiktheid daarvan actief in communicatieprocessen deel te nemen. Deze ten opzichte van gebruikelijke identificatiekaarten extra voordelen vergroten het aantal toepassingsmogelijkheden voor identificatiekaarten zeer aanzienlijk en ontsluiten enige volledig nieuwe toepassingsgebieden.
25 Yoor de toepassing van dergelijke identificatiekaartensystemen is de vervaardiging van IC-identificatiekaarten in zeer grote aantallen noodzakelijk. Derhalve is het ook voor de productie van dragerelementen van grote betekenis een voor grote aantallen economische werkwijze te kunnen toepassen, waarbij erop gelet dient te worden, dat de 30 halfgeleiderplaatjes met de aansluitgeleidingen ervan gedurende de vervaardiging van de identificatiekaarten en de behandeling ervan aan grote belastingen blootstaan.
Verder dient er rekening mee te worden gehouden, dat bij identificatiekaarten van de hierboven genoemde soort in de ver-35 schillende toepassingsgebieden zeer verschillende eisen met betrekking tot de mechanische belastbaarheid, de houdbaarheid, de bestendigheid , tegen omgevingsinvloeden en dergelijke worden gesteld. Vanwege 8103598 -2- 22041/JP/mb de actieve communicatiemogelijkheid betreft dit naast de mechanische opbouw van de kaart vanzelfsprekend ook de contactgebieden van de geïntegreerde schakeling.
Er zijn in de loop van de ontwikkeling van de IC-identificatiekaarten 5 meerdere contactmakingsmethoden bekend geworden (bv· galvanisch, capacitief, optisch etc·) Welke werkwijze de voorkeur bij de vervaardiging van dragerelementen wordt gegeven, is afhankelijk van het inzetgebied van de identificatiekaarten, de kosten bij de vervaardiging, de gewenste bedrijfszekerheid en andere factoren· 10 Het oogmerk van de uitvinding is derhalve te voorzien in een in identificatiekaarten of soortgelijke gegevensdrager inbrengbaar dragerelement, dat economisch in grote aantallen is te vervaardigen, een goede bescherming voor het ingebedde halfgeleiderplaatje met de aansluitleidingen ervan biedt en in de produktie zonder kostbare 15 overschakelingsmaatregelen aan is te passen aan de verschillende vereisten met betrekking tot de levensduur van de kaarten en de wijze van contactmaking·
He uitvinding.voorziet hiertoe in een dragerelement van de in de aanhef genoemde soort, welk is gekenmerkt, doordat een op 20 een folie gecontacteerd halfgeleiderplaatje eventueel gemeenschappelijk met extra laagmaterialen met een gietbaar materiaal tot een compacte eenheid met een bepaalde dikte is gegoten.
In het verleden zijn vele werkwijzen bekend geworden om half-25 geleiderplaatjes te contacteren, dat wil zeggen de minitueuze contactvlakken van het siliciumkristal van voor de latere toepassing geschikte aansluitingen te voorzien.
Zo worden bijvoorbeeld in zogenaamde bondingsautomaten de contactvlakken van het kristal door fijne gouddraadjes met de 30 aansluitbenen van een contactspin verbonden, waarbij de contact-spin ook als drager van het halfgeleiderplaatje dient.
Andere werkwijzen benutten als drager voor de plaatjes flexibel materiaal (zie daartoe het West-Duitse Auslegeschrift 24 14 297)· Het niet-geleidende materiaal (bijvoorbeeld in de 35 vorm van super-8-film) is op equidistante afstanden van vensters voorzien, waarin vrijdragend de einden van een uit geleidend materiaal geëtste contactspin zich uitstrekken. Alle contactvlakken van het 8103598 χ -3- 22041/JF/mb plaatje worden synchroon met de oontactspin verbonden, hetgeen de economische toepasbaarheid van de contacteerwerkwijze ten opzichte van oudere werkwijzen aanzienlijk verhoogt.
De halfgeleiderplaatjes zijn op gelijksoortige wijze ook op 5 een film die geen vensters bevat, te monteren.
De uitvinding benut deze beproefde en rationele vervaardigings-werkwijze en wint daarmee een tussenprodukt dat voor de vervaardiging van dragerelementen voor grote aantallen bijzonder geschikt is en met geringe kosten rekening-houdend met de toepasselijke, hierboven 10 genoemde vereisten met betrekking tot de onderscheidenjkste dragerelement kan worden toegepaat.
Op grond van de toepassing van de giettechniek zijn dragerelementen met de onderscheidelijkste eigenschappen (levensduur, contactmaking) zonder dure wijzigingsmaatregelen te realiseren.
15 Buitendien kunnen bij de in de giettechniek vervaardigde dragerelement en halfgeleiderplaatjes en aansluitleidingen op uitstekende wijze tegen mechanische belasting worden beschermd.
Verdere kenmerken en voordelen van de uitvinding blijken uit de beschrijving van de uitvoeringsvoorbeelden. In de tekeningen 20 tonen:
Fig. 1a, 1b bovenaanzicht en doorsnede van een op een folie gecontacteerd halfgeleiderplaatje;
Fig. 2 een volgens de giettechniek vervaardigd dragerelement, geschikt voor de aanrakingsloze contactmaking; 25 Fig. 3 een volgens de giettechniek vervaardigd dragerelement, geschikt voor de aanrakende contactmaking;
Fig. 4 een op een dporgecontacteerde folie bevestigd halfgeleiderplaat je ;
Fig. 5a, 5b een onder toepassing van de doorgecontacteerde 30 folie in de giettechniek vervaardigd dragerelement in doorsnede en bovenaanzicht;
Fig. 6 een onder toepassing van de doorgecontacteerde folie en extra laagmaterialen in giettechniek vervaardigd dragerelement;
Fig. 7a, 7b een op een folie gecontacteerd halfgeleiderplaatje 35 in bovenaanzicht en doorsnede onder toepassing van de bondingstechniek; en
Fig. 8 de inrichting van fig. 7 ha het gietproces.
8103593 , r» ' -4- 22041/JF/mb
De fig. 1a en 1b tonen een in een folievenster aangebracht,op de folie ’gecontacteerd halfgeleiderplaatje in bovenaanzicht en doorsnede·
Het halfgeleiderplaatje 1, aangebracht in een uitgestanst 5 venster 2 van de film 3» wordt in overeenkomstige automaten met de einden van een in een vroegere bewerking geëtste contactspin 4 verbonden. Het transport van de film 3 gedurende afzonderlijke bewerkingsfasen kan zeer nauwkeurig met behulp van de perforatie-gaten 5 van de film worden uitgevoerd·· 10 Een zeer eenvoudig te vervaardigen dragerelement onder toe passing van het in de fig. 1a en 1b getoonde tussenprodukt toont fig.2.
De met het halfgeleiderplaatje 1 gecontacteerde film 3 wordt toegevoerd naar een gietstatiön 6. De beide gietvormhelften 6a en 15 6b zijn loodrecht met betrekking tot het filmvlak bewegend aangebracht.
Via een toevoerkanaal 7 wordt het gietstatiön met een geschikt gietmateriaal gevuld Het afvoerkanaal 8 vermijdt, dat in het giet-station gedurende het gietproces luchtinsluitingen worden gevormd. Gietinrichtingen van de genoemde soort zijn bekend, zodat hier niet 20 nader op ingegaan behoeft te worden. Door de keuze van het gietmateriaal kan de stevigheid van het gerede dragerelement binnen brede begrenzingen worden gevarieerd.
Het volgens de illustratie in fig. 2 vervaardigde dragerelement, dat na het gietproces als compacte eenheid 11 uit de dragerfilm 25 kan worden gestanst, is bijvoorbeeld voor een aanrakingsloze contactmaking (capacitief, optisch) geschikt.
Fig. 3 toont een dragerelement, dat voor de aanrakende, galvanische contactmaking geschikt is.
Voor de vervaardiging van dit dragerelement worden de contact** 30 vlakken 4a voor het gietproces allereerst van een laag voorzien, zodat over de contactvlakken bulten 7 worden gevormd. De laag kan uit geleidend materiaal bestaan, dat bijvoorbeeld galvanisch op de contactvlakken wordt aangebracht. De laag kan ook als een niet-geleidend elastisch materiaal (bv. silicium) bestaan, dat bijvoorbeeld 35 onder toepassing van een geschikt masker op de contactvlakken wordt gestreken. De aldus met bulten 7 uitgeruste inrichting wordt tenslotte wederom in een geschikt gietstatiön geleid en na het gietproces als 8103598 I » 4 -5- 22041/JP/mb compacte eenheid 11 uit de dragerfilm gestanste Be bulten 7 kunnen zo zijn uitgevoerd, dat deze slechts in geringe mate uit het gegoten blok steken. Bij dit dragerelement liggen dan de contactoppervlakken na de inbouw van het dragérelement in een identificatiekaart met 5 het dekfolie-oppervlak in een vlak.
Past men voor de vorming van de bulten geleidend materiaal toe, dan is het dragerelement voor een aanrakende, galvanische contactmaking geschikt.
Worden de bulten uit niet-geleidend materiaal gevormd, dan 10 kan men voor het contactmaken bijvoorbeeld naalden toepassen, die door het niet-geleidende materiaal (bijvoorbeeld silicium) door op de eigenlijke contactvlakken 4a worden geleid. Be laatstgenoemde uitvoeringsvorm heeft het voordeel, dat de contactvlakken van het dragerelement beschermd zijn tegen omgevingsinvloeden.
15 Be hierboven genoemde uitvoeringsvoorbeelden passen als tuesenprodukten een inrichting toe, waarbij de halfgeleiderplaatjes in uitgestanste vensters van een folie vrijdragend met de overeenkomstige aansluitgeleiders zijn verbonden. Sen nadeel van deze inrichtingen kan voor bepaalde toepassingsgevallen dan optreden, 20 wanneer een zo gering mogelijke afstand tussen de contactvlakken vereist wordt. Bij de hierboven genoemde inrichtingen wordt de minimale afstand tussen de contactvlakken door de grootte van de uitgestanste vensters en daarmede door de grootte van de halfgeleiderplaatjes vastgelegd. Om een zo gering mogelijke af-25 stand tussen de contactvlakken te bereiken is het ook mogelijk als tussenproduct de in fig. 4 getoonde inrichting toe te passen.
Be aan beide zijden van de film 12 aangebrachte contactvlakken 13 worden in een doorcontacteerproces met elkaar verbonden. Op de aldus voorbereide folie wordt het halfgeleiderplaatje 1 volgens 30 bekende technieken aangebracht·
In de fig. 5a, 5b is het onder toepassing van het bovengenoemde tussenprodukt vervaardigde dragerelement 15 in doorsnede en in bovenaanzicht weergegeven. Het gietproces kan gelijksoortig zoals in verband met fig. 2 toegelicht, worden uitgevoerd. Zoals fig. 5b 35 toont, maakt de toepassing van het laatstgenoemde tussenprodukt een dicht naburige inrichting van de contactvlakken 16 mogelijk.
8103598 , *i · · -6- 22041/JP/mb
Fig. 6 toont een dragerelement, waarbij eveneens een zogenaamde doorgecontacteerde folie als tussenprodukt wordt toegepast. Deze inrichting onderscheidt zich door een uitermate grote stevigheid.
Het dragerelement bestaat in dit geval uit een zogenaamde 5 doorgecontacteerde folie 12, een afstandsfolie 17 en een dekfolie 18 op de achterzijde. De dekfolie op de achterzijde is van openingen 19 voorzien, die de toe- respectievelijk afvoer van het gietmateriaal in het gietstation mogelijk maken» De afstandsfolie 17 omvat voor opneming van het halfgeleiderplaatje op regelmatige afstanden 10 overeenkomstige holle ruimten 20. In het gietstation worden de holle ruimte 20 met een geschikt gietbaar materiaal gevuld. Gedurende het gietproces dringt daarbij ook een deel van de gietmassa tussen de afzonderlijke folies,' waardoor deze bijzonder goed met elkaar worden verbonden. Tussen de halfgeleiderplaatjes zijn in dit voor-15 beeld de afzonderlijke folies 12, 17* 18 door een geschikt kleef- middel 25 met elkaar verbonden» Op deze wijze wordt het binnendringen van de gietmassa in de tussenruimte vergemakkelijkt en gelijktijdig begrensd. De begrenzing van de gietmassa kan natuurlijk ook daardoor bereikt worden, dat het foliesaménstelsel aan beide zijden van het giet-20 station wordt samengeperst.
De stevigheid van de inrichting kan nog worden verbeterd, wanneer men folies uit met glasvezel versterkt epoxyhars (GEP) toepast en wanneer de voor de vervaardiging van de folies gekozen hars identiek is aan de gietmassa. In dit geval dringt de gietmassa 25 ook tussen de afzonderlijke folies, waardoor een dragerelement grotere stevigheid en compactere opbouw kan worden vervaardigd.
De fig. 7a en 7b tonen een verdere uitvoeringsvorm van een toepasbaar tussenprodukt ter vervaardiging van dragerelementen.
Het hier getoonde halfgeleiderplaatje 30 wordt in de zogenaamde 30 bondingtechniek gecontacteerd. Daartoe wordt de dragerfilm 31 op regelmatige afstanden allereerst in de vorm gestanst, dat deze in de figuur getoonde uitsparingen 32 met de vingervormige uitsteeksels 32a optreedt. Daarna wordt de dragerfilm 31 over het gehele vlak met een folie 33 uit geleidend materiaal bedekt.
35 Hit deze folie worden nu volgens bekende etstechnieken de gebieden 34 geïsoleerd, die de contactvlakken van het gerede dragerelement vormen.
8103508 -7- 22041/JF/mb t Γ
De aldus voorbereide dragerfilm wordt tenslotte in gebruikelijke in de handel-zijnde bonding-automaten met halfgeleiderplaatjes bestukt· Daarbij wordt telkens een plaatje JO in de uitsparing 32 gezet en daar met behulp van een geschikt kleefmiddel 36 op de 5 geleidende folie 33 gefixeerd* Aansluitend worden de aansluitpunten van het plaatje 30 via fijne gouden draden 37 met de contactvlakken 54 verbonden·
Fig. 8 toont het volgens de fig· 7a en 7b vervaardigd dragerelement 40, waarbij de uitsparing 32 met de vingervormige 10 uitsteeksels 32a bijvoorbeeld in een gietstation van de hierboven genoemde soort met een geschikte hars i3 gevuld· Daarbij dringt het hars ook in de gedurende het etsproces ontstane gebieden 39 tussen de contactvlakken 34» Het vullen van de holle ruimte hoeft bij de laatstgenoemde inrichting niet beslist in een van de 15 bovengenoemde gietstations uitgevoerd te worden.
Sluit men de inrichting, zoals in fig· 8 getoond, aan een zijde bijvoorbeeld met een zelfklevende folie 38 af, dan zijn de holle ruimten op een eenvoudige wijze met een hars te vullen»
De zelfklevende folie, die voor de verdere behandeling van het 20 dragerelement wordt verwijderd, biedt tegelijkertijd een goede bescherming voor de contactvlakken, in het geval de dragerelementen gedurende lange tijd opgeslagen dienen te zijn.
25 30 35 8103598

Claims (10)

1. Dragerelement voor een IC-bouwsteen voor inbouw in identificatiekaarten of soortgelijke informatiedragers! met het 5 kenmerkt dat een op een folie gecontacteerd halfgeleiderplaatje (1, 30) eventueel gemeenschappelijk met extra laagmaterialen (17» 18) met een gietbaar materiaal tot een compacte eenheid (10»15» 40) ®et een bepaalde dikte is gegoten·
2· Dragerelement volgens conclusie.1| met het kenmerkt dat 10 het op folie geoontaoteerde halfgeleiderplaatje (1) in het midden van een gegoten blok (10) is aangebracht·
3· Dragerelement volgens conclusie 2t met het kenmerkt dat de contaotvlakken (4a) van de inrichting zijn voorzien van bultent die ongeveer gelijk liggen met het oppervlak van het gegoten 15 blok (11).
4« Dragerelement volgens conclusie 2 en 5t met het kenmerkt dat de bulten (7) van geleidend materiaal zijn.
5· Dragerelement volgens conclusie 2 en 3t met het kenmerkt dat de bulten (7) van elastisch, niet geleidend materiaal zijn· 20
6· Dragerelement volgens conclusie 1, waarbij het halfgeleider- kristal (t) op een doorgecontacteerde folie (12) is bevestigdf met het kenmerkt dat het op de folie gecontacteerde halfgeleiderplaat je (1) op de zijde van het halfgeleiderkristal in een blok (15) is gegoten· 23
7· Dragerelement volgens conclusie 6, met het kenmerkt dat het op de folie gecontacteerde halfgeleiderplaatje door een afstandsfolie (17) en een dekfolie (18) aan de achterzijde is aangevuld en een door een uitsparing (20) in de afstandsfolie veroorzaakte holle ruimte is volgegoten· 30
8* Dragerelement volgens conclusie 7» met het kenmerkt dat tussen de afzonderlijke lagen (12, 17» 18) ook gietmateriaal aanwezig is.
9· Dragerelement volgens conclusie 7» met het kenmerk, dat de lagen (12, 17» 18) uit met glasvezel versterkt epoxyhars 35 bestaan. 8103598 i · .9. 22041/JF/mb
10# Drage relement volgens de conclusies 7 t/m 9» met het kenmerkt dat het giethars identiek is aan het hars dat is toe-gepast bij de vervaardiging van de lagen· 11· ' Dragerelement volgens conclusie 1, met het kenmerkt dat 5 het op de folie gecontacteerde halfgeleiderplaatje een inrichting iSt waarbij het halfgeleiderplaatje (30) in een uitgestanst venster (32) van een folie (31) op een met de folie verbonden geleidende laag (33) is gefixeerd en door middel van gouden draden (37) met van de laag geïsoleerde contaetvlakken (34) is verbonden· 10 12· Dragerelement volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat alleen de holle ruimten (32, 32a, 39) van de inrichting met gietbaar materiaal zijn gevuld. w Eindhoven, juli 1981 15 20 25 30 35 8103598
NL8103598A 1980-08-05 1981-07-30 Dragerelement voor een ge´ntegreerd schakelingsplakje. NL194174C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3029667 1980-08-05
DE19803029667 DE3029667A1 (de) 1980-08-05 1980-08-05 Traegerelement fuer einen ic-baustein

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8103598A true NL8103598A (nl) 1982-03-01
NL194174B NL194174B (nl) 2001-04-02
NL194174C NL194174C (nl) 2001-08-03

Family

ID=6108951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8103598A NL194174C (nl) 1980-08-05 1981-07-30 Dragerelement voor een ge´ntegreerd schakelingsplakje.

Country Status (10)

Country Link
US (2) US4709254A (nl)
JP (2) JPH0158657B2 (nl)
BE (1) BE889815A (nl)
CH (1) CH663115A5 (nl)
DE (2) DE3051195C2 (nl)
FR (1) FR2488446A1 (nl)
GB (2) GB2081974B (nl)
IT (1) IT1137805B (nl)
NL (1) NL194174C (nl)
SE (1) SE461694B (nl)

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3051195C2 (de) * 1980-08-05 1997-08-28 Gao Ges Automation Org Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten
US4549247A (en) * 1980-11-21 1985-10-22 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Carrier element for IC-modules
DE3153768C2 (de) * 1981-04-14 1995-11-09 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte
FR2520541A1 (fr) * 1982-01-22 1983-07-29 Flonic Sa Procede d'insertion d'un circuit integre dans une carte a memoire et carte obtenue suivant ce procede
FR2521350B1 (fr) * 1982-02-05 1986-01-24 Hitachi Ltd Boitier porteur de puce semi-conductrice
DE3235650A1 (de) * 1982-09-27 1984-03-29 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung
CH660551GA3 (nl) * 1982-12-27 1987-05-15
DE3248385A1 (de) * 1982-12-28 1984-06-28 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit integriertem schaltkreis
US4581678A (en) * 1983-03-16 1986-04-08 Oxley Developments Company Limited Circuit component assemblies
DE3466108D1 (en) * 1983-06-09 1987-10-15 Flonic Sa Method of producing memory cards, and cards obtained thereby
FR2548857B1 (fr) * 1983-07-04 1987-11-27 Cortaillod Cables Sa Procede de fabrication en continu d'une carte imprimee
DE3338597A1 (de) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS6180195U (nl) * 1984-11-01 1986-05-28
JPS61123990A (ja) * 1984-11-05 1986-06-11 Casio Comput Co Ltd Ｉｃカ−ド
FR2579798B1 (fr) * 1985-04-02 1990-09-28 Ebauchesfabrik Eta Ag Procede de fabrication de modules electroniques pour cartes a microcircuits et modules obtenus selon ce procede
FR2580416B1 (fr) * 1985-04-12 1987-06-05 Radiotechnique Compelec Procede et dispositif pour fabriquer une carte d'identification electronique
FR2583574B1 (fr) * 1985-06-14 1988-06-17 Eurotechnique Sa Micromodule a contacts enterres et carte contenant des circuits comportant un tel micromodule.
FR2584862B1 (fr) * 1985-07-12 1988-05-20 Eurotechnique Sa Procede de fabrication en continu de micromodules pour cartes contenant des composants, bande continue de micromodules et micromodules realises selon un tel procede
EP0231384B1 (en) * 1985-07-17 1993-10-06 Ibiden Co, Ltd. A method for preparing a printed wiring board for installation in an ic card
FR2588695B1 (fr) * 1985-10-11 1988-07-29 Eurotechnique Sa Procede de fabrication d'un microboitier, microboitier a contacts effleurants et application aux cartes contenant des composants
FR2590051B1 (fr) * 1985-11-08 1991-05-17 Eurotechnique Sa Carte comportant un composant et micromodule a contacts de flanc
FR2590052B1 (fr) * 1985-11-08 1991-03-01 Eurotechnique Sa Procede de recyclage d'une carte comportant un composant, carte prevue pour etre recyclee
DE3624852A1 (de) * 1986-01-10 1987-07-16 Orga Druck Gmbh Elektronische daten- und/oder programmtraeger und verfahren zu seiner herstellung
JPS62161595A (ja) * 1986-01-13 1987-07-17 日立マクセル株式会社 Ｉｃカ−ドの製造方法
JP2502511B2 (ja) * 1986-02-06 1996-05-29 日立マクセル株式会社 半導体装置の製造方法
JPS6314455A (ja) * 1986-07-07 1988-01-21 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置
JPH0524554Y2 (nl) * 1986-07-21 1993-06-22
FR2609821B1 (fr) * 1987-01-16 1989-03-31 Flonic Sa Procede de realisation de cartes a memoire et cartes obtenues par la mise en oeuvre dudit procede
WO1988006348A1 (en) * 1987-02-20 1988-08-25 Lsi Logic Corporation Integrated circuit package assembly
US4907060A (en) * 1987-06-02 1990-03-06 Nelson John L Encapsulated thermoelectric heat pump and method of manufacture
FR2617668B1 (fr) * 1987-07-03 1995-07-07 Radiotechnique Compelec Dispositif comportant un circuit electronique monte sur un support souple et carte souple le comprenant
FR2620586A1 (fr) * 1987-09-14 1989-03-17 Em Microelectronic Marin Sa Procede de fabrication de modules electroniques, notamment pour cartes a microcircuits
FR2624652B1 (fr) * 1987-12-14 1990-08-31 Sgs Thomson Microelectronics Procede de mise en place sur un support, d'un composant electronique, muni de ses contacts
US5182631A (en) * 1988-04-15 1993-01-26 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Film carrier for RF IC
FR2630843B1 (fr) * 1988-04-28 1990-08-03 Schlumberger Ind Sa Procede de realisation de cartes comportant des elements graphiques et cartes obtenues par ledit procede
US5030407A (en) * 1988-04-28 1991-07-09 Schlumberger Industries Method of making cards having graphics elements thereon
JPH03500033A (ja) * 1988-06-21 1991-01-10 ダブリュー　アンド　ティー　エイヴァリー　リミテッド ポータブル電子トークンの製造法
US5387306A (en) * 1988-06-21 1995-02-07 Gec Avery Limited Manufacturing integrated circuit cards
USRE35578E (en) * 1988-12-12 1997-08-12 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method to install an electronic component and its electrical connections on a support, and product obtained thereby
FR2641102B1 (nl) * 1988-12-27 1991-02-22 Ebauchesfabrik Eta Ag
DE3905657A1 (de) * 1989-02-24 1990-08-30 Telefunken Electronic Gmbh Flexible traegerfolie
JPH063819B2 (ja) * 1989-04-17 1994-01-12 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の実装構造および実装方法
DE3912891A1 (de) * 1989-04-19 1990-11-08 Siemens Ag Montagevorrichtung zur kontaktierung und zum einbau eines integrierten schaltkreissystems fuer eine wertkarte
US5244840A (en) * 1989-05-23 1993-09-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an encapsulated IC card having a molded frame and a circuit board
DE3924439A1 (de) * 1989-07-24 1991-04-18 Edgar Schneider Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente
JPH0680706B2 (ja) * 1989-08-22 1994-10-12 三菱電機株式会社 キャリアテープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US5155068A (en) * 1989-08-31 1992-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an IC module for an IC card whereby an IC device and surrounding encapsulant are thinned by material removal
DE9100665U1 (de) * 1991-01-21 1992-07-16 TELBUS Gesellschaft für elektronische Kommunikations-Systeme mbH, 85391 Allershausen Trägerelement für integrierte Halbleiter-Schaltkreise, insbesondere zum Einbau in Chip-Karten
US5091769A (en) * 1991-03-27 1992-02-25 Eichelberger Charles W Configuration for testing and burn-in of integrated circuit chips
ATE133105T1 (de) * 1991-05-10 1996-02-15 Gao Ges Automation Org Verfahren und vorrichtung zum herstellen von kunststoff-formstücken mit bereichsweise reduzierter wandstärke
US5278442A (en) * 1991-07-15 1994-01-11 Prinz Fritz B Electronic packages and smart structures formed by thermal spray deposition
EP0553477A2 (de) * 1992-01-30 1993-08-04 Siemens Aktiengesellschaft Mit Bauelementen zu bestückende Leiterplatte
DE4209184C1 (nl) * 1992-03-21 1993-05-19 Orga Kartensysteme Gmbh, 6072 Dreieich, De
DE4224103A1 (de) * 1992-07-22 1994-01-27 Manfred Dr Ing Michalk Miniaturgehäuse mit elektronischen Bauelementen
JP2774906B2 (ja) * 1992-09-17 1998-07-09 三菱電機株式会社 薄形半導体装置及びその製造方法
DE4232625A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Siemens Ag Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen
CH686325A5 (de) * 1992-11-27 1996-02-29 Esec Sempac Sa Elektronikmodul und Chip-Karte.
ZA941671B (en) * 1993-03-11 1994-10-12 Csir Attaching an electronic circuit to a substrate.
GB9313749D0 (en) * 1993-07-02 1993-08-18 Gec Avery Ltd A device comprising a flexible printed circuit
DE69431023T2 (de) * 1993-09-01 2003-02-06 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiteraufbau und Verfahren zur Herstellung
DE4336501A1 (de) * 1993-10-26 1995-04-27 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung von Ausweiskarten mit elektronischen Modulen
DE4337921C2 (de) * 1993-11-06 1998-09-03 Ods Gmbh & Co Kg Kontaktlose Chipkarte mit Antennenspule
DE4340847A1 (de) * 1993-11-26 1995-06-01 Optosys Gmbh Berlin Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE4401588C2 (de) * 1994-01-20 2003-02-20 Gemplus Gmbh Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-Modul
FR2715754B1 (fr) * 1994-02-01 1996-03-29 Gemplus Card Int Procédé de protection des plots de contacts d'une carte à mémoire.
KR960703272A (ko) * 1994-05-23 1996-06-19 마에다 카츠노수케 전자소자 팩케이지 및 그 제조방법 (electronic device package and method for manufacturing the same)
JP3267449B2 (ja) * 1994-05-31 2002-03-18 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録装置
FR2721731B1 (fr) * 1994-06-24 1996-08-09 Schlumberger Ind Sa Carte à mémoire.
DE4427309C2 (de) * 1994-08-02 1999-12-02 Ibm Herstellung eines Trägerelementmoduls zum Einbau in Chipkarten oder andere Datenträgerkarten
DE19512191C2 (de) * 1995-03-31 2000-03-09 Siemens Ag Kartenförmiger Datenträger und Leadframe zur Verwendung in einem solchen Datenträger
DE19526010B4 (de) * 1995-07-17 2005-10-13 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement
FR2738077B1 (fr) * 1995-08-23 1997-09-19 Schlumberger Ind Sa Micro-boitier electronique pour carte a memoire electronique et procede de realisation
US5817207A (en) 1995-10-17 1998-10-06 Leighton; Keith R. Radio frequency identification card and hot lamination process for the manufacture of radio frequency identification cards
DE19539181C2 (de) * 1995-10-20 1998-05-14 Ods Gmbh & Co Kg Chipkartenmodul sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
DE19541072A1 (de) * 1995-11-03 1997-05-07 Siemens Ag Chipmodul
DE19609636C1 (de) * 1996-03-12 1997-08-14 Siemens Ag Chipkarte und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte
DE19625228C2 (de) 1996-06-24 1998-05-14 Siemens Ag Systemträger für die Montage einer integrierten Schaltung in einem Spritzgußgehäuse
US5786988A (en) * 1996-07-02 1998-07-28 Sandisk Corporation Integrated circuit chips made bendable by forming indentations in their back surfaces flexible packages thereof and methods of manufacture
DE19705615A1 (de) * 1997-02-14 1998-06-04 Dirk Prof Dr Ing Jansen Chipkarte mit Temperatur- Aufzeichnungsfunktion
DE19708617C2 (de) * 1997-03-03 1999-02-04 Siemens Ag Chipkartenmodul und Verfahren zu seiner Herstellung sowie diesen umfassende Chipkarte
US6208019B1 (en) * 1998-03-13 2001-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultra-thin card-type semiconductor device having an embredded semiconductor element in a space provided therein
DE29824520U1 (de) * 1998-09-10 2001-06-28 Skidata Ag Kartenförmiger Datenträger
DE19845665C2 (de) * 1998-10-05 2000-08-17 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen IC-Baustein zum Einbau in Chipkarten
FR2788882A1 (fr) * 1999-01-27 2000-07-28 Schlumberger Systems & Service Dispositif a circuits integres, module electronique pour carte a puce utilisant le dispositif et procede de fabrication dudit dispositif
TW449796B (en) * 2000-08-02 2001-08-11 Chiou Wen Wen Manufacturing method for integrated circuit module
JP4749656B2 (ja) 2001-02-09 2011-08-17 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 半導体デバイスの製造方法及びこの方法により得られる半導体デバイス
DE102004028218B4 (de) * 2004-06-09 2006-06-29 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung eines tragbaren Datenträgers
EP1780662A1 (fr) * 2005-10-27 2007-05-02 Axalto SA Module renforcé pour carte à puce et procédé de fabrication dudit module
EP1804202A1 (en) * 2006-01-02 2007-07-04 Tibc Corporation Tape carrier and module for contact type IC card and method for manufacturing the tape carrier
ES2393884T3 (es) * 2007-02-09 2012-12-28 Nagraid S.A. Procedimiento de fabricación de tarjetas electrónicas comprendiendo al menos un motivo impreso
JP5277894B2 (ja) * 2008-11-19 2013-08-28 富士通株式会社 樹脂塗布方法及び樹脂塗布装置
US8649820B2 (en) 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD703208S1 (en) 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
USD701864S1 (en) 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
USD707682S1 (en) * 2012-12-05 2014-06-24 Logomotion, S.R.O. Memory card
USD758372S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD759022S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
US9647997B2 (en) 2013-03-13 2017-05-09 Nagrastar, Llc USB interface for performing transport I/O
USD780763S1 (en) * 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1915501U (de) 1964-04-11 1965-05-13 Fritsch K G A Hoernchenwickelgeraet fuer teigausrollmaschinen.
DE1909480U (de) 1964-12-07 1965-02-04 Fritz Krug Geraet zum schleifen von saegeketten.
GB1243175A (en) * 1967-09-01 1971-08-18 Lucas Industries Ltd Electrical component assemblies
DE1817434C3 (de) * 1967-12-30 1980-05-14 Sony Corp., Tokio Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung
DE1909480C2 (de) * 1968-03-01 1984-10-11 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Trägeranordnung und Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von Halbleiterchips
US3570115A (en) * 1968-05-06 1971-03-16 Honeywell Inc Method for mounting electronic chips
DE1789063A1 (de) * 1968-09-30 1971-12-30 Siemens Ag Traeger fuer Halbleiterbauelemente
DE1915501C3 (de) * 1969-03-26 1975-10-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Verbinden einer integrierten Schaltung mit äußeren elektrischen Zuleitungen
US3591839A (en) * 1969-08-27 1971-07-06 Siliconix Inc Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture
US3848077A (en) * 1970-10-16 1974-11-12 M Whitman Package for electronic semiconductor devices
US3864728A (en) * 1970-11-20 1975-02-04 Siemens Ag Semiconductor components having bimetallic lead connected thereto
US3706464A (en) * 1970-12-13 1972-12-19 Canadian Kenworth Ltd Power system for loading an empty trailer onto a tractor or for loading pre-loaded trailers onto a fifth wheel of the tractor
JPS5247419Y2 (nl) * 1972-10-09 1977-10-27
JPS5040166U (nl) * 1973-08-10 1975-04-24
JPS5853874B2 (ja) * 1973-09-03 1983-12-01 アリムラ クニタカ アツデンオンカンソシオ モチイタ ケンシユツホウホウ
US3868724A (en) * 1973-11-21 1975-02-25 Fairchild Camera Instr Co Multi-layer connecting structures for packaging semiconductor devices mounted on a flexible carrier
DE2414297C3 (de) * 1974-03-25 1980-01-17 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur teilautomatischen Herstellung von Zwischenträgern für Halbleiterbauelemente
JPS5716386Y2 (nl) * 1974-04-18 1982-04-06
JPS519578A (en) * 1974-07-12 1976-01-26 Sharp Kk Handotaisochino seizoho
US4004133A (en) * 1974-12-30 1977-01-18 Rca Corporation Credit card containing electronic circuit
FR2299724A1 (fr) * 1975-01-29 1976-08-27 Honeywell Bull Soc Ind Perfectionnements aux supports de conditionnement de micro-plaquettes de circuits integres
JPS51130866A (en) * 1975-05-08 1976-11-13 Seiko Instr & Electronics Method of mounting electronic timekeeper circuits
FR2337381A1 (fr) * 1975-12-31 1977-07-29 Honeywell Bull Soc Ind Carte portative pour systeme de traitement de signaux electriques et procede de fabrication de cette carte
US4222516A (en) * 1975-12-31 1980-09-16 Compagnie Internationale Pour L'informatique Cii-Honeywell Bull Standardized information card
US4064552A (en) * 1976-02-03 1977-12-20 Angelucci Thomas L Multilayer flexible printed circuit tape
US4143456A (en) * 1976-06-28 1979-03-13 Citizen Watch Commpany Ltd. Semiconductor device insulation method
JPS591463B2 (ja) * 1976-07-01 1984-01-12 鐘淵化学工業株式会社 起泡性組成物
JPS535571A (en) * 1976-07-05 1978-01-19 Seiko Instr & Electronics Ltd Circuit block and its manufacture
JPS5923110B2 (ja) * 1976-11-09 1984-05-30 松下電器産業株式会社 フイルムキヤリア状電子部品の取付装置
JPS53147968A (en) * 1977-05-30 1978-12-23 Hitachi Ltd Thick film circuit board
US4300153A (en) * 1977-09-22 1981-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Flat shaped semiconductor encapsulation
JPS5481073A (en) * 1977-12-12 1979-06-28 Seiko Instr & Electronics Ltd Sealing method for semiconductor element
JPS5513985A (en) * 1978-07-18 1980-01-31 Citizen Watch Co Ltd Ic mounting structure
FR2439478A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Boitier plat pour dispositifs a circuits integres
FR2439438A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Ruban porteur de dispositifs de traitement de signaux electriques, son procede de fabrication et application de ce ruban a un element de traitement de signaux
JPS5562591A (en) * 1978-10-30 1980-05-12 Fujitsu Ltd Memory card
DE2920012B1 (de) 1979-05-17 1980-11-20 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte mit IC-Baustein und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Ausweiskarte
FR2480008A1 (fr) * 1980-04-04 1981-10-09 Flonic Sa Perfectionnements aux cartes a memoire
DE3019207A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Traegerelement fuer einen ic-chip
DE3051195C2 (de) * 1980-08-05 1997-08-28 Gao Ges Automation Org Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten
JPS6018145B2 (ja) * 1980-09-22 1985-05-09 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
GB2093401B (en) * 1981-01-17 1985-07-17 Sanyo Electric Co Composite film

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05270183A (ja) 1993-10-19
DE3029667A1 (de) 1982-03-11
GB2081974A (en) 1982-02-24
JPS5754356A (nl) 1982-03-31
SE8104663L (sv) 1982-02-06
JPH0158657B2 (nl) 1989-12-13
GB2149209B (en) 1985-12-04
IT8123372A0 (it) 1981-08-04
NL194174B (nl) 2001-04-02
CH663115A5 (de) 1987-11-13
IT1137805B (it) 1986-09-10
GB8431488D0 (en) 1985-01-23
NL194174C (nl) 2001-08-03
BE889815A (fr) 1981-11-16
SE461694B (sv) 1990-03-12
US4803542A (en) 1989-02-07
JP2702012B2 (ja) 1998-01-21
US4709254A (en) 1987-11-24
FR2488446A1 (fr) 1982-02-12
DE3051195C2 (de) 1997-08-28
GB2081974B (en) 1985-07-17
DE3029667C2 (nl) 1990-10-11
GB2149209A (en) 1985-06-05
FR2488446B1 (nl) 1984-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8103598A (nl) Dragerelement voor een ic-bouwsteen.
KR100358578B1 (ko) 칩 카드 모듈, 그 모듈을 포함하는 조합 칩 카드 및 그 제조 방법
US6568600B1 (en) Chip card equipped with a loop antenna, and associated micromodule
US4829666A (en) Method for producing a carrier element for an IC-chip
EP0646895B1 (en) Thin IC card and method for producing the same
US6060893A (en) Carrier having slide connectors for testing unpackaged semiconductor dice
KR100272737B1 (ko) 릴인쇄회로기판및그를이용한칩온보드패키지
EP3046148A1 (en) Vertically integrated systems
JPH08207476A (ja) 非接触電子モジュール
NL8201141A (nl) Identificatiekaart met ic-bouwsteen.
US5965867A (en) Data medium incorporating integrated circuits
KR19990087643A (ko) 칩 카드 및 칩 카드 제조 방법
US6693304B2 (en) Laminated lead frame, and optical communication module and method of manufacturing the same
JPH1174420A (ja) 表面実装型チップ部品及びその製造方法
JPH03240260A (ja) 集積回路装置の製造方法
JPS61291194A (ja) 埋込みコンタクトを備えたマイクロモジユ−ル及び該マイクロモジユ−ルを備えた回路を含むカ−ド
KR20170081693A (ko) 상호접속 구역들을 포함하는 단일 측면형 전자 모듈을 제조하기 위한 방법
US9792541B2 (en) Smart card comprising a protruding component and method for making same
KR100724179B1 (ko) 데이터 캐리어 및 이를 구비한 장치
RU98103334A (ru) Носитель данных с интегральной схемой
KR100707528B1 (ko) 데이터 캐리어 및 데이터 캐리어가 설치된 장치
KR20020028621A (ko) 아이씨 카드용 칩 모듈
JPH01210393A (ja) 集積回路装置
JPS6333853A (ja) 集積回路パツケ−ジ
KR20230137932A (ko) 칩 카드 모듈들을 제조하기 위한 방법 및 이러한 모듈들을지지하는 가요성 재료 밴드

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 20010803