DE1789063A1 - Traeger fuer Halbleiterbauelemente - Google Patents
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Description
Me Erfindung betrifft einen Träger für Halbleiterbauelemente zur Verbesserung deren elektrischer Eigenschaften
und lebensdauer.
Bei bekannten Halbleiterbauelementen liegt der aktive Teil
des Bauelements, z.B. der pn-übergang von Halbleiterdioden, teilweise an der Oberfläche des Halbleiterkristalls und ist
somit gegen Verunreinigungen und störende Einflüsse der umgebenden
Atmosphäre kaum geschützt. Das hat mit zur Folge, daß keine ausreichenden langzeitstabilitäten der elektrischen
Parameter des Bauelements gewährleistet sind. Außerdem wird
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die Punktion von Halbleiterbauelenenten, beispielsweise von
Halbleiterdioden, durch die beim Betrieb entstehende Temperaturerhöhung
begrenzt, zumal sich in vielen Fällen (z.B. bei Galliunarsenid-Bauelementen) die schädliche Einwirkung
der umgebenden Atmosphäre mit steigender Temperatur noch erhöht .
Es ist bekannt, zwecks Abdichtung und/oder Verbesserung der elektrischen Eigenschaften elektrischer Schaltelenente die
Elemente wenigstens teilweise mit einer Glaskonposition zu überziehen (deutsche Patentschrift 1 179 277). Diese Gläser
mit niedrigen Erweichungspunkt sollen plastisch an der zu überziehenden Oberfläche des Schaltelemente haften» Wegen
der relativ geringen Wärmeleitfähigkeit des Glases ist die Abführung der beim Betrieb des Halbleiterbauelements entstehenden
Wärme jedoch ungenügend. Außerdem können beim liiv/üichen
des Glases Ilolekülketten oder andere im Glas vorhandene
Netzwerke aufbrechen, so daß örtlich Ionen frei werden (s. z.B. H. Krebs "Über den strukturellen Aufbau von Gläsern"
in "Angewandte Chemie", 78, 1966, Nr. 11, S. 577 - 587) Diese Ionen können'sich z.B. in elektrischen Feld einer Diode
so über der Oberfläche der Diode anordnen, daß an tier Dioden-Oberfläche
ein Kanal mit gegenüber den Grundmaterial entgegengesetzter
Leitfähigkeit entsteht und ein unerwünscht hoher Sperrstrom fließt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, diese Nachteile
zu vermeiden und eine Verbesserung der elektrischen .Kigenschaften
und lebensdauer von Halbleiterbauelementen zu erzielen, so daß diese hohe Langzeitstabilitäten aufweisen»
Diese Aufgabe wird mit einem Träger für Halbleiterbauelemente erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Träger aus einem Trägerteil
aus elektrisch und thermisch leitendem Ilaterial be-
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steht und eine dünne, zumindest auf der dem. Halbleiterbauelement
zugewandten Oberfläche des Trägerteils befindliche, festhaftende elektrische Tsolatorschicht aufweist.
Wie bereits erwähnt, hat es sich- gezeigt, daß die Funktion
von Halbleiterbauelementen durch die beim Betrieb entstehende Temperaturerhöhung begrenzt wird, mit der in vielen Fällen, z.B. bei G-aAs-Lumineszenzdioden, eine schädliche Einwirkung der umgebenden Atmosphäre verknüpft ist. Der Erfindung
liegt die Erkenntnis zugrunde, daß diese Einflüsse ausgeschaltet werden können, wenn es gelingt, zumindest den aktiven Teil des Halbleiterbauelements, d.h. den Teil, in dem
bei Betrieb die größte Wärmemenge entsteht, ::.B. den pnübergang
von Halbleiterdioden, mit einem geeignet dimensionierten Träger zu versehen. An den Träger sind dabei folgende Bedingungen,zu
stellen: Er muß eine hohe Wärmeleitfähigkeit besitzen
. Er muß sich zusammensetzen aus elektrisch leitenden und elektrisch isolierenden Bereichen. Die Avis dehnung sko effizienten der verschiedenen Bereiche müssen möglichst gut mit
dem Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterbauelements übereine.timmen.
Die einzelnen Teile müssen in innigem Kontakt miteinander gebracht werden können, so daß die Verbindung eine
genügende mechanische Festigkeit und einen guten Wärmekontakt aufweist„
Dabei hat sich als vorteilhaft erwiesen, als elektrisch und
thermisch leitendes Material für den Trägerteil ein Metall,
vorzugsweise Tantal, zu verwenden. Tantal erfüllt alle oben
genannten Bedingungen und ist außerdem in der lage, spezielle Bestandteile der Atmosphäre wie Sauerstoff zu gettern und
damit vor.! Halbleiterbauelement mit Sicherheit fernzuhalten.
Bei der Auswahl des Materials für den Trägerteil ist es insbesondere
im Hinblick auf eine Anpassung des thermischen Aus-.
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debnungskoeffizienten an .das Material des Halbleiterbauelements
mitunter zweckmäßig, wenn der Trägerteil aus mindestens zwei Schichten verschieden elektrisch und thermisch leitender
Materialien-, vorzugsweise aus mindestens zwei Metallschichten, besteht. Als Material für den Trägerteil ist dabei
eine mit einer Kupferschicht versehene Tantalschicht bevorzugt geeignet.
Die dünne, zumindest auf der dem Halbleiterbauelement zugewandten oberfläche des Trägerteils befindliche Isolatorschicht
ist vorteilhafterweise eine Oxidschicht und besteht vorzugsweise
aus einem Oxid eines Metalls des Trägerteils.
Als Material für den Trägerteil kommen neben dem bevorzugten
Tantal jedoch auch andere Metalle, z.B. Titan, in Frage ο Wesentlich
ist, daf3 die als Trägerteil zu verwendenden Metalle dem Tantal ähnliche vorteilhafte/Eigenschaften aufweisen. Zu
diesen besonders vorteilhaften Eigenschaften gehören die hohe
Wärmeleitfähigkeit, ein dem Halbleitermaterial ähnlicher Ausdehnungskoeffizient
des Metalls und dessen Oxids, relativ... leichte Oxydierbarkeit des Metalls, das festhaftende OxIdschichten
zu bilden gestattet, so daß die Verbindung der Metallschicht mit der Oxidschicht eine genügend mechanische
Festigkeit und einen guten Wärmekontakt aufweist.
Weiterhin ist es vorteilhaft, den Trägerteil plattenförmig
auszubilden, so daß der Träger in einem Planartechnik-Verfahren hergestellt werden kann. Für ein solches-Herstellungsverfahren
ist Tantal ebenfalls bevorzugt geeignet, da auf dieses Metall eine festhaftende Schicht aus Tantaloxid aufgebracht
werden kann, die eine sehr gute elektrische Isoüatorschicht
bildet.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist der mit einer
elektrischen Isolatorschicht versehene TriJgerteil in mehrere,
, . 109853/150 2 " 5 "
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gegeneinander isolierte Trägerteilstücke unterteilt. Biese
Ausführungsform ist vor allem dann zweckmäßig, wenn mehr als zwei verschieden dotierte Bereiche des mit .einem Träger'zu
versehenden Halbleiterbauelements auf verschiedenen elektrischen Potentialen liegen und deshalb isoliert sein müssen,
wie das z.B. bei Transistoren der Fall ist.
Ist das Halbleiterbauelement beispielsweise ein Widerstand
oder eine Diode, dann sind die elektrischen Kontakte zweck-.
mäßig auf die elektrische Isolatorschicht aufgebracht. Eine
Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß mindestens ein
elektrischer Kontakt des Bauelements auf die elektrische
Isolatorschicht aufgebracht ist und mindestens ein anderer
elektrischer Kontakt durch die Isolatorschicht hindurch mit
dem Trägerteil verbunden ist.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich
aus der nachfolgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen
anhand der Figuren 1 bis 4. In den Figuren sind^glciche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehene
In Figur 1 ist ein erfindungsgemäßer Träger für Halbleiterbauelemente
im Schnitt dargestellt. Der Trägerteil 3 aus
elektrisch und thermisch leitendem Material ist auf der dem Halbleiterbauelement 1 zugewandten Oberfläche mit einer f-jsthaftenden
elektrischen Isolatorschicht 2 versehen.
In Figur 2 ist eine mit einem erfindungsgemäßen Träger versehene Lumineszenzdiode im Schnitt dargestellt. Die Lumineszenzdiode
1 setzt sich aus zwei entgegengesetzt dotierten Zonen, einer ή-Zone 4 und einer p-Zone 5, beispielsweise eines
GaAs-GrundkristaMs zusammen. Die η-dotierte Kristallzone 4
ist in der Figur scheibenförmig dargestellt. Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, dieser Kristallzone 4 zur Verminderung
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der Reflexionsverluste des durch diese Zone 4 austretenden,
in der Diode erzeugten Lumineszenzlichtes eine, unter .dem Namen "Yieierstrass-Gfiometrie" in anderem. Zusammenhang bekanntgewordene,
spezielle geometrische Form zu verleihen. Dabei "besteht die Zone 4 aus einem zylinderförmigen Teil,
an den sich ein halbkugelförmiger Teil anschließt; die Hohe
des zylinderförmigen Teils ist gleich dem Quotienten aus dem Radius des halbkugelförmigen"Teils und dem Brechungsindex
des verwendeten Halbleitermaterials. Mittels dieser Geometrie
φ wird erreicht, daß- die im Halbleiterkristall entstandene Strahlung
diesen Kristall nahezu parallel und senkrecht nach oben verläßt und nur geringe Streuverluste auftreten. Der ebene
großflächige Trägerteil 3 besteht aus einem Metall, insbesondere aus Tantal. Auf der der Lumineszenzdiode 1 zugekehrten
Seite ist der Trägerteil 3 mit einem zur Zone 5 der Diode 1
führenden Nickelkontaktstück 6 und einer das Kontaktstück 6 umschließenden Oxidschicht 2 des verwendeten !Ietails, insbesondere
Tantaloxidschicht, versehen. Auf diese Schicht 2 irrt
eine den Nickelkontakt 6 mit Abstand umgebende Chromnickelschicht 7 aufgebracht, deren der Diode 1 zugekehrte Oberfläche
zweckmäßig vergoldet ist. Der dünne Goldfilm ist in der
Figur mit dem Bezugszeichen 8 versehen. Der liickelkontakt 6
™ ist über eine dünne Zinnschicht 9 mit der Zone 5 der Diode *
und die vergoldete Chromnickelsehicht 7 ist über eine dünne Zinnschicht 9 mit der Zone 4 der Diode 1 dicht verbunden.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, den Nickelkontakt 6 auf
den Trägerteil 3 aufzulöten. Der Nickelkontakt 6 kann aber beispielsweise auch durch Punktschweißen, durch elektrolytisches
Abscheiden oder Aufdampfen des Nickels auf den Trägerteil 3 aufgebracht werden. Hierzu wird die nicht zu kontaktierende
Tantaloberfläche in bekannter V/eise beim Punktschweißen mit einer .Fotolackschicht, beim elektrolytischen Abschei-■
den oder Aufdampfen mit einer geeigneten Maske bedeckt. Die
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das Kontaktstück 6 umschließende Tantaloxidsclricht 2 wird
vorteilhaft thermisch aufoxydiert und day auf der llickolkontaktobcrfläche
dabei entstandene nickeloxid- in Wasserstoffatmosphäre
reduziert. Es kann aber auch zweckmäßig sein, die Tanteloxidschieht auf elektrolytischem Wege auf den vorzugsweise
aus Tantal bestehenden Trägerteil 3 aufzubringen. Beidiesem
Verfahren wird das vorzugsweise aus Hickel bestehende
I,Ieta.llkontaktstück 6 erst nach dem Aufbringen der Tantaloxidschicht
3 an der vorgesehenen, durch Ätzen freigelegten Stelle auf den Tantalträgerteil aufgedampft.
Die das Nickelkontaktstück 6umscMießende Uhromnickelschicht
wird vorteilhaft im Vakuum auf die Tantaloxidnchicht 3 zweckmäßig
in einer solchen Dicke aufgedampft und anschließend vergoldet, daß die Nickelkontaktoberfläche und die Oberfläche
der vergoldeten. Chromnickelschicht in einer Ebene liegen« Erhebt sich beispielsweise der Nickelkontakt 1-5/um über der Oberfläche
des bevorzugt aus Tantal bestehenden Trägerteils 3, dann
muß die Gesamtdicke der Schichten 2, 7 und 8 n\7i?ckmäßig auch
. 15/ün betragen,Wobei die Tantaloxidschicht 2 den größten Anteil an der Gesamtdieke liefert und der Goldfilin 8 nicht dicker
als etwa 0,1 bis 1 /um ist.
Anschließend werden die beiden .voneinander isolierten, zweckmäßig in einer Ebene liegenden Kontaktoberflächen mit den beiden verzinnten, in einer Ebene liegenden Diodenkontaktoberflächen 9 dicht verlötet und die Kontaktoberfläche 8 mit einer
Stromzuführung 10 versehen. Die andere Stromzuführung kann
direkt über den Tantalträgerteil 3 und das aus Hickel bestehende Iletallkontaktstück 6 erfolgen.
Figur 3 zeigt ein anderes, mit einem erfindungsgemäßen Träger versehenes Halbleiterbauelement, das unter dem Namen "Gunn-Oszillator"-bekanntgeworden
ist. Der Gunn-Oszillator 1 setzt
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ΡΛ 9/50.1/384 - 8 -
sich aus einer semiisolierenden Zone 11 und einer n-dotierten
Zone 12, vorzugsweise eines GaAs-Kristalls, zusammen.
Auf der dem Halbleiterkörper 1 zugekehrten Seite ist der aus einem 1,Ietall, vorzugsweise aus Tantal, bestehende Trägerteil
3 mit einem zur Zone 12 der Diode führenden Metallkontaktstück 6, vorzugsweise Nickelkontaktstück, und einer das Kontaktstück
6 umschließenden Oxidschicht 3 des verwendeten Metalls,
vorzugsweise Tantaloxidschicht, versehen. Auf diese Schi.cht 3 ist eine den Nickelkontakt 6 mit Abstand umgebende,
vorzugsweise aus Chromnickel bestehende Schicht 7 aufgebracht, deren der Diode 1 zugekehrte Oberfläche zweckmäßig
vergoldet ist. Diese dünne Goldschicht ist mit dem Bezugszeichen 8 versehen. Der Nickelkontakt 6 ist über eine dünne
Zinnschicht 9 rait der. Zone 12 der Diode und die vergoldete
Chromnickelschicht 7 über eine dünne Zinnschicht 9 mit der Zone 11 der Diode 1 dicht verbunden.
In Figur 4 ist eine aus drei in Figur 3 dargestellten Gunn-Oszillatoren
gebildete integrierte Schaltung in Draufsicht dargestellt, die mit einem Träger gemäß der Erfindung versehen
ist. In dieser Figur sind nur die n-Zone 12 und die semiisolierende Zone 11 des GaAs-Kristalls sowie die zweckmäßig
in einer Ebene liegenden verzinnten Diodenkontaktoberflächen 9 dargestellt. Die beiden voneinander isolierten, in
einer Ebene liegenden Kontaktoberflächen, die auf den ebenen Trägerteil aufgebracht sind, wurden zur besseren Übersicht
weggelassen.
Der erfindungsgemäße Träger für Halbleiterbauelemente ist auch zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften und Lebensdauer
von anderen, hier nicht ausdrücklich erwähnten Halbleiterbauelementen geeignet, zu diesen gehören beispielsweise
Transistoren und Lawinendioden.
19 Patentansprüche ΟΑ_ __
4 Figuren ßAD ORiGHMAL
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Claims (19)
1. Träger für Halbleiterbauelemente zur Verbesserung deren
elektrischer Eigenschaften und Lebensdauer, gekennzeichnet durch einen Trägerteil aus elektrisch und thermisch leitendem.
Material und eine dünne, zumindest auf der dem Halbleiterbauelement zugewandten Oberfläche des Trägerteils befindliche,
festhaftende elektrische Isolatorschicht.
2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerteil
aus einem Metall besteht.
3. Träger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Trägerteil aus Tantal besteht.
4. Träger nach Anspruch 1, dadurch-gekennzeichnet, daß der Trägerteil aus mindestens zwei Schichten verschieden elektrisch
und thermisch leitender Materialien besteht.
5. Träger nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerteil aus mindestens zwei Metallschichten besteht.
6. Träger nach Anspruch 1,4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß
der Trägerteil aus einer Tantalschicht und einer Kupferschicht
besteht.
7. Träger nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerteil plattenförmig ausgebildet ist.
8. Träger nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne,'zumindest auf der dem Halbleiterbauelement
zugewandten Oberfläche des Trägerteils befindliche Isolatorschicht eine Oxidschicht ist.
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wtA.
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9. Trager nach einem der Ansprüche 1 biß 8, dadurch gekennzeichnet
, daß die elektrische Isolatorschicht aua einem Oxid einer.
Metalls des Trägerteils besteht.
10. Träger nach einen der Ansprüche 1 bis 9> dadurch gekennzeichnet,
daß die Isölatorschicht aus Tantaloxid besteht.
11. Träger nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeich
net, daß der mit einer elektrischen Isolatorschicht versehene Tragerteil in mehrere, gegeneinander isolierte Trligertoilstüclte
unterteilt ist.
12. Halbleiterbauelement mit einem Träger nach einem der Ansprü
1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Kontakte des Bauelements auf die elektrische Isolatorschicht der,
Trägerteils aufgebracht sind.
13. Halbleiterbauelement mit einem Träger nach einem der Ansprüche
1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein elektrischer Kontakt des Bauelementes auf die elektrische Isolatorschieht
aufgebracht ist und mindestens ein anderer elektrischer Kontakt durch die Isolatorschicht hindurch mit dem 'i'rägertcll
verbunden ist.
H. Halbleiterbauelement nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der auf der elektrischen Isolatorschicht aufgebrachte Kontakt eine Chroranickelschicht ist.
15· Ilalbleiterbauelement nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß der durch die Isolatorschicht hindurch mit dem Trägerteil verbundene Kontakt aus Nickel besteht.
16. Lumineszenzdiode mit einem Träger nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerteil aus Tantal
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und die elektrische Isolatorschicht aus Tantaloxid "besteht, daß ein durch die Isolatorschicht hindurch mit dem Trägerteil
verbundenes elektrisches Nickelkontaktstück zu der einen Zones
der Diode führt und daß eine den zweiten elektrischen Kontakt
"bildende, auf der Isolatorschicht aufgebrachte Chromnickel-.
schicht mit der anderen Zone der Diode fest verbunden ist.
17. Lumineszenzdiode nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ghromnickelsehicht vergoldet ist.
18. Lumineszenzdiode nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die der Diode zugewandten Metallkontaktoberflachen mit einer'dünnen Zinnschicht versehen sind.
19. Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einem
der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem ebenen Trügerteil aus Tantal ein Nickelkontaktstück
aufgelötet, eine dieses Kontaktstück umschließende Tantaloxidschicht thermisch aufoxydiert und das auf der NickelkontaktstückOberfläche
entstehende Niclceloxid in Y/asserstoffatmosphäre
reduziert wird, daß die das Nickelkontaktstück umschließende Chromnickeischicht im Valruum auf die Tantaloxidschicht
in einer solchen Dicke aufgedampft und anschließend vergoldet wird, daß die Nickelkontaktstückoberfläche und die
Oberfläche der vergoldeten Ghromnickelschicht in einer Ebene liegen und daß das zu einer Zone der Diode führende Metallkontaktstück und die das I-Ietallkontaktstück mit Abstand umgebende,
mit der anderen Zone der Diode zu verbindende Metallschicht mit den beiden verzinnten, in einer Ebene liegenden
Kontaktoberflächen der Diode dicht verlötet werden.
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DE3051195C2 (de) * | 1980-08-05 | 1997-08-28 | Gao Ges Automation Org | Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten |
GB2135521A (en) * | 1983-02-16 | 1984-08-30 | Ferranti Plc | Printed circuit boards |
US4685987A (en) * | 1983-09-02 | 1987-08-11 | The Bergquist Company | Method of preparing interfacings of heat sinks with electrical devices |
US4916515A (en) * | 1985-06-03 | 1990-04-10 | Levi Clifford A | Microwave circuit integrating |
US5596231A (en) * | 1991-08-05 | 1997-01-21 | Asat, Limited | High power dissipation plastic encapsulated package for integrated circuit die |
US5700715A (en) * | 1994-06-14 | 1997-12-23 | Lsi Logic Corporation | Process for mounting a semiconductor device to a circuit substrate |
US6090484A (en) * | 1995-05-19 | 2000-07-18 | The Bergquist Company | Thermally conductive filled polymer composites for mounting electronic devices and method of application |
US5679457A (en) * | 1995-05-19 | 1997-10-21 | The Bergquist Company | Thermally conductive interface for electronic devices |
SG59997A1 (en) * | 1995-06-07 | 1999-02-22 | Ibm | Apparatus and process for improved die adhesion to organic chip carries |
GB2334633B (en) * | 1998-02-21 | 2002-09-25 | Mitel Corp | Low leakage electrostatic discharge protection system |
US6486561B1 (en) * | 2000-09-12 | 2002-11-26 | Luminary Logic, Ltd. | Semiconductor light emitting element formed on a clear or translucent substrate |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414968A (en) * | 1965-02-23 | 1968-12-10 | Solitron Devices | Method of assembly of power transistors |
US3506886A (en) * | 1965-03-08 | 1970-04-14 | Itt | High power transistor assembly |
US3479570A (en) * | 1966-06-14 | 1969-11-18 | Rca Corp | Encapsulation and connection structure for high power and high frequency semiconductor devices |
GB1181459A (en) * | 1966-09-30 | 1970-02-18 | Nippon Electric Co | Improvements in Semiconductor Structures |
GB1130666A (en) * | 1966-09-30 | 1968-10-16 | Nippon Electric Co | A semiconductor device |
US3471923A (en) * | 1966-12-09 | 1969-10-14 | Rca Corp | Method of making diode arrays |
JPS4697Y1 (de) * | 1967-03-09 | 1971-01-06 | ||
US3469017A (en) * | 1967-12-12 | 1969-09-23 | Rca Corp | Encapsulated semiconductor device having internal shielding |
US3478161A (en) * | 1968-03-13 | 1969-11-11 | Rca Corp | Strip-line power transistor package |
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