DE1764013A1

DE1764013A1 - Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE1764013A1
Application number: DE19681764013
Authority: DE
Inventors: Franklin William Sidney
Original assignee: Deutsche ITT Industries GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 1967-03-24
Filing date: 1968-03-22
Publication date: 1971-04-08
Also published as: GB1161656A; US3449640A

Description

Deutsche ITT Industries QmbH W«S, Franklin - 1

78 Freiburg, Hans-Bunte-Str« 19 12. März 1968

Pat.Mo/Ko

ISE/Reg. 3857 - Pl 556

DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNO, FREIBURO 1.Br.

Halbleiterbauelement

Die Priorität der Anmeldung Nr. 625 857 vom 24, März I967 in den Vereinigten Staaten von Amerika ist in Anspruch genommen.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit drei äußeren Anschlüssen, das insbesondere geeignet ist, durch relativ einfache Massenproduktionsverfahren hergestellt zu werden.

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen ist die Verbindung der aktiven Zonen des Halbleiterelements mit äußeren Anschlüssen eines der wichtigsten Probleme, die mit der Erzielung eines zuverlässigen Bauelements zusammenhängen. Diese Verbindungen müssen zwlsohen den Elektroden des Halbleiterelements und den äuSeren Anschlüssen einen relativ kleinen elektrischen Widerstand aufweisen. Wenn Hochfrequenzleistungsbetrleb zu verwirklichen ist, müssen diese Verbindungen auch eine kleine verteilte Reaktanz besitzen - es 1st insbesondere wichtig, die Serieninduktivität klein zu halten -, wie sie für WMraeableitsweoke auch einen kleinen thernieohen Widerstand zwlsohen den Halbleiterelement und mindestens

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einem der äufleren Anschlüsse besitzen müssen. ^₁ *=>■·.■

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Bisher wurde ein Groflteil der Halbleiterbauelemente in der Welee hergestellt, dafi das aktive Halbleiterelement an einem Halter oder an einem anderen geeigneten Gehäuse angebracht und darauf befestigt wurde, wobei das Gehäuse eine Anzahl von relativ massiven Ansohlußleitungen trägt. Eine Anzahl dünner Verbindungsleitungen wird dann verwendet, um Jede Elektrode des Halbleiterelements mit einer ent« sprechenden Ansohluflleitung zu verbinden· Somit müssen für jede Elektrode zwei elektrische Verbindungen hergestellt werden· FUr ein Halbleiterbauelement, das drei Elektroden besitzt, wie etwa ein konventioneller bipolarer Flächentransistor, sind somit mindestens sechs Verbindungsstellen erforderlich. Diese Verbindungsstellen, insbesondere diejenigen, die direkt auf dem Halbleiterkörper hergestellt werden, sind mechanisch relativ empfindlich und besitzen eine niedrige Zuverlässigkeit im Vergleloh zu den anderen Teilen des Bauelements·

Zusätzlich ist es beim Zusammenbau der Halbleiterbauelemente nach diesem Stand der Technik generell nötig, ein Mikroskop oder ein stark vergrößerndes Glas zusammen mit hoch entwickelten Apparaten zu verwenden, wobei eine Fachkraft den zu verbindenden Draht in die Nähe der entsprechenden Elektrode des Halbleitereleoents bringt und manuell das Herstellen jeder eolohen Verbindung steuert. Das ist eine zienlioh ermüdende und aufwendige Hersteilung*teohnik. Es wurden Versuch· angestellt, ein Halbleiterbauelement herzustel« len, bei dem man in der Lage ist, die äußeren Anschlüsse direkt mit den Elektroden des Halbleiterelement* verbinden tu können. Ein solohm Verfahren ist beispielsweise In der US-Patentsohrift 3 202 888 beschrieben· Aber auch dieses Verfahren besitzt iieelich

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umständliche Verfahrenssohritte und beseitigt nioht die Notwendigkeit der Anwendung von Mikroskopen oder stark vergrößernden Gläsern, da es noch nötig 1st, das Lokalisieren einer Anzahl von Teilstücken genau zu steuern *

Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung« ein verbessertes Halbleiterbauelement, dessen Teilstücke zusammengestapelt sind, anzugeben, das keine Zwischenverbindungsleitungen zwischen den Halbleiterelementelektroden und den äußeren Anschlüssen benötigt· Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein solch verbessertes Bauelement anzugeben, dessen verschiedene Teilstücke so aufeinander abgestimmt sind, daß sie ineinandergreifen und nacheinander ineinanderpassen, so daß der Zusammenbau des Bauelements durch fexsenproduktionsverfahren leicht bewerkstelligt werden kann. Ferner besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, ein stapelbares Halbleiterbauelement anzugeben, das zum Gebrauch bei aktiven Hochfrequenzleistungsbauelementen geeignet 1st.

Bei einem Halbleiterbauelement mit drei äußeren Anschlüssen wird diese Aufgabenstellung erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß es aus einem scheibenförmigen Halbleiterelement, einem oberen und einem unteren Ansohlußkörper, einem Abstandshalter und drei Anschlußleitungen besteht, daß die erste Elektrode des Halbleiterelements mit einem auf der einen Hauptfläohe aufgebrachten, einen Großteil der Hauptfläche bedeckenden lötbaren Metallfilm versehen ist, daß die beiden anderen, sich auf der anderen Hauptfläohe befindenden Elektroden Je eine längliohe, lötbare Metallrippe tragen, daß der obere Ansohlußkörper eine Ausnehmung besitzt, in die das Halbleiterelement eingreift und deren Bodenfläohe mindestens teilweise

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mit dem Metallfilm verlötet ist, daß der Abstandshalter aus elektrisch isolierendem« jedoch gute Wärmeleitung zwischen seiner unteren und βeiner oberen Fläche gewährleistenden Material besteht, daß der Abstandshalter einen ersten und einen zweiten, sich zwisohen oberer und unterer Fläche verlaufenden Schlitz aufweist, daß die Innenseite der Schlitze mit einem elektrisch leitenden Film ausgekleidet ist, daß die Schlitze an ihrem an die obere Fläche tretenden Teil zur Bildung sich nach außen erweiternder Enden angesenkt sind, daß Je eine Metallrippe in die erweiterten Enden eingreift und dort verlötet 1st, daß die untere Fläche des Abstandshalters eine erst·, und eine zweite mit dem leitenden Film der Schlitze jeweils elektrtaeh verbundene, lötbare Metallfläche besitzt, daß auf der oberen Fläohe des Abstandshalters ein zusätzlicher lötbarer Metallstrelfen angebracht ist, der zur mechanischen Befestigung mit dem oberen Ansohlußkörper verlötet 1st, daß der untere Anschlußkörper eine Ausnehmung besitzt, in die der Abstandshalter eingreift, daß die erste Metallfläche des Abstandshalters mindestens teilweise mit der Bodenfläche der Ausnehmung zur Bildung einer gut elektrisch und Wärme leitenden Verbindung verlötet ist, daß die Ausnehmung einen an die zweite Metallfläche des Abstandshalters angrenzenden, vertieften Teil zur Vermeidung einer Berührung von zweiter Metallfläohe und unterem Ansohlußkörper besitzt und daß am oberen Anschlußkörper, an der zweiten Metallfläche des Abstandshalters, sowie am unteren Ansohlußkörper je eine Anschlußleitung angeschlossen ist.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen und anhand der in der Zeichnung dargestellten Figuren näher erläutert.

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Fig. 1 ulgt ein« Analoht einer bevorzugten AuefUhrungaform der Erfindung in aueeinandergenoffiiseneia Zustand.

Fig. 2 zeigt den Querschnitt des zusammengebauten Bauelemente der Fig. 1 entlang der Sohnittebene A-A¹.

Flg. 3a zeigt in Aufsicht den Abstandshalter, der im Bauelement der Fig. 1 verwendet wird.

Fig. 3b zeigt den Grundriß des Abstandshalter.

Fig. 3o zeigt den frontalen Querschnitt des Abstandshalter entlang der Sohnittebene B-B* der Fig. 3a.

Fig· 3d zeigt den seitlichen Querschnitt des Abstandshalters entlang der Schnittebene C-C¹ der Flg. 3a.

Fig. 4 zeigteine Aufsicht auf das aktive Halbleiterelement« das in der AusfUhrungsform naoh Fig. 1 verwendet wird.

In Fig.4 1st das aktive Halbleiterelement 7* das in dem bevorzugten Aueführungsbeispiel der Erfindung verwendet wird, ein Hochfrequenzlelstungstraneistor mit kammartig ineinandergreifenden Elektroden. Der Transistor 7 hat eine zentrale Emitterzone und eine darUberliegende Emitterkontaktmetallisierung I5 in Form eines zentralen Stegs ■lt einer Mehrzahl von Fingern« die davon ausgehen. In elektrischem Xontakt ult dem Emittersteg 1st darauf eine hervorstehende Emitter-Metallrippe 9 aufgebracht« die aus einem lötbaren Material« wie etwa Gold« besteht· Andererseits kann auch die hervorstehende Metallrippe 9 aus einem Blei/Zinn- oder Qold/Germanium-Lot bestehen. Die Eaitterlcontaktmetalliaierung 15 besteht vorzugsweise aus einer

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aufgebrachten Alurainiumsehioht, die durch bekannte Verfahren der Vakuumaufbringung und Fotoätzung gebildet 1st. Die hervorstehende längliohe Emitter-Metallrippe 9 kann durch Dickplattieren oder Elntauohen In flüssiges Lot hergestellt werden. Vorzugsweise wird die hervorstehende Metallrippe 9 durch Eintauchen in flüssiges Lot hergestellt« d.h. durch Maskieren der gesamten Oberfläche des Emitters mit einer geeigneten Schutzschicht, wie z.B. aufgebrachtes Siliciumdioxid, unter Ausnahme des länglichen Teils, auf dem die Metallrippe gebildet werden soll, und anschliefendes Eintauchen des Halbleiterelements 7 in ein Lötbad, so dafl das Lot nur an den freiliegenden Flächen der Aluminiumkontaktmetallisierung 15 entlang des Emitterstegs haftet und so die gewünschte hervorstehende Metallrippe 9 als Lötkontakt bildet.

Die Emitterzone wird von einer Basiszone und einer auf ihr angebrachten Kontaktierungemetallisierung (vorzugsweise auch aus Aluminium) 16 umgeben, und zwar in Form einer Mehrzahl von inelnandergreifenden Fingern, die in die Finger der Emitterstruktur eingreifen. Auf der Basiskontaktmetallisierung 1st eine hervorstehende, längliche und lötbare Metallrippe 8 angebracht, die von der Emitter-Metallrippe 9 räumlich getrennt ist und parallel zu ihr verläuft. Die hervorstehende Basis-Betallrippe 8 kann in der gleiohen Welse hergestellt werden wie die hervorstehende Emitter-Metallripp· 9) vorzugsweise werden beide hervorstehenden Metallrippen gleichzeitig duroh das beschriebene Verfahren des Eintauchens in flüssiges Lot hergestellt.

Zur Blldungder Kollektorelektrode des Halbleiterelementa wird naoh Flg. 2 ein geeigneter lötbarer Metallfilm 17 »uf der gegenüberliegenden Hauptf lache des Halbleitereleaents 7 aufgebracht. Die sich

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ergebende Elektrodenstruktur des aktiven Elements 7 ist im Schnitt in Pig. 2 gezeigt.

In Fig. 1 sind die verschiedenen Teilstücke gezeigt, die bei der Herstellung des bevorzugten AusfUhrungsbeispiels des stapelbaren Bauelements nach der Erfindung verwendet werden. Die einzelnen Teilstücke bestehen

1) aus einem oberen Anschlußkörper 2 aus leitfähigem Material; der obere Anschlußkörper 2 besteht vorzugsweise aus einem Metallteil, das einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von zu dem des Halbleiterelements 7 vergleichbarer Größe besitzt! im bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht das Halbleiterelement 7 aus Silicium und der obere AnschluSk^rper 2 aus Molybdän;

2) aus dem aktiven Halbleiterelement 7* das in Fig* 2 so orientiert gezeigt ist, daS der Metallfilm 17» der die Kollektorelektrode darstellt, zum oberen Anschlußkörper 2 gewandt ist; das Halbleiterelement 7 ist rechteckig gezeigt; die untere Fläche des oberen Ansohlußkörpers 2 besitzt eine rechteckige Ausnehmung, in die das Halbleiterelement 7 eingreift;

J5) aus einem isolierenden Abstandshalter 4; der Abstandshalter hat vorzugsweise einen Auedehnungskoeffizienten, der ähnlich ist demjenigen des Halbleiterelements 7 und des unteren Ansohlußkörpers 1; es wurde gefunden, daß ein Berylliumoxydabstandshalter für diesen Zweck geeignet ist; der Abstandshalter 4 besitzt zwei Schlitze 5 und 6, die sich zwischen zwei freien Oberflächen durch ihn hindurch erstrecken; die Schlitze 5 und

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sind so auegebildet, daß sie mit den länglichen, hervorstehenden Emitter- und Basis-Metallrippen δ und 9 des Halbleitexelements fluchten; die Schlitze 5 und 6 sind an der oberen Fläche des Abstandshalters 4 angesenkt, um naoh außen sich erweiternde Enden zu bilden, in die die entsprechenden hervorstehenden Emitter- und Basis-Metallrippen 9 und 8 eingreifen; die Schlitze und die nach außen erweiterten Enden sind aus Fig· 3d klar ersichtlich, ebenso in Flg. 2; die obere Fläche des Abstandshalters 4 enthält auch einen zusätzlichen Metallstreifen 13; dieser Metallstreifen ist lötbar und dazu vorgesehen, mit einem entsprechenden Anschlag des oberen Anschlußkörpers 2 verbunden zu werden, wenn das Bauelement zusammengesetzt wird; jeder der Sohlitze 5 und 6 besitzt an den Innenseiten einen elektrisch leitenden Film, der sich zwischen den gegenüberliegenden Flächen des Abstandshalters 4, wie in den Fig. 2 und 3d gezeigt, erstreckt; dieser leitende Film wird naoh bekannten Metallisierungsverfahren hergestellt; die untere Fläohe des Abstandshalters 4 besitzt eine erste und eine zweite lötbare Metallfläche 12, bzw. 11; die erste Metallfläche 12 ist elektrisch mit dem leitenden Film an der Innenseite des Schlitzes 5 verbunden, während die zweite Metallfläche 11 elektrisch mit dem leitenden Film an der Innenseite des Schlitzes 6 verbunden 1st; alle Metallisierungen an den Innen- und Außenfläohen des Abstandshalter 4 sind lötbar; zur Erläuterung des Verständnisses der Erfindung 1st der Abstandshalter 4 in der Anordnung der Flg. 1 so gezeigt, als wäre er durchsichtig; diese Durchsichtigkeit 1st tatsächlich nicht beabsichtigt; der Berylliumoxydabstandehalter naoh dem bevorzugten AusfUhrungsbeispiel der Erfindung 1st opak;

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4) aus einem unteren Anschlußkörper 1, der aus leitfähigem Material mit einem Ausdehnungskoeffizienten ähnlich dem des Abstandehalters 4 bestehtj im bevorzugten AusfUhrungsbeispiel ist für diesen Zweck Molybdän verwendet; der untere Ansohlußkörper 1 besitzt in seiner oberen Oberfläche eine rechteckige Ausnehmung, in die die untere Fläche des Abstandshalters 4 eingreifti die Ausnehmung des unteren Anschlußkörpers ist so geformt* daß sie einen vertieften Teil 18 besitzt, der an die zweite Metallfläche 11 des Abstandshalters 4 grenzt, um die elektrische Isolierung zwischen der zweiten Metallfläche 11 und dem unteren Anschlußkörper 1 zu gewährleisten} im bevorzugten Ausführungsbeispiel der Fig. 1 erstreckt sich der vertiefte Teil 18 gänzlich durch den unteren Anschlußkörper 1 hindurch;

5) aus einem Kollektorstreifen j5, der so ausgebildet ist, daß er mit der oberen Oberfläche des oberen Anschlußglieds 2 verlötet werden kann; der Kollektorstreifen > ist so gezeigt, daß er in einer Ausnehmung des oberen AnsohlußkÖrpers 2 angeordnet ist, so daß die obere Fläche des Streifens 3 und der Ansohlußkörper planparallel zueinander sind; es 1st aber ebenso ausreichend, wenn der Streifen 3 die ganze obere Oberfläche des oberen Ansohlußkörpers 2 bedeckt, ohne daß irgendwelche Ausnehmungen in Verbindung damit angewendet werden;

6) aus einem Basisstrelfen 10, der so ausgebildet ist, daß er mit der Metallfläche 11 des Abstandshalters 4 verlötet werden kann; der Streifen 10 erstreckt sich in den vertieften Teil 18 der Ausnehmung dee unteren AnsohlußkÖrpers 1 hinein.

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Bei der Herstellung der gestapelten Anordnung nach Flg. 1 werden die verschiedenen TeilstUoke durch einfaches, aufeinanderfolgendes Stapeln zusammengebaut, wobei man entweder mit dem unteren Anschluß· körper 1 und dem Basisstreifen 10 beginnt * der Basisstreifen 10 wird von einem geeigneten Zwischenstück getragen, das in dem vertieften Teil 18 angebracht ist - oder mit dem oberen Anschlußkörper 2 und dem Kollektorstreifen 3* Vorzugsweise wird der untere Ansohlußkörper 1 als Bestandteil einer üblichen Transistortragplatte 14 hergestellt, die einen davon ausgehenden Gewindestift 19 besitzt, wie in Flg. 2 gezeigt. Macht man dies, so kann der untere Ansohlußkörper 1 ieioht von der oberen Oberfläche der Tragplatte her abgefräst werden, so daß sich eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit zwlsohen dem unteren Ansohlußkörper 1 und der Tragplatte 14 ergibt. Wird diese Konstruktion verwendet, so wird ein geeignetes Zwischenstück in den vertieften Teil 18 eingesetzt, und die Basisplatte 10 wird davon getragen, so daß die obere Fläche des Basisstreifens 10 in der gleichen Ebene wie der Boden des relativ flaohen Teils der Ausnehmung liegt. Der Berylliumoxydabstandshalter 4 wird dann in den unteren Anschluflkörper eingesetzt und greift in dessen Ausnehmung ein, so daß die Metallfläohe 12 den relativ flachen Teil der Ausnehmung berührt. Die Metallfläohe 11 berührt das Ende der Basiaplatte 10. Die Metallflachen können einen Lötüberzug besitzen oder es können andererseits vorgeformte Lötmengen zwischen den angrenzenden Teilatüoken verwendet werden*

AIa nächster Sohritt wird das aktive Halbleiterelement 7, d.h. der Leiatungatranalstor der Fig. 4 In den Abstandshalter h so eingesetzt, daß dl· hervorstehenden Metallrippen 9 und 8 in dl· erweiterten Enden der Schlitz· 5 und 6 eingreifen. Dann wird dtr

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obere Ansohlußkörper 2 auf die gestapelte Anordnung von Halbleiterelement 7 und Abstandshalter 4 so aufgebracht, daß das Halbleiterelement 7 in die rechteckige Ausnehmung des oberen Anschlußkörpers 2 eingreift, während der zusätzliche Metallstreifen 1> - der mit Lot Überzogen 1st * an einen Anschlag des oberen Ansohlußkörpers 2 stößt. Der lötbare Metallfilm 17 des Kollektors kann nach Fig. 2 mit Lot überzogen sein - durch Eintauchen oder irgendein anderes geeignetes Verfahren -, oder andererseits kann eine vorgeformte Lötmasse zwischen den Metallfilm 17 und die Bodenfläche der passenden Ausnehmung des oberen Anschlußkörpers 2 angebracht werden. Dann wird der Kollektorstrelfen 3 in die Ausnehmung der oberen Fläche des oberen Anschlußkörpers 2 eingesetzt und ein nicht gezeigtes geeignetes Gewicht auf die obere Fläche des oberen Anschlußkörpers 2 aufgesetzt, damit es \,l~- einzelnen TeilstUoke des aufeinandergeatapelten Bauelements xn Eingriff miteinander hält und die verschiedenen TellstUeke miteinander verpreßt. Es ist klar, daß die verschiedenen Lötverbindungen entweder durch Verwendung von mit Lot überzogenen Oberflächen oder vorgeformten Lötstüoken gebildet werden können. Die Verwendbarkeit der Teile und die Kosten werden von der für jede besondere Verbindung verwendeten Teohnik bestimmt.

Nachdem die TeilstUoke aufeinandergestapelt sind und das Gewicht auf den Stapel aufgelegt ist, wird die ganze gestapelte Anordnung durch einen Ofen geführt, um die verschiedenen LötÜberzUge oder Lötmengen zu schmelzen und alle Verbindungen gleichzeitig zu verlöten. Das sieh ergebende vollständige Bauelement 1st im Schnitt in Flg. 2 gezeigt. Es soll angemerkt werden, daß die Dicke des

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Abstandehalters 4 bezüglich der Abmessungen der Ausnehmungen des oberen und des unteren Ansehlußkörpers 2 und 1 so gewählt wird, daß diese Glieder elektrisch voneinander isoliert bleiben« d.h. die Dioke des Abstandshalters 4 zwisohen den gegenüberliegenden Oberflächen ist größer als die Summe der Tiefe der Ausnehmungen des oberen und des unteren Ansohlußkörpers.

Es soll angemerkt werden» daß im zusammengesetzten Bauelement nach Fig. 2 das aktive Halbleiterelement 7 mit den äußeren Ansohlußelektroden 3* ¹⁰ und 14 so verbunden ist, daß sich ein Bauelement mit geerdetem Emitter ergibt, d.h. die Emitterelektrode 9 1st elektrisch mit der Tragplatte 14 und dem Gewindestutzen I9 verbunden, während die Kollektorelektrode 17 elektrisch mit der Kollektorplatte 3 und die Basiselektrode 8 elektrisch mit der Basisplatte 10 verbunden 1st.

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Claims

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Patentansprüche

1· Halbleiterbauelement mit drei äußeren Anschlüssen, daduroh gekennzeichnet» daß es aus einem scheibenförmigen Halbleiterelement (7), einem oberen (2) und einem unteren (1) Anschlußkörper, einem Abstandshalter (4) und drei Ansohlußleitungen besteht, daß die erste Elektrode des Halbleiterelements mit einem auf der einen Hauptfläche aufgebrachten, einen Großteil der Hauptfläohe bedeckenden lötbaren Metallfilm (17) versehen ist, daß die beiden anderen, sich auf der anderen Hauptfläche befindenden Elektroden Je eine längliche, lötbare Metallrippe (9, 8) tragen, daß der obere Anschlußkörper (2) eine Ausnehmung besitzt, in die das Halbleiterelement eingreift und deren Bodenfläche mindestens teilweise mit dem Metallfilm (17) verlötet ist, daß der Abstandshalter (4) aus elektrisch isolierendem, jedoch gute Wärmeleitung zwischen seiner unteren und seiner oberen Fläche gewährleistenden Material besteht, daß der Abstandshalter einen ersten (5) und einen zweiten (6), sich zwischen oberer und unterer Fläche verlaufenden Schlitz aufweist, daß die Innenseite der Schlitze mit einem elektrisch leitenden Film ausgekleidet ist, daß die Schlitze an ihrem an die obere Fläche tretenden Teil zur Bildung sich nach außen erweiternder Enden angesenkt sind, daß je eine Metallrippe (8, 9) in die erweiterten Enden eingreift und dort verlötet ist, daß die untere Fläche des Abstandshalters eine erate (12) und eine zweite (11) mit dem leitenden Film der Schlitze jeweils elektrisch verbundene, lötbare Metallfläche besitzt, daß auf der oberen Fläche des Abstandshalters ein zusätzlicher lötbarer Metallstreifen (13) angebacht ist, der zur mechanischen Befestigung mit dem oberen Ansohlußkörper (2) verlötet let, daß der untere Ansohlußkörper (1) eine Ausnehmung besitzt. In dl® der Abstandshalter (4) eingreift, daß die erste

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Metallfläche (12) des Abstandshalters mindestens teilweise mit der Bodenfläehe der Ausnehmung zur Bildung einer gut elektrisch und Wärme leitenden Verbindung verlötet ist, daß die Ausnehmung einen an die zweite Metallfläohe (11) des Abstandshalters angrenzenden, vertieften Teil zur Vermeidung einer Berührung von zweiter Metallfläche (11) und unterem Anschlußkörper (1) besitzt und daß am oberen Ansohlußkörper, an der zweiten Metallfläohe des Abstandshalters, sowie am unteren Anschlußkörper je eine Ansohlußleltung angeschlossen ist·

2* Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, daduroh gekennzeichnet, daß die Dicke des Abstandshalters (4) größer ist als die Summe der Tiefe der Ausnehmungen.

3. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an der zweiten Metallfläohe (11) des Abstandshalters angebrachte Anschlußleitung aus einem mit der Metallfläche verlöteten Metallstreifen (10) besteht.

4. Halbleiterbauelement naoh den Ansprüchen 1 bis J5, daduroh gekennzeichnet, daß die am oberen Anschlußkörper angebrachte Anschlußleitung aus einem mit dem Anschlußkörper verlöteten Metallstreifen (3) besteht.

5« Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, daduroh gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement aus einem Transistor besteht und daß die erste Elektrode der Kollektor und die beiden anderen Elektroden Basis und Emitter sind.

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6. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche

1 bis 5# dadurch gekennzeichnet, daß einer der Anschlußkörper mit einem Wärmeableitkörper und einer Tragplatte (14) guter Wärmeleitfähigkeit verbunden ist, der eine wesentlich größere Masse als das Halbleiterelement besitzt.

7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeableitkörper und der mit ihm verbundene Ansohlußkörper aus einem Stück bestehen.

8. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeableitkörper mit dem unteren An-. sohlußkörper verbunden ist.

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