DE2229605A1 - Halbleiterbauteile mit stabilen Hochspannungs-Übergängen - Google Patents

Halbleiterbauteile mit stabilen Hochspannungs-Übergängen

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DE2229605A1 DE19722229605 DE2229605A DE2229605A1 DE 2229605 A1 DE2229605 A1 DE 2229605A1 DE 19722229605 DE19722229605 DE 19722229605 DE 2229605 A DE2229605 A DE 2229605A DE 2229605 A1 DE2229605 A1 DE 2229605A1
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Description

Dipl.-lng. H. Sauerland ■ Dn.-lng. R. König ■ Dipl.-lng. K. Bergen
Patentanwälte · 4odd Düsseldorf · Cecilienallee 7S ■ Telefon .432732
16. Juni 1972 Unsere Akte: 27 423 Be/Z/Fue
RGA Corporation, 30, Rockefeller Plaza, New York, N0Y0 10020 (V0St.A.)
"Halbleiterbauteile mit stabilen Hochspannungs-Übergängen"
Die Erfindung betrifft Halbleiterbauteile, insbesondere solche, die während ihres Betriebs relativ hohe Spannungen vertragene
Hochspannungs-Halbleiterbauteile erfordern eine große Sperrschichtbreite in einer der neben dem Hochspannungs-PN-Übergang gelegenen Zonen. Dieses Erfordernis wird im allgemeinen durch Verwendung wenigstens einer relativ dicken Zone hohen spezifischen Widerstands (leicht dotierte Zone) im Anschluß an den Übergang erfüllt.
Dieser Aufbau des Bauteils führt jedoch zu mindestens zwei Hauptproblemen. Erstens werden die Oberflächen der Zonen hohen spezifischen Widerstands leicht von äußeren Ladungen im Bereich des Übergangs beeinflußt. Auf diese Weise beeinflussen die Bedingungen im umgebenden Medium in einem Abstand von Bruchteilen von Millimetern vom Übergang, beispielsweise Ladungsverschiebungen und -aufbau, den Übergang. Zweitens entstehen während des Betriebs mit hohen Spannungen zwischen Punkten unterschiedlichen Potentials an der Randfläche des Bauteils elektrische Randfelder; diese Randfelder ändern die Sperrschicht an der Randfläche in
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unzulässigem Maße«, Darüber hinaus erstrecken sich diese Randfelder oft bis über die zur Passivierung verwendeten Isolierschichten hinaus und werden durch äußere Ladungen beeinflußt. Das führt dazu, daß der Hochspannungs-Übergang die sonst im Inneren "größten" Teil des Übergangs erreichbare ideale Durchbruchsspannung nicht verträgt«
Zum Stande der Technik gehören verschiedene Verfahren zur Beeinflussung dieser Randfelder und zur Schaffung des erforderlichen Schutzes gegen äußere Ladungseinflüsse ο In diesem Zusammenhang bedeutet "Beeinflussung der Randfelder", daß der Scheitelwert des elektrischen Feldes an der Schnittstelle des Übergangs mit der Oberfläche verringert wird, indem die Verteilung des Felds in der Raumladungsschicht an der Schnittstelle geändert wird»
Eine Lösung bestand in der Formung (Umrißänderung)-oder Abschrägung der Randfläche des Bauteils im Bereich der Schnittstelle des Übergangs mit der Oberfläche. Die* Randformung ist jedoch ein relativ teures Verfahren und kann nicht für alle Halbleiterbauteile verwendet werden, so ist eine Formung beispielsweise nicht bei ebenen Bauteilen anwendbare
Außerdem ist es bekannt, die Randfelder und die äußeren Ladungseinflüsse durch Aufbringen dicker Isolier- und Passivierschichten über der Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle zu steuern,, Hierfür wurden bestimmte Gläser und Harze verwendet.
Weiter wurde für die Lösung dieser Probleme ein Verfahren angewandt, bei dem eine Metallschicht in Ohm'schem Ko-n-
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takt mit der hochleitenden Zone neben dem Übergang, steht« Die Metallschicht überdeckt sowohl den Übergang als auch die Sperrschicht und ist durch eine Isolierschicht von ihnen getrennt.
Andere Möglichkeiten des Aufbaus der Bauteile erreichen diese Ergebnisse bis zu einem gewissen Grad, obwohl sie nicht speziell zur Beeinflussung der Randfelder von Hochspannungs-Übergängen bestimmt sind. Ein Beispiel hierfür ist eine Anordnung, bei welcher eine parasitäre Einflüsse verringernde, im allgemeinen als "Faraday1scher Käfig" bezeichnete Hilfselektrode verwendet wird.
Die vorliegende Erfindung umfaßt ein Halbleiterbauteil mit zwei Halbleiterzonen eines ersten bzw0 zweiten Leitungstyps mit einem zwischen diesen Zonen liegenden PN-Übergang. Das Bauteil ist mit einer mit beiden Zonen in Kontakt stehenden Einrichtung zur Beeinflussung des Randfeldes im Bereich des Übergangs und zur Abschirmung des Übergangs gegen äußere Ladungseinflüsse während des Betriebs des Bauteils versehen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfaßt die Einrichtung zur Beeinflussung des Feldes einen räumlich ausgedehnten Widerstand, der mit beiden Zonen in elektrischem Kontakt steht. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel weist die Einrichtung zur Feldbeeinflussung eine erste und eine zweite leitende Schicht auf, die mit der ersten bzw. der zweiten Zone in Kontakt stehen. Die leitenden Schichten sind einander benachbart angeordnet und überlappen sich in einigem Abstand«,
Die Erfindung wird nachfolgend anhand mehrerer in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläuterte Es zeigen:
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Fig. 1 ein Halbleiterbauteil gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 2 eine teilweise geschnittene und teilweise schematisch als Schaltung dargestellte Ansicht eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauteils;
Figo 5 und 4 eine Schnittansicht bzwe eine Draufsicht
auf ein gemäß Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 .- hergestelltes Halbleiterbauteil;
Figo 5 einen Querschnitt durch ein in Bezug auf das Bauteil nach den Fig. 3 und 4 alternativ aufgebautes Halbleiterbauteil;
Fig. 6 einen Querschnitt durch ein gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung hergestellten Halbleiterbauteil; und
Fig, 7 einen Querschnitt durch ein eine alternative Ausgestaltung des Bauteils nach Fig. 6 darstellendes Halblsiterbauteil.
In Fig„ 1 ist ein bekanntes Halbleiterbauteil gezeigt, das im vorliegenden Fall eine Diode 10 darstellt, wobei die Randfelder 12 die Randfläche 14 zwischen dem Hochspannungs-PN-Übergang 16 und der (in der Figur in gestrichelten Linien dargestellten) Sperrschicht umge-· ben. Wie oben beschrieben, ändern die Randfelder 12, wenn sie nicht beeinflußt werden, die Sperrschicht und vermindern die höchste Durchbruchsspannung, welche der Übergang 16 sonst während normalem Hochspannungsbetrieb aufrechtzuerhalten in der Lage ist„
Beispiel I
Ein erstes erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel ist in Figo 2 gezeigt, welche eine Hochspannungs-PN-Diode mit
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einem verteilt angeordneten Widerstand zur Beeinflussung der Randfelder zeigt. Dieses und die folgenden Ausfiihrungsbeispiele stellen zwar eine Diode dar, jedoch ist es selbstverständlich, daß die Erfindung nicht auf diese Bauteile beschränkt ist und in gleioher Weise bei anderen Halbleiterbauteilen, z.B. !Transistoren, Thyristoren und integrierten Schaltungen, angewandt werden kann.
Die in Fig. 2 als Ganzes mit 20 bezeichnete Diode ist in einem Halbleiterkörper 22, beispielsweise aus/Silizium, gebildet und hat eine obere und eine untere Fläche 24 bzw. 26· Der Umfang des Halbleiterkörpers 22 ist durch eine Randfläche 25 begrenzt. Im Körper 22 sind zwei relativ hochleitende Halbleiterzonen gebildet, die jeweils bis zu einer der Oberflächen verlaufen. So ist in Pig. 2 beispielsweise eine P+ -leitende Zone 28 und eine N4- -leitende Zone 30 gezeigt, die sich jeweils bis zur oberen bzw, unteren Fläche 24 bzw, 26 erstrecken. Diese beiden Zonen 28 und 30 sind durch eine Zone 32 relativ hohen spezifischen Widerstands beliebigen Leitungstyps getrennt; im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Zone 32 hohen spezifischen Widerstands N- -leitend. Die P+Zone 28 und die N-Zone 32 sind durch einen PN-Übergang 34 getrennt, welcher die Randfläche 25 an der Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle 35 schneidet. Dieser Übergang 34 soll während des Betriebs der Diode 20 relativ hohe Spannungsniveaus aufrechterhalten und iiird deshalb im allgemeinen als "Hochspannungs-Übergang11 bezeichnet.
Die Diode 20 weist einen verteilt angeordneten oder räumlich ausgedehnten Widerstand 36 zur Verringerung der Randfelder im Bereich der Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle 35 und zum Schutz des Übergangs 34 gegen
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gegen äußere Ladungseinflüsse während des Hochspannungsbetriebes auf. Der Widerstand 36 steht in elektrischem Kontakt mit den auf gegenüberliegenden Seiten des Hochspannungs-Übergangs 34 gelegenen Zonen; d.h. der Widerstand steht in elektrischem Kontakt mit der P+Zone 28 und entweder der N- oder N+Zone 32 bzw, 30. Wie in Verbindung mit den Figo 3 und 4 noch beschrieben wird, überdeckt der Widerstand 36 die Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle 35 vollständig«
Der Ausdruck "verteilt angeordneter oder räumlich ausgedehnter Widerstand" bedeutet einen entlang eines endlichen Stromweges verteilten Widerstand, Bei der Diode 20 ist der verteilt angeordnete Widerstand neben dem Teil der Oberfläche angeordnet, welcher während des Hochspannungsbetriebes die Sperrschicht einschließt. In Fig. 2 ist zwar eine bestimmte Sperschichtbreite durch gestrichelte Linien dargestellt, jedoch ist klar, daß sich die tatsächliche Sperrschichtbreite bei unterschiedlichen Bauteilen und unterschiedlichen Spannungrnniveaus während des Hochspanmmgsbetriebes ändert. Vorzugsweise ist der Widerstand 36 auf der gesamten Randfläche 25 aufgebracht, wie in Fig. 3 gezeigt ist. Obwohl nicht erfindungswesentlich, ist der Widerstand 36 in geeigneter Weise gegen die Schnittstelle 35 von Übergang und Oberfläche isoliert. Der Widerstand 36 beeinflußt die Randfelder, indem er die Feldlinien so ausrichtet, daß sie entlang des ausgedehnten Widerstands an einen Punkt gleichen Potentials angeschlossen sind; der Widerstand führt also zu einer Ausbreitung der Äquipotential- oder Kraftlinien über die Sperrschichtoberfläche, so daß sie nicht an einem Potentialpunkt konzentriert sind.
Bin spezieller Diodenaufbau unter Verwendung eines
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ausgedehnten Widerstands entsprechend der Fig. 2 ist in den Fig. 3 und 4 gezeigte Diese in ihrer Gesamtheit mit 40 bezeichnete Diode ist in einem Halbleiterkörper 42 mi-deiner obereni einer Rand- und einer unteren Fläche 44, 45 bzw. 46 gebildet. Die Randfläche 45 kann in der in Fig. 3 gezeigten Weise geformt sein, jedoch ist dies nicht wesentlich.
Die Diode 40 weist 2wei hochleitende Zonen entgegengesetzten Leitungstyps an der oberen bzw. unteren Fläche auf. So ist beispielsweise an der oberen Fläche 44 eine P+ -leitende Zone 48 und an der unteren Fläche 46 eine N+ -leitende Zone 50 gebildet. Die hochleitenden Zonen 48 und 50 sind durch eine Zone 52 hohen spezifischen Widerstands (im Ausführungsbeispiel N- -leitend getrennt. Ein Hochspannungs-PN-Übergang 54, welcher die Randfläche 45 an einer Schnittstelle 55 von Übergang und Randfläche durchstößt, trennt die P+ und N-Zone 48 und 52«
Auf der Randfläche 45 ist eine die Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle 55 einschließende Isolierschicht 56 niedergeschlagen. Die Isolierschicht 56 kann beispielsweise aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid bestehen. Eine räumlich ausgedehnte Widerstandsschicht 58 ist auf der Isolierschicht 56 in elektrischem Kontakt mit den beiden Zonen auf beiden Seiten des Übergangs 54 abgeschieden und bedeckt die Schnittstelle von Übergang und Randfläche vollständig«, Wie in Fig# ä 3 gezeigt ist, hat. die Widerstandsschicht 58 über Elektroden 60 und 62 mit den von ihnen kontaktierten P+ und N+Zonen 48 und 50 elektrischen Kontakt.
Das für die ausgedehnte Widerstandsschicht 58 verwendete Material ist nicht kritisch? vorzugsweise wird jedoch
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eine Schicht mit einem spezifischen Flächenwiderstand im Bereich von 10 Ms 1Cr Si. /Quadrat verwendet. Geeignete Materialien sind beispielsweise leicht dotierte polykristalline Halbleitermaterialien, wie Silizium, oder Widerstandslegierungen, widerstandsbehaftete Metalloxide, z.Bο Nickeloxid, Zinnoxid oder Antimontrioxid sowie widerstandsbehaftete hochschmelzende Metalloxide, z.Bo die xiichtstöchiometrischen Oxide von iitan, Chrom, Wolfram oder Molybdän, Wegen der Verträglichkeit mit dem Bauteil und der leichten Herstellung wird jedoch eine polykristalline Siliziumschicht bevorzugt.
Eine Diode 70 von planparallelem Aufbau mit einem räumlich ausgedehnten Widerstand zur Steuerung der Randfelder ist in Figo 5 gezeigt. Drei Halbleiterzonen 78,
80 und 82, die P+, N+ und N leitend sind, sind im
Körper gebildet und entsprechen im wesentlichen den entsprechenden Zonen 48, 50 und 52 des Ausführungsbeispiels nach Fig. 3, mit der Ausnahme, daß die P+ und N-Zonen 78 und 82 sich bis zur oberen Fläche 74 erstrecken. Ein Hochspannungs-PN-Übergang 84 trennt die P+ und N-Zone 78 und 82 und durchstößt die Oberfläche 74 an der Übergangs-Oberflächen-Sohnittstelle 85·
Auf der Oberfläche 74 ist eine Isolierschicht 86 aufgebracht, in der Öffnungen 88 und 90 vorgesehen sind, die durch die Isolierschicht 86 verlaufen und einen Teil der P+ und der N-Zone 78 bzw, 82 freilegen. Auf dem die Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle 85 überdeckenden Abschnitt der Isolierschicht 86 ist eine räumlich ausgedehnte Isolierschicht 92 niedergeschlagen, welche sich durch die Öffnungen 88 und 90 er- . streckt, so daß sie sowohl mit der P+Zone 78 als auch mit der N-Zone 82 Kontakt hat. Die Widerstandsschicht 92 entspricht der Widerstands schicht ,58 der Fig. 3 und
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4, wobei zu bemerken ist, daß die Widerstandsschicht des Bauteils 70 nach Fig. 5 die gesamte Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle des Bauteils abdeckt, auch wenn dies in der Zeichnung nicht erkennbar ist0 Die Diode 70 wird durch (nicht bezifferte) Ohm*sehe Kontakte an den Oberflächen der P+ und N+Zone 78 bzw0 80 ergänzt.
Die vorstehend beschriebenen und in den Figo 3 bis 5 gezeigten Halbleiterbauteile können nach bekannten Halbleiterherstellungsverfahren gebildet werden, die nicht Teil der vorliegenden Anmeldung sind. Die planparallele Diode 70 nach Fig» 5 kann beispielsweise in der folgenden Weise hergestellt werden» Das Ausgangsmaterial ist ein N+Scheibchen aus Silizium«, Als nächstes wird eine N leitende Sohicht hohen spezifischen
Widerstands aus Silizium epitaktisch, beispielsweise durch Wasserstoffreduktion von Silan auf dem Soheibchen niedergeschlagen. Nach der epitaktischen Abscheidung wird auf der Oberfläche der N- -leitenden Schicht eine dünne Siliziumdioxidschicht aufgebracht« Diese Schicht wird dann photoiithographisch so behandelt,
daß ein Teil der Oberfläche der N leitenden Schicht
freiliegte Danach werden in die N- -leitende Schicht Dotierstoffe eindiffundiert, welche im Diffusionsbereich P Leitung hervorrufen. Nach der Diffusion wird eine dünne Glasschicht auf der Oberfläche abgeschieden. Diese Schicht wird so behandelt, daß die Öffnungen und 90 entstehen, worauf eine polykristalline Siliziumschicht nach einem der bekannten Verfahren auf der gesamten Oberfläche niedergeschlagen wird. Anschließend wird diese polykristalline Sohioht zur Bildung der Widerstandsschicht 92 weiterbehandelt.
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Beispiel II
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 6 gezeigt und wird nachfolgend beschrieben.
Das als planparallele Diode 100 dargestellte Bauteil ist in einem Halbleiterkörper 102 mit einer oberen und unteren Fläche 104 bzw. 106 gebildet. Die Diode 100 weist eine N+ -leitende Zone 110 im Bereich der oberen
Fläche 106 und eine P+ -leitende und eine N leitende
Zone 108 bzw. 112 auf, die sich bis zur oberen Fläche 104 erstrecken. Die P+ -leitende und die N- -leitende Zone 108 und 112 sind durch einen Hochspannungs-PN-Übergang 114 getrennt, der die Oberfläche 104 an einer Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle 115 trifft. Über der gesamten Schnittstelle 'M 5 und über den zu beiden Seiten der Schnittstelle liegenden Abschnitten der P+ -leitenden und der N- -leitenden Zone 108 und 112 ist eine Isolierschicht 116 angeordnete
In elektrischem Kontakt mit der N- -leitenden Zone ist auf der Oberfläche 104 und über der Isolierschicht 116 eine erste leitende Schicht 118 angeordnet. Diese erste leitende Schicht 118 endet vorzugsweise kurz vor der Schnittstelle 115 von Übergang und Oberfläche, wie in Fig„ 6 gezeigt ist. Auf der Isolierschicht 116 und der ersten leitenden Schicht 118 ist eine zweite Isolierschicht 120 niedergeschlagen«
Eine zweite leitende Schicht 122 ist in elektrischem Kontakt mit der P+ -leitenden Zone 108 auf der Oberfläche 104 angeordnet und erstreckt sich über die zweite Isolierschicht 120, wobei sie die erste leitende Schicht 118 in einigem Abstand überlappt. Diese Überlappung der beiden leitenden Schichten 118 und 120
OWGlNAL INSPECTED 2Q9853/105S
erfolgt, wie ersichtlich, in der Nähe eines Abschnitts 124 der N- -leitenden Zone 112 hohen spezifischen Widerstands und umgibt die Schnittstelle 115 vollständig.
Die Bezeichnung "leitende Schicht", wie sie für die Schichten 118 und 120 verwendet wird, ist nicht auf , Metallschichten beschränkt, obgleich solche Metallschichten natürlich geeignet sind. Eine oder beide Schichten 118 und 120 können also eine Leitfähigkeit haben, die zwischen geringfügig widerstandsbehaftet bis hochleitend liegt. Die leitenden Schichten 118, 120 haben vorzugsweise einen spezifischen Flächenwiderstand von etwa 10^ Q /Quadrat oder weniger. Geeignete Materialien für die leitenden Schichten umfassen sämtliche der in Verbindung mit dem Beispiel I erläuterten Widerstandsmaterialien, sowie die leitenden Metalle, z.B. Aluminium, Gold, Silber, Wolfram oder Molybdän,
Im Betrieb der in Fig. 6 gezeigten Diode 100 modifizieren die erste und zweite elektrische Schicht 118 und 120 das Randfeld, indem sie seinen Scheitelwert verringern und es gleichmäßiger über die obere Fläche 104 verteilen.
In Fig. 6 ist ein planparalleles Halbleiterbauteil dargestellt, jedoch ist ersichtlich, daß die erfindungsgemäße Ausgestaltung auch bei nicht planparallelen Bauteilen angewandt werden kann, bei welchen der Hochspannungsübergang in einer Randfläche mündet« Solch ein Bauteil ist in Fig. 7 gezeigt. Das als geformte Diode 140 ausgebildete Bauteil weist in der gleichen Weise wie die Diode 40 nach Fig. 3 P+, N+ und N- -leitende Zonen 142, 144 und 146 auf, wobei ein Hochspannungs-PN-Übergang 148 die Randfläche 150 entlang der
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Ubergangs-Oberflächen-Schnittstelle 152 trifft. Eineerste und eine zweite leitende Schicht 154 und 156 sind auf einer Isolierschicht 158 niedergeschlagen und umgeben, sich mit Abstand voneinander überlappend, die Schnittstelle 152 auf der Randfläche 150« Die leitende Schicht 154 hat elektrischen Kontakt mit der P+ -leitenden Zone 142 und die leitende Schicht 156 ist elektrisch mit der N+ -leitenden Zone 144 verbunden.
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Claims (1)

  1. RCA Corporation, 30, Rockefeller Plaza,
    New York. N.Y. 10020 (V.St.A.)
    Patentansprüche:
    J Halbleiterbauteil mit einem eine Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper, in dem eine Halbleiterzone eines ersten Leitungstyps und angrenzend an diese Zone eine Halbleiterzone eines zweiten Leitungstyps gebild* ist, so daß zwischen den beiden Halbleiterzonen ein PN-Übergang liegt, der bis zu einer Übergangs-Oberflächen-Schnittstelle mit der Oberfläche verläuft, d a d u -r c h gekennzeichnet , daß die Übergangs- - Oberflächen-Schnittstelle (35; 55; 85; 115; 152) durch eine Einrichtung (36; 58; 92; 118; 120, 122; 156, 158, 154) abgedeckt ist, die mit beiden Halbleiterzonen in Kontakt steht und die an der Oberfläche (25;45; 74; 104; 150) im Bereich des Übergangs (34; 54; 84; 114; 148) auftretenden Randfelder (12) in günstigem Sinne beeinflußt.
    2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung (36; 58; 92; 118, 120, 122; 156* 158, 154) die gesamte Schnittstelle (35; 55;85; 115;152) überdeckt.
    3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung (36; 58; 92) als räumlich ausgedehnter Widerstand ausgebildet ist.
    4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen dem räumlich ausgedehnten Widerstand (36; 58; 92) und der Schnittstelle
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    (35; 55; 85) des Übergangs mit der Oberfläche eine Isolierschicht (56; 86; 116) vorgesehen ist.
    5ο Halbleiterbauteil nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet , daß der als räumlich ausgedehnte Widerstandsschicht (36; 58; 92) ausgebildete Widerstand einen spezifischen Flächenwiderstand in der Größenordnung von 10 bis 109 Sl /Quadrat besitzt.
    6. Halbleiterbauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die räumlich ausgedehnte Widerstandsschicht (36; 58; 92) als widerstandsbehaftete Halbleiterschicht ausgebildet ist.
    7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die widerstandsbehaftete Halbleiterschicht eine Schicht aus widerstandsbehaftetem polykristallinem Silizium umfaßt.
    8. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet ,
    daß die Widerstandsschicht aus einem nicht-stöchiometrischen Metalloxid aufgebaut ist,
    9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß das nicht-stöchiometrische Metalloxid ein nicht-stöchiometrisches hochschmelzendes Metalloxid ist.
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    Leerseife
DE19722229605 1971-06-23 1972-06-19 Halbleiterbauteile mit stabilen Hochspannungs-Übergängen Pending DE2229605A1 (de)

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