DE3046749A1 - "mos-halbleiterbauelement fuer hohe betriebsspannungen" - Google Patents

"mos-halbleiterbauelement fuer hohe betriebsspannungen"

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Description

SHARP K.K. TtIR MEER · MÜLLER · STEINMEISTER . [538-GER-7V
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ein Metalloxyd-Halbleiterbauelement für hohe Betriebsspannungen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und bezieht sich insbesondere auf einen MOS-Transistor dieser Gattung.
Um MOS-Transistoren mit hohen Betriebsspannungen betreiben zu können und Feldkonzentratxonen im Kantenbereich der Gate-Elektrode zu vermeiden, wurde bereits vorgeschlagen, eine an den Drain-Bereich angrenzende und als Teil davon ausgebildete zusätzliche Schicht mit hohem spezifischen Widerstand vorzusehen, deren Leitfähigkeitstyp jenem des Drain-Bereichs entspricht.
Die Fig. 2 zeigt in Schnittdeirstellung den Aufbau eines !"> bekannten MOS-Transistors für hohe Betriebsspannungen.
Dieser bekannte Transistor umfaßt ein P-Typ-Substrat, ciine N -Source-Schicht 2, eine N -Drain-Schicht 3, eine P Schicht 4, eine N -Schicht 5 mit hohem spezifischem Widerstand, eine Source-Elektrode 6, eine Drain-Elektrode 7, isolierende Schichten 8, 8" und 811, eine Gate-Elektrode 9, und weitere als "Feldplatte" bezeichnete Schichten 61 und 71 sowie eine zusätzliche Feldplattenschicht 10 aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Die P+-Schicht 4 umgibt die N+-Source-Schicht 2 und bildet den Gate-Kanal des Transistors. Die Schicht wird durch einen Diffusions-Selbstausrichtungsprozeß hergestellt. Ein auf diese Weise hergestellter MOS-Transistors für hohe Betriebsspannungen ist in der US-PS 40 58 822 beschrieben.
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Die N -Drain-Schicht 3 ist durch die N~-Schicht 5 mit hohem spezifischen Widerstand umgeben, um eine hohe Feld-
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konzentration im Kantenbereich der Gate-Elektrode 9 zu vermeiden; diese Schicht 5 bildet einen Teil des Drain-Bereichs. Sowohl die Source-Elektrode 6 als auch die Drain-Elektrode 7 bestehen aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen. Jede der Feldplattenschichten 6' und 7' erstreckt sich von der Source-Elektrode 6 bzw. der Drain-Elektrode 7. Die Gate-Elektrode 9 besteht aus Al oder polykristallinem Silizium und wird kurz als "Silizium-Gate" bezeichnet. Die Schicht 10 wird gleichzeitig mit dem SiIizium-Gate 9 hergestellt.
Die Feldplattenschicht 6 dient zur Reduzierung der Feldkonzentration im Bereich der Kanten der Gate-Elektrode 9. Die Feldplattenschichten 7'und 10 reduzieren die Feldkonzentration an der Grenze zwischen der N -Schicht 3 und der N~-Schicht 5.
Sind die Feldplattenschichten 61 bzw. 7' jedoch begrenzt, so tritt ein sogenannter Feldplatteneffekt in ümkehrrichtung auf, der hinsichtlich der Schicht 6' auf den Drain-Bereich 3 bzw. hinsichtlich der Schicht T auf die Kante der Gate-Elektrode 9 wirkt. Dies reduziert den Wert der Spannungsfestigkeit.
Um diesen Feldplatteneffekt in Gegenrichtung zu beseitigen, weist der erläuterte Transistor einen Bereich A vom N -Typ der Schicht 5 mit hohem spezifischen Widerstand auf, welcher durch die Feldplattenbereiche 6' und 7' aus Al oder polykristallinem Silizium nicht bedeckt ist. Da sich jedoch die im EIN-Zustand des Transistors an diesem liegende und aufrechterhaltene Betriebsspannung (Haltespannung)unvermeidbarer Weise ändert, ändert sich auch der Drain-Strom sowie der Wert des Betriebswiderstands RQN.
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Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, unter Vermeidung der oben aufgezeigten Nachteile ein MOS-Halbleiterbauelement, insbesondere einen MOS-Transistor für .hohe Betriebsspannungen zu schaffen.
Die erfindungsgemäße Lösung ist im Patentanspruch 1 angegeben.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen des Erfindungsgedankens sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.
Ein erfindungsgemäßes MOS-Halbleiterbauelemerit, insbesondere ein MOS-Transistor für hohe Betriebsspannungen weist einen an den Drain-Bereich angrenzenden Abschnitt mit hohem spezifischem Widerstand auf, der im wesentlichen vollständig durch eine leitende Schicht überdeckt ist, so daß Einflüsse, die durch extern zugeführte Ladungen auftreten und als "Feldplatteneffekt" bezeichnet sind, sicher verhindert werden.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltungsform der Erfindung sind wenigstens zweilagige, durch eine Isolierschicht getrennte, Feldeffektplattenelemente vorhanden. Diese Feldplattenelemente oder Teilbereiche der Feldplatte sind entweder mit der Drain-Elektrode oder mit der Source-Elektrode verbunden. Bei einer anderen Ausführungsform sind sie gegen jede der Elektroden, also die Drain-Elektrode, die Source-Elektrode, bzw. die Gate-Elektrode isoliert. Die Feldplattenelemente bestehen aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Die Erfindung und vorteilhafte Einzelheiten werden nachfolgend unter Bezug auf die Zeichnung in beispielsweiser Ausführungsform näher erläutert. Es zeigen:
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Fig. 1 die Schnittdarstellung eines herkömmlichen
MOS-Transistors für hohe Betriebsspannungen;
Fig. 2
bis 10 jeweils Schnittdarstellungen eines MOS-Transistors für hohe Betriebsspannungen mit Morkc malen gemäß der Erfindung und
Fig. 11 in grafischer Darstellung einen Vergleich
zwischen einem Transistor mit erfindungsgemäßen Merkmalen und dem bekannten MOS-Transistor für den Kennwert R-..T.
ON
In den nachfolgend erläuterten Figuren 2 bis 10 sind die in Verbindung mit der Fig. 1 bereits erwähnten Teile und unterschiedlichen Bereiche mit den entsprechenden Bezugshinweisen gekennzeichnet.
Beim Transistor der Fig. 2 wird der Feldplatteneffekt für die N -Widerstandsschicht mit hohem Widerstand durch eine leitende Schicht 10 erreicht, die auf der isolierenden Schicht 8 liegt. Die Schicht 10. besteht aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Der auf die Schicht 5 wirkende bzw. durch diese aufgebrachte Feldplatteneffekt wird in Kombination durch die Feldplattenschichten 6' und 7' erreicht und die leitende Schicht 1O1 wirkt als weiteres Feldplattenelement. In dazu senkrechter Richtung betrachtet, überlappt die leitende Schicht 1O1 einen Teil der Feldplattenschichten 6' und 7'. Diese stark leitende Schicht 1O1 ist über die Drain-Elektrode 7 mit der Drain-Schicht 3 verbunden; sie wird gleichzeitig mit der Gate-Elektrode 9 hergestellt.
Bei der Ausführungsform nach den Figuren 3 und 4 sind die
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leitenden Schichten 10- bzw. 10- anders gestaltet; sie bestehen ebenfalls als Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen und liegen auf der isolierenden Schicht 8. Jede dieser Schichten erstreckt sich nicht von der Drain-Elektrode 7 bzw. der Source-Elektrode 9 aus; sie sind also von diesen Elektroden isoliert und in Form einer Insel angeordnet. Jede dieser Schichten wird gleichzeitig mit der Gate-Elektrode 9 hergestellt. Die Schichten 10- bzw. 10- sind jedoch jeweils mit den Feldplattenabschnitten 61 und 7' verbunden.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 5 ist auf der isolierenden Schicht 8'1 eine weitere Feldplattenschicht 1O4 aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen vorhanden, welche im wesentlichen den in Verbindung mit Fig. 1 erläuterten Bereich A überdeckt. Die Schicht 10. ist mit der Source-Elektrode 6 über die Feldplattenschicht 6' verbunden. Dazu alternativ kann die Schicht 10. auch mit der Drain-Elektrode 7 über die Feldplattenschicht 7' verbunden sein.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 6 liegt über der isolierenden Schicht A11 eine weitere Feldplattenschicht 1O1-, die sich von dem Anschlußelement 11 aus erstreckt, das über der Drain-Elektrode 7 angeordnet ist. Die Schicht 10j- überdeckt im wesentlichen den oben erläuterten Bereich A; sie besteht aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Wie oben erwähnt ist jede der Schicht 1O1, 10-, 10.. bzw. 1O5 notwendigerweise mit einer der Elektroden, beispielsweise mit der Source-Elektrode 6, der Drain-Elektrode 7 bzw. dem Anschlußelement 11 verbunden. Jede dieser Schich-
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ten läßt sich also auch als (potentialmäßig) "nicht schwimmendes Gate" bezeichnen.
Da jeweils eine dieser Schichten sich von der betreffenden Elektrode aus erstreckt, ist die Grenz- oder Sperrspannung des Transistors auf einen bestimmten oberen Bereich begrenzt, wodurch ein weiterer Anstieg des Werts der Haltespannung des Transistors verhindert wird. Um ein weiteres Ansteigen des Werts der Haltespannung zu gewährleisten, sieht die Erfindung folgende Maßnahmen vor:
Es wird ein Feldplattenbereich verwendet, der - wie weiter unten noch erläutert - von jeder der Elektroden elektrisch isoliert ist. Diese Schichten lassen sich dann auch als "schwimmendes Gate" bezeichnen.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 7 ist zur Beseitigung des Feldplatteneffekt in Umkehr- oder Gegenrichtung über der isolierenden Schicht 81 ein Bereich B vorhanden, der durch die Feldplattenschichten 6" und 7* nicht überdeckt ist. Der Bereich B entspricht dem Bereich A, der oben anhand von Fig. 1 erläutert wurde. Auf der isolierenden Schicht 8 und dem Bereich B gegenüberstehend ist eine weitere Feldplattenschicht 10- aus Silizium vorgesehen. Diese Schicht 1Γ- bildet eine Art schwimmendes Gate. In dazu senkrechter Richtung überlappen die Kanten der Schicht 1O1-jede der Feldplattenschichten 6' bzw. 7', um die Uberdeckung der Schicht mit hohem Widerstand sicherzustellen. Die Schient 1On. besteht aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Bei der Fig. 8 ist ähnlich wie bei der Ausführungsform nach Fig. 7 eine weitere Feldplattenschicht 10fi über der isolie-
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renden Schicht 811 aufgebracht. Auch diese Schicht 1Ofi besteht aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Bei den Ausführungsformen nach den Figuren 9 und 10 ist eine weitere Feldplattenschicht in Abschnitte unterteilt.
Bei dem Halbleiterbauelement nach Fig. 9 sind über der isolierenden Schicht 8 bzw. auf der isolierenden Schicht 81 weitere Feldplattenschichten 13 bzw. 12 ausgebildet. Die Schichten oder Schichtabschnitte 13 sind durch die isolierende Schicht 8' und die Schichten oder Schichtabschnitte 12 durch die isolierende Schicht 81' überdeckt. Die Schichtabschnitte 13 werden gleichzeitig mit der Gate-Elektrode 9 hergestellt. Die Schichtabschnitte 12 werden zusammen mit der Source-Elektrode 6 und der Drain-Elektrode 7 ausgebildet. Jeder der Schichtabschnitte 13 bzw. 12 besteht aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 10 liegen über der isolierenden Schicht 8' bzw. der isolierenden Schicht 811 andere unterteilte Feldplattenabschnitte 13' bzw. 12'. Die Schichtabschnitte 13' sind durch die isolierende Schicht 811 überdeckt; sie werden gleichzeitig mit der Source-Elektrode 6 und der Drain-Elektrode 7 hergestellt. Die Schichtabschnitte 12' werden gleichzeitig mit dem Anschlußelement 11 ausgebildet. Jeder der Schichtabschnitte 12' bzw. 13' besteht aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen.
Bei den Ausfuhrungsformen nach den Figuren 9 und 10 mit unterteilten Feldplattenbereichen besteht eine kapazitive Kopplung zwischen der Drain-Elektrode 7 bzw. der Source-Elektrode 6 durch entsprechende kapazitive Elemente C1, C^ usw., welche durch diese Schichten bestimmt sind. Eine
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an diesen Schichten liegende Spannung ist durch Unterteilung der Drain-Spannung entsprechend dem Verhältnis der jeweiligen Kapazitätselemente bestimmt.
Bei festliegender Drain-Spannung wird das Verhältnis der jeweiligen Kapazitäten vorzugsweise durch Änderung der Größe dieser Schichten oder durch die Dielelektrizitätskonstante der isolierenden Schichten festgelegt. Die Spannungen dieser Schichten können annähernd beliebig relativ nahe oder weiter weg von der Drain-Elektrode 7 angeordnet werden. Da die Feldplattenschichten unterteilt sind, liegen an den jeweiligen isolierenden Schichten kleinere Spannungen als der Spannungswert, der im Falle der oben erwähnten einzigen Feldplattenschicht auftritt.
Dies verhindert ganz wesentlich das Auftreten von Entladungen und einem damit verbundenen dielektrischen Durchbruch.
Bei den beschriebenen Ausführungsformen ergibt sich der erhebliche Vorteil der Erfindung dadurch, daß die Schicht 5 mit hohem Widerstand durch die Feldplattenschichten vollständig überdeckt ist, um den Feldplatteneffekt zu erreichen, jedoch ist der Fcldplatteneffekt in Gegenrichtung wirksam verhindert.
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Die grap iische Darstellung der Fig. 11 verdeutlicht Vergleichwerte für den Kennwert R zwischen einem Transistor gemäß irgendeiner der beschriebenen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung und dem herkömmlichen anhand von Fig. 1 erläuterten Transistortyp bei einer Betriebstemperatur von etwa 1000C und bei einer Hoch-Vorspannumj von
Bn=200V bzw. Vn=OV. Uo (jb
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In der Darstellung der Fig. 11 sind die Werte R... (kjl.)
auf der Ordinate und die Größe /t /(hrs)z_/ auf der Abzisse aufgetragen. Der Term "hrs" bedeutet "Stunden". Die Werte (I) werden für einen Transistor gemäß der Erfindung erzielt. Für einen herkömmlichen Transistor oben beschriebener Art gelten die Daten (II). Wie die Fig. 1 erkennen läßt, bleiben die Daten (I) konstant, während die Daten (II) stark variieren.
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Claims (1)

  1. PATENTANWÄLTE
    TER MEER-MÜLLER-STEINMEISTER
    Balm Europäischen Patentamt zugelassene Vertreter — Professional Representatives before the European Patent Office Mandatalres agrees pres !'Office european des brevets
    Dipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl -Ing. H. Steinmeister
    Ά*Ίη°· F- f· ΜϋΙΙθΓ Siekerwall 7,
    Triftstrasse 4,
    D-8OOO MÜNCHEN 22 D-48OO BIELEFELD 1
    1538-GER-A
    Mü/kU 10. Dezember 1980
    SHARP KABUSHIKI KAISHA 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka 545 Japan
    MOS-Halbleiterbauelement für hohe Betriebsspannungen
    Prioritäten: 10. December 1979, Japan, Nr. 54-160692 10. Dezember 1979, Japan, Nr. 54-160693
    PATENTANSPRÜCHE
    ) Metalloxyd-Halbleiterbauelement für hohe Betriebsspannungen mit
    - einem Halbleiterkörper eines ersten Leitfähigkeitstyps,
    - einem Source-Bereich mit einer zum Halbleiterkörper entgegengesetzten Leitfähigkeit,
    - einem den Source-Bereich umgebenden Kanal-Bereich vom Leitfähigkeitstyp des Halbleiterkörpers,
    - einem Drain-Bereich mit einer zum Halbleiterkörper entgegengesetzten Leitfähigkeit,
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    - einer Source und einer Drain-Elektrode, die mit dem zugeordneten Halbleiterbereich verbunden sind und einer Gate-Elektrode, die vom zugeordneten Kanal-Bereich durch eine erste Isolierschicht getrennt ist, sowie mit
    - einem den Drain-Bereich umgebenden weiteren Bereich mit hohem spezifischen Widerstand und einem Leitfähigkeitstyp der dem des Drain-Bereichs entspricht,
    gekennzeichnet durch eine als "Feldplatte" bezeichnete weitere, in mehrere Abschnitte unterteilte Schicht (61, 7',1Ow 1O2, ...), welche den Bereich mit hohem spezifischen Widerstand (5) überdeckt und davon durch eine zweite isolierende Schicht (8) getrennt ist. .
    2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Feldplattenabschnitte mit einer Elektrode verbunden ist, die ihrerseits mit der Drain- und/oder der Source-Elektrode verbunden ist.
    3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte aus mehren Teilbereichen (6', 7') besteht, von denen ein erster Teilbereich (71) die erste isolierende Schicht (8') von der Drain-Elektrode (7) aus überdeckt und ein zweiter Teilbereich (61) von der Source-Elektrode (6) aus die zweite isolierende Schicht überdeckt.
    4. Halbleiterelement nach Anspruch 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte aus mehreren Teilbereichen besteht, von denen einer, als dritter Teilbereich bezeichnet, von der Drain-
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    Elektrode aus die zweite isolierende Schicht überdeckt, einen weiteren, als vierter Teilbereich bezeichnet, von der Source-Elektrode die erste isolierende Schicht bedeckt und ein anderer, als fünfter Teilbereich bezeichneter, von der Source-Elektrode aus die zweite isolierende Schicht wenigstens teilweise überdeckt.
    5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte in mehrere Teilbereiche unterteilt ist, von denen einer, als sechster Teilbereich bezeichnet, von der Drain-Elektrode aus die zweite isolierende Schicht wenigstens teilweise überdeckt, ein weiterer, als siebter Teilbereich bezeichneter, mit dem sechsten Teilbereich der Feldplatte verbunden ist und sich über die erste isolierende Schicht erstreckt und ein anderer als achter Teilbereich bezeichnet, von der Source-Elektrode aus die zweite isolierende Schicht zum Teil überdeckt.
    6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte in mehrere Teilbereiche unterteilt ist, von denen einer, a^s neunter Teilbereich bezeichnet, sich von der Drain-Elektrode über die zweite isolierende Schicht erstreckt, ein weiterer als zehnter Teilbereich bezeichnet, von der Source-Elektrode aus die zweite isolierende Schicht wenigstens teilweise überdeckt und ein weiterer als elfter Teilbereich der Feldplatte bezeichnet, über dem neunten und zehnten Teilbereich unter Zwischenschaltung einer dritten isolierenden Schicht angeordnet ist, während ein weiterer als elfter Teilbereich bezeichneter Abschnitt der Feldplatte mit dem zehnten Teilbereich verbunden ist.
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    7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte in mehrere Teilbereiche unterteilt ist, von denen einer, als zwölfter Teilbereich bezeichnet, von der Drain-Elektrode aus sich über mindestens einen Teilbereich der zweiten isolierenden Schicht erstreckt, ein weiterer, als dreizehnter Teilbereich bezeichnet, von der Source-Elektrode aus mindestens einen wesentlichen Teil der zweiten isolierenden Schicht überdeckt, ein weiterer, als vierzehnter Teilbereich bezeichneter, über einer dritten isolierenden Schicht aufgebracht ist und den zwölften und dreizehnten Teilbereich der Feldplatte überdeckt, während ein weiterer, als vierzehnter Teilbereich der Feldplatte bezeichnet, mit der Drain-Elektrode verbunden ist.
    8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte gegenüber allen Elektroden, also gegenüber der Drain-, der Source- bzw. der Gate-Elektrode isoliert ist.
    9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die F3ldplatte in mehrere Teilbereiche unterteilt ist, von denen einer, als fünfzehnter Teilbereich bezeichnet, mindestens einen Teil der ersten isolierenden Schicht überdeckt und gegen jede der genannten Elektroden isoliert ist, ein weiterer, als sechzehnter Teilbereich bezeichnet, sich von der Drain-Elektrode aus über die zweite isolierende Schicht erstreckt und ein weiterer, als siebzehnter Teilbereich bezeichnet, von der Source-Elektrode aus über der zweiten isolierenden Schicht
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    aufgebracht ist.
    •^.Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte aus mehreren Teilbereichen besteht, von denen einer, als achtzehnter Teilbereich bezeichnet, sich von
    * der Drain-Elektrode aus über wenigstens einen Teil der Schicht erstreckt, ein weiterer, als neunzehnter Teilbereich bezeichnet, von der Source-Elektrode aus die zweite isolierende Schicht mindestens teilweise überdeckt, und ein weiterer, als zwanzigster Teilbereich bezeichnet, gegen alle Elektroden isoliert und über einer dritten isolierenden Schicht aufgebracht ist, welche den achtzehnten und den neunzehnten Teilbereich der Feldplatte wenigstens zum Teil überdeckt.
    11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte aus mehreren Teilbereichen besteht, von denen einer, als einundzwanzigster Teilbereich bezeichnet, sich von der Drain-Elektrode aus über die erste isolierende Schicht erstreckt, ein weiterer, als zweiundzwanzigster Teilbereich bezeichnet, sich von der Source-Elektrode aus über die zweite isolierende Schicht ausbreitet, ein weiterer, als dreiundzwanzigster Teilbereich bezeichnet, gegen alle Elektroden isoliert ist und über der ersten isolierenden Schicht liegt und ein anderer, als vierundzwangzigster Teilbereich bezeichnet, gegen die Elektroden isoliert und über der zweiten isolierenden Schicht angeordnet ist.
    12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
    zweiten isolierenden
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    SHARP K.K. TER MEER · MÜLLER ■ STEINMEISTER . ."-. .'- '' - 15 /8-GFR-A
    — 6 —
    Feldplatte aus mehreren Teilbereichen besteht, von denen ein erster,als fünfundzwanzigster Teilbereich bezeichnet, sich von der Drain-Elektrode aus über die zweite isolierende Schicht erstreckt, ein anderer, als sechsundzwanzigster Teilbereich bezeichnet, von der'Source-Elektrode aus über der zweiten isolierenden Schicht liegt, ein weiterer, als siebenundzwanzigster Teilbereich bezeichnet, gegen alle Elektroden isoliert und über der zweiten isolierenden Schicht angeordnet ist, und ein noch anderer, als achtundzwanzigster Teilbereich bezeichnet, gegen alle Elektroden isoliert und über einer, den fünfundzwanzig-· sten, sechsundzwanzigsten und siebenundzwanzigsten Teilbereich der Feldplatte überdeckenden dritten isolierenden Schicht angeordnet ist.
    13. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte, bzw. deren Teilbereiche aus Al, polykristallinem Silizium oder dergleichen bestehen.
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