DE2332574A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiters und halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines halbleiters und halbleitervorrichtung

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DE2332574A1 DE2332574A DE2332574A DE2332574A1 DE 2332574 A1 DE2332574 A1 DE 2332574A1 DE 2332574 A DE2332574 A DE 2332574A DE 2332574 A DE2332574 A DE 2332574A DE 2332574 A1 DE2332574 A1 DE 2332574A1
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Description

Dr. E. Wiegand. Dipl.-!no. W. ι
Dr. M. Kohier, Dip!.-Ing. C. fiernhardt
PatentanwäUe 2332 57 A
¥.25856/73 20/Hh .C1 7
Westinghouse Brake Semi-Conduetors Limited London (England)
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters und Halbleitervorrichtung.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters und auf eine Halbleitervorrichtung.
Gemäß der Erfindung ist ein Halbleiterelement bzw. eine Halbleitervorrichtung geschaffen, in welcher getrennte bzw. selbständige elektrische Verbindungen zu unterschiedlichen Teilen einer Stirnfläche eines aus halbleitendera Material bestehenden Elements durch entsprechende Elektroden hergestellt sind,die durch Druck auf entsprechende Kontakte an der Fläche angelegt werden. Ein erster Teil der Fläche ist eine nach oben vorstehende bzw, hochstehende Schicht aus halbleitendein Material des einen Leitfähigkeitstyps. Ein zweiter Teil der Fläche ist ein leitender Bauteil, um welchen herum die Schicht nach oben vorsteht, ohne direkte elektrische Verbindung zu diesem zu haben. Der leitende Bauteil weist einen ersten Metallteil auf und stellt einen ohmischen Kontakt zu einer weiteren Schicht aus halbleitendem Material des anderen Leitfähigkeitstyps her, welche ebenfalls unterhalb des ersten Teils der Fläche liegt. Der erste Teil kann innerhalb seines Umfangs eine Kontaktschicht tragen, welche ein halbleitendes Material und ein zweites Metall bzw. einen zweiten Metallteil mitenthält. Der leitende Bauteil hat einen Isolierüberzug, und die Kombination ist so ausgeführt,, daß er, wenn er derartig überzogen ist, weniger erhaben ist, als die Kontaktschicht. Die elektrische Verbindung der Kontaktschicht,
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welche eine leitende Fläche aufweist, die verformbar ist, um Unregelmäßigkeiten der Fläche des Elementes aufzunehmen, die jedoch an Deformation gehindert ist, erstreckt sich derart, um eine elektrische Verbindung zwischen der Fläche und dem leitenden Bauteil herzustellen.
Die Kontaktschicht kann durch Sintern hergestellt werden.
Eine Mehrzahl von leitenden Bauteilen kann von einem gemeinsamen Abschnitt für die genannte Durchdringung vorstehen. Der gemeinsame Abschnitt der leitenden Bauteile kann selbst eine weitere Kontaktschicht tragen, welche gleich bzw. in gleicher Weise wie die erstgenannte Kontaktschicht nach oben vorsteht. Der leitende Bauteil kann aus einer Legierung des halbleitenden Materials und des ersten Metalls bestehen. Der leitende Bauteil kann durch Sintern hergestellt werden.
Ein Teil der weiteren Schicht aus halbleitendeiii Material kann zwischen dem ersten Teil und dem leitenden Bauteil nach oben vorstehen.
Ein weiterer Teil der Fläche bzw. Stirnfläche kann aus der nach oben vorstehenden Schicht aus halbleitendem Material des einen Leitfähigkeitstyps bestehen und kann von dem gemeinsamen Abschnitt der leitenden Teile ohne direkte elektrische Verbindung zu diesem umgeben sein und selbst eine zweite Kontaktschicht tragen, die das halbleitende Material und den zweiten Metallteil miteinschließt, dessen Oberfläche in gleicher Weise wie die der erstgenannten Kontaktschicht nach oben zeigt.
Die zweite Kontaktschicht kann durch Sintern gebildet werden.
Die leitenden Bauteile zusammen mit dem gemeinsamen Teil können eine sternartige Form mit gegabelten Strahlen aufweisen, welche in die nach oben stehende Schicht aus halbleitendem Material eindringen, um Lappen oder dgl. in dem einen Teil der Schicht zu bilden.
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Venn der weitere Teil der nach oben stehenden halbleitenden Schicht eine Hilfskathode und der andere Teil eine Hauptkathode ist, wobei beide pn-Verbindungen zu einem Bereich des halbleitenden Materials des anderen Leitfähigkeitstyps aufweisen, auf welchem sie getragen sind und von welchem sie nach oben stehen, kann der leitende Bauteil oder können die Bauteile zusammen Wege von im wesentlichen gleichem elektrischen Widerstand zwischen allen Teilen eines inneren Umfanges der Hauptkathoden-pn-Verbindung und der Hilfskathoden-pn-Verbindung schaffen.
Die leitende Fläche der elektrischen Verbindung kann die Fläche bzw. Oberfläche eines Kupferelektrodenvorsprungs sein, der einen Teil einer Kapsel bzw. Einkapselung für das Element bildet. In diesem Fall kann die leitende Fläche durch den aus einem "hartem" Glas bestehenden Isolierüberzug daran gehindert werden, elektrische Verbindung zu dem leitenden Bauteil herzustellen.
Der erste Teil der Fläche des Elements kann selbst die leitende Fläche der Verbindung bilden, und eine dehnbare bzw. flexible Schicht kann geschaffen sein, durch welche die Verbindung zwischen dem Element und der Elektrode hindurchgeht. Die Schicht hindert sich selbst an der Deformation und gestattet auf diese Weise die Herstellung einer elektrischen Verbindung zu dem leitenden Bauteil.
Das halbleitende Material kann Silizium sein. Das erste Legierungsmetall und auch das zweite Legierungsmetall kann Aluminium sein.
Die zuerst erwähnte Kontaktschicht kann aus einer Aluminium-Silizium—Legierung mit weniger als 15 % Siliziumgehalt bestehen.
Die leitende Oberfläche des ersten Teiles der Stirnfläche kann eine weitere Schicht, aus Silber, sein, die an der zuerst erwähnten Kontaktschicht gebildet ist.
Dio flexible Schicht kann aus einer Molybdän-Scheibe bestehen. Diese Scheibe kann zwischen dem Element und einem Kupfervorspruii», getragen sein, um relative seitliche Bewe-
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gung des Elementes und fies Vorsprunges liei sich verändernder Temperatur in einer zusammengebauten Vorrichtung zuzulassen. Das Halbleiterelement kann auf bzw. an einer Molybdän-Basisplatte getragen sein.
Das Element kann in einer Kapsel befestigt sein, die eine federnde oder nachgiebige Wand aufweist, welche einen Elektrodenvorsprung trägt, durch welchen der Druck durch eine äußere Einrichtung angelegt wird. Die Halbleitervorrichtung kann ein gesteuerter Siliziiungleichrichter sein und die Hauptkathode des Gleichrichters kann von dem perforierten Emittertyp sein. Auch die Hilfselektrode kann vom perforierten Emittertyp sein.
Die Hauptkathode kann durch lokalisierte Kurzschlußstromkreise in der Form von Zonen aus halbleitendein Material von einem länglichen Aufriß perforiert sein, welche an der Kathode mit ihrer längeren Achse parallel zur nächsten Kante der Kathode oder in gleicher Neigung zu benachbarten Katho— denkanten an jeder Seite angeordnet sind. Vorzugsweise, wenn die Kathodenkante gestreckt ist, ist die Kante einer Zone zwischen der längeren Achse und der Kathodenkante parallel zur Kathodenkante angeordnet und ihrerseits gestreckt ausgeführt.
Die Kurzschlußstromkreise sind an der Hauptkathodenoberfläche vorzugsweise so verteilt, daß wenigstens $G % der Fläche sich zwischen dem nähesten Ktirzschliißstromkreis und der Kante der Kathodenfläche befindet. Wenn die äußere Kante der Hauptkathode kreisförmig ausgeführt ist, können einspringende Kurzschlußstromkreisbereiche an Intervallen längs der Kante vorgesehen werden.
Der isolierende überzug kann aus Siliziuiudioxyd bestehen und als pyrolytisclies Oxyd ausgebildet sein. Der Überzug kann wahlweise aus einem "hartem" Glas oder aus Bleiglas bestehen.
Ein Halbleit^relcr.ifnf ihr eine Prnclc.ker.iaktverhin— dungs-Halbleitervorrichtung kann durch Aufdanpfen eines
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Metalls auf nicht durch eine Maske abgedeckte Teile der halbleitenden Stirnfläche des Elementes, auf welche Kontaktdruck ausgeübt wird, durch Absetzen bzw. Niederschlagen eines Isolierüberzugs über die gesamte Stirnfläche und durch Wegätzen derjenigen Teile des Überzugs, die Bereichen der Stirnfläche entsprechen, auf welchen Druckkontakte herzustellen sind, gebildet werden, so daß die verbleibende Isolierung nicht mehr als die Druckkontakt—Verbindungsbe— reiche der Stirnfläche nach oben vorsteht.
Ein Teil des aufgedampften Materials bzw. Metalls kann in ohmischem Kontakt mit einer Schicht aus halbleitendem Material niedergeschlagen werden, welche unterhalb derjenigen Schicht liegt, die die Stirnfläche bildet, und kann einen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyp aufweisen, um einen leitenden Bauteil zu bilden. Der leitende Bauteil stellt keinen direkten elektrischen Kontakt mit der die Stirnfläche bildenden Schicht her.
Das halbleitende Material kann Silizium sein und an der besagten Stirnfläche können beide Leitfähigkeitstypen vorhanden sein. Das Metall kann aus Aluminium bestehen und kann dann zu einer Schicht von einer Dicke von etwa 7 bis 9 JK gesintert werden und nicht mehr als 15 % Silizium aufweisen. Das Silizium kann aus dem Element bestehen oder auf dieses aufgedampft sein. Der isolierende Überzug Ic ami aus pyroly— tischem Siliziumdioxyd bestehen und eine Dicke von 10 bis 20 H. oder eine entsprechende Dicke aus Bleiglas aufweisen.
Eine weitere Materialschicht kann in den Druckkontaktbereichen angebracht sein, um eine leitende Fläche zu schaffen, welche über das Niveau des isolierenden Überzugs angehoben sein kann, um unerwünschte Druckkontaktverbindung zu der Stirnfläche oder Teilen dieser Fläche zu vermeiden. Die weitere Materialschicht kann aus Silber in einer Schich von 50 ti Dicke sein, die durch elektrolytisches Plattieren ab gesetzt w. i r d.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung
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beispielsweise erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung.
Fig. 2 zeigt eine vergrößert ausgeführte perspektivische Darstellung eines Teiles der Halbleitervorrichtung nach Figur 1. Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
Emitters einer Halbleitervorrichtung.
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf eine Stirnfläche des Halbleiterelementes einer gesteuerten Siliziumgleichrichter— vorrichtung. Die gezeigte Stirnfläche zeigt die Kathoden— seite des Elementes mit einer äußeren kuppenförmigen Hauptkathode 10 und einer zentralen bzw, einer Hilf skcithode 20. Zwischen diesen beiden Kathoden 10 und 20 befindet sich eine Spreizelektrode ^O (spreader) aus leitenden Bauteilen, die zusammenarbeiten, um Pfade oder Wege von gleicher elektrischer Länge zwischen allen Teilen der Hilfskathodenverbin— dung und der Hauptkathodenverbindung zu schaffen. Eine derartige Elektrode ist in der Britischen Patentanmeldung 25 370/69 (2659) und der Britischen Patentanmeldung 29 713/69 (2663) beschrieben. Die sternartige Form der Spreizelektrode hO mit ihren gabelförmigen Strahlen ist insbesondere vorteilhaft, um eine annähernd gleiche Ausblendstroiaverteilung für die lange Kante der Hauptkathode sicherzustellen, da der Lextungsspreizungsabstand zu irgendeinem Punkt an der Hauptkathode ein kurzer Abstand von der länglichen Kante der Spreizelektrode ist. Auf diese Art und Weise kann ein schnelles Einschaltverhalten ohne das Risiko örtlicher Überhitzung, die die Vorrichtung zerstört, erreicht werden.
Sowohl die Hilfskathode 20 als auch die Hauptkathode können perforiert sein, um teilweise kurzgeschlossene Emitter zu erzeugen.
Figur 2 ist eine vergrößerte schaubildliche Darstellung eines Teiles der in Figur 1 gezeigten Vorrichtung und
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insbesondere eines der gabelförmigen Teile eines gabelförmigen Strahles. Es ist zu sehen, daß sowohl die Kathoden als auch die Spreizelelctrode auf einem Basisbereich bzw. Grundbereich des gesteuerten Halbleitergleichrichters getragen sind. Der Grundbereich ist eine Schicht, welche unter den nach oben stehenden Teilen der Stirnfläche liegt. Teile der Oberfläche, 30, dieses Bereiches sind sichtbar. Der Grundbereich ist vom p-Leitfähigkeitstyp und von diesem steht ein Kathodenbereich in zwei Teilen 11 und 21 vom n+-Leitfähigkeitstyp nach oben. Körper 31 und 32 vom p-Leitfähigkeitstyp erstrecken sich durch die Haupt- bzw. die Hilfskathode hindurch, um den Emitter mit der Basis bzw. dem Grundbereich 30 teilweise kurzzuschließen. Material vom" p—Leitfähigkeitstyp steht den Kathoden, wie bei 33 und J>k gezeigt, als Stirn- bzw. Begrenzungsflache vor. Die Hauptkathode 10 ist ein kuppenförmiger Uinfangsbereich, während die Hilfskathode 20 ein mittlerer kreisförmiger Bereich ist. Kontaktschichten 13 und 23 sind an der Hauptkathode 10 bzw. der Hilfskathode 20 gebildet und sind von leicht kleinerem Bereich bzw. Erstreckung als die Oberfläche der entsprechenden Kathoden. Diese Kontaktschichten 13 und 23 bestehen aus einer Aluminium—Silizium-Legierung, welche durch Sintern erzeugt -werden können und nicht mehr als 15 "Jo Siliziiunanteil aufweisen, so daß eine gewisse Nachgiebigkeit unter dem Verbindungsdruck auftritt, um Unregelmäßigkeiten zu beseitigen. Der Begriff Legierung wird in dieser Anmeldung sogar für den Fall einer aufgedampften und dann gesinterten Materialmenge verwendet. Diese Legierung wird auch an der Oberfläche des Grundbereichs 30 gebildet, und zwar als eine bevorzugte Methode des Hersteilens eines leitenden Bauteiles ltl, um den herum der Hauptkathodenbereich nach oben vorsteht. Eine Mehrzahl von leitenden Bauteilen hi erstreckt sich von einem gemeinsamen Abschnitt k2. Die leitenden Bauteile kl .sollten vorzugswei.no von dom Bereich 30 weniger als die Kathoden 11 und 21 nach oben vorstehen.
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Ein isolierender Überzug 43, welcher aus Bleiglas oder dickem pyrolytisehen Slliziunidiosyd. bestehen kann, ist oberhalb der Stirnfläche des Elementes lait Ausnahme derjenigen Bereiche vorgesehen, zu welchen elektrische Verbindung durch Druckkontakt hergestellt werden soll. Die Dicke des isolierenden Überzugs 43 ist derart gewählt, daß irgendein unerwünschter Teil des Überzugs während der Herstellung weggeätzt worden ist, wobei der verbleibende Teil nicht von der Oberfläche des Grundbereichs 30 mehr als eine Kathode und ihre Verbindungsschicht nach oben vorsteht. In öer in Figur 2 dargestellten Ausführuugsfomi würde der Überzug wenigstens an der oberen Fläche des leitenden Rauteils hl f wie bei 43 zu sehen, vorhanden sein; Die Isolierung kann sich außerdem über die Seiten des Bauteiles hl und über die freigelegte Oberfläche des Grundbereichs 30 erstrecken. In dieser Art und Weise wird ein Druckkontakt in der Form einer mit Öffnung bzw. Öffnungen versehenen Scheibe, mit der Hauptkathode 10 daran gehindert, eine unerwünschte elektrische Verbindung rait dem leitenden Bauteil 41, sowohl durch Kontakt als auch durch elektrischen Durchschlag über einen Zwischenraum, herzustellen, und es ist nicht notwendig, eine komplexe Form des Kontaktes herzustellen und dann exakte Ausrichtung zwischen dieser Form und den Kuppen der Hauptkathode 10 sicherzustellen. Druckkontakt kann mit einem mit Öffnung bzw. Öffnungen versehenen Kupfervorsprungskontakt zu einer Aluminiuni/Siliziuinlegierungsschicht von etwa 7—9 R Dicke vorhanden sein. In diesem Fall ist der isolierende Liberzug "hart", beispielsweise Bleiglas, und widersteht Deformation des leitenden Kupfervorsprungs und hält ihn weiterhin davon ab, elektrischen Kontakt bzw. Verbindung zu dem leitenden Bauteil herzustellen.
Jedoch hat es sich als vorteilhaft erwiesen, eine weitere leitende Flachs, V> i N-iiel swcise i'ie einer weiteren Schicht aus Silber mit einer Dicke von ca. 2ΰ bis 40 η, ,
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auf der Legierungsschicht vorzusehen. Dies erzeugt eine Verbindung von höherer Qualität, die dauerfester ist. Falls Druckkontaktverbindung zu dem gemeinsamen Abschnitt h2 der Kontaktbauteile erforderlich ist, kann die weitere leitende Oberfläche außerdem sowohl auf dieser als auch auf der Hilfskathode 20 vorgesehen werden. Die weitere Fläche ist bei 13, 23 bzw. h2 dargestellt. Der verbleibende Teil des Halbleiterelementes kann in irgendeiner bekannten Art und Weise hergestellt werden, die für die geforderte Vorrichtung zweckmäßig ist, wobei jedoch im folgenden angenor.inien wird, daß das Element eine Scheibe ist, deren eine Fläche die Druckkontaktstirnfläche ist und deren andere Stirnfläche an einem Träger, beispielsweise einer Molybdänscheibe, befestigt ist. Eine derartige Kombination ist für gewöhnlich in einem geschlossenen Behälter zwischen zwei Kupferanschlägen eingekapselt, welche vermittels von den 3ehälter bildenden Teilen zusammengedrückt werden oder welche durch äußere Mittel zusacwn eng ed rückt werden, um elektrische und thermische Verbindung durch Druckkontakt zu dem Element herzustellen.
Ein weiterhin bevorzugtes Merkmal der Erfindung ist, daß die Druckkontaktverbindung zwischen der nach oben stehenden Stirnfläche des Elementes und dem Kupfervorsprung in einer derartigen Einkapselung durch die Vermittlung einer flexiblen Molybdänscheibe hergestellt ist. Die Scheibe erstreckt sich über die gesamte Oberfläche des Hauptkathodenbereichs an der Stirnfläche des Elements, um im Betrieb eine elektrische Verbindung zu dieser herzustellen, welche Unregelmäßigkeiten durch Biegung bzw. Nachgiebigkeit aufnimmt. Die Scheibe liegt außerdem über dem eindringenden leitenden Bauteil klt Jedoch wird Kontakt zu diesem Bauteil verhindert, wenn die Scheibe Deformation des Kupfervorsprungs widersteht, welcher dazu neigt, sich nach unten in Richtung auf ;len Kontaktteil auszudehnen. Die Scheibe hat eine zentrale Öffnung, um eine getrennte
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bzw, separate elektrische Verbindung zn dem gemeinsamen Abschnitt der leitenden Teile und zu der Hilfskathode, wie gewünscht, hindurchgehen zu lassen« Da die Scheibe flexibel ist, kann sie sich deformieren und irgendwelche Unregelmäßigkeiten im Eingriff der Stirnfläche des Kupfervorsprungs mit der Stirnfläche des Hauptkathodenbereichs aufnehmen. Demgemäß wird, falls der Hauptkathodenbereich nicht vollständig eben ist, die Scheibe die Unregelmäßigkeiten aufnehmen. Weiterhin wird die Scheibe in Verbindung mit der Aluminium-Siliziumlegierung, welche nicht mehr als 15 % Siliziumgehalt aufweist, und der leitenden Silberschicht, wie oben erwähnt, irgendwelche kleinen Wellen bzw. Unebenheiten (3—^ U.) zwischen diesen beiden Flächen aufnehmen. Insbesondere wird die Molybdänscheibe die Einbuchtung der nach oben stehenden Stirnfläche des Elementes aufnehmen, was bisher ein Problem gewesen ist. Auf diese Art und Weise wird die Gleichförmigkeit der elektrischen Verbindung zum Hauptkathodenbereich verbessert.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes, wie beschrieben, wird nun angegeben. Ein Element, welches Schichten 11 und 21 von zweckmäßiger Form mit Stirnflächen .33 und 3k aus Basismaterial an der Fläche bzw. Oberfläche des Grundbereichs 30 aufweist, kann durch bekannte herkömmliche Verfahren hergestellt werden. Aluminium/Silizium wird dann auf die gesamte Stirnfläche des Elementes aufgedampft, um vorzugsweise durch Sintern eine Aluminium/Silizium-Legierungsschicht herzustellen. Diese Schicht hat eine Dicke von ungefähr 6-10 u. und der Sinterprozeß wird so gesteuert, daß der Siliziumgehalt der erzeugten Legierung 15 % nicht Überschreitet, was eine spröde Schicht erzeugen würde. Die Legierung wird dann durch Masken abgedeckt und durch photolitographische Verfahren geätzt, um die getrennten Abschnitte der Metallisierung, wie gezeigt und oben beschrieben, zu erzeugen. Als Alternative kann das Aufdampfen durch eine Maske durchgeführt werden. Der isolierende Überzug aus
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aus Siliziumdioxyd wird dann bis zu einer Dicke von 2,0 + 0,5 j*. über der gesainten Stirnfläche abgesetzt. Die Stirnfläche wird dann photographisch durch Masken abgedeckt nnd mit gepufferter Fluorwasserstoffsäure geätzt, um den Isolierüberzug von denjenigen Bereichen zu entfernen, an denen Druckkontaktverbindungen herzustellen sind. Die Anwendung einer Aluminium/Silizium-Metallisierung in einem Verfahren, welches darauffolgend Fluorwasserstoffsäure-Ätzung einsetzt, ist insbesondere vorteilhaft, da diese Metallisierung lediglich sehr langsam mit der Säure reagiert. Da die gewünschte Dicke des isolierenden Überzugs nicht überall gleichmäßig niedergeschlagen wird, sind Variationen bis zu 0,5 ρ über eine Scheibe von ungefähr 38 mm (1,5 ") Durchmesser zu beobachten, es sei denn, die Metallisierung wäre gegenüber der Ätzung widerstandsfähig, dann würde sie selbst weggeätzt werden, wenn sie während des Ätzens der isolierenden Schicht ausgesetzt wird, bevor ihre Entfernung von allen gewünschten Teilen vervollständigt war.
Als Alternative kann eine Bleiglasschicht durch bekannte Verfahren als isolierender Überzug abgesetzt bzw. niedergeschlagen werden, um so eine druckbeständige Schicht bzw. Überzug zu erhalten. Das Bleiglas muß einen Koeffizienten der thermischen Ausdehnung aufweisen, der mit dem des halbleitenden Materials des Halbleiterelementes verträglich ist.
In dem bevorzugten Verfahren wird die leitende Fläche 13 durch eine Silberschicht von ungefähr 25-^0 jx. Dicke erzeugt, die an dem oberen Teil der Aluminium/Siliziutnlegie— rungsschicht in den Druckkontaktverbindungsbereichen niedergeschlagen wird. In diesem Verfahren hat der gesamte Aufbau von der Fläche der Siliziutnschicht Ii der Figur 2 aus ungefähr Ί0 bis 50 p. Höhe. Falls die Silberschicht 13 weggelassen, wird und ein "harter" Glasüberziig verwendet wird, hat die AluinJ.niufu/Siliziuu-LegieruNgsschicht 12
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immer noch ungefähr 7-9 J^ Dicke.
Die Molvbd.änsclieibe, die wie oben ber?ehriebe!i i;;it einen Eleneiit verwendet wird, v;olchos dnrc'i das bevor— zurrte Verfahre}] erzeugt wird, hot eine Dicke von ungefähr 250 J[U.
Es ist auf die Verwendung von perforierten Erbittern für die Kathoden Bezug jcnowmen vorden. Oh-OhI die Erfindung nicht auf derartige Emitter beschränkt ist, kann sie vorteilhaft mit diesen verbunden werden, r.ncl in einer bevorzugten Ausführungsforr.i, in welcher die Hauptkathode teilweise mit den Grundbereich 30 durch den perforierten Emitter kurzgeschlossen ist, sind die Perforationen von einer hes t i ΐΓ,ϋΐ t en vo r t ο i 1 h af t eη F ο rrc b ζ w. A υ οrd nu η ς.
Jede Perforation (siehe Figur 3) hat eine Läi.uTs- urrd eine seitliche Achse, wobei die Längsachse längs der längeren Dimension der Perforation angeordnet ist. Die Längs— abmessung- ist vorzugsv/eise doppe"! t so groß wie die seitliche Abmessung. Die Perforationen sind auf bzw. an dom Hauptkathodenbereich so angeordnet, daß ihi-e Längsachse parallel zur nächsten Kante der Kathode angeordnet ist. Sie sind so angeordnet, daß sich der größtmöglichste Kathodenbereich zwischen den Perforationen und der Snreizelektrone 40 befindet. In der in Figur 3 gezeigten Ausführungsforra befindet· sich wenigstens 50 °h des Kathodenbereiches zwischen, der nächsten Perforation und, dieser Kante. In der in Figur gezeigten Ausfiihrungsf orni beträgt der Ge samt durchine es er der Hauptkathode ungefähr 3O rarci und Jede Perforation ist etwa 1 ir.m χ 0,5 mm (0,04 χ 0,02 ") groß. Die Perforationen, wenn sie in einer geraden oder gestrecki:en Linie angeordnet sind, sind in einem Abstand von 1 mra (0,0?i ") voneinander und von der benachbarten Kante der Hauptkathode avoordnet. Diese Form bzw. Gestalt ,jeder Perforation und die Art der gewählten Anordnung ist herausgefunden worden, v.i\ die Auspproizung" b'-zw. Au?l-reitun"srreschwiiKliiVait ?,u verbessern und ;! ' c; kürzeste-Au:-;.';?:roizi:iif:'^-::'o'; " ■·.. Λ;!ί·'^Γ(:·:ίίu:: '^"oit :fi.:r «-.·';>.: iJinso'uilten der Vorricii in*'-:; ?-\ι sc'ipf fen.
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ÖAD ORJQfNAL
Es wird bemerkt, wie in Figur 3 zu sehen, daß die Hauptkathode mit am Umfang angeordneten Kurzschlxißstrom— kreisen versehen ist, um die Kapazität zu kompensieren, welche in der Vorrichtung, wenn sie in Betrieb ist, vorhanden ist.
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Claims (3)

Patentansprüche
1. Halbleiterelement bzw. Halbleitervorrichtung, in welcher getrennte elektrische Verbindungen zu unterschiedlichen Teilen einer Stirnfläche des Elementes aus halbleitendem Material durch entsprechende Elektroden hergestellt sind, welche durch Druck auf die entsprechenden Kontakte an der Stirnfläche angelegt werden, wobei ein erster Teil der Stirnfläche eine nach oben stehende Schicht aus halbleitendem Material des einen Leitfähigkeitstyps ist; ein zweiter Teil der Stirnfläche ein leitender Bauteil ist, ura den herum die Schicht ohne direkten elektrischen Kontakt zu diesem nach oben vorsteht; der halbleitende Bauteil ein erstes Metall aufweist und einen ohmischen Kontakt zu einer weiteren Schicht aus halbleitendem Material des anderen Leitfähigkeitstyps herstellt, welche ebenfalls unterhalb des ersten Teils der Stirnfläche liegt; der erste Teil innerhalb seines Urafanges eine Kontaktschicht trägt, die ein halbleitendes Material und ein zweites Metall aufweist; der leitende Teil einen Isolierüberzug aufweist und die Kombination, sogar wenn sie auf diese Weise-überzogen worden ist, weniger als die Kontaktschicht. . nach oben vorsteht iiiiä wobei die elektrische Verbindung zu der Kontaktschicht eine leitende Fläche bzw. Oberfläche miteinschließt, welche verformbar ist, um Unregelmäßigkeiten der Stirnfläche des Elementes aufzunehmen, die jedoch von Deformation abgehalten ist, die sich so erstrecken, um elektrische Verbindung zwischen der Oberfläche und dem leitenden Bauteil herzustellen.
2. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht durch Kondensation eines Materials aus einem Dampf gebildet ist.
3. Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das kondensierte Material in die Kontaktschicht ein-
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gesintert ist.
h. Element nach einen der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Hehrzahl von leitenden Bauteilen, die sich von einem gemeinsamen Abschnitt her erstrecken.
5. Element nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, üaß der gemeinsame Abschnitt selbst eine weitere Kontaktschicht trägt, die gleich hoch mit der erstgenannten Kontaktschicht nach oben vorsteht.
6. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bauteil aus einer Legierung des ersten Metalls und des halbleitenden Materials besteht.
7. Element nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet\ daß das halbleitende Material das gleiche Material ist, wie dasjenige, welches das Element bildet,
8. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Bauteil durch Sinterung hergestellt ist,-
9. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der weiteren Schicht aus halbleitendem Material zwischen dem ersten Teil und dem leitenden Bauteil nach oben vorsteht.
10. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die nach oben vorstehende Schicht aus halbleitendem Material des einen Leitfähigkeitstyps einen weiteren Teil der Stirnfläche bildet.
11. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Teil der Stirnfläche von dem gemeinsamen Abschnitt der leitenden Bauteile mit direkter elektrischer Verbindung zu diesen umgeben ist.
12. Element nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Teil der Stirnfläche fjonnorftcits ei no zweite Kontaktschicht trägt, die ein halb- 1 e:i .t';>iöos Material tir·:] ein zvreitcf: vietaJl nn t einschließt, und ti;.'iJ die Oberfläche der Schicht mit uor der erstgenannten
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Kontaktschicht g] eichvroi t nach oben vorsteht.
i'f). Element nach Anspruch 12, dadurch gekenn^eii cJmet, daß die zweite Kontaktschicht durch Sinterung hergestellt ist,
i'i. Element nach einem der Ansprüche k his 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrzahl der leitenden Bauteile zu» sacimen mit dem geneinsamen Anschnitt eine sternartige Form mit gegabelten Strahlen aufweist und daß der eine Teil der Schicht des nach oben stehenden halhleitenden Materials in Form von Lappen zwischen diesen Strahlen gebildet ist.
15. Element nach einen der Ansprüche 10 bis Vi1 dadurch gekennzeichnet, daß der eine Teil aer nach oben stehenden halbleitenden Schicht eine Hauptkathode und der weitere*Teil eine iiilf skathodc ist, die jeweils pn—Verbindungen zu eine;?! Bereich aus ha] bleitender.i Material des anderen Leitfähig— keitstyps aufweisen, auf λ* eich ein sie getragen sind und von welchem sie hochstehen und daß der leitende Bauteil oder die ]eitenden Bauteile allgemein Teile von in wesentlichen elektrisch gleichem Widerstand zwischen allen Teilen der Hilfskathode—pn—Verbindung und einem inneren Umfang der Hauptkathode-pn-Verb inching schaffen.
16. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 15, gekennzeichnet durch Einschluß in einer Kapsel mit einem Ivupferelekfci'Oueirvorsprung, dessen Oberfläche die leitende Fläche der elektrischen Verbindung ist.
17. Element nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Fläche durch eiuen isolierenden Überzug aus "hartem" Glas an elektrischer Verbindung zu dem leitenden Bauteil gehindert ist.
18. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Fläche an dem ersten Teil der Stirnfläche des Mlewojites seihst gebildet ist.
19- Element nach An'-ruch IS, gekennzeichnet chirch fine }'iükan;jcJ !nie, dj»- -*:" ·.;;; Cl nktrod önvi M-s;irpm>: urd sij';o fjejvjijle bzw. flo.hnhcae Hcuiclit auf'.,-eist, uircii welenc ..rir elelv ί T-i.sciie Yorai ικΙπί". "v.j.scheii de;;. Eleüeni und den
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BÄf> ORtQfNAt
Elektrodenvorsprimg hindurchgeht, wobei sich die Schicht seihst an der Deformation hindert, die die Herstellung einer elektrischen Verbindung mit dem leitenden Bauteil ermöglicht.
20. Element nach einem der Ansprüche 1 his 19, dadurch gekennzeichnet, daß das hall)leitende Material des Elements Silizium ist.
21. Element nach einem der Ansprüche 1 his 20, dadurch gekennzeichnet, daß das halbleitend^ in der Kontaktschicht eingeschlossene Material Silizium ist.
22. Element nach einem der Ansprüche 1 his 21, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Netall Aluminium ist.
23. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Metall Aluminium ist.
2h. Element nach einem der Ansprüche 1 his 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht des ersten Teiles der Stirnfläche aus Aluminium und Silizium besteht und daß der Siliziumgehalt weniger als 15 % beträgt»
25. Element nach einem der Ansprüche IS bis 2'i, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Oberfläche eine weitere Schicht, aus Silber, ist, die an der Kontaktschicht des ersten Teiles der Stirnfläche gebildet ist.
26. Element nach einem der Ansprüche 19 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß die flexible oder biegsame Schicht eine Molybdänscheibe ist.
27. Element nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Molybdänscheibe zwischen dem Element und einem Kupferelektrodenvorsprung getragen ist, um relative seitlich ο Bewegung des Elementes und des Vorsprungs bei sich ändernder Temperatur in der Einkapselung zuzulassen.
28. Element nach einem der Ansprüche 19 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß das Element an bzw. auf einer Molybdän— busispliitte gehaltert ist.
29. Elenont nach einen tier Ansprüche 16 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Einkapselung eine nachgiebige Wand
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aufweist, welche einen Elekirodenvorsprung trägt, an welchen Druck flurcli äußere Mittel zur Herstellung separater !»zw. getrennter elektrischer Verbindung angelegt ist.
30. Elenent nach einen der Ansprüche 1 "bis 29 für einen gesteuerten Halbleitergleichrichter, gekennzeichnet durch eine Hauptkathode vora perforierten Emittertyp.
31. Element nach Anspruch 30, gekennzeichnet durch eine Ilill'skathode vom perforierten Er-ittertyp.
32. Elerient nach einer; der Ansprüche 30 oder 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptkathode durch lokalisierte KurzKchlußstroEilcreise in der Form von Zonen aus halbleitencleni Material von einem länglichen Aufriß perforiert bzw. unterbrochen ist, die an der Kathode jnit ihrer längeren Achse parallel zur nächsten Kante der Kathode oder zu benachbarten Kathodenkanten gleichgeneigt zu beiden Seiten angeordnet sind.
33. Element nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenkante geradlinig bzw. gestreckt ist und die Kante einer Zone zwischen der längeren Achse und der Kathodenkante parallel angeordnet ist und selbst geradlinig ausgebildet ist.
J1I. Eleinent nach einen! der Ansprüche 30 bis 33, dadurch gekennzeichnet, daß die Perforationen lokalisierte Kurz— sohlxißstroiiikreise sind, die an der Hauptkathodenoberflache so verteilt sind, daß wenigstens 50 0Jo der Oberfläche sich zwischen dein nähesten Kiirzsclilußstroinkreis und der Kante der Kathodenoberfläche befindet.
35. Element nach einem der Ansprüche 30 bis Jk, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere Kante der Hauptkathode kreisförmig ausgebildet ist und mit Kurzschlußstronikreisbereicheii an Intervallen längs ihrer Kante versehen ist.
36. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 35, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Überzug aus Siliziiu-idioxyd besteht.
37. Element nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet,
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daß eier Siliziiiricli oxyd-irberz'.i?; als pyrolyti schcs Oxyd gebildet int.
3S. Element nach einen der Ansprüche 1 bis 35, dadurch gekenrzeiclmet, daß der isolierende Überzug aus einem "hartem" GInR5 freispiel swei.se Bleiglas "besteht,
59. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters "bzw. eines ITalbleiterelcrjonts für eine Druckkontaktverbindungs— Halbleitervorrichtimg, welches die Stufen des Aufdampfens von Metall auf nicht durch Masken abgedeckte Teile einer Halbleitermaterial stirnfläche des Elements, zu welchen Druckkontakt herzustellen ist, des Niederschiagens eines isolierenden Überzugs über die gesamte Stirnfläche und des Vyregätzens derjenigen Teile des Überzugs, der den Bc*- reichon der Stirnfläche entspricht, zu welchen Druckkontakt herzustellen ist, aufweist, wobei die verbleibende Isolierschicht nicht niehr als die Druckkontaktbereiche der Stirnfläche nach oben vorstehend angeordnet werden.
^O. Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, doß ein Teil des aufgedampften Metalls in ohmischein Kontakt Kit einer Schicht a-αε halbleitendem Material niedergeschlagen wird, welche unter derjenigen Schicht liegt, die die Stirnfläche bildet und von unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp ist, he einen leitenden Bauteil zu bilden, wobei der leitende Bauteil keinen direkten elektrischen Kontakt mit der die Stirnfläche bildenden Schicht herstellt.
hl. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 oder ^iO, dadurch gekennzeichnet, daß als halbleitendes Material Silizium verwendet wird und beide Lcitfähigkeitstypen an der Stirnfläche angeordnet werden.
h2. Verfahren nach einen der Ansprüche 39 bis hl, d.O.— du rc Ii geirennzeicijnet, deiß als aufgedampftes Metall Aluminium verwende (, wi rd.
Ί3. V^rfabror· nach Anmriioh *i2, dadurch fro ·-'.··Π '.) i ι :··;·.■'Wi γ-ήγ·!; {·!?■(■ (\jc. ■·■>.·!} L duroii Masken a 'If j ! (■ a·.' i'^orlaiüpf I". ^\r;i rd.
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BAOOFUQfNAL
llJi. Verfahren nr,>-h einer; C er Ansprrciif: ~?2 oder Ό, ixekenjizcioWint clr.reh Sintern, iv.i eine A!n::n.n:uin/S j Iiz:h;: :-- Schicht vo! 7-9 )'- Meke Kit bilden, die nicht s;ehr nls 15 ';■? S11 χ ζ i iivs e η ί · h M11,
;>5. Ver:f"i.!.h"ren nach ein Gin Oer Arisprficlie 39 ^' s; J'!l-, ?e_ lierüizeicluict i.iircli Al)setj:eij \>z\f. Xicricrselilageii tios xsoIIg rendeii überblies aus pyrolytisclis;:! Siliziiuudioxyf1 bis zu eir'or Γ-icke von in.":.creJ';;hr 10—20 ^t,.
hb. Yerfabren iipch eine:" Oer Ansoriiche 39 bis 7O, f;o— kennzej.clmet durcJi Bilden tlcs isolierenden Überzugs ons B'i oi,rrlas von mi^efAihr 10-20 α !"Jicke.
■^7» VcrfP.hrcn iie^li eines?; der Ansprüche 39 bis ';f>, "C~ iiiei cltircii Anl.;.rjn.''en einer weiteren Material FcJuOi.·
zn den Drueirlroni-a'ctboroiclien, ιυ^ eine lelienue Fl.'iclie zu bilden, die eich über cas Niveau des isol:i erenrlen Überzugs zwecks Vernei dnng uriei.^irscliter Pri'cJckor'ta'iitverbi nrjiinpr zu der S tjrnf lache oder Teilen tiieaex" St-ivnf lache anhebt.
hS. Ver:fr.liren naco Anspruch ^7? tlaclnroJi gelcerm^eieiinei daß als v/ei leres Material Silber in einer Schicht von tniü;e fähr 50 p. Dicke durch elektrolytisches Plattieren a.bi>;eset;r bzw. niedergeschlagen v.'ird.
3 O 9 8 ft ? / 1 1 η
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3503709A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur befestigung einer einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete halbleitereinrichtung
AT393009B (de) * 1989-11-07 1991-07-25 Poska Albertas Ionas Antanovic Selbsttaetiges ventil

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5263494U (de) * 1975-10-31 1977-05-11
JPS5773945A (en) * 1980-10-27 1982-05-08 Hitachi Ltd Semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514562B2 (de) * 1965-09-07 1972-12-07 Semikron Gesellschaft fur Gleich richterbau und Elektronik mbH, 8500 Nurn berg Anordnung zur herstellung eines halbleiter-bauelementes
FR1530863A (fr) * 1966-07-07 1968-06-28 Asea Ab Empilage de semi-conducteurs se prêtant à la commande
DE1288690B (de) * 1966-08-03 1969-02-06 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen eines gut haftenden Kontaktes mit Aluminium an einem Siliziumhalbleiterkoerper
US3508324A (en) * 1967-02-13 1970-04-28 Philco Ford Corp Method of making contacts to semiconductor devices
US3611066A (en) * 1969-12-12 1971-10-05 Gen Electric Thyristor with integrated ballasted gate auxiliary thyristor portion
DE2064110A1 (de) * 1970-01-02 1971-07-08 Westinghouse Electric Corp Mittels einer Gate-Elektrode steuerbare Schalteinrichtung
DE2103146A1 (de) * 1970-01-26 1971-08-05 Westinghouse Electric Corp Mittels einer Gate Elektrode Steuer bares Schaltelement
US3654529A (en) * 1971-04-05 1972-04-04 Gen Electric Loose contact press pack

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3503709A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur befestigung einer einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete halbleitereinrichtung
AT393009B (de) * 1989-11-07 1991-07-25 Poska Albertas Ionas Antanovic Selbsttaetiges ventil

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