DE1564867A1 - Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen

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DE1564867A1 DE19661564867 DE1564867A DE1564867A1 DE 1564867 A1 DE1564867 A1 DE 1564867A1 DE 19661564867 DE19661564867 DE 19661564867 DE 1564867 A DE1564867 A DE 1564867A DE 1564867 A1 DE1564867 A1 DE 1564867A1
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Description

Telefunken Pa tent verwert iings gesell schaft
m.b« H*
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 22.6.1966 FE/PT-Ma/Na HN 39/66
"Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen, das zu einer Rationalisierung und wesentlichen Vereinfachung des bisherigen Verfahrene führt.
In der jüngsten Zeit wurden mehrfach Überlegungen angestellt, wie bei der heute üblichen Serienfertigung von Dioden, Transistoren und integrierten Schaltungen das Kontaktierungsverfahren so vereinfacht werden kann, daß eine halb- oder vollautomatische Bearbeitung der Halbleiterbauelemente möglich ist.
So wurde beispielsweise ein leiterförmiger Kontaktierung«- streifen vorgeschlagen, auf dem eine Vielzahl von Planartransistoren kontaktiert werden können. Dabei weist der Kontakti erungs streif en für jedes,; zu kontaktierende Bauele-
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ment soviele Sprossen auf, wie zu kontaktierende Elektroden vorhanden sind. Der Halbleiterkörper wird auf eine der Sprjossen aufgelötet, und seine Elektroden werden mit benachbarten Sprossen mittels dünner Zuleitungsdrähte elektrisch leitend verbunden· Nach der vollständigen Kontaktierung werden die die Sprossen verbindenden Teile des KontaktierungsStreifens abgetrennt; die Bauelemente werden zuvor entweder in einen Isolierstoff eingegossen, oder die mit dem Bauelement verbundenen Kontaktierungssprossen werden auf Sockeldurchführungen herkömmlicher Gehäusesockel aufgeschweißt. Bei diesem ansich vorteilhaften Verfahren wird die Kollektorzone zwar bereits beim Auflöten der Halbleiterkörper kontaktiert, die Emitter- und die Basiselektroden müssen Jedoch, wie bisher, mit dünnen Zuleitungsdrähten mit den zugeordneten Sprossen verbunden werden. Dies bedeutet, daß zwar das Auflöten der Halbleiterbauelemente unter Umständen vollautomatisch erfolgen kann, zur Kontaktierung der Emitter- und der Basiselektroden sind aber nach wie vor Arbeitskräfte notwendig, die die Kontaktierung dieser Elektroden mit Hilfe der miskroskopischen Beobachtung durchführen. So muß also jedes Element einzeln, manuell kontaktiert werden, wodurch sowohl ein hoher Personalbestand, eine Vielzahl
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von Geräten, als auch ein relativ großer Zeitaufwand erforderlich wird.
üa die äußerst feinen Zuleitungsdrähte zwischen den Kontaktierungssprossen und den Elektroden empfindlich sind und beispielsweise bei einer Beschleunigungsbeanspruchung leicht reißen können, wurden auch bereite Überlegungen angestellt, wie Halbleiterbauelemente, insbesondere Planartransistoren, drahtfrei kontaktiert werden können. Bei allen gemachten Vorschlägen wurde vorausgesetzt, daß alle Elektroden des Halbleiterbauelementes auf einer Oberflaxhenseite des Halbleiterkörpers kontaktiert werden können. Bei Planartransistoren müssen also sowohl die Kollektorzone wie auch die Basis- und die Emitterzone auf einer Oberflächenseite des Halbleiterkörpers kontaktiert werden können« Dazu wurden Halbleiterkörper vorwendet, bei denen auf die Halbleiteroberfläche eine Glaspassivierungsschicht aufgebracht wurde. Anschließend mußten in diese Glasechicht auf photolitographischem Wege Öffnungen eingebracht werden, durch die in einem elektrolytis'chen Prozeß eine Metall legierung so auf die Kontaktstellen der Halbleiterzonen abgeschieden wurden, daß die Kontakte danach halbkugelförmig aus der Glaspassivierungsschicht herausragen.
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ORIGIN At INSPECTED
Unter der Voraussetzung, daß derartige Halbleiterbauelemente, bei denen die Kontaktstellen über die Oberfläche des Halbleiterbauelementes herausragen, vorhanden sind, wurde vorgeschlagen, daß auf die aufbauseitige, aus einem isolierenden Material bestehende Oberfläche eines herkömmlichen Gehäusesockels so metallische Kontaktierungsinseln aufgedampft werden, daß diese mit den Sockeldurchführungen verbunden, jedoch gegenseitig elektrisch voneinander isoliert sind. Die Kontaktjfierungsinseln ragen nun so zur Mitte der Oberfläche des Gehäusesockels, daß das Halbleiterbauelement mit seinen Elektroden auf diese Inseln aufgelegt und direkt mit diesen verlötet werden kann.
Auch dieses sicherlich vorteilhafte Verfahren weist noch einige Mangel auf. So ist es bei Planartransistoren aus verschiedenen Gründen günstig, wenn die Kollektorzone auf einer Oberflächenseite kontaktiert wird, wobei zur Kontaktierung möglichst die ganze Oberflacheneeite zur Verfügung steht, während die Emitter- und die Basiselektrode auf der gegenüberliegenden Oberflacheneeite kontaktiert werden. Nur bei dieser Kontaktierungsweise ist der Weg der Ladungsträger der kürzest mögliche, die Verluste an Ladungsträgern durch Rekombination an den Oberflächen des Halbleiterbauelementes am kleinsten und die Wärraeablei-
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I O D H ö 0/ - 5 -
tung gut. Wenn alle Elektroden an einer Oberflächenseite kontaktiert werden, kann die Grenzfrequenz und die Stromverstärkung einen bestimmten Viert nicht übers ehielten, die Wärmeableitung ist denkbar schlecht, so daß die Verlustleistung auf ein Minimum beschränkt bleibt.
Um die Nachteile dieser früher gemachten Vorschläge zu beseitigen und um ihre Vorteile zu vereinen, wird nun erfindungsgemäß ein Kontaktierungsvorfahren vorgeschlagen, das vorsieht, daß die Halbleiterbauelemente serienweise mit ihrer einen Oberflächenseite auf Zungen oder Sprossen eines Kontaktierungsstreifens elektrisch leitend befestigt werden, daß durch Umklappen von Teilen des Kontaktierungsstreif ens die auf der anderen Oberflächenseite des HaIbleiterbauelementes befindlichen Elektroden mit Sprossen oder Zungen des Kontaktierungsstreifena in Berührung kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden, und daß nach dem Abtrennen der die Sprossen und/oder Zungen verbindenden Teile des Kontaktierungsstreifens diese als Elektrodenzuleitungen oder als Teile von Elektrodenzuleitungen verwendet werden.
Mit entsprechend ausgebildeten Kontaktierungsstreifen können Dioden, Transistoren und integrierte Schaltungen drahtfrei kontaktiert werden. Vf^nn der Kontaktierungsstrei-
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fen so ausgebildet wird, daß Teile dee Streifens definiert auf andere Teile des Kontaktierungsstreifens geklappt werden können, ist nur eine einmalige Einjustierung der Fertigungegeräte gegenüber den Kontaktierungsstreif en erforderlich, da alle Abstände auf den Kontaktierungsstreif en sich stets exakt wiederholen, so daß die Halbleiterbauelemente automatisch auf Teile des Kontaktierungsstreifens aufgelötet und die übrigen Elektroden mit anderen Teilen des Kontaktierungsstreifens verbunden werden können, indem man den Streifen an einer genau definierten Stelle zusammenfaltet. Bei den genannten Teilen des Kontaktierungastreifens handelt es sich um Sprossen, Zungen oder mit dem Streifen verbundenen Zinken. Es ist selbstverständlich, daß ein derartiger Kontaktierungsstreifen in seinen Abmessungen nur äußerst kleine Toleranzen aufweisen darf. Deshalb wird es vorteilhaft sein, den Kontaktierungsstreifen mit Hilfe der Masken- und der Photoätztechnik herauszustellen. Natürlich kann der Streifen auch aus einem Metallband ausgestanzt werden, wenn die Toleranzen dieser Stanzvorrichtungen klein genug gehalten werden können.
Mit einem derartigen Kontaktierungsstreifen können insbesondere Planartransistoren kontaktiert werden, deren Kollektorzone auf der einen Oberflächenseite und deren
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ORSGlKAL INSPECTED
Emitter- und Basiselektroden auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite zu kontaktieren sind* Da der Halbleiterkörper mit seiner Kollektorzone auf eine Sprosse oder eine Zunge des Kontaktierungsstreifens aufgelötet wird, ist eine gute Wärmeableitung, eine hohe Stromverstärkung und eine hohe Grenzfraquenz gewährleistet. Da zur Kontaktierung der Emitter- und der Basiselektrode gleichfalls Sprossen, Sprossenteile oder Zungen auf dem Kontakt ie runge streifen vorgesehen sind, eignet sich das Kontaktierungsverfahren besonders für Planartransistoren, deren Emitter- und Basiselektrode aus dem Halb·" 1eiterkörper, beispielsweise halbkugelförmig herausragen. Dazu werden die Emitter- und die Basiszone auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers mit Metallkontakten versehen· dann wird die Oberfläche mit einer Glaspassivierungsschicht bedeckt, in die über den Halbleiterzonen auf photolitographischera Weg Öffnungen eingebracht werden, in die dann elektrolytisch Kontaktmaterial aus einem Metall oder einer Metallegierung abgeschieden werfen, das über, die Oberfläche der Glaspassivierungsschicht oder einer anderen Isolierschicht hochragt.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können aber auch Planartransistoren kontaktiert werden, deren Emitter-
und Basiskontakt über auf dem Halbleiterkörper verlaufenden
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Leitbahnen mit metallisch belegten Isolierstoffpodesten auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers verbunden sind. Dann wird man in die Sprossen oder Zungen, die mit diesen auf Podesten befindlichen Kontaktflächen verbunden werden sollen, vorteilhafterweise Sicken derart einpressen, daß auf der den Kontaktflächen des Halbleiterbauelementes zugewandten Oberfläche der Zungen oder Sprossen Erhebungen entstehen, die mit Hilfe des Thermokorapressionsverfahrens mit den Kontaktstellen auf den Isolierstoffpodesten verbunden werden.
Die Halbleiterbauelemente und ihre Kontaktstellen werden vorteilhafterweise vor dem Abtrennen der die Sprossen oder Zungen des Kontaktiarungsstreifens verbindenden Teile in einen Isolierstoff, beispielsweise in Gießharz eingebettet. Erst danach werden die Bauelemente vereinzelt. Die aus dem Isolierstoff herausragenden Streifenteile können als Elektrodenzuleitungen verwendet werden; in diesem Fall handelt es sich um gehäuselose Subminiaturtransistoren, oder man verbindet diese Streifenteile mit den zugeordneten Sockoldurchflihrungen eines Gehäusesockels zur Herstellung handelsüblicher, in Gehäuse eingebauter Halbleiterbauelemente.
Die Erfindung soll noch anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden.
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I \J U "T \J \J I
Die Figuren 1 und 2 zeigen zwei unterschiedlich gebaute Kontaktierungsstreifen für Planartransistoren. In den weiteren Figuren sind verschiedene Fertigungsphasen dargestellt.
Die Figur 1 zeigt einen Kontaktierungsstreifen zum Aufbau von Planartransistoren, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holmen 1 miteinander verbundenen Leitern 2 und 3 aufweist. Dabei dienen die Sprossen 4 der Leiter zur Aufnahme und Kontaktierung der Kollektorkörper 5 von Planartransistoren. Der Kontaktierungsstreifen weist zur Erhöhung der Stabilität des dünnen Blechstreifens zwei äußere Holmen 6 und 7 auf, über die die Sprossen der beiden Leitern miteinander verbunden sind.
- t
Auf der Leiter 2 sind für jedes zu kontaktierende Bauelement zwei Sprossen 8 und 9 vorgesehen, die zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterelektrode Io und 11 des Transistorelementes verwendet werden. Die beiden Sprossen und 9 besitzen je eine nach innen ragende Zunge 12 bzw.l3i die nur durch einen schmalen Spalt lk voneinander getrennt und so angeordnet sind, daß beim Umklappen der Leiter 3 auf die Leiter 2 um l8o die Basis- und Emitterelektroden Io bzw. 11 mit den Zungen 12 und 13 in Berührung kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden.
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- Io -
Der mittlere Holmen 1 des Kontaktierungsstreifens wurde ,so bearbeitet, daß die Mitte dieses Holraens die Achse beim Zusammenklappen der Streifenteile bildet. Dazu wurde die Ilolmenmitte mit einer Perforierung versehen. Diese Perforierung kann in Form hintereinandergereihter, kleiner Löcher oder, wie die Figuren zeigen, in Form sich wiederholender, schmaler Schlitze 15 ausgebildet sein. Zwischen je zwei Sprossen k der Leiter 3 wurde ein Teil des mittleren Holmen bis zur Holmenmitte bzw. bis zur Perforierung entfernt, um jede mit einem Bauelement 5 versehene Sprosse k einzeln auf den anderen Streifenteil klappen zu können. Die Holmen 1, 6 und 7 des Kontaktierungsstreif ens sind mit Lochaussparungen 17 versehen, die vor allem zum Transport der streifen in den halb- oder vollautomatischen Fertigungsgeräten dienen. Die Löcher 17 befinden sich in gegenüber den Sprossen genau definierten Positionen, so daß beispielsweise beim Aufsetzen der mit einer Saugpinzette antransportierten Halbleiterkörper diese stets an der gleichen Stelle der Sprosse k aufgelötet worden,
Die Figur 2 zeigt einen etwas anders ausgebildeten Kontaktierungsstreif en, bei dem auf den Holmen 7(Figur.l) verzichtet wurde. Die an ihrem einen Ende freien Zungon oder Zinken l8 sind zweifach entgegengesetzt abgewinkelt« so daß der am ßnde der Zinken l8 liegende, für die Aufnahme
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I OÜHÖD/
der Halbleiterkörper 5 vorgesehene Zinkenteile 19 zwar parallel zur eigentlichen Streifenebene verläuft, aber etwas um die Höhe des Halbleiterkörpers 5 unter dessen Niveau liegt. Wenn nun die Halbleiterkörper 5 auf den abgewinkelten Teilen 19 der Zinken l8 aufgelötet worden sind, ragen nur die Anschlußstellen für die Emitter- und die Basiselektrode über die eigentliche Streifenebeis.. In die Zungen 12 und 13 der Leiter 2 sind Sicken 2o eingepresst, die beim Umklappen der Zinken auf die Leiter 2 auf die Kontaktstellen zu liegen kommen und an diese angelötet bzw. durch Thermokompression mit diesen verbunden werden. Der Kontaktierungsstreifen nach Figur 2 weist einen durchgehenden, überall gleichmäßig breiton,mittleren Holmen 1 auf, der in der Mitte wiederum eine eingeätzte oder eingeschnittene Perforierung besitzt. Man kann also nach dem Auflöten der Halbleiterkörper auf die Zinken l8 entweder den ganzen Kontaktierung«- streifen an der Perforierung 15 zusammenklappen, oder es wird nachträglich zwischen je zwei Zinken 18 ein bis zur Perforierung reichender Einschnitt eingebracht, wodurch die Zinken l8 einzeln auf die zugeordneten Teile der Leiter 2 geklappt werden können.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, daß, gemäß Figur 3« zwischen je zwei Zinken bzw. Zungen l8 ein bis zur Perfo-
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rierung reichendes Stück 21 aus dem Kontaktierungsstreifen herausgeschnitten oder herausgeätzt wird.
üer Kontaktierungsstreifen besteht vorteilhafterweise aus einem Metall, dessen Ausdehnungskoeffizient dem des Halbleitermaterials entspricht. Ferner werden die Kontaktierungsstreif en vorteilhafterweise vergoldet und an den Stellen der Kontaktierungssprossen- oder Zinken, die für die Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind, mit einer Lotschicht bedeckt.
In einem ersten Fortigungsautomaten werden also die vorsortierten Halbleiterkörper auf Sprossen k bzw, auf Kontaktierungezinian- oder Zungen 18 aufgesetzt und in einer Wärmezone des Fertigungsgerätes auf diesen Streifenteil aufgelötet. Geht man von einem Kontaktierungsstreifen nach Figur 1 aus, so wird nach dem Auflöten der Halbleiter körper, gemäß Figur 4, der zur Stabilisierung des Kontaktierungsstreif ens verwendete äußere Holm 7 vom Kontaktierungsstreifen abgetrennt. Dieser Arbeitsgang kann gleich allen bisherigen und weiterhin erforderlichen Arbeitsgängen vollautomatisch erfolgen. Anschließend werden, wie Figur 5 zeigt, die Sprossen k in Pfeilrichtung oder, wie die Figur 6 zeigt, die abgewinkelten Zinken auf die Leiter 2 mit Hilfe einer geeigneten Klappvor-
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I 0D4ÖD/ - 13 -
richtung um die durch die Perforierung gebildete Achse auf dem mittleren Holmen 1 geklappt, so daß die Emitter- und die Basiselektrode, wie die Figuren 7 und 8 zeigen, mit den Zungen 12 und 13 der Sprossen 8 und 9 in Berührung kommen. Anschließend wird beispielsweise gegen die Unterseite der Zungen 12 und 13 ein geheizter Stempel gepresst, der die Kontaktierungsteile derart erhitzt, daß die Elektroden des Halbleiterbauelementes mit den Zungen 12 und 13 des Kontaktierungsstreifens verlötet werden. Dabei wird vorteilhafterweise gleichzeitig von oben ein Beschwerungsstempel auf die Sprossen k oder auf die Zinlcenteile 19 zur Erzeugung eines Gegendruckes aufgesetzt. In einem andren Fall können die Zungen 12 und 13 bei einer bestimmten Temperatur, die unter der Löttemperatur liegt, mit geeigneten Nadeln oder Stiften derart gegen die Kontaktierungsstellen auf den Halbleiterkörpem gepresst werden, daß eine Kaltschweißung bzw. eine Thermokompressionsverbindung zustande kommt. Die übereinanderliegenden Teile des ursprünglich mittleren Holmen 1 können zusammengepresst, geklemmt,- geschweißt- oder gelötet werden, so daß ein Auffedern des Kontaktierungsstreifens unmöglich wird.
Danach wird, gemäß den Figuren 9 und Io, der äußere Holm 6 abgetrennt oder abgeätzt, so daß die Kontaktierungsteile
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- Ik -
an ihrem freien Ende nicht mehr kurzgeschlossen sind. «Die Halbleiterkörper werden dann zusammen mit den Kontaktierungsstellen in Kunststoff eingebettet. Dazu wird der ganze Kontaktierungsstreifen mit den freien Enden der Kontakt!erungssprossen in eine mit flüssigem Kunststoff, beispielsweise Gießharz,gefüllte Rinne getaucht. Nach dem Aushärten des Kunststoffes bildet sich eine den Figuren 11 und 12 entsprechende Anordnung, bei der die empfindlichen Teile der Halbleiter el entente praktisch unzerstörbar von einem Isolierstoff 22 umgeben sind.
Gemäß der Figur 13 wird anschließend der die Sprossen k, 8 und 9 verbindende Holm 1 abgetrennt, so daß die Elektroden des Halbleiterkörpers vollständig voneinander isoliert und über die aus dem Isolierstoff herausragenden Teile des Kontakt!erungsstreifens zugänglich sind. Noch während die Elemente durch den sie verbindenden Kunststoff zusammengehalten werden, können die Halbleiterbauelemente gemessen und gekennzeichnet werden. Ein in Figur 14 vorliegendes, von den übrigen Transistoren separiertes Einzelelement 3° bildet einen einsatzfähigen, gehäuselosen Subminiaturtransistor, dessen Elektrodenzuleitung 9 durch einen Schrägschnitt 23 gekennzeichnet ist. Durch diese oder eine andere Kennzeichnung läßt sich leicht erkennen,
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welche Elektrodenzuleitung zu einer der Elektroden des Transistor» gehört. Die in Figur lk dargestellten Subminiaturtransistoren "}o können auch in Schaltungen eingebaut werden, die sich aus auf eine Keramikplatte aufgedampften Widerstanden, Kondensatoren und anderen Bauelementen zusammensetzt. Dazu werden die Elektrodenzuleitungen 4, 8 und 9 so abgewinkelt, daß sie mit auf der Platte befindlichen, zugeordneten Leitbahnen verlötet oder verschweiße /erden können.
Figur 15 zeigt, wie ein Subminiaturtransistor 3o nach Bgur ΐΛ in ein herkömmliches Gehäuse eingebaut wird. Der Gehäusesockel 2k weist drei Sockeldurchführungen 26, 27 und 28 auf, an deren aufbaueeitigen Enden die abgewinkelten Elektrodenzuleitungen k, 8 und 9 des Subminiaturtransistors angeschweißt werden. Anschließend wird das System nah mit einer Gehäusekappe verschlossen.
Das erfindungegemäße Verfahren kann auch zur Kontaktierung anderer Halbleiterbauelemente angewandt werden. Zur Kontaktierung von Dioden wird jede der einen Kontaktierungsstreifen bildenden Leitern nur eine Sprosse, eine Zunge oder einen Zinken zur Kontaktierung Je einer Elektrode der Dioden aufweisen. Zur Kontaktierung von integrierten Schaltungen muß das Halbleiterbauelement in etwa der Mitte
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einer Kontaktierungssprosse auf der einen Leiter aufgesetzt werden, während die andere, den Kontaktierung«- streifen ergänzende Leiter, zur Kontaktierung der Elektroden soviele nach innen ragende Sprossen oder an Sprossen angebrachte Zungen aufweist, wie zu kontaktierende Elektroden vorhanden sind, ao daß beim Zusammenklappen der Streifenteile alle Kontaktstellen gleichzeitig und drahtfrei kontaktiert werden. Auch dann werden die Iialbleiterbauelemente und die Kontaktstellen in einen Isolierstoff eingegossen, und die au« dem Isolierstoff herausragenden Streifenteile können al· ülektrodenzuleitungen verwendet werden, wobei wiederum eine Markierung der Zuleitungen oder auf dem Isolierstoff die Orientierung bei der Verwendung der Schaltung erleichtert.
Das Wesen der Erfindung, deren Einzelheiten variierbar sind, besteht demnach darin, daß in einer vollautomatischen Γertigung Halbleiterbauelemente drahtfrei zu kontaktieren sind. i)ie Einsparungen an Personal und an Fertigungskosten sind für eine den heutigen Erfordernissen entsprechende Massenfertigung ausschlaggebend.
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    l) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbauelemente serienweise mit ihrer einen üborflächenseite auf Zungen oder Sprossen eines Kontaktierunssstreifens elektrisch leitend befestigt werden, daß durch Umklappen von Teilen des Kontaktierungsstrexf ens die auf der anderen Oberflächenseite des lialbleiterbauelementes befindlichen lilektroden mit Sprossen oder Zungen des Kontaktierungsstreifens' in ßerimrung kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden, und daß nach dem Äbtrennen der die Sprossen und/oder Zungen verbindenden feile des Kontaktierungsstreif ens diese als Elektrodenzuleitungen oder als Teile von iClektrodenzuleitungen verwendet werden,
    2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbauelemente und ihre Kontaktiarungsstellen vor dom Abtrennen der die Sprossen und/oder Zungen verbindenden Teile des Kontaktierungsstreifens in einen Isolierstoff eingebettet werden,
    3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Vereinzeln der in einen Isolierstoff eingebetteten Halbleiterbauelemente die aus dem Isolierstoff
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    „herausragenden Streifenteile mit den Sockel durchführungen eines Gehausesockels elektrisch leitend verbunden werden.
    k) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Kontaktierung von Planartransistoren, deren Kollektorzonen auf der einen überfliichonseite des Halbleitei* körpers zu kontaktieren ist, während die liasis- und die Emitterelektrode auf der gegenüberliegenden Obei'i'lacheriseite halbkugelförmig aus dem Halbleiterkörper horausragen.
    5) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3> gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Kontaktierung von l'lanartransistoreu, deren uiiittur- und Basiskontakt über auf dem Halbleiterkörper verlaufenden Leitbahnen mit metallisch belegten lsolierstoffpodesten auf der Oberfläche fies Halbleiterkörper» verbunden sind.
    C) Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß in die Zungen oder oprossenteile des Kontaktierungsstreifens, die mit dem Emitter- und dem Basiskontakt der Halbleiterbauelemente elektrisch leitend zu verbinden sind, derart Sicken eingebracht worden, daß auf der den Kontaktierungssteilen des Halbleiterbauelementes zugewandten Oberfläche der Zungen oder Sprossen Erhebungen entstehen,
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    die durch Thermokompression mit den Kontaktierung««teilen verbunden werden·
    7) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierung«- Streifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen Leitern aufweist, wobei die Sprossen der einen Leiter zur Aufnahme und Kontaktierung der Kollektorkörper von Planartransistoren vorgesehen sind und die Sprossen der anderen Leiter zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterzonen verwendet werden.
    8) Verfahren nach Anspruch 7» gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens, dessen für die Kontaktierung der Emitter- und der Basiszonen vorgesehenen Sprossen je eine nach innen ragende Zunge aufweist, die so angeordnet sind, daß die zu einem Hauelement zugeordneten Zungen durch einen schmalen Spalt voneinander getrennt sind und daß beim Umklappen des das Halbleiterbauelement tragenden Leiterteiles die Basis- und die Emitterelektroden mit diesen Zungen in Berührung kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden.
    9) Verfahren nach Anspruch 7 und 6, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifena, der die Fora
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    zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen Leitern aufweist, wobei der gemeinsame Holm in der Mitte eine Perforierung aufweist, die ein definiertes Zusammenklappen der beiden Leitern erlaubt.
    10) Verfahren nach Anspruch 71 8 und 9» gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktxerungsstreifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen Leitern aufweist, xfobei der mittlere Holm in der Mitte perforiert bzw. mit Schlitzen versehen ist und bei dem zwischen den Sprossen die für die Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind ein bis zur Perforierung des mittleren Holmen reichender Einschnitt vorhanden oder ein Teil des Holmen zwischen je zwei Sprossen bis zur Perforierung entfernt ist.
    11) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsstreifen aus einem Metall bestehen, deasen Ausdehnungskoeffizient dem des Halbleitermaterial entspricht, daß die Kontaktierungsstreifen vergoldet werden und an den Stellen, die für die Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind mit einer Lotschicht bedeckt werden.
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    12) Verfahren nach Anspruch 7 bis 12, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens für Planartransistorenf wobei auf dem einen leiterförmigen Toil des Kontaktierungsstreifens je eine Sprosse für die Aufnahme des Halbleiterkö'rpers vorgesehen ist, während auf dem anderen leiterförmigen Teil des Kontaktierungsstroifens jeweils zwei mit Kontaktierungszungen versehene Sprossen zur Kontaktierung der Emitter- und der Basiszone vorhanden sind,
    13) Verfahren nach Anspruch 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkörper der Planartransistoren serienweise auf die zugeordneten Sprossen der einen Leiter aufgelötet werden, daß anschließend der äußere, diese Sprossen miteinander verbindende Holm der Leiter entfernt wird, daß jede mit einem Halbleiterkörper versehene Sprosse um l8o um die Perforierung im mittleren Hol men auf die andere Leiter geklappt wird und die übrigen Elektroden des Halbleiterkörpers mit den zugeordneten Zungen oder Sprossen dieser Leiter durch Löten der Thermokompression elektrisch leitend verbunden werden( daß der andere äußere Holm des Kontaktierungsstreifens-entfernt und die Halbleiterkörper zusammen mit den Kontak-
    909850/ 1224 bad OWGsnaL
    tierungsstellen in einen Isolierstoff eingebettet werden,· * und daß dann durch Abtrennen des ursprünglich mittleren Holmen des Kontaktierungsstreifens die Halbleiterbauelemente separiert und ihre Klektroden elektrisch voneinander isoliert werden.
    lh) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsstreifen aus einem Metallband ausgestanzt werden.
    15) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsstreifen mit Hilfe der Photoätztechnik aus einem Metallband hergestellt werden.
    16) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in die Holmen der Kontaktierungsstreif en Lochaussparungen zum Transport der Streifen in den Fertigungsgeräten eingebracht werden.
    , 17) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da-• durch gekennzeichnet, daß während der Kontaktierung der Halbleiterkörper die Sprossen oder Zungen des Kontaktierung«· Streifens gegen die Elektroden des Halbleiterkörper« gepreßt werden.
    909850/1224 ORIGINAL INSPECTED
    18) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, ge*- kennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holmen miteinander verbundenen Leitern aufweist, wobei die Sprossen der einen Leiter, die zur Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind, nur über den mittleren Holmen miteinander verbunden sind.
    19) Verfahren nach Anspruch 1.8, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehenen Sprossen zweifach entgegengesetzt abgewinkelt werden, und daß auf den parallel zur Streifenebene verlaufenden, abgewinkelten Teil der Sprossen die Halbleiterkörper .aufgelötet werden.
    20) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß entweder an dem die Halbleiterkörper schützenden Isolierstoff oder an den aus dem Isolierstoff herausragenden Sprossen eine Markierung angebracht wird, die die Anordnung der Elektroden kennzeichnet.
    21) Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbauelemente in Gießharz eingebettet werden.
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C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
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