DE1791233B1 - Verfahren zur Herstellung eines Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen

Info

Publication number
DE1791233B1
DE1791233B1 DE19641791233 DE1791233A DE1791233B1 DE 1791233 B1 DE1791233 B1 DE 1791233B1 DE 19641791233 DE19641791233 DE 19641791233 DE 1791233 A DE1791233 A DE 1791233A DE 1791233 B1 DE1791233 B1 DE 1791233B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductor pattern
printed
resistors
base
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19641791233
Other languages
English (en)
Inventor
Edward Davis Jun
Arthur Mones
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Priority claimed from US445339A external-priority patent/US3340438A/en
Publication of DE1791233B1 publication Critical patent/DE1791233B1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003Thick film resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/647Resistive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/013Thick-film circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01056Barium [Ba]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30105Capacitance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/167Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10295Metallic connector elements partly mounted in a hole of the PCB
    • H05K2201/10303Pin-in-hole mounted pins

Description

3 4
leitende Basis planiert ist, erzeugt. Es besteht dem- auf der Unterlage 42 befestigt werden, wie später
nach jeder Leiterzug aus einer Schichtung eines noch ersichtlich wird. Ein den aufgezeigten Erforder-
Widerstandsmaterials mit einem elektrisch leitenden nissen genügendes Unterlagenmaterial ist eine
Material. Die Widerstände werden schließlich durch 95%ige Tonerde-Zusammensetzung, welche eine
Wegätzen auch des Widerstandsmaterials an den 5 thermische Leitfähigkeit von annähernd
nicht benötigten Stellen erstellt. Das bekannte Verfahren ist dadurch aufwendiger und langwieriger als
das erfindungsgemäße, denn es muß zunächst die 18 ±\ kcal
isolierende Unterlage mit zwei Schichten versehen h-In-0C
werden, und hernach müssen diese Schichten ent- ίο
sprechend eines vorher bestimmten Musters in fünf
Arbeitsschritten teilweise entfernt werden. Außerdem hat. Tonerde hat auch ausgezeichnete elektrische und sind im Gegensatz zur Erfindung die Anschlußstifte hohe Temperatureigenschaften,
in üblicher Weise mit den Leitern verlötet. Konden- Vor dem Drucken des Leitermusters 41 wird die satoren werden bei dem bekannten Funktionsblock 15 Unterlage 42 durch Eintauchen in Tri-Chlor-Äthylen lediglich in herkömmlicher Weise durch ein Verlöten gereinigt. Die getauchte Unterlage 42 wird für die der Anschlußdrähte dieser Bauelemente mit dem Dauer von ungefähr 5 Minuten in einem Ultraschall-Leitermuster verbunden. Reiniger eingelegt, und nach ihrer Herausnahme
Die Erfindung ist nachstehend an Hand eines in wird sie annähernd 15 Minuten lang in warmer Luft
den Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispieles 20 getrocknet,
beschrieben. Es zeigt Nach der Reinigung wird das Leitermuster 41 auf-
F i g. 1 die Schaltung eines herzustellenden Funk- gedruckt. Metallisierende Farben in den typischen
tionsblocks, Zusammensetzungen von Gold, Silber und Platin
Fig. 2 eine Draufsicht auf eine Unterlage nach werden bei dem Druckverfahren verwendet. Die
dem Druck des Leitermusters, 25 Farbe muß eine ausgezeichnete Haftfähigkeit hin-
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Unterlage nach der sichtlich der Unterlage haben als auch eine gute
Fig. 2 nach dem Druck eines Dünnfilmwiderstandes, elektrische Leitfähigkeit und gute Löteigenschaften
Fig. 4 eine Seitenansicht der Unterlage gemäß der aufweisen. Der Druck auf der Unterlage42 erfolgt
Fig. 3 nach dem Einsetzen der Anschlußstifte, mittels des bekannten Siebdruck-Verfahrens. Hierauf
Fig. 5 eine Draufsicht auf die Unterlage gemäß 30 wird die Unterlage42 in einem Ofen für eine Dauer
der Fig.4 nach der Verzinnung, von annähernd 30Minuten auf annähernd 750 bis
Fig.6 eine Draufsicht auf die Unterlage gemäß 8000C erhitzt. Die endgültigen Leiter haben eine
der F i g. 5 nach der Beschneidung der Widerstände, Breite von ungefähr 0,13 bis 0,25 mm und können
Fig. 7 eine Draufsicht auf eine Unterlage nach durch einen gleichen Abstand voneinander getrennt
dem Aufdruck eines Dünnfilmkondensators, 35 sein. Es ist besonders wichtig, daß die Leitungsbreite
Fig. 8 eine Draufsicht auf eine Unterlage nach von den vorher angegebenen Abmessungen ist, um
-dem Aufdruck eines Dünnfilm-Induktors. die Anzahl der für den gewünschten Funktionsblock
Ein für informationsverarbeitende Anlagen wich- erforderlichen Schaltungselemente auf der Unterlage
tiger Funktionsblock ist die in der Fig. 1 gezeigte 42 anbringen zu können.
UMD/ODER-Inverterschaltung. In der weiteren Be- 40 Der nächste Arbeitsschritt in dem Verfahren ist Schreibung wird dieser Funktionsblock der Einfach- das Drucken der Widerstandselemente 51, 52 und 53 heit halber erläutert, jedoch ist es mit der Erfindung auf der Unterlage 42 an der richtigen Stelle im Leimöglich, Funktionsblöcks für jede beliebige Funk- termuster41, wie dies in der Fig. 3 gezeigt ist. Zum tion zu erzeugen. Kurz zusammengefaßt, umfaßt die Druck der Widerstände 51, 52 und 53 auf der Unter-UND/ODER-Inverterschaltung den Transistor 20, 45 lage 42 wird ebenfalls ein gebräuchliches Siebdruckder mit der die Dioden 23, 24 enthaltenden Dioden- Verfahren verwendet. Die Widerstände werden in Torschaltung 22 zusammenwirkt. Die Schaltung ent- relativ breiten Räumen zwischen parallel oder gehält auch die Diode 27 für die ODER-Funktion, neigten Leitungswegen gedruckt. Die Widerstandsgeeignete Vorspannungswiderstände 28, 29 und den Masse ist eine Metallglaspaste, welche auf das Sieb im Ausgangs-Stromkreis 32 liegenden Belastungs- 50 aufgequetscht wird. Verstreute leitende und isowiderstand 30. Die Arbeitsweise einer derartigen lierende Materialien haben eine gute Absetzung. Schaltung ist dem Fachmann durchaus geläufig und Eine ausgezeichnete Reproduzierfähigkeit hat eine ist deshalb nicht näher beschrieben. Zusammensetzung aus Paladiumoxyd und Silber. Die
Der erste Arbeitsschritt bei der Erzeugung der Widerstandsfähigkeit der genannten Zusammen-
Funktionsblocks ist das Drucken eines Leitermusters 55 Setzung kann sich im Bereich von 50 bis 50 000 Ohm
41 auf der Unterlage 42, wie dies in der F i g. 2 pro Quadrat ändern. Solche Änderungen werden
gezeigt ist. Die Schaltung entspricht der in der durch die Veränderung der Zusammensetzung der
Fig. 1. Die Unterlage kann jegliche Abmessung Widerstandsmasse bewerkstelligt. Andererseits kann
haben; im vorliegenden Fall wurde ein Quader mit die Dicke der auf dem Sieb aufgetragenen Paste
den Abmessungen von 11,56 · 11,56 · 4,06 mm ge- 60 leicht durch eine geeignete Siebdruck-Vorrichtung
eignet gefunden. Die Unterlage 42 enthält eine An- gesteuert werden.
zahl von Löchern 44 entlang ihres Randes für An- Die Dicke der Widerstandspaste wird gemessen,
schlußstifte, die später näher beschrieben werden. und wenn sie befriedigend ist, folgt als nächster Vor-
Die Unterlage 42 soll gute Wärmeleiteigenschaften gang ein Erhitzungsvorgang. Es wurde bestimmt, daß
haben und gegen relativ hohe Temperaturen unemp- 65 ein Unterschied in der Dicke von 1 Mikron den Wi-
•findlich sein. Eine gute thermische Leitfähigkeit ist derstand um fast 5%> ändert. Die Eontrolle der
wegen des engen räumlichen Abstandes zwischen den Dicke der Paste ist daher besonders wichtig in dem
einzelnen Schaltungselementen erforderlich, welche Verfahren.
I 791 233
5 6
Die Erhitzung wird in einem Brennofen mit einem eine Legierung aus 90% Blei und 10% Zinn, wel-Laufband bei einer Temperatur von annähernd ches Lötmittel eine Schmelztemperatur von rund 8000C ausgeführt, wobei die Unterlagen ungefähr 3000C hat. Ein. Tauch-Löt-Prozeß wird verwendet, 50 Minuten lang erhitzt werden. Die Laufgeschwin- um das Leitungsmuster auf der Unterlage mit dem digkeit des Bandes des Brennofens wird durch die 5 Lötmittel zu bedecken. Das Lötmittel65 (Fig. 5) Ausdehnung und die durchschnittliche Dicke jedes haftet nicht an den Widerständen 51,52,53 oder an Widerstandes auf der Unterlage bestimmt. Eine der Oberfläche der Unterlage 42 infolge ihres hohen Messungsprüfung des Widerstandes wird an den er- glasähnlichen Inhaltes, welcher nicht vom Lötmittel hitzten Unterlagen ausgeführt. Derartige Widerstände benetzt ist. Nach der Beschichtung des Leitermusters haben gute Temperatur- und Feuchtigkeits-Charakte- io 41 wird die Unterlage 42 mit der Anschlußstift-Seite ristiken ohne schützenden Überzug infolge der Glas- in das Lötmittelbad getaucht, um die Enden der beschichtung. Stifte 62 für die Erleichterung des Einsetzens in ge-
AIs nächster Arbeitsschritt im Herstellungsver- druckte Schalttafeln zu bedecken. Der ganze Verfahren folgt die Bildung der Anschlußstifte. Die An- zinnungsvorgang ist für ein automatisches, bekanntes schlußstifte 62 (Fi g. 4) werden in die vorher in Ver- 15 Verfahren geeignet.
bindung mit der Fig. 2 erwähnten Löcher 44 einge- Als nächster Arbeitsschritt wird ein Widerstands-
setzt. Jedes Loch ist in einem der Leiter 41 und mit Schneide- oder Nachschneide-Vorgang ausgeführt, dem entsprechenden Abstand rund um den Rand Die auf der Unterlage aufgetragenen Widerstände der Unterlage angeordnet. Die Stifte 62 haben eine haben in diesem Zeitpunkt des Herstellungsverfah-Länge von rund 5,8 mm, einen Durchmesser von 20 rens eine Toleranz von annähernd 15 %. Für Ein-0,5 mm und einen gegenseitigen Abstand von richtungen mit geringerer Toleranz können die 3,17 mm. Es kann verschiedenes Material für die Widerstände bis auf + 0,5 % oder besser des ge-Stifte verwendet werden, aber Kupfer ist am besten wünschten Widerstandswertes nachgeschnitten wer- m geeignet. Die Stifte können in die Löcher mittels den. Die Widerstands-Nachschneidung wird durch geeigneter Geräte eingesetzt werden. Hierauf werden 25 einen Schleifvorgang bewerkstelhgt, sie kann aber mechanische Kräfte auf die Stifte ausgeübt, um sie auch durch andere bekannte Verfahren ausgeführt oberhalb des Loches zu dehnen. Die gedehnten oder werden. Die Widerstandsnachschneidung durch gestauchten Metallabschnitte 63 und 64 halten die Schleifen wird lediglich aus Gründen der bequeme-Stifte mechanisch in den Löchern fest. Das Metall für ren Erläuterung beschrieben. Die Unterlage wird in die Stifte sollte sowohl für den Stauchvorgang als auch 30 eine (nicht gezeigte) Auf spann-Vorrichtung eingefür das Einsetzen in die Löcher relativ weich sein. setzt, welche ein Schleifmaterial durch Düsen gegen Es ist zu erkennen, daß bei einem relativ harten jeden Widerstand richtet. Wenn sich die Unterlage Kupfer die Stifte beim Einsetzen in die Löcher in- unter den Düsen bewegt, wird eine Aussparung 71 folge ungenauer Ausrichtung abbrechen könnten. in den Widerstand (Fig. 6) geschnitten, wodurch Auch das Stauchen des Metalls, würde schwieriger 35 der Widerstandswert erhöht wird» Es wurde bereits sein. Die Fig. 4 zeigt, daß die Stifte nach dem Ein- bemerkt, daß die Widerstände mit einem durchsetzen gewöhnlich ein wenig in einer Richtung ver- schnittlich um 15% niedrigeren Wert als dem gesetzt sind. Diese Versetzung tritt infolge der Teilung wünschten Wert erzeugt wurden. Wenn die Breite zwischen den Löchern ein, welche weniger genau ist, des Widerstandes verringert wird, erhöht sich der als für die Stift-Teilung gefordert wird. Dann werden 40 Widerstandswert und nähert sich dem gewünschten die Stifte, wenn sie in die Löcher eingesetzt sind, Wert. Eine Brückenschaltung oder eine ähnliche durch eine Formungsmatrize abgebogen, um die Einrichtung mißt den Widerstandswert und schaltet passenden Stiftteilungen vorzusehen. Das Ergebnis ist, Jede Düse im richtigen Zeitpunkt aus, wenn sich der daß das Erfordernis für eine sehr genaue Abstands- Wert des Widerstandes dem gewünschten Wert ä teilung der Löcher in der Unterlage vermieden ist. 45 nähert. Es ist zu bemerken, daß alle Widerstands- ^ Die Stifte erzeugen daher den Anschein, als seien klemmen elektrisch mit Stiften verbunden sind, um sie ein wenig versetzt mit Bezug auf die Unterlage. die Messung des Widerstandes zu erleichtern. Der Ein Verzinnungsvorgang ist der nächste Arbeits- Aufbau der Widerstände 51,52 und 53 verhindert schritt im Verfahren. Die Verzinnung schafft gute das Überschreiten der Leistungsgrenzen, wenn ihre elektrische Verbindungen zwischen den Stiften 62 50 Querschnitte verringert werden, und dem Leitermuster 41. Außerdem wird der Rei- Obwohl in der in der Fig. 1 gezeigten Schaltung
henwiderstand des Leitermusters verringert, und das nicht erforderlich, ist es manchmal erforderlich und Lötmittel ist für die Befestigung aktiver Elemente an oft erwünscht, Kondensatoren und Induktoren in der Unterlage vorgesehen. Andere Verfahren, z.B. einen Funktionsblock einzuschließen. Verschiedene das Plattieren, können verwendet werden, um die 55 Herstellungsverfahren zur Erzeugung dieser EIegleichen Ergebnisse wie durch die Verzinnung zu mente sind verfügbar. Ein Verfahren ist ein der BiI-erzielen. Vor der Verzinnung wird die Unterlage dung des Widerstandes angepaßter Vorgang, ultraschallgereinigt. Ein Flußmittel-Entferner und ein In der F i g. 7 sind drei Filmkondensatoren 82,83,
flüssiger Entfetter werden verwendet, um die Ober- 84 in individuellen zweipoligen Leitermustern eingefläche des Leitermusters 41 auf der Unterlage 42 für 60 schlossen. Jeder Film-Kondensator ist durch die geden Verzinnungsvorgang vorzubereiten. Ein Löt- bräuchlichen Siebdruck- oder Tauchverfahren hergernittel mit hohem Schmelzpunkt wird im Verzin- stellt. Zur Vereinfachung der Beschreibung sind die nungsvorgang verwendet, damit die Unterlage später Elemente, welche den in Verbindung mit den Fig. 1 an eine gedruckte Stromkreistafel gelötet werden bis 6 beschriebenen Elementen gleichen, mit überkann, ohne daß das. Lötmittel schmilzt und dadurch 65 einstimmenden Bezugsziffern versehen. Ein GoIdirgendwelehe zwischen dem Lötmittel und den Strom- Platin-Leiter 41 auf der Unterlage 42 kann an bekreis-Elementen geformte Verbindungen beeinflußt. sonderen Stellen im Ausmaß von 0,5-0,5 mm ver-Ein Lötmittel mit den geforderten Eigenschaften ist breitert werden, um erste Platten 81 für die Konden-
satoren 82,83 und 84 vorzusehen. Nach der Erhitzung der Unterlage zur Bildung der Leiter ist jede Stelle zur Aufnahme eines Dielektrikums 85 und einer oder mehrerer zweiter Platten 86 bereit. Das Dielektrikum 85 wird über der ersten Elektrode abgeschirmt und mit einer genügenden Temperatur erhitzt, um eine lochfreie gleichförmige Schicht zu bilden. Das Dielektrikum kann ein keramisches Material sein, welches eine hohe dielektrische Konstante hat, z. B. Titan-Dioxyd, Barium-Titanid mit irgendwelchen notwendigen Modifiziermitteln, z. B. Wi smut-Stannat, Kalzium-Stannat, welche notwendig sind, um die geforderten dielektrischen und Temperatureigenschaften vorzusehen. Ein oder mehrere Gläser, z. B. ein Bor-Silikat oder ein ähnliches Glas, kann als Binder wirken, um die richtigen Fließeigenschaften für die Mischung beim Erhitzen zu schaffen. Ein organisches Bindemittel, z. B. Kiefern-Öl, kann ebenfalls inbegriffen sein, um die erforderlichen Viskositäts-Charakteristiken für die Siebabschirmung vorzusehen.
Für dielektrische Zusammensetzungen in der Ordnung von 0 bis 75 % Titan-Dioxyd und 100 bis 25 % Barium-Borsilikat-Glas scheint eine Brenntemperatur von rund 9000C für annähernd 2 Stunden zu genügen, um die erforderlichen dielektrischen Charakteristiken zu ergeben. Nachdem das Dielektrikum gebrannt ist, wird eine Gegenelektrode 86 aus Gold und Platin auf diesem mittels eines Siebes aufgebracht und bei einer genügend hohen Temperatur erhitzt, um eine fest anhaftende leitende Schicht zu bilden. Das Dielektrikum hat eine Dicke von 0,04 mm. Die Gesamt-Dicke des Kondensators beträgt ungefähr 0,075 mm. Die in der angegebenen Weise hergestellten Kondensatoren haben Werte von 0,001 bis 0,5 Farad pro 6,452 cm2 der Kondensatorschicht. Es wurden Kondensator-Durchschlagspannungen in der Höhe von 200 V bei Zusammensetzungen auf der Glasbasis mit hoher dielektrischer Konstante erhalten. Die Kondensatoren können auch mit einer bestimmten Toleranz hergestellt werden, indem ein ähnlicher Nachschneide-Vorgang angewendet wird, wie er in Verbindung mit der F i g. 6 beschrieben wurde. Um widrige Einwirkungen auf die Widerstände zu verhindern, sollten die Kondensatoren wegen der erforderlichen höheren und· längeren Brenntemperaturen vor der Bildung der Widerstände hergestellt werden.
Ein flacher Film-Induktor wird auf der Unterlage in ähnlicher Weise geformt, wie dies für den Kondensator in Verbindung mit der F i g. 7 beschrieben wurde. Die F i g. 8 zeigt einen Induktor, welcher durch ein Siebdruck- oder Preßverfahren hergestellt wird. Die untere oder Anschlußseite der Unterlage kann zweckmäßigerweise zur Aufnahme des Induko tors verwendet werden. Der erste Schritt zur Herstellung des Induktors ist das Aufdrucken der Hälfte der Spulenwicklung 103. Das leitende Material ist eine Gold-Platin-Paste, welche aufgetragen und erhitzt wird in der gleichen Weise, wie dies in Verbindung mit der Fig. 2 beschrieben wurde. Ein geeignetes magnetisches Material 102 wird mit Glas oder einem glasbildenden Oxyd gemischt, um eine ununterbrochene nichtleitende Fläche vorzusehen, wenn dieses Material auf die Unterlage im Siebdruck-Verfahren aufgetragen und mit ihr durch Erhitzung verbunden wird. Als ein geeignetes magnetisches Material wurde eine Mischung von 75% Ferrit und 25°/o Glas, z.B. einem Bor-Silikat-Glas, gefunden. Der magnetische Kern kann aus einer oder mehreren Schichten des mit 9000C gebrannten magnetischen Materials mit einer Brenndauer von 1 Stunde bestehen. Die obere Hälfte der Wicklung 103 wird dann aufgetragen und in das magnetische Material eingebrannt, um den Induktor zu vervollständigen. Die obere Hälfte der Spulen-Wicklung besteht auch aus einem aufgetragenen und gebrannten Gold-Platin-Material, wie vorher beschrieben. Die Verbindung des Induktors mit den Anschlußstiften 62 erfolgt wie im Falle des Widerstandes und der Stromwege durch Tauchlötung.
Die in der vorher beschriebenen Weise erzeugten Induktoren haben einen Wert in der Höhe von 100 Nano-Henry. Wie im Falle der passiven Schaltungselemente kann der Wert des Induktors leicht durch die Auswahl der Materialien, der Dicke und der geometrischen Gestaltung gesteuert werden. Es wird bemerkt, daß, obwohl ein gedruckter Ferrit-Kern-Induktor beschrieben wurde, das Herstellungsverfahren auch zur Erzeugung anderer geometrischer Gestaltungen der Induktoren, wie beispielsweise Spiralen u. dgl., verwendet werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
GOPY
209 511/363

Claims (5)

1 2 .das mit einem Deckmetall überzogen ist, passive Patentansprüche: Schaltungselemente enthält und mit Anschlußstiften elektrisch verbunden ist.
1. Verfahren zur Herstellung eines Funktions- Es ist bekannt (»Electronics«, April 1960, S. 95
blocks mit einem auf einer elektrisch nichtleiten- 5 bis 98), auf einer dünnen Unterlage ein Leitermuster den Unterlage aufgedruckten Leitermuster aus und Widerstände auf irgendeine Weise aufzudrucken, einem ausgewählten Edelmetall, das mit einem Aus »Gedruckte Schaltungen« von Seidel,
Deckmetall überzogen ist, passive Schaltungs- VEB Verlag Technik, Berlin 1959, S. 22, 23, 25, 26, elemente enthält und mit Anschlußstiften elek- 27, 31, geht als bekannt hervor, auf eine Unterlage irisch verbunden ist, dadurch gekenn-ao ein Leitermuster in Form einer Silberpaste aufzuz eich net, daß an vorherbestimmten Teilen des bringen, das mit einem Metall überziehbar ist. Leitermusters (45) Widerstände (51 bis 53) aus Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren
einem in einer „Glasmasse dispergierten Edel- für die Erzeugung von Funktionsblocks anzugeben, metall in an sich bekannter Weise gedruckt die für Massenproduktion geeignet sind und eine werden, die Unterlage (42) zwecks Verfestigung 15 ausgezeichnete Reproduzierfähigkeit aufweisen, d. h. der Widerstände erhitzt wird und für die Bildung einen einfachen Aufbau besitzen, stabil und verläßvon Kondensatoren auf vorherbestimmten ver- lieh hinsichtlich verschiedener Temperatur-, Feuchbreiterten Stellen des Leitermusters (81) ein Auf- tigkeits- und Schwingungsverhältnissen sind, die bei druck einer Schichtung eines Dielektrikums und datenverarbeitenden Anlagen auftreten, und deren eines Leitermaterials mit anschließender Erhit- 20 eingeschlossenen Schaltungselemente enge Toleranzung erfolgt, daß in den in an sich bekannter zen aufweisen, um eine hohe Betriebsleistung abzu-Weise in der Unterlage (42) angeordneten geben. ■ '■ Λ
Löchern je ein Anschlußstift (62) durch mecha- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch %
nische Verformung unverschiebbar befestigt wird, gelöst, daß an vorherbestimmten Teilen des Leiterein Ausrichten dieser Anschlußstifte (62) auf ein 25 musters Widerstände aus einem in einer Glasmasse genaues Teilungsmaß erfolgt und danach in dispergierten Edelmetall in an sich bekannter Weise bekannter Weise das Leitermuster (41) verzinnt gedruckt werden, die Unterlage zwecks Verfestigung wird. der Widerstände erhitzt wird und für die Bildung
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- von Kondensatoren auf vorherbestimmten verbreiterkennzeichnet, daß die aufgedruckten Widerstände 30 ten Stellen des Leitermusters ein Aufdruck einer (51 bis 53) durch Abschleifen auf den gewünsch- Schichtung eines Dielektrikums und eines Leiterten Widerstandswert mit Toleranzen bis unter materials mit anschließender Erhitzung erfolgt, daß + 0,5% gebracht werden. in den in an sich bekannter Weise in der Unterlage
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- angeordneten Löchern je ein Anschlußstift durch kennzeichnet, daß nach der Erhitzung der mit 35 mechanische Verformung unverschiebbar befestigt aufgedruckten Widerständen (51 bis 53) ver- wird, ein Ausrichten dieser Anschlußstifte auf ein sehenen Unterlage (42) eine dielektrische Masse genaues Teilungsmaß erfolgt und danach in bekann-(85) an vorbestimmten verbreiterten Stellen (81) ter Weise das Leitermuster verzinnt wird.
des Leitermusters (41) abgelagert wird, die Unter- Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorlage (42) erhitzt wird für die Verschmelzung des 40 teil, daß die Parameter der verschiedenen Schaltungs-Dielektrikums (85). mit den Leiterstellen (81) und elemente in den Funktionsblocks durch die geeignete daß auf die dielektrischen Schichten (85) Leiter- Auswahl der Materialien, der Dicken der Auftragunmaterial (86) aufgedruckt wird, das nach noch- gen und anderer Kriterien einfach justiert werden maliger Erhitzung der Unterlage (42) einen mit können. Alle Schritte in dem erfindungsgemäßen derselben verbundenen Kondensator (82 bis 84) 45 Verfahren sind gut für die Massenproduktion geeigbildet. net. Das Verfahren erlaubt die Herstellung aller
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Typen passiver Schaltungselemente in einem passenkennzeichnet, daß vorzugsweise auf die An- den Verfahren. Der nach der Erfindung hergestellte schlußseite der Unterlage (42) die Hälfte der Funktionsblock weist feste und verläßliche Verbin-Spulenwicklung (103) eines Induktors aus einer 5° düngen zwischen den passiven Schaltungselementen Gold-Platin-Paste aufgedruckt wird, die Unter- und der Unterlage auf, durch gleichzeitig mit der lage (42) erhitzt wird, anschließend der Kern Herstellung der Schaltungselemente erfolgende BiI-(102) aus magnetischem Material aufgetragen dung der Kontakte. Der Funktionsblock kann durch und erhitzt wird und schließlich die obere Hälfte seine Anschlußglieder einfach in das vorgesehene der Wicklung (103) aufgetragen und eingebrannt 55 elektronische Gerät eingesetzt werden. Die Schalwird, tungselemente sind im wesentlichen gegen die sie
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge- umgebenden Temperaturen und Feuchtigkeitsverhältkennzeichnet, daß als magnetisches Material eine nisse unempfindlich, so daß keine besonderen UmMischung von 75 °/o Ferrit und 25 % Glas benutzt hüllungen für jedes der Schaltungselemente erforderwird. 60 Hch sind.
Es ist zwar durch dieUSA.-Patentschrift 3 061911
ein Funktionsblock bekannt, dessen nichtleitende
Basis ein elektrisches Leitungsmuster aufweist, das nach Art integrierter Schaltungen aufgebaute Wider-Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel- 65 stände enthält. Hierbei wird jedoch das Leitungslung eines Funktionsblocks mit einem auf einer muster durch Wegätzen der nicht benötigten Flächenelektrisch nichtleitenden Unterlage aufgedruckten teile einer leitenden Schicht, die auf eine Wider-Leitermuster aus einem ausgewählten Edelmetall, Standsschicht planiert ist, die ihrerseits auf die nicht-
DE19641791233 1963-08-08 1964-08-08 Verfahren zur Herstellung eines Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen Pending DE1791233B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30073463A 1963-08-08 1963-08-08
US445339A US3340438A (en) 1965-04-05 1965-04-05 Encapsulation of electronic modules

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1791233B1 true DE1791233B1 (de) 1972-03-09

Family

ID=26971949

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641791233 Pending DE1791233B1 (de) 1963-08-08 1964-08-08 Verfahren zur Herstellung eines Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen
DE19641465736 Pending DE1465736B2 (de) 1963-08-08 1964-08-08 Funktionsblock, insbesondere für datenverarbeitende Anlagen

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641465736 Pending DE1465736B2 (de) 1963-08-08 1964-08-08 Funktionsblock, insbesondere für datenverarbeitende Anlagen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3456158A (de)
JP (1) JPS5130267B1 (de)
BE (1) BE651581A (de)
DE (2) DE1791233B1 (de)
GB (1) GB1036808A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990007858A3 (en) * 1988-12-24 1990-08-09 Technology Applic Co Ltd Improved method for making printed circuits

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3731005A (en) * 1971-05-18 1973-05-01 Metalized Ceramics Corp Laminated coil
DE2964342D1 (en) * 1978-06-23 1983-01-27 Ibm Multi-layer dielectric substrate
US4438727A (en) * 1982-01-22 1984-03-27 Thompson Kenneth H Mobile toy for kitten or similar animal
DE102009006181B4 (de) * 2009-01-27 2021-06-24 Via Electronic Gmbh Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen oder derartigen elektronischen Bauelementen
US8928142B2 (en) * 2013-02-22 2015-01-06 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus related to capacitance reduction of a signal port
CN114487030B (zh) * 2022-03-30 2022-07-05 山东省科学院海洋仪器仪表研究所 一种基于丝网印刷的高精度海洋电导率测量电极制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3302067A (en) * 1967-01-31 Modular circuit package utilizing solder coated
GB724379A (en) * 1952-10-10 1955-02-16 Gen Electric A method for making a predetermined metallic pattern on an insulating base
US3065534A (en) * 1955-03-30 1962-11-27 Itt Method of joining a semiconductor to a conductor
US2924540A (en) * 1958-05-23 1960-02-09 Du Pont Ceramic composition and article
US3075866A (en) * 1958-06-19 1963-01-29 Xerox Corp Method of making printed circuits
US3029366A (en) * 1959-04-22 1962-04-10 Sprague Electric Co Multiple semiconductor assembly
LU38614A1 (de) * 1959-05-06
US3061760A (en) * 1959-12-10 1962-10-30 Philco Corp Electrical apparatus
US3122680A (en) * 1960-02-25 1964-02-25 Burroughs Corp Miniaturized switching circuit
US3158788A (en) * 1960-08-15 1964-11-24 Fairchild Camera Instr Co Solid-state circuitry having discrete regions of semi-conductor material isolated by an insulating material
NL270517A (de) * 1960-11-16
NL260810A (de) * 1961-02-03
US3158927A (en) * 1961-06-05 1964-12-01 Burroughs Corp Method of fabricating sub-miniature semiconductor matrix apparatus
US3202888A (en) * 1962-02-09 1965-08-24 Hughes Aircraft Co Micro-miniature semiconductor devices
BE630858A (de) * 1962-04-10 1900-01-01
US3292240A (en) * 1963-08-08 1966-12-20 Ibm Method of fabricating microminiature functional components

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990007858A3 (en) * 1988-12-24 1990-08-09 Technology Applic Co Ltd Improved method for making printed circuits

Also Published As

Publication number Publication date
DE1465736A1 (de) 1969-03-06
GB1036808A (en) 1966-07-20
JPS5130267B1 (de) 1976-08-31
DE1465736B2 (de) 1970-11-05
BE651581A (de) 1964-12-01
US3456158A (en) 1969-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3705279C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Widerständen in Chip-Form
DE2815879C2 (de)
DE2553643C3 (de) Dickschicht-Hybridschaltung
DE3042085A1 (de) Halbleiterplaettchen-montageaufbau und verfahren zu seiner herstellung
DE1817434B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung
DE3621667A1 (de) Mit einer mehrzahl von dickfilmen beschichtetes substrat, verfahren zu seiner herstellung und dieses enthaltende vorrichtung
DE69429293T2 (de) Autoglasscheibe mit einer gedruckten Leiterstruktur
DE1916789C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer integrierten Mehrschichtschaltung
EP0809094A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordung für die Temperaturmessung
DE3638286A1 (de) Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung
DE3722576C2 (de)
DE2612747C3 (de) Dünnfilmschaltung
DE1791233B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen
DE69733806T2 (de) Verfahren zum befestigen eines elektrischen kontakts auf einer keramikschicht und ein auf diese weise gefertigtes widerstandselement
DE1564867A1 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen
DE2929547C2 (de) Mikrowellen-Dämpfungsglied
DE1909480A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0899550A1 (de) Schaltungsanordnung mit einem SMD-Bauelement, insbesondere Temperatursensor und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors
DE2146328A1 (de) Leiterplatte
DE2513859C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks
DE2736056A1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE3034175C2 (de)
DE2138083C3 (de) Verfahren zum Anbringen der Anschlußdrähte eines keramischen Kondensators
DE19780905C2 (de) Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1665248C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine miniaturisierte Schaltung