DE3034175C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3034175C2 DE3034175C2 DE19803034175 DE3034175A DE3034175C2 DE 3034175 C2 DE3034175 C2 DE 3034175C2 DE 19803034175 DE19803034175 DE 19803034175 DE 3034175 A DE3034175 A DE 3034175A DE 3034175 C2 DE3034175 C2 DE 3034175C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- electrical
- resistance
- properties
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung chemisch ab
scheidbarer, elektrisch leitfähiger Schichten.
Derartige galvanisch oder chemisch stromlos abgeschiedene Schich
ten sind entweder Metallschichten oder Metallegierungsschichten
und werden in vielen technischen Bereichen angewandt.
Mit Hilfe der galvanischen und/oder der sogenannten stromlosen
(chemischen) Metallabscheidung werden verschieden zusammengesetzte
Schichten auf einer Reihe von Trägermaterialien, Halbzeugen, Bau
teilen und Fertigprodukten abgeschieden um z. B. vor Korrosion zu
schützen, die Verschleißfestigkeit zu steigern, das Aussehen zu
verbessern, bestimmte Verbindungstechniken (Löten, Schweißen, Bon
den) zu ermöglichen oder elektronische Bauelemente zur Erfüllung
bestimmter Aufgaben zu verwirklichen. Bei all diesen Anwendungen
hängen die gewünschten Eigenschaften mehr oder weniger stark von
der erreichten Dicke der abgeschiedenen Schicht ab bzw. stellen
sich erst ab oder bei einer bestimmten Schichtdicke ein. Zumin
dest aus wirtschaftlichen Gründen wird daher immer eine den
Anforderungen gerade genügende Schichtdicke angestrebt. Der Unter
schied zwischen unbedingt erforderlicher und wirtschaftlich gün
stigster also geringster Schichtdicke wird umso kleiner je zu
verlässiger und genauer sich bei einem Beschichtungsverfahren
die Schichtdicke einstellen läßt.
Die Herstellung einer bestimmten Schichtdicke ist möglich, entwe
der bei der erstmaligen Abscheidung der Schicht, beispielsweise
durch Messen einer Abscheidungszeit, oder durch weitere Verfahren
wie beispielsweise Nachbeschichtung bzw. Abtragung der Schicht.
Die Erfindung betrifft insbesondere elektrisch leitende Schichten,
die zur Herstellung elektronischer Bauteile und/oder Baugruppen
benötigt werden. An derartige Schichten, beispielsweise bei so
genannten bekannten Dünnschicht-Schaltungen, werden besonders hohe
Anforderungen bezüglich ihrer Eigenschaften gestellt. So bewirkt
beispielsweise eine geringe Änderung der Schichtdicke eine derar
tige Änderung eines elektrischen Widerstandes, daß eine an sich
genau arbeitende Baugruppe unbrauchbar wird.
Bei der galvanischen und chemisch stromlosen Metallisierung wird
die gewünschte Schichtdicke in der Regel auf der Basis von Eich
kurven über die Abscheidungszeit eingestellt. Das macht aber die
peinlich genaue Einhaltung aller übrigen Verfahrensbedingungen er
forderlich, die zum Teil einen erheblichen Einfluß auf die Abschei
dungsraten haben, wie z. B. Konzentration der Elektrolytkomponenten,
Bewegung, Temperatur und pH-Wert des Elektrolyten, Stromdichte und
Oberflächenbeschaffenheit der Substrate. Eine Nachbeschichtung ist
- wenn überhaupt möglich - schwierig, da sie oft mit einer unge
wünschten Änderung der Schichteigenschaften verbunden ist. Ähnliche
Einschränkungen gelten für eine Änderung zu dicker Schichten z. B.
durch mechanische, chemische oder elektrochemische Abtragungsver
fahren. Besonders schwierig gestalten sich Schichtdickenänderungen
bei elektronischen Schichtbauelementen, deren elektrische Eigen
schaften sich bereits bei kleinen Schichtdickenschwankungen sehr
stark ändern. Darüber hinaus können - je nach Material und Herstel
lungsverfahren - Passivschichten mit vorteilhaften z. B. korrosions
schützenden Eigenschaften entstehen, die bei einer erforderlichen
Schichtdickenänderung zerstört werden. Ein geläufiges Beispiel für
ein elektronisches Schichtbauelement ist ein Dünnschichtwiderstand.
Wird bei einer derartigen Widerstandsschicht die Schichtdicke le
diglich um 1% verringert, so erhöht sich dadurch der elektrische
Widerstandswert annähernd um ebenfalls 1%. Wird der Dünnschicht
widerstand durch chemisch stromlose Abscheidung einer Nickel-Phos
phorschicht hergestellt, bildet sich je nach Spül- und Trocknungs
bedingungen eine sogenannte Passivschicht, die eine sehr geringe
Alterung dieser Dünnschichtwiderstände gewährleistet. Bei einem
nachträglichen Trimmvorgang z. B. durch mechanische oder naßchemi
sche Abtragung wird diese Passivschicht zerstört und damit die Alte
rungsbeständigkeit der Widerstände verschlechtert.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren an
zugeben, bei dem bereits bei der erstmaligen Abscheidung einer
Schicht eine derartige Schichtdicke erreicht wird, daß Verfahren
zur Änderung der Schichtdicke überflüssig werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Zweckmäßige Ausbildungen des Verfahrens sowie eine Verwendung der
abgeschiedenen Schicht sind in den Unteransprüchen angegeben.
Ein erster Vorteil der Erfindung besteht darin, daß lediglich die
Stoffmenge abgeschieden wird, die für den jeweiligen Anwendungs
zweck benötigt wird. So wird beispielsweise bei einer als Korro
sionsschutz wirkenden Goldschicht eine unnötig dicke Schicht ver
hindert, so daß erhebliche Materialeinsparungen möglich sind.
Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß beispielsweise bei der Her
stellung elektronischer Dünnschichtschaltungen während des Abschei
dens der erforderlichen Schichten die elektrischen Eigenschaften,
z. B. Widerstand, Induktivität, Kapazität, der entstehenden Bauele
mente, z. B. Schichtwiderstände, gemessen werden, so daß die Abschei
dung einer Schicht dann abgebrochen wird, wenn das entstandene Bau
element, z. B. ein Schichtwiderstand, die gewünschte Eigenschaft,
z. B. einen bestimmten Widerstandswert, erreicht hat. Bei derart her
gestellten Dünnschichtschaltungen wird der Platzbedarf einzelner Bau
elemente erheblich vermindert, da abgleichbare, im allgemeinen
großflächige, geometrische Strukturen einzelner Bauelemente nahezu
überflüssig werden. Bei derartigen Dünnschichtschaltungen ist daher
eine hohe Packungsdichte elektronischer Bauelemente möglich, so daß
raumsparende elektronische Baugruppen bzw. Geräte ermöglicht werden.
Ein dritter Vorteil besteht darin, daß das erfindungsgemäße Verfah
ren die Herstellung von Dünnschichtschaltungen mit eng tolerierten
elektronischen Bauelementen ermöglicht. Derartige Schaltungen benö
tigen im allgemeinen keinen Abgleichvorgang, um eine gewünschte
elektrische Eigenschaft, beispielsweise eine bestimmte Übertragungs
funktion, einzustellen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein elektronisches Bauelement zur Erläuterung des Verfahrens,
Fig. 2 eine Meßkurve zur Bestimmung der Dicke einer abgeschiedenen
Schicht.
Zur erfindungsgemäßen Herstellung des in Fig. 1 beispielhaft dar
gestellten einzelnen elektronischen Bauelements 1, einem aus einer
Nickel-Phosphor-Schicht von 100 nm Dicke bestehenden Schichtwider
stand, werden zunächst auf einem Substrat 2, z. B. Aluminiumoxid
keramik mit 99,5% Al2O3, nach bekannten Subtraktiv- oder Semi
additivverfahren Stromleitungen 3 aus Kupfer aufgebracht. Anschlie
ßend wird mit Hilfe bekannter Fotolack-Maskierungstechnik ein
schraffiert dargestellter Bereich derart abgedeckt, z. B. zusätz
lich noch mit einer Galvanoresistfolie, daß lediglich die Bereiche
des Bauelementes 1 sowie der Kontaktflächen 4 der Stromleitungen 3
unbedeckt bleiben. In anschließenden Verfahrensschritten wird das
Substrat 2, mit Hilfe der beschriebenen Maskierungstechnik, ledig
lich im Bereich des Bauelementes 1 bekeimt, z. B. nach einem bekann
ten Zinnchlorid/Palladiumchlorid-Verfahren, und an den Kontakt
flächen 4 beispielsweise Zuleitungen 5 befestigt die zu einem nicht
dargestelltem Meßgerät führen. Das derart vorbehandelte Substrat 2
wird nun bis zu der Linie 6 in ein chemisch stromlos arbeitendes
Nickel-Phosphor-Bad eingetaucht, so daß im Bereich des Bauelementes
1 eine Abscheidung einer Nickel-Phosphorschicht beginnt, die den ge
wünschten Schichtwiderstand erzeugt. Mit Hilfe des Meßgerätes, in
diesem Falle beispielsweise ein Widerstandsmeßgerät werden die elek
trischen Eigenschaften des Bauelementes 1 überwacht, während dessen
Herstellungsvorganges, der bei Erreichen eines gewünschten Meßwer
tes abgebrochen wird. In weiteren an sich bekannten Verfahrens
schritten wird der derart hergestellte Schichtwiderstand von Resten
des Abscheidungsbades gereinigt, getrocknet, eventuell getempert
und derart bearbeitet, daß er beispielsweise in elektronische Bau
gruppen einsetzbar wird.
Aus dem bisher beschriebenen Verfahren geht hervor, daß die Ge
nauigkeit des hergestellten Schichtwiderstands lediglich von der
Meßgenauigkeit des verwendeten Meßgerätes abhängt. Werden als Meßgerät beispielsweise Indukti
vitäts- oder Kapazitätsmesser verwendet, so ist auch die Herstellung von Bau
elementen mit den entsprechenden elektrischen Eigenschaften mög
lich.
Weiterhin ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren eine Vielzahl
derartiger Bauelemente gleichzeitig an verschiedenen Meßstellen zu messen, beispielsweise in
einem Multiplexbetrieb, wodurch die Herstellung eines Substrates
ermöglicht wird, auf dem eine Vielzahl derartiger Bauelemente,
beispielsweise Schichtwiderstände, Schichtkondensatoren, vorhan
den sind. Eine mögliche Beeinflussung des Abscheidungsvorganges
durch das Meßgerät, z. B. ein dem Bauelement zugeführter Strom,
wird dadurch verhindert, daß beispielsweise kurze Meßzeiten von
einer Sekunde gewählt werden, die im Abstand von einer Minute wie
derholt werden.
Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens sind während eines Ab
scheidevorganges einer Schicht auch deren nichtelektrische Eigen
schaften bestimmbar, wie beispielsweise die Dicke der Schicht. Der
artige Eigenschaften sind wichtig beispielsweise bei dem eingangs
erwähnten Korrosionsschutz. Wird bei einem gemäß Fig. 1 dargestell
ten Bauelement 1, einem Schichtwiderstand, während des Abscheidens
in kurzen Zeitabständen der elektrische Widerstand gemessen, so
ist die Dicke d der abgeschiedenen Schicht bestimmbar, beispiels
weise anhand der in Fig. 2 dargestellten Meßkurve 21, die einem
bestimmten Abscheidungsbad zugeordnet ist.
In Fig. 2 ist auf der Abzisse der Kehrwert S = 1/d der Dicke d auf
getragen während die Ordinate den elektrischen Widerstand R einer abgeschiedenen
Einheitsfläche zeigt. Der Zusammenhang zwischen dem Widerstand R
und dem Kehrwert S wird durch die Meßkurve 21 dargestellt, die durch
entsprechende Vorversuche ermittelbar ist.
Ein gemäß Fig. 1 dargestelltes Bauelement ist daher z. B. zur Be
stimmung der Dicke einer Korrosionsschutzschicht geeignet, unab
hängig von dem zu beschichtenden Gegenstand bzw. Substrat sowie
dem gewählten Abscheidungsverfahren, denn ein gemäß Fig. 1 dar
gestelltes Bauelement ist beispielsweise mit einem metallischen
Körper kontaktierbar, der galvanisch beschichtet wird. Ein durch
den verwendeten Elektrolyten auftretender Parallelwiderstand
wird beispielsweise rechnerisch berücksichtigt.
Werden mehrere übereinanderliegende Schichten abgeschieden, so ist
das erfindungsgemäße Verfahren zur Bestimmung beschriebener Eigen
schaften geeignet, die der gesamten Schicht bzw. den einzelnen
Schichten zugeordnet werden.
Das beschriebene Verfahren ist ebenfalls auf eine oder mehrere
Meßstellen anwendbar, die auf der abzuscheidenden Schicht gebil
det werden. Beispielsweise wird auf einem mit einer Korrosions
schutzschicht zu überziehenden Gegenstand mit Hilfe eines bekann
ten Maskierungsverfahrens mindestens eine geometrische Form ausge
bildet, auf die das beschriebene Verfahren anwendbar ist.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung chemisch abscheidbarer, elektrisch
leitfähiger Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß während eines
Abscheidevorganges einer Schicht mindestens eine ihrer elektrischen
Eigenschaften gemessen wird und daß der Abscheidevorgang beendet
wird, wenn ein vorbestimmbarer, einstellbarer Wert mindestens
einer der elektrischen Eigenschaften erreicht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
elektrische Eigenschaft der elektrische Widerstand oder die
elektrische Leitfähigkeit, die Induktivität, die Kapazität oder
der komplexe Widerstand der Schicht gewählt werden.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß mindestens zwei übereinanderliegende Schich
ten abgeschieden werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß mindestens eine elektrische Eigenschaft an
mindestens einer Meßstelle gemessen wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Teil der abgeschiedenen Schicht als
Meßstelle ausgebildet wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß aus gemessenen elektrischen Eigenschaften
mechanische und/oder geometrische Eigenschaften der Schicht
bestimmt werden.
7. Anwendung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 6 zur
Herstellung einer elektrischen Schaltungsanordnung, deren elek
tronische Bauelemente vorherbestimmbare, einstellbare Eigenschaf
ten besitzen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803034175 DE3034175A1 (de) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Verfahren zur herstellung chemisch abscheidbarer, elektrisch leitfaehiger schichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803034175 DE3034175A1 (de) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Verfahren zur herstellung chemisch abscheidbarer, elektrisch leitfaehiger schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3034175A1 DE3034175A1 (de) | 1982-04-15 |
DE3034175C2 true DE3034175C2 (de) | 1987-12-23 |
Family
ID=6111652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803034175 Granted DE3034175A1 (de) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Verfahren zur herstellung chemisch abscheidbarer, elektrisch leitfaehiger schichten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3034175A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3935936A1 (de) * | 1988-10-29 | 1990-05-03 | Ngk Insulators Ltd | Verfahren zum herstellen eines detektorelements |
DE19958202A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-07-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4477484A (en) * | 1982-12-10 | 1984-10-16 | International Business Machines Corporation | Electroless plating monitor |
US4756923A (en) * | 1986-07-28 | 1988-07-12 | International Business Machines Corp. | Method of controlling resistivity of plated metal and product formed thereby |
US5270229A (en) * | 1989-03-07 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film semiconductor device and process for producing thereof |
CN105758891B (zh) * | 2015-07-17 | 2019-03-05 | 生益电子股份有限公司 | 一种pcb的性能检测方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD91845A (de) * | ||||
US2525668A (en) * | 1949-02-05 | 1950-10-10 | Erie Resistor Corp | Method of making electrical condensers |
DE1822766U (de) * | 1960-07-13 | 1960-12-01 | Heraeus Gmbh W C | Vorrichtung zum vakuumbedampfen von baendern. |
US3457637A (en) * | 1967-02-06 | 1969-07-29 | Gen Instrument Corp | Method for trimming cermet resistors |
DE1954582C3 (de) * | 1969-10-30 | 1974-10-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
JPS51140560A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Method of monitoring homoepitaxy film thickness |
US4147435A (en) * | 1977-06-30 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Interferometric process and apparatus for the measurement of the etch rate of opaque surfaces |
US4141780A (en) * | 1977-12-19 | 1979-02-27 | Rca Corporation | Optically monitoring the thickness of a depositing layer |
-
1980
- 1980-09-11 DE DE19803034175 patent/DE3034175A1/de active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3935936A1 (de) * | 1988-10-29 | 1990-05-03 | Ngk Insulators Ltd | Verfahren zum herstellen eines detektorelements |
DE19958202A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-07-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
US6303401B2 (en) | 1999-12-02 | 2001-10-16 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a metal layer with a given thickness |
DE19958202C2 (de) * | 1999-12-02 | 2003-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3034175A1 (de) | 1982-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3705279C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Widerständen in Chip-Form | |
DE69005785T2 (de) | Elektrischer Widerstand in Chip-Bauweise für Oberflächenbestückung und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE1589480B2 (de) | Leiterplatte für Halbleiteranordnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3630393C2 (de) | Widerstandsthermometer | |
DE102006053689A1 (de) | Sensoranordnung | |
DE3034175C2 (de) | ||
EP0764334B1 (de) | Verfahren zur herstellung von bauelementen auf metallfilmbasis | |
EP0279432B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer stromlos abgeschiedenen, lötbaren Metallschicht | |
DE1807643B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch beheizbaren Glasscheibe, insbesondere für Kraftfahrzeuge | |
EP0016263A1 (de) | Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102008016613B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit mindestens einer dielektrischen Schicht und ein elektrisches Bauelement mit mindestens einer dielektrischen Schicht | |
DE1791233B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen | |
DE2513859C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks | |
DE2553763B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Schaltung | |
DE19780905C2 (de) | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102010020190A1 (de) | Laserstrukturierte Sensoreinheit | |
DE4123249C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von abgeglichenen metallischen Dünnschicht-Widerstandsstrukturen | |
DE102009033930B4 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer Widerstandsschicht in Form eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers | |
DE3034877C2 (de) | ||
DE3518766A1 (de) | Verfahren zur metallisierung eines substrates | |
DE3106354C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1915756C3 (de) | Verfahren zur Herstellung dimensionsgenauer Dickfilmstrukturen auf Substraten | |
EP0143071A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Zündvorrichtung, danach hergestellte Zündvorrichtung und deren Verwendung | |
DE3440351A1 (de) | Feuchtigkeitssensor und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3524807A1 (de) | Herstellung von duennfilmschaltungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |