DE3034877C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3034877C2 DE3034877C2 DE19803034877 DE3034877A DE3034877C2 DE 3034877 C2 DE3034877 C2 DE 3034877C2 DE 19803034877 DE19803034877 DE 19803034877 DE 3034877 A DE3034877 A DE 3034877A DE 3034877 C2 DE3034877 C2 DE 3034877C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- bath
- deposited
- temperature
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur stromlosen chemischen
Abscheidung einer Cu-Ni-P-Schicht nach dem Oberbegriff des
Patentanspruches 1.
Derartige Verfahren werden für sehr unterschiedliche Zwecke
benutzt, beispielsweise zur Vergütung von Metalloberflächen für
den Korrosionsschutz oder zur Metallisierung von elektrischen
Nichtleitern bei der Herstellung integrierter elektrischer
Schaltungen. Die Erfindung betrifft insbesondere die letztere
Anwendung.
Nichtleitersubstrate, beispielsweise Keramikplatten, werden an
einigen Bereichen ihrer Oberfläche aktiviert, beispielsweise
nach bekannten Zinnsalz-Palladiumsalz-Verfahren. Auf diesen
aktivierten Bereichen werden aus einer Abscheidelösung, auch Bad
genannt, ein oder mehrere elektrische leitfähige Schichten abgeschieden.
Auf diese Weise werden Leiterbahnen und/oder Widerstandsschichten
hergestellt. Durch eine thermische Nachbehandlung,
beispielsweise Tempern in einer Schutzgasatmosphäre, werden
die elektrischen und/oder mechanischen Eigenschaften der abgeschiedenen
Schicht(en) stabilisiert.
Bei einer Cu-Ni-P-Schicht wird durch eine entsprechende Wahl der
chemischen Zusammensetzung beispielsweise erreicht, daß der
spezifische elektrische Widerstand der abgeschiedenen Schicht
veränderbar ist. Beispielsweise bewirkt eine Erhöhung des Phosphorgehaltes
eine Vergrößerung des spezifischen elektrischen
Widerstandes.
Aus der US-PS 38 32 168 ist ein Verfahren zur Herstellung derartiger
Schichten bekannt. Derartige Verfahren arbeiten bei
möglichst hohen Temperaturen, beispielsweise 80°C, um bei der
Erzeugung der Schicht eine möglichst hohe Abscheidungsgeschwindigkeit,
beispielsweise 15 µm/Stunde, zu erreichen. Es entstehen
elektrisch gut leitende Schichten mit einem Cu-Anteil von weniger
als 10 Gew.-% und mit einem großen Temperaturkoeffizienten des
elektrischen Widerstandes.
Aus der DE-AS 21 22 455 ist ein Verfahren zur Abscheidung von
Nickelüberzügen, insbesondere zum Korrosionsschutz, bekannt, bei
welchem Cu-Ni-P-Schichten mit einem Cu-Gehalt von höchstens 25 Gew.-%
abgeschieden werden. Diese erfolgt vorzugsweise mit
Hilfe eines sauren (ungefähr pH 5) Bades bei einer Abscheidungstemperatur
von ungefähr 90°C. Dabei enthält das Bad einen sehr
niedrigen Cu-Gehalt von ungefähr 100 ppm vorzugsweise in Form von
Cu(I)-Ionen. Eine Erhöhung des pH-Wertes bewirkt eine sehr starke
Erniedrigung des Cu-Gehaltes der abgeschiedenen Schicht.
Aus der DD-PS 10 96 69 ist ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1 bekannt. Die damit erzeugten Cu-Ni-P-Schichten,
die für elektrische Leiterschichten geeignet sind, werden
aus einem alkalischen Bad bei einer Temperatur von ungefähr 90°C
abgeschieden. Dieses Bad benötigt einen Stabilisator, z. B. Mangan
(II)-sulfat oder eine kleine Menge (kleiner 0,015 mol/l) EDTA.
Die abgeschiedenen Schichten besitzen einen Flächenwiderstand im
Bereich von 0,02 Ohm bis 0,04 Ohm.
Werden derartige Verfahren zur Herstellung der eingangs erwähnten
integrierten Schaltungen verwendet, bei denen die Widerstandsschicht
dicke ungefähr 0,1 µm beträgt, so ergeben sich insbesondere
folgende Nachteile.
Eine hohe Abscheidungstemperatur, z. B. 90°C, bewirkt insbesondere
bei Keramiksubstraten mit darauf stromlos chemisch abgeschiedener
Keimschicht, z. B. nach dem Zinnsalz-Palladiumsalz-Verfahren, eine
störende Beeinflussung dieser Keimschicht derart, daß darauf
keine zuverlässige und reproduzierbare Abscheidung einer Cu-Ni-P-Schicht
möglich ist.
Die hohe Abscheidungsgeschwindigkeit von 15 µm/Stunde führt bei
einer Schichtdicke von 0,1 µm zu einer Abscheidungszeit von
ungefähr 24 Sekunden. Derart hergestellte Widerstandsschichten
haben starke Streuungen in ihren elektrischen Eigenschaften.
Eine bessere Wiederholbarkeit ist durch geringere Abscheidungsraten
zu erreichen, was beispielsweise durch niedrigere Temperaturen
des Bades erreicht werden könnte. Dies ist lediglich in
einem eingeschränkten Temperaturbereich möglich, da sonst die
Bäder unzuverlässig arbeiten bzw. sogar unbrauchbar werden.
Schichten mit hohem Phosphorgehalt haben eine schlechte Lötbarkeit,
wodurch eine Weiterverarbeitung der integrierten Schaltungen
erschwert wird. Bei derartigen Schichten entstehen außerdem
Veränderungen in ihren elektrischen Eigenschaften bereits
innerhalb einiger Minuten bei den beim Weichlöten üblichen Temperaturen
von 250°C bis 300°C.
Derartige Schichten sind außerdem ungeeignet zur Herstellung
hochstabiler elektrischer Widerstände mit einem geringen Temperatur
koeffizienten, für die Kupfer-Nickellegierungen mit einem
Kupfergehalt von annähernd 50% benötigt werden, gemäß der deutschen
Norm DIN 17 471.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein gattungsgemäßes
Verfahren anzugeben, das die Abscheidung hochstabiler
elektrischer Widerstandsschichten mit einem kleinen Temperatur
koeffizienten und hohem Cu-Anteil ermöglicht, das eine niedrige
Abscheidungsgeschwindigkeit hat und das bei niedrigen Temperaturen
eine zuverlässige und reproduzierbare Abscheidung ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches
1 angegebenen Merkmale gelöst.
Zweckmäßige Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen zusammengestellt.
Ein erster Vorteil besteht darin, daß der geringe Phosphoranteil
in der abgeschiedenen Schicht eine gute Lötbarkeit bedingt.
Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß die abgeschiedenen Schichten
chemisch isotrop sind und daher eng tolerierbare sowie genau
einstellbare elektrische Eigenschaften besitzen, die eine gute
Langzeitstabilität aufweisen.
Ein dritter Vorteil besteht darin, daß das Bad bereits bei Raum
temperatur zuverlässig arbeitet, so daß sogenannte Inselbildungen
während der Schichtabscheidung vermieden werden.
Ein vierter Vorteil besteht darin, daß eine Änderung des pH-Wertes
des Bades zwar eine Änderung des Kupfergehaltes in der
abgeschiedenen Schicht bewirkt, dabei jedoch die Abscheidungsgeschwindigkeit
nahezu nicht beeinflußt wird.
Ein fünfter Vorteil besteht darin, daß trotz des hohen Cu-Ionengehaltes
der Bäder kein zusätzlicher Bad-Stabilisator benötigt
wird.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Fig. 1 und 2 sowie
Verfahrensbeispielen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt ein Diagramm zur Darstellung der chemischen Zusammensetzung
der erfindungsgemäßen Cu-Ni-P-Schicht in Abhängigkeit
vom pH-Wert des Bades. Die dargestellten Punkte stellen Analysenwerte
dar zu dem jeweils bezeichneten pH-Wert. Diese Werte sind
durch eine ausgezogene Linie, eine sogenannte Ausgleichsgerade,
verbunden. Zur besseren Verständlichkeit
sei bemerkt, daß beispielsweise die durch den Meßwert pH 10
gekennzeichnete Schicht folgende chemische Zusammensetzung
hat: 60 Gewichtsprozent Kupfer (Cu), 36 Gewichtsprozent
Nickel (Ni), 4 Gewichtsprozent Phosphor (P).
Fig. 2 zeigt die relative Widerstandsänderung, in Prozent,
von abgeschiedenen Schichten, die bei verschiedenen pH-Werten
des Bades hergestellt wurden. Auf der
Abszisse ist die Temperatur t in °C aufgetragen, während
die Ordinate den relativen elektrischen Widerstand R=100 · R t /R₂₀
in Prozent angibt, wobei R t der elektrische
Widerstand bei der Temperatur t ist und R₂₀ denjenigen bei
der Temperatur 20°C angibt. Die an den Meßkurven angegebenen
pH-Werte beziehen sich auf die entsprechenden Bäder.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird bei einem gegebenem
Nickel-Kupferverhältnis im Bad ein darauf
abgestimmtes Mengenverhältnis zweier verschiedener Komplexbildner
für Nickel- und Kupferionen gewählt, wodurch ein
bereits bei Raumtemperatur hinreichend zuverlässig und
schnell abscheidendes und dennoch gegen spontane Zersetzung
stabiles Bad erhalten wird.
Gereinigte Keramiksubstrate (99,5% Al₂O₃) mit 50×50 mm²
Größe werden mit Hilfe einer bekannten Flüssig-Resisttechnik
mit einer Lackmaske für ein Widerstands-Testmotiv versehen.
Die Substrate werden nach ebenfalls bekannten Zinnsalz/Palladium
salz-Verfahren auf der Oberfläche mit katalytischen
Keimen belegt und anschließend in einem chemisch
stromlos arbeitenden Bad folgender Zusammensetzung
bei 25°C metallisiert:
9,4 g/lNickelsulfat
1,3 g/lKupfersulfat
17,0 g/lCitronensäure
0,5 g/lDi-Na-EDTA (Dinatriumsalz der
Ethylendiamintetraessigsäure)
15,0 g/lBorax
13,0 g/lNatriumhypophosphit
pH=8,5mit NaOH einstellbar.
Bei einer Abscheidungszeit von 10 Minuten wird eine Schicht
von etwa 0,1 µm Dicke hergestellt. Nach Strippung der Lackmaske
mit Abhebung der Metallisierung auf dem Lack wird die
auf dem Substrat verbliebene Struktur gemessen und ein Quadrat
widerstand von 14,1 Ω/ berechnet. Bei einem Temperprozeß
von 2 Stunden unter Stickstoff bei 300°C nimmt der
Quadratwiderstand um 4% ab, während der Temperaturkoeffizient
des Widerstands zwischen -55°C und +125°C nahezu unverändert
bei ca. +100 ppm/K liegt.
Keramiksubstrate werden wie im Verfahrensbeispiel 1 vorbehandelt
und dann in einem Bad folgender Zusammensetzung
bei 40°C metallisiert:
8,0 g/lNickelsulfat
4,0 g/lKupfersulfat
15,0 g/lCitronensäure
2,0 g/lDi-Na-EDTA
5,0 g/lBorax
20,0 g/lNatriumhypophosphit
pH=9,5mit NaOH einstellbar.
Nach 10 Minuten Abscheidungszeit entsteht eine Schicht mit
ca. 0,25 µm Dicke, die nach der Lackstrippung einen Quadratwiderstand
von 5,2 Ω/ hat. Bei einer Temperung von
2 Stunden unter Stickstoff bei 300°C nimmt der Widerstand
um ca. 7% ab und der Temperaturkoeffizient liegt nahezu unverändert
bei +100 ppm/K
Werden in dem genannten Verfahren die angegebenen Bestandteile
geändert, beispielsweise der pH-Wert und/oder die
Temperatur des Bades, so werden Kupfer-Nickel-Phosphor-Schichten
herstellbar, die insbesondere folgende
Merkmale haben:
- - bei einem P-Gehalt kleiner als 10 Gewichtsprozent ist der Cu-Gehalt der Schicht veränderbar im Bereich von 30 bis ca. 70 Gewichtsprozent.
- - gleichmäßiger Schichtaufbau, das heißt, es werden Schwankungen der chemischen Zusammensetzung, der Schichtstruktur und damit des elektrischen Widerstandes sowie Schwankungen der Schichtdicke und der Begrenzungen von Leiterbahnen und/oder Widerstandsschichten vermieden.
- - spezifischer elektrischer Widerstand im Bereich von 50 bis 300 µΩ cm einstellbar
- - jede praktisch wünschenswerte Schichtdicke herstellbar
- - Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes im Bereich von 0 bis ca. +1000 ppm/K einstellbar
- - gute Langzeitstabilität der elektrischen Eigenschaften der Schicht
- - gute Weichlötbarkeit
- - Temperaturbeständigkeit der Schicht bis 500°C.
Claims (7)
1. Verfahren zur stromlosen chemischen Abscheidung einer Cu-Ni-P-Schicht
aus einem wäßrigen hypophosphithaltigen alkalischen
Bad, das mindestens einen im alkalischen pH-Bereich wirkenden
Komplexbildner enthält und bei welchem das Cu/Ni-Verhältnis in
Abhängigkeit von der Konzentration des Komplexbildners gewählt
wird, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Cu-Ni-P-Schicht mit einem P-Anteil <8 Gew.-% und mit durch den pH-Wert des Bades einstellbaren Cu- und Ni-Anteilen, wobei der Cu-Anteil 30 Gew.-% bis 70 Gew.-% und der Ni-Anteil 70 Gew.-% bis 30 Gew.-% betragen, abgeschieden wird,
daß ein wählbares Cu/Ni-Verhältnis durch eine Mischung mindestens zweier Komplexbildner, die EDTA und eine Hydroxipolycarbonsäure enthalten, eingestellt wird,
daß eine Temperatur 40°C eingehalten wird,
daß die Abscheidegeschwindigkeit durch die Menge des zugesetzten EDTA eingestellt wird und
daß die Eigenschaften der Cu-Ni-P-Schicht durch eine thermische Nachbehandlung stabilisiert werden.
daß eine Cu-Ni-P-Schicht mit einem P-Anteil <8 Gew.-% und mit durch den pH-Wert des Bades einstellbaren Cu- und Ni-Anteilen, wobei der Cu-Anteil 30 Gew.-% bis 70 Gew.-% und der Ni-Anteil 70 Gew.-% bis 30 Gew.-% betragen, abgeschieden wird,
daß ein wählbares Cu/Ni-Verhältnis durch eine Mischung mindestens zweier Komplexbildner, die EDTA und eine Hydroxipolycarbonsäure enthalten, eingestellt wird,
daß eine Temperatur 40°C eingehalten wird,
daß die Abscheidegeschwindigkeit durch die Menge des zugesetzten EDTA eingestellt wird und
daß die Eigenschaften der Cu-Ni-P-Schicht durch eine thermische Nachbehandlung stabilisiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Hydroxipolycarbonsäure Weinsäure oder Zitronensäure verwendet
wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der pH-Wert des Bades auf ungefähr pH 9,5
gehalten wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß während des Abscheidens der Schicht die
Temperatur des Bades näherungsweise 25°C beträgt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die thermische Nachbehandlung der abgeschiedenen
Cu-Ni-P-Schicht bei ungefähr 300°C und unter einer
inerten Gasatmosphäre durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Cu-Ni-P-Schicht mit einem elektrischen
Widerstand abgeschieden wird, der einen Temperaturkoeffizienten
von 100 ppm/K in einem Temperaturbereich von -55°C bis +125°C
hat.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Cu-Ni-P-Schicht mit einem spezifischen
elektrischen Widerstand von 50 µΩcm bis 300 µΩcm abgeschieden wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803034877 DE3034877A1 (de) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | Stromlos abgeschiedene kupfer-nickel-phosphor-schicht sowie verfahren zu deren herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803034877 DE3034877A1 (de) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | Stromlos abgeschiedene kupfer-nickel-phosphor-schicht sowie verfahren zu deren herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3034877A1 DE3034877A1 (de) | 1982-04-29 |
DE3034877C2 true DE3034877C2 (de) | 1988-12-01 |
Family
ID=6112063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803034877 Granted DE3034877A1 (de) | 1980-09-16 | 1980-09-16 | Stromlos abgeschiedene kupfer-nickel-phosphor-schicht sowie verfahren zu deren herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3034877A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3806306A1 (de) * | 1988-02-27 | 1989-09-07 | Basf Ag | Verwendung von polyacetalen als komplexbildner zur chemischen abscheidung von kupfer und verfahren zur chemischen abscheidung von kupfer |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD109669A1 (de) * | 1974-03-15 | 1974-11-12 |
-
1980
- 1980-09-16 DE DE19803034877 patent/DE3034877A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3034877A1 (de) | 1982-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69301941T2 (de) | Kupferfolie für Leiterplatten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2610470C3 (de) | Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Kupferschichten | |
DE60015686T2 (de) | Beschichteter Metallartikel mit mehrlagiger Oberflächenbeschichtung für Porositätsverminderung | |
DE3016132C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von gegen Hitzeschockeinwirkung widerstandsfähigen gedruckten Schaltungen | |
DE2159612A1 (de) | Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper | |
DE2001515B2 (de) | Flächenhafte Leiterzüge auf einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2650466C2 (de) | Elektrischer Widerstand | |
EP0394875A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnmustern | |
DE19740431C1 (de) | Verfahren zum Metallisieren eines elektrisch nichtleitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats | |
DE3700912C2 (de) | ||
DE102006036100B3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers | |
DE69514157T2 (de) | Metallisierung eines Ferriten mittels Oberflächenreduktion | |
DE10236201A1 (de) | Verfahren zur Schmutzentfernung aus Durchgangslöchern | |
DE112019003625T5 (de) | Varistor-Passivierungsschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP1047523B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines bleifreien substrates | |
DE3034877C2 (de) | ||
DE2550275A1 (de) | Verfahren zum herstellen von barrieren fuer loetzinn auf leiterzuegen | |
DE69607130T2 (de) | Elektroplattieren von Nickel auf Nickel-Ferrit Vorrichtungen | |
DE2513859C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks | |
DE3034175C2 (de) | ||
DE69721879T2 (de) | Dielektrisches Filter und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3030270C2 (de) | ||
DE3043462C2 (de) | ||
DE3048665C2 (de) | ||
DE2634232C2 (de) | Verfahren zur stromlosen reduktiven Abscheidung von Nickel-Phosphor-Schichten, insbesondere für elektrische Widerstände |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |