DE1909480A1 - Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

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Description

fc-fog. Wilhelm Rsis ,
Fiankfuri/Main-1 · 5352
Parkstraße 13
General Electric Company, Schenectady, N.Y., V.St.A.
Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
Trotz der gewaltigen Fortschritte, die in den letzten Jahren in der Halbleitertechnik erzielt worden sind, ist es bisher nicht gelungen, ausreichend schnelle, fehlerfreie und billige Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen zu schaffen. Bei einem bekannten Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen werden beispielsweise elektrisch aktive Elemente, d.h. Halbleiterkörper, die aus einer Vielzahl von elektrisch aktiven Zonen wie Kollektor-, Basis- oder Emitterzonen bestehen, in regelmässigen Abstanden"auΓ eine metallisehe Stützschicht aufgebracht, indem eine Zone des Elementes mit der Stützschicht fest verbunden wird. Mit den restlichen aktiven Zonen werden dann einzelne Verbindungsdrähte bleibend verbunden. Die Halbleiterkörper und die an ihnen befestigten Teile der Stützschicht werden anschliessend an einer fertigen Baueinheit befestigt, die die ausseren Anschlussstifte aufweist, wobei die Stützschicht und die Verbindungsdrähte in geeigneter Weise mit den Anschluß st if ten verbunden werden. Die gesamte Anordnung wird dann zur Fertigstellung des Halbleiterbauelementes eingekapselt.
Obgleich sich das beschriebene Verfahren zum Herstellen von solchen Halbleiterbauelementen eignet, die wie Dioden oder Transistoren eine nur geringe Anzahl von Anschlüssen aufweisen, ist es ziemlich zeitraubend, da jeder Verbindungsdraht einzeln an einer der aktiven Zonen und einem ausseren Anschluss angebracht werden muss. Dieses Anbringen von jeweils nur einem
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Draht gleichzeitig ist zeitraubend- und erfordert eine gute
einen
Schulung des Technikers. Wenn es sich dagegen um/Halbleiterkörper nach Art einer integrierten Schaltung handelt, der eine grosse Anzahl von Drahtverbindungen aufweist, die am Halbleiterkörper befestigt werden müssen, dann werden die Schwierigkeiten einer exakten Kontaktierung immer grosser, so dass sich das beschriebene Verfahren kaum noch anwenden lasst. Es ist zwar auch bereits vorgeschlagen worden, die Halbleiterkörper mit der Kontaktfläche nach unten auf eine Keramikschicht oder eine Stützschicht aus Isoliermaterial aufzukleben und dabei eine Vielzahl von Zonen des Halbleiterkörpers gleichzeitig mit vorgewählten Bereichen auf dieser Schicht in Berührung zu bringen. Bei dieser Methode besteht jedoch der Nachteil, dass die Verbindungstellen nicht sichtbar sind und für den Kontakt eine relativ grosse Fläche des Halbleiterkörpers benötigt wird, so dass sich auch dieses Verfahren nicht gut dazu eignet, Halbleiterbauelemente herzustellen, deren Halbleiterkörper eine grosse Anzahl von Kontakten oder viele kleine Kontaktzonen aufweisen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, Halbleiterbauelemente und Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, welche es ermöglichen, alle äusseren Anschlüsse gleichzeitig bei einem Minimum an manueller Tätigkeit und einem Minimum an Herstellungskosten mit denjietallischen Kontaktzonen des Halbleiterkörpers zu verbinden. Ausserdern soll sich das Verfahren dazu eignen, Massenartikel mit hoher Geschwindigkeit zu produzieren, worunter auch eine schnelle Prüfung der Erzeugnisse zu verstehen ist. Die Kontalctzonen sollen dabei nur einen kleinen Bereich des Halbleiterskörpers einnehmen.
Ein Halbleiterbauelement mit einem eine Kontuktfläche aufweisenden, an einem aus Isoliermaterial bestehenden Substrat befestigten Halbleiterkörper ist erfindungsgemäas dadurch
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gekennzeichnet, dass das Substrat aus einer flexiblen Platte mit einem Mitteloch besteht, dass der Halbleiterkörper relativ zum Mittelloch derart angeordnet ist, dass der Rand des Mittelloches die Kontaktfläche umgibt und dass an der Platte ein Satz von fingerförmig angeordneten Metallanschlüssen befestigt ist, deren Enden über'den Rand des MitteJJoches hinausragen und auf die Kontaktzonen der Kontaktfläche ausgerichtet und mit diesen elektrisch verbunden sind;
Ein Verfahren zum Herstellen solcher Halbleiterbauelemente besteht erfindungsgemäss darin, dass auf eine Oberfläche eines mit einer Vielzahl von Mittellöchern versehenen, aus einem flexiblen, elektrisch isolierenden Material bestehenden Bandes ein Metallstreifen aufgebracht wird, dass zur Herstellung einer Vielzahl von Sätzen aus elektrischen Anschlusselementen vorgewählte Abschnitte des Metallstreifens derart entfernt werden, dass die inneren Enden der Anschlusselemente jedes Satzes in einem vorgewählten, den Kontaktzonen auf der Kontnktfläche der Halbleiterkörper entsprechenden Muster im Bereich je eines Mittolloches angeordnet sind und aus fingerförmigen Streifen bestehen, die radial über den Rand des Mittelloches erstreckt sind, und dass die inneren Enden der Anschlusselemonte jedes Satzes auf die Kontaktzonen des ihnen im Bereich des Mittelloches gegenübergestellten Halbleiterkörpers ausgerichtet \md mit diesen verbunden werden.
Die Erfindung wird um folgenden anhand von Zeichnungen näher beschrieben, wobei alle aus der Beschreibung und den Abbildungen hervorgelienden Einzelheiten zur Erfindung beitragen können und mit dem Willen zur Patentierung in die Anmeldung aufgenommen wurden.
Die Fig. 1 zeigt ein Stück eines Bandes aus Isoliermaterial, welches erfindungsgemäss zum Herstellen von Halbleiterbauelementen verwendet wird.
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Die Fig. 2 zeigt ein Stück eines erfindungsgemässen Trägerbandes zum Herstellen von Halbleiterbauelementen.
Die Fig. 3 und k zeigen das Trägerband gemäss Fig. 2 nach
verschiedenen Verfahrensschritten des erfindungsgemässen Herstellungsverfahrens.
Die Fig. 5 zeigt schematisch ein Verfahren zum Befestigen von Halbleiterkörpern am Trägerband nach Fig. 3·
Die Fig. 6 zeigt eine erfindungsgemässe Vorrichtung zum Befestigen eines Halbleiterkörpers am Trägerband fe " nach Fig. 3·
Die Fig. 7 zeigt einen Halbleiterkörper, der erfindungsgemäss mittels eines Satzes von Anschlüssen am Trägerband befestigt ist.
Die Fig. 8, 9 und 10 zeigen verschiedene Typen von Halbleiterbauelementen nach der Erfindung.
Die Fig. 11 zeigt ein Trägerband gemäss eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung.
Die Fig. 12 zeigt ein erfindungsgemässes, an einem Trägerband W nach Fig. 11 befestigtes Halbleiterbauelement.
Die Fig. 13 und Ik zeigen Halbleiterbauelemente gemäss weiteren Ausführungsbeispielen der Erfindung.
Die Fig. 1 zeigt einen Streifen oder ein Band 10 aus irgendeinem geeigneten Isoliermaterial, beispielsweise einem organischen Kunststoff wie Polyester ("Mylar" Wz) oder Polyimid ("Kapton" Wz), die beide von der Firma DuPont Company, Wilmington, Delaware, U.S.A., vertrieben werden. Im Bedarfsfall kann
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das D.and 10 zur Versteifung oder zu einem anderen Zweck mit einer zusätzlichen Versteifungsschicht (nicht gezeigt) hinterlegt oder überzogen sein, die aus einem isolierenden, leitenden oder halbleitenden Material bestehen kann.
Gemäss Fig. 1 ist das Band 10 mit einer Vielzahl von mittleren Löchern oder Öffnungen 12 versehen, die längs des Bandes nahezu gleichmässig beabstandet und im allgemeinen etwa in der Mitte zwischen den beiden Längsrändern des Bandes angeordnet sind. Die Löcher 12 sind vorzugsweise so gross, dass sie die Kontakt-.fläche eines Halbleiterkörpers vollständig umgeben können. Sie sind also beispielsweise etwas grosser als die Kontaktfläche
des Plalbleiterkörpers, auf der sich die metallischen Kontakte befinden.
Gemäss Fig. 2 wird ein dünnes, zusammenhängendes, elektrisch isolierendes Band 10, in welches vorher in regelmässigen Abständen Löcher 12 eingestanzt sind, von einer (nicht gezeigten) Vorratsrolle abgewickelt und zumindest im Bereich der Löcher und in den benachbarten Bereichen mit einer dünnen Folie \6 aus einem metallischen, elektrisch leitenden Material belegt und verbunden. Zur Verbindung können irgendwelche geeigneten Materialien, z.B. Klebeschichten, verwendet werden. Das Band kann eine Dicke von beispielsweise 0,07 bis 0,1 mm (0,003 bis 0,004 Zoll) aufweisen, wohingegen die Metallschicht 16 etwa 0,012 bis 0,025 mm (0,0005 bis 0,001 Zoll) dick sein kann. Gemäss eines Ausführungsbeispiels besteht die Metallschicht aus einer 0,018 mm (0,0007 Zoll) starken Kupferfolie.
Der sich ergebende, aus Band 10 und Schicht 16 bestehende Schichtkörper besteht somit aus einem länglichen, zusammenhängenden Träger- oder Stützband Zk (Fig. 2). Gemäss Fig. 2 sind zur genauen Ausrichtung an seinem Rand eine Anzahl von Einstellöffnungen 11 und 13 vorgesehen, die durch das gesamte Trägerband hindurchgehen. Jedes Loch 12 ist so gross, dass es
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Kontaktzonen eines Halbleiterkörpers aufnehmen kann. Die Metallschicht 16 haftet zumindest in denjenigen Bereichen fest an der Oberfläche des Bandes 10, die den Löchern 12 benachbart sind, und erstreckt sich auch über die Löcher hinweg und bedeckt sie .·
Durch fotolithografische Maskierungs- und Ätztechnik oder auch auf andere bekannte Weise werden gemäss Fig. 3 Abschnitte der Metallschicht 1-6 vom Band 10 entfernt, so dass auf dem Band eine Vielzahl von Sätzen oder Gruppen aus metallischen Anschlüssen 80 entsteht, wobei sich jeder Satz der metallischen Anschlüsse im Bereich eines Loches befindet und die Anschlüsse jedes Satzes in einem vorgewählten Muster angeordnet sind. Dieses Muster besteht im allgemeinen aus sich radial erstreckenden Fingern oder Streifen, die nach innen über den Rand eines Loches 12 ragen, so dass die inneren Enden der Anschlüsse eines jeden Satzes auf die Metallkontakte eines Ilalbleiterkörpers ausgerichtet werden können, der gegenüber dem entsprechenden Loch angeordnet wird. Wenn ein fotolitografisches Ätzverfahren zur Herstellung der Anschlüsse 80 angewendet wird, dann sollten diejenigen Teile der Rückfläche der Metallschicht 16, die durch die Löcher 12 freigelegt sind, ebenso wie die oberen Oberflächen mit dem üblichen fotoresistiven Material überzogen werden, damit verhindert wird, dass das Ätzmittel die Unterseite der Anschlüsse oder Finger 80 angreifen kann.
Nach Ausbildung der verschiedenen Sätze von Anschlüssen 80 ergibt sich ein Trägerband 82, das in Fig. 3 dargestellt ist. Das in Fig. 3 sichtbare Stück dieses Trägerbandes 82 weist zwei Löcher 12 und zwei Sätze von Anschlüssen 80 auf. Die Anschlüsse 80 jedes Satzes haften oder kleben am Band 10 und sind auf der Oberfläche des'Bandes in einem Muster angeordnet, das aus sich im wesentlichen radial nach aussen, von jedem Loch 12 weg erstreckenden Fingern besteht. Die inneren Enden
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der Anschlüsse jedes .Satzes ragen nach innen in die durch die entsprechenden Löcher 12 begrenzten Räume hinein und können auf die· Kontaktzonen eines Halbleiterkörpers ausgerichtet werden, der an der entgegengesetzten Seite eines Loches angeordnet werden kann. Die Grosse und die Form der Löcher 12 können dem Muster der Metallkontakte auf dem mit elektrischen Anschlüssen zu versehenden Halbleiterkörper angepasst werden. Form und Grosse der Löcher 12 sollten aber so gewählt werden, dass ihre Ränder die Kontakte umfassen.
Erfindungsgemäss werden, wie in den. Fig. 4 und 5 dargestellt ist, am Trägerband 82 mehrere Halbleiterkörper, u. zw. ausgerichtet auf die Löcher 12, befestigt. Gemäss Fig. 5 wird ein zusammenhängender Streifen des Trägerbandes 82 von einer Vorratsrolle Sk abgewickelt und in Pfeilrichtung (86) transportiert. Das mit mehreren Sätzen von Anschlüssen 80 versehene Trägerband 82 wird zunächst in eine geeignete Plattierungslösung eingetaucht, um alle freiliegenden Teile der Anschlüsse 80 einschliesslich ihrer freiliegenden Rückflächen mit einem geeigneten lötbaren Material wie Zinn zu überziehen. Dies geschieht in einer Station 90. In dem nächsten, mit 92 bezeichneten Verfahrensschritt wird dann das Trägerband 82 relativ zu den hintereinander liegenden Halbleiterkörpern bewegt, so dass die inneren Enden der Anschlüsse jedes Satzes auf die Metallkontakte des zugeordneten Halbleiterkörpers ausgerichtet werden. Anschliessend können die Kontaktzonen jedes Halbleiterkörpers mit den inneren Enden der Anschlüsse des entsprechenden Satzes verbunden werden. Danach kann, wie in Fig. k' angedeutet/ jeder Satz von Anschlüssen mit dem zugehörigen Halbleiterkörper aus dem Trägerband 82 ausgeschnitten werden, was in der Station 93 geschieht. Anschliessend können in der Station 9** die äusseren Enden der Anschlüsse eines Satzes mit einem die Anschlussklemmen enthaltenden Rahmen aus geprägtem oder gestanztem Metallblech verbunden werden. Nach der Einkapselung in der Stufe 96 kann sich in der Stufe 99 ein Formierungs-, Abgrat- oder Abscherschritt anschliessen.
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'Gemäss einer we it ex-ση Ausführungsf orm können die Anschlüsse eines Satzes auch durch Abschälen, Abstreifen oder Weglösen der Klebeschicht oder dergleichen entfernt werden, in welchem Fall das Band 10 nicht nur aus elektrischem Isoliermaterial, sondern auch aus Metall oder irgendeinem anderen geeigneten flexiblen Material bestehen kann.
In Fig. 6 ist eine besonders zweckmässige Anordnung zum Verbinden des Musters der Anschlüsse mit den Metallkontakten des Ilalbleiterkörpers gezeigt. Ein Halbleiterkörper 100, z.B. ein bipolarer Planartransistorkörper mit fertiger Emitter-,, Basis-.und Kollektorzone und mit mit Gold überzogenen, erhabenen Metallkontakten 102, die an den elektrisch aktiven Zonen be- ·
fc festigt sind, wird mit der Kontaktfläche nach oben an mit Zinn plattierte Kupferanschlüsse 104 gelegt, so dass die inneren Enden der Anschlüsse 10^ auf den Metallkontakten 102 liegen und mit diesen in Berührung sind. Zum Verbinden der Metallkontakte 102 mit den verzinnten Anschlüssen 10k werden die letzteren durch die Abwärtsbewegung eines erwärmbaren Stempels 106 gegen die Goldoberflächei der Metallkontakte 102 gepresst. Eine feste Verbindung wird durch Anlegen'einer geeigneten Spannung an Klemmen 108. und 110 des Stempels 106 bzw. durch Erzeugung eines den Stempel durchmessenden Heizstromes erzeugt. Die leitenden Abschnitte 112 und 114 des Stempels sind durch ein Zwischenstück 1i6 aus Isoliermaterial getrennt, so dass beim Anbringen der Klemme 10& an den Abschnitt 112 und
" der Klemme 110 an den Abschnitt 114 des Stempels ein Strom in Pfeilrichtung (118 in Fig. 6) fliesst, durch welchen der Stempel 106 auf eine so hohe Temperatur gebracht wird, dass die verzinnten Kupferanschlüsse 10k mit den Goldkontakten 102 verlötet werden. Der Halbleiterkörper 100 ist dabei innerhalb < des durch das Loch 76 begrenzten Bereichs angeordnet, wozu die Einstell- oder Transportöffnungen 13 im Trägerband verwendet werden können.
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In der Fig. 7 ist der Halbleiterkörper 100 eines integrierten monolithischen Halbleiterbauelementes dargestellt. Der Halbleiterkörper weist eine Anzahl von Metallkontakten auf, die mit den inneren Enden von Metallanschlüssen 104 verbunden werden sollen,. Die Kontaktzonen der Oberfläche bzw. Kontaktfläche des Halbleiterkörpers, sind durch schraffierte Flächen · 105 dargestellt. Bei der Ausführungsform nach Fig. 7 kann mit der Boden- oder Rückseite des Halbleiterkörpers ein wärmeleitender Bauteil bzw. eine Wärmesenke verbunden sein. Die inneren Enden der Anschlüsse 104 und ein Teil der Wärmesenke können ausserdem mit einer geeigneten Kapsel aus Kunststoff, Glas oder dergleichen eingehüllt werden. Es ist auch möglich, das Kapselmaterial nur auf die obere Oberfläche des Halbleiterkörpers aufzubringen, damit der Halbleiterkörper später an eine äussere Wärmesenke angelötet werden kann.
Nach Verbinden eines jeden Halbleiterkörpers mit den Anschlüssen eines Satzes können verschiedene Verfahrensschritte durchgeführt werden. Die Fig. 8 zeigt beispielsweise eine fertige integrierte Schaltung mit Kontaktstiften 120, die auf die Anschlüsse gelegt und mit diesen verbunden sind, Ausserdem ist der Halbleiterkörper eingekapselt und die Kapsel geformt, gegratet und vom Trägerband abgeschert worden. Die Fig. 9 zeigt einen Transistor, dessen Halbleiterkr5rper eingekapselt worden ist und dessen Anschlüsse 122 innerhalb eines Loches vom Trägerband abgetrennt sind. Die Fig. 10 dagegen zeigt einen Transistor, dessen Halbleiterkörper auch eingekapselt ist und dessen Anschlüsse 124 auch abgetrennt worden sind, bei dem jedoch ein kleiner Film 126 des Kunststoffbandes stehen gelassen worden ist, der das Kapselmaterial und die inneren Enden der Anschlüsse stützen soll. Durch Anlöten oder dergleichen kann auf der Rückseite des Halbleiterkörpers (Ζ. B. in einem Bereich 101 in Fig. 6) eine geeignete metallische Wärmesenke angelötet oder auf andere Weise befestigt werden. Der Bereich 101 kann aus einem lötbaren Metall wie Silber, Gold usw. bestehen. !
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Die Fig. 11 zeigt einen Schichtkörper oder ein Trägerband 25 gemäss einer· weiteren Ausführurigsf orm der Erfindung. Das Trägerband 25 besteht aus einer Schicht aus einem flexiblen, elektrisch isolierenden Band 28, das die gleichen Eigenschaften wie das Dand 10 aufweisen kann und aus einer Metallschicht 30, die die gleichen Eigenschaften wie die Metallschicht 10 aufweist und mit dem Band 28 fest verbunden ist. Die Metallschicht 30 haftet an der Oberfläche des Bandes 28 und bedeckt mindestens eine Vielzahl von. nahezu gleichmässig beabstandeten Löcherbereichen 32. Jeder Löcherbereich besteht aus einem Mittelloch 3h und einer Vielzahl Randschlitzen 36, die im allgemeinen etwa senkrecht auf einen durch sie vom Mittelloch 3h aus gezogenen Radius stehen. Das Mittelloch 3h in jedem Löcherbereich 32 dient zum Festlegen der Lage der inneren Enden der aus der Metallschicht 30 hergestellten Anschlüsse eines Satzes, während die Randschlitze 36 zum Festlegen der Lage der1 äusseren Enden der Anschlüsse dieses Satzes dienen. Hierdurch kann der Teil des Trägerbandes, der ein Mit bell och und die Anschlüsse des zugehörigen Satzes enthält, leicht dadurch vorn Rest des Trägerbandes entfernt werden, dass man das Band längs der Verbindungslinien der Randschlitze 36 abtrennt. Das sich ergebende Gebilde ist in Fig. 12 dargestellt.
In Fig. 13 ist ein weiteres Ausführungsbeispxel der Erfindung gezeigt. Ein flexibles Band I30 aus einem elektrisch isölierenden Material weist ein Mittelloch 132 auf und stützt einen Satz von metallischen Anschlüssen 13^ ab, die auf dem Band aufliegen und mit einer Oberfläche des Bandes verklebt sind. Die Anschlüsse 13^· sind, wie oben beschrieben, iryeinem aus Fingern bestehenden Muster auf der Bandoberfläche angeordnet, wobei sich die Finger vom Mittelloch 132 radial nach aussen erstrecken, während ihre inneren Enden über den Rand des Mittellochs nach innen ragen und auf die Kontaktζonen des Ilalbleiterkörpers I36 ausgerichtet sind. Der Halbleiterkörper ist auf das Mittelloch 132 ausgerichtet,und die inneren Enden der Metallfinger sind an den ihnen zugeordneten Kontaktzonen
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des Halbleiterkörpers befestigt. Gemäss eines weiteren Merkmals der Erfindung ist jeder Anschluss 13^ an seinem äusseren Ende mit einem relativ steifen Metallstift I38 verbunden, wie durch die gestrichelten Linien in Fig. I3 angedeutet ist. Das Band 130, der Halbleiterkörper I36, die Anschlüsse 13^ und ein Teil der Metallstifte 138 sind in eine Kunststoffkapsel eingeschlossen, so dass das fertige Halbleiterbauelement etwa wie das in Fig. 8 dargestellte Halbleiterbauelement; aussieht und nur seine Kunststoffkapsel und die Metallstifte sichtbar s ind.
Gemäss noch eines anderen, in Fig. 14 dargestellten Ausführungsbeispiels trägt ein Substrat 140 aus Keramik oder Isoliermaterial eine Vielzahl von metallisierten Flächen 1^2, die auf eine Oberfläche des Substrats 14O aufgebracht sind. Jede Metallzone 1^2 auf dem Substrat ist mit einem Lötmittel ihk überzogen, so dass am Halbleiterkörper befestigte Anschlüsse angelötet werden können. Erfindungsgemäss wird zunächst ein Satz von Anschlüssen IU6 an einem Halbleiterkörper 148 befestigt, und zwar beispielsweise wie in Fig. 7igemäss der die Anschlüsse IOU mit den Kontaktzonen des Halbleiterkörpers verbunden sind. Anschliessend wird der restliche Kunststoffteil des aus Isoliermaterial bestehenden Bandes, der den Satz von Anschlüssen trägt, auf geeignete Weise von den Anschlüssen entfernt (z.B. durch Abschälen, Abstreifen oder dergleichen) und werden die inneren Enden der Anschlüsse und zumindest die Kontaktzonen des Halbleiterkörpers 148 mit einer Kunststoffkapsel 150 umgeben, wohingegen die Rückseite 152 des Halbleiterkörpers 1^8 frei bleibt. Die Rückseite 152 des Halbleiterkörpers kann zum Herstellen eines löttearen metallischen Elementes einer Wärmesenke verwendet werden, indem sie nämlich, unter Umstünden nach Überziehen mit einem lötbaren Metall, wie Silber, Gold usw., an eine ihr zugeordnete, mit einem Lötmetall überzogene Metallfläche angelötet wird. Die Metall-
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anschlüsse 146 können auf geeignete Weise, z.B. durch Impulslötung, an den ihnen zugeordneten Lötflächen ikk befestigt werden.
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Claims (18)

  1. Patentansprüche
    Π .J .Halbleiterbauelement mit einem eine Kontaktfläche aufweisenden, an einem aus Isoliermaterial bestehenden Substrat befestigten Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus einer flexiblen Platte
    • (1O) mit einem Mittelloch (12) besteht, dass der Halbleiterkörper relativ zum Mittelloch derart angeordnet ist, dass der Rand des Mittelloches die Kontaktfläche umgibt, und dass an der Platte ein Satz von fingerförmig angeordneten Metallanschlüssen (SO) befestigt ist, deren Enden über den,Rand des Mittelloches hinausragen und auf die Kontaktzonen der Kontaktfläche ausgerichtet und mit diesen elektrisch verbunden sind.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Ansprich 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallanschlüsse (80) etwa 0,025 mm (0,001 Zoll) dick sind. ·
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktzonen (102) auf dem Halbleiterkörper erhaben ausgebildet sind.
  4. 4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, dass mit einer von der Kontaktfläche des Halbleiterkörpers beabstandeten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (IOO) ein lötbares, als Wärmesenke verwendetes Metallelement verbunden ist, das von den Anschlüssen (1O4) elektrisch isoliert ist.
  5. 5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis k, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus einem flexiblen Band (10) mit einer Vielzahl von in Längsrichtung beabstandeten Mittellöchern (12) besteht und dass jedem Mittelloch ein Halbleiterkörper zugeordnet ist.·
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  6. 6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch· gekennzeichnet, dass die äusseren Enden der Metallanschlüsse (134) an steifen Kontaktstiften (138) befestigt sind.
  7. 7? Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil jedes Halbleiterkörpers und zumindest die. inneren Enden der Metallanschlüsse in ein Gehäuse eingeschlossen sind.
  8. 8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichne t, dass die Gehäuse aus einer Kunststoffkapsel bestehen.
  9. 9· Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch' gekennzeichnet, dass an einer Seite (152) jedes Halbleiterkörpers (i48), beabstandet von der Kontaktfläche und den Metallanschlüssen (146), ein als Wärmesenke verwendetes Metallelement (142, 144) ,angebracht ist.
  10. 10. Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von in Längsrichtung beabstandeten Halbleiterbauelementen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9t dadurch gekennzeichnet, dass auf eine Oberfläche eines mit einer .Vielzahl von Mittellöchern versehenen, aus einem flexiblen, fc elektrisch isolierenden Material bestehenden Bandes ein Metallstreifen aufgebracht wird, dass zur Herstellung einer Vielzahl von Sätzen aus elektrischen Anschlusselementen vorgewählte Abschnitte des Metallstreifens derart entfernt werden, dass die inneren Enden der Anschlusselemente jedes Satzes in einem vorgewählten, den Kontaktzonen auf der Kontaktfläche der Halbleiterkörper entsprechenden Muster im Bereich je eines Mittelloches angeordnet sind und aus fingerförmigen Streifen bestehen, die radial über den Rand des Mittelloches erstreckt sind, und dass die inneren Enden der Anschluessele-. mente jedes Satzes auf die Kontaktzonen des ihnen im Bereich des Mittelloches gegenübergestellten Ilalbleiterkörpers ausgerichtet und mit diesen verbunden werden.
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  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Sätze aus Anschlusselementen durch eine Foto-Atzbehandlung des Metallstreifens erhalten werden.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlusselemente mit einem lötbaren Metall plattiert werden.
  13. 13» Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass alle inneren Enden der Anschlusselemente eines Satzes durch Impulslötung gleichzeitig mit den Kontaktzonen des HalbleiterkÖrpers verbunden werden.
  14. 14. Trägerband zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 10 bis 13» gekennzeichnet durch ein flexibles, aus Isoliermaterial bestehendes Band (1O) mit einer Vielzahl von in Längsrichtung beabstandeten Mittellöchern (12), die derart ausgebildet sind, dass ihr Rand die Kontaktfläche eines Halbleiterkorpers umgeben kann, und durch eine auf die eine Oberfläche des Bandes aufgebrachte Metallschicht (l6), die zumindest die Mittellöcher und den daran angrenzenden Teil des Bandes bedeckt.
  15. 15. Trügerband nach Anspruch lh, d a d u r c h gekennzeichnet, dass an dem Band zu seiner genauen Ausrichtung und Kennzeichnung Markierungen (11, 13) vorgesehen sind.
  16. 16. Trägerband nach Anspruch 14 oder.15, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (16) etwa 0,025 mm (0,001 Zoll) dick ist.
  17. 17. Trägerband nach einem der Ansprüche Ih bis 16, d a durch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (1ό) im Bereich jedes Mittelloches (12) in eine Anzahl von fingerförmigen, als elektrische Anschlusselemente verwendbare
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    Streifen (So) unterteilt ist und dass diese Anschlusselemente derart angeordnet sind, dass ihre inneren Enden in einem vorgewählten Muster über den Rand des Mittelloches ragen und ihre äusseren Enden sich radial vom Mittelloch weg erstrecken.
  18. 18. Trägerband nach Anspruch 17» dadurch gekennzeichnet, dass es in der Nahe jedes Mittelloches (3*0 Schlitze (36) aufweist, die im wesentlichen senkrecht auf einem durch sie vom Mittelloch gezogenen Radius stehen, und dass diese Schlitze von den äusseren Enden der Anschlusselemente zumindest teilweise überdeckt sind, damit jeweils plättchenförmige Segmente des Bandes (28), die das Mittelloch (3^) und die diesem zugeordneten Anschlusselemente enthalten, durch Schnitte längs der äusseren Verbindungslinien der Schlitze (36) vom Rest des Bandes getrennt werden können.
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    Zk. Feb. 1909
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