DE3138743A1

DE3138743A1 - In einem dichten gehaeuse montiertes oberflaechenwellenfilter und dergleichen

Info

Publication number: DE3138743A1
Application number: DE19813138743
Authority: DE
Inventors: Hanns-Heinz 8000 München Peltz
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1981-09-29
Filing date: 1981-09-29
Publication date: 1983-04-07

Description

In einem dichten Gehäuse montiertes Oberflächenwellen-
filter (und derleichen).
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein in einem dichten Gehäuse montiertes Oberflächenwellenfilter, wie im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegeben.
Aus dem Stand der Technik, so z.B. aus der DE-PS 28 45 610 (VPA 78 P 7172) ist ein Oberflächenwellenfilter bekannt, das aus einem Substrat aus beispielsweise Lithiumniobat mit auf seiner einen Oberfläche befindlichen Fingerstrukturen besteht. Diese Fingerstrukturen dienen dazu, in der Oberfläche des Substrats eine Oberflächenwelle (SAW) zu erzeugen, die von einer Fingerstruktur ausgesandt und von einer anderen Fingerstruktur empfangen wird. Der Substratkörper befindet sich auf einer metallischen Unterlage, wobei in der genannten DE-PS die Besonderheit beschrieben ist, daß ein bestimmterweise bemessener Abstand zwischen der Oberfläche des Substratkörpers und der gegenüberliegenden Metalloberfläche. eingehalten wird. Der durch diesen Abstand gebildete Zwischenraum ist beispielsweise mit Klebstoff angefüllt, mit dem Substratkörper und Metallunterlage mechanisch fest miteinander verbunden sind.
Dieses aus der DE-PS 28 45 610 bekannte Oberflächenwellenfilter ist weitverbreitet in Fernsehgeräten als Zwischenfrequenz-Bandfilter verwendet. Das eigentliche durch Substratkörper, Fingerstruktur und seine Anschlüsse gebildete Filter befindet sich in einem Kunststoffgehäuse, das das Filter gegen äußere Einflüsse schützt.
Die erwähnte metallische Unterlage dient als elektrische Abschirmung gegen elektrische Einflüsse. Sie ist dementsprechend mit Masse verbunden.
Für ein derartiges Oberflächenwellenfilter bestehen eine Anzahl relativ harter technischer Bedingungen, die andererseits mit derart einfachen technischen Maßnahmen einzuhalten sind, die den Preis für ein derartiges Massenprodukt minimal halten.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen solchen konstruktiven Aufbau eines in einem dichten Gehäuse montierten Oberflächenwellenfilters anzugeben, dessen Realisierung sich bei geringstem Ausschuß mit minimalem Fabrikationsaufwand durchführen läßt.
Diese Aufgabe wird mit einem wie im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Oberflächenwellenfilter gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 erfindungsgemäß gelöst. Eine besondere Weiterbildung der Erfindung ist im Patentanspruch 2 angegeben. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den übrigen Unteransprüchen hervor.
Das in der Aufgabenstellung erwähnte Herstellungsverfahren, das ebenfalls Bestandteil des Erfindungsgedankens ist, geht aus den betreffenden Verfahrensansprüchen hervor.
Der vorliegenden Erfindung liegen zahlreiche, tiefgehende Überlegungen z.ugrunde, wie die einzelnen Verfahrensschritte der Herstellung ausgestaltet sein müssen, damit diese einzelnen Verfahrensschritte derart aufeinander abgestimmt sind, daß sich schließlich als Herstellungsorodukt ein Oberflächenwellenfilter ergibt, das trotz minimalen Fertigungsaufwandes nicht nur die bisherigen Anforderungen erfüllt, sondern sogar noch übertrifft. Dies gilt sowohl für mechanische Festigkeit als auch für elektrische Qualität des Oberflächenwellenfilters Im Zusammenhang mit der Erfindung ist gegenüber dem Stand der Technik zu berücksichtigen, daß derartige Oberflächenwellenfilter bereits vor etwa einem Jahrzehnt Eingang in die Technik gefunden haben und seit dieser Zeit intensiv am Auffinden besonders vorteilhafter technologischer Herstellungsmaßnahmen entwickelt und gearbeitet wird.
Weitere Erläuterungen der Erfindung gehen aus der nachfolgenden, anhand der beigefügten Figuren gegebenen Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung sowie seiner Varianten und eines Herstellungsverfahrens und dessen Varianten hervor.
Fig.1 zeigt in Seitenansicht im Schnitt ein im Gehäuse nach der Erfindung montiertes Filter.
Fig.2 zeigt eine Aufsicht auf ein Stück eines Filmes, der ein Basiselement des erfindungsgemäßen Montage-Verfahrens ist.
Fig.3 zeigt ein Flußdiagramm des Herstellungsverfahrens.
In Fig.1 ist mit 1 bezeichnet ein erfindungsgemäß aufgebautes Oberflächenwellenfilter mit seinem Gehäuse dargestellt, wobei die Schnittebene der Fig.1 so gelegt ist, daß sie mit der Seitenansicht der Fläche des im Gehäuse befindlichen Substratkörpers 2 zusammenfällt, d.h. daß diese Seitenfläche des Substratkörpers nicht in Schnittdarstellung erscheint. Im Schnitt dagegen sind u.a. der Film 4 und die Kappe 6, die beide zusammen das das Substrat 2 allseitig umgebende Gehäuse bilden.
schnitten erscheinen auch das Material der an den beiden Enden des Substrats 2 vorgesehenen Sümpfe 8 und die zur Dämpfung der Volumenwellen rückseitig an das Substrat 2 angrenzende Dämpfungsmasse 10. Es kann allerdings auch vorgesehen sein, daß die Sümpfe 8 nicht über den seitlichen Rand des Substrats 2 hinausragen. Die Dämpfungsmasse 10 dagegen umschließt das Substrat 2 im Regelfall auf allen Seiten, mit Ausnahme der Oberfläche des Substrats 2, die dem Film 4 zugewandt-ist.
Auf dem Film 4 ist mit 11 bezeichnet eine mit dem Film 4 fest verbundene Metallbeschichtung im Schnitt zu sehen, die zur elektrischen Abschirmung und/oder als Feuchtigkeitssperre dient. Mit 111 ist der auf dem Film 4 befestigte eine Anteil des Laminats der Anschlußfahnen 5 bezeichnet. Der andere Anteil dieses Laminats ist mit 12 bezeichnet. Die Längsrichtung dieser Anschlußfahnen 5 verläuft in Normalenrichtung der Darstellungsebene der Fig.1. Der Anteil 111 und die Abschirmung 11 sind vorzugsweise aus einer einzigen ursprünglichen Metallbeschichtung des Films 4 durch Fotolithografie mit Atzen hergestellt. Im Herstellungsverfahren ist ursprünglich der Film 4 ganzflächig mit einem zweischichtigen Laminat aus einer Kupferfolie mit einer Aluminiumschicht versehen. Von diesen sind beim Oberflächenwellenfilter 1 nach Fig.1 die Kupferschicht 11 als Abschirmung/Feuchtig- keitsschutz und die untere Schicht 111 der Anschlußfahnen 5 vorhanden. Von der ursprünglichen Aluminiumschicht ist hier nur noch die obere Schicht 12 der Anschlußfahnen 5 vorhanden. Mit 14 sind die auf der Ober-2 fläche des Substrats aufgebrachten, aus Aluminium bestehenden Fingerstrukturen bezeichnet. Die aneinandergrenzenden Flächen der Schichten 12 der Anschlußfahnen 5 und der Fingerstrukturen 14, die beide aus Aluminium bestehen, sind durch Thermokompression elektrisch einwandfrei verbunden.
Die wichtigste Befestigung zwischen dem Film 4 und dem Substrat 2 wird vorzugsweise durch das Material der Sümpfe 8 realisiert. Diese neuartige Befestigungsmethode ist besonders einfach und zuverlässig, und zwar insbesondere im Hinblick auf Zustände während der Herstellung, d.h. zu Zeitpunkten, zu denen die Kappe 6 und die Dämpfungsmasse 10 noch nicht angefügt sind.
Wie ersichtlich, liegt zwischen der Oberfläche 21 des Substrats 2, auf der die Fingerstrukturen 14 angebracht sind, und der gegenüberliegenden Oberfläche der Metallsierung 11 ein Abstand vor, der im wesentlichen durch die Dicke des Anteils 12 der Anschlußfahnen 5 bestimmt ist. Diese Dicke beträgt z.B. 35/um. Die Dicke der Fingerstrukturen wird dagegen mit 0,2 bis I,5/um möglichst gering gehalten, da die Masse des Materials der Finger der Fingerstrukturen 14 auf die Ausbildung der in der Oberfläche 21 des Substrats 2 verlaufenden Oberflächenwellen nachteilig eingeht. Der voranstehend erwähnte Abstand gewahrleistet jedoch eine ungestörte Ausbreitung der Oberflächenwellen in der Oberfläche 21.
Linksseitig zeigt die Fig einen mit 16 bezeichneten Stift im Schnitt, der eine stiftförmige Fortsetzung des (unteren) Randes des Gehäuses-6 ist. Der Stift 16 ragt durch ein im Film 4 vorhandenes, angepaßt bemessenes Loch 116 hindurch, und zwar zusammen mit der Oberflächen-Metallisierung 61 der Kappe 6. Der Kopf 216 des Stiftes 16 ist nach dem Hindurchstecken des Stiftes 16 durch Erwärmung und/oder Druck erzeugt. Das Loch 116 ist - bezogen auf den Stift 16 - so bemessen, daß sich zwischen der Metallisierung 61 und der Metallisierung 11 des Films 4 ein elektrischer Kontakt ergibt. Anforderungen an diesen Kontakt sind nur in dem Rahmen zu stellen, wie sich aus Erfordernissenfür eine zuverlässige gesamte Abschirmung durch die Metallisierungen 11 und 61 ergibt. Der Stift ist für guten Kontakt vorzugsweise kantig.
Rechtsseitig ist in der Fig.1 ebenfalls ein Kopf 216 eines Stiftes 16 gezeigt. Die Darstellung der Fig.1 ist dort jedoch so, daß der Schnitt nicht durch den Stift 16 hindurchgeht. Vielmehr ist dort zu erkennen, wie der untere Rand 62 der Kappe 6 dem Film 4 bzw.
seiner Metallisierung 11 gegenübersteht und wie der eventuell vorhandene Zwischenraum zwischen diesem Rand und der Metallisierung 11 mit einem Heißkleber mechanisch verbunden und abgedichtet ist. Das Material des Klebers 63 erscheint im Schnitt.
Als Material für den Substratkörper 2 kommen piezoelektrische Stoffe, insbesondere Lithiumniobat, in Betracht.
Für den Film 4 hat sich ein Polyimidmaterial (z.B. als Karton im Handel befindlich) besonders vorteilhaft erwiesen. Die Kappe 6 kann ein - mit Rücksicht auf die Stifte 16 vorzugsweise thermoplastischer - Kunststoff sein.
Ein wie in Fig.1 dargestelltes, mit einem dichten Gehäuse 4, 6 versehenes Oberflächenwellenfilter 1 läßt sich in besonders wirtschaftlicher Weise mit vorzugsweise wenigen, und dazu wenig aufwendigen Fabrikationsvorrichtungen, in Massenproduktion herstellen.
Weitere Erläuterungen zu einem zu der Erfindung gehörigen Herstellungsverfahren gehen aus den nachfolgenden Ausführungen hervor.
Die zu späterem Zeitpunkt im Lauf des Verfahrens auf dem noch nachfolgend in seinen Einzelheiten näher zu beschreibenden Film 4 aufzubringenden Substratkörper 2 (auch als Chips bezeichnet) werden in der Regel zunächst aus einer größeren Scheibe (Wafer) aus z.B. einkristallinem Lithiumniobat herausgeschnitten. Dies erfolgt in der Weise, daß zunächst die Scheibe nach - auch für Wellenfilter - bekanten fotolithografischen Verfahren mit den notwendigen Interdigitalstrukturen der einzelnen Wandlerstrukturen versehen wird und dann face up auf einen Hartpapierträger aufgeklebt wird. Dazu kann die Scheibe gegebenenfalls zuvor noch mit einer Schutzlackbeschichtung versehen worden sein. Von der Seite der Scheibe her wird das Laminat bestehend aus Hartpapierträger und darauf befindlicher Scheibe in die späteren Substrate2zersägt, und zwar derart, daß der Sägeschnitt bis in das Hartpapier hineinreicht, die Scheibe also total durchsägt ist. Dabei haften die einzelnen Substrate weiterhin am Hartpapier.
In Fig.2 ist ein Abschnitt eines bereits mit Perfcration versehenen Rohfilms (z.B. 16 mm breit) gezeigt, der vorzugsweise aus einem Polyamid (lacton) besteht. Der Film 4 hat bereits die für seine Verwendung notwendigen Löcher 116 und weitere Löcher 21, die für das spätere Anlöten der aus dem Gehäuse 6 herausragenden Anschlußfahnen 5 dienen. Diese Löcher 116 und 21 werden in den Film 4 eingebracht, ehe dieser mit Klebstoff beschichtet wird und auf diesem z.B. 17/um oder 35/um dick Kupfer der Schicht 11 bzw. für die Anschlußfahnen 5, und zwar ganzflächig, auflammiert wird.
Die Kupferschicht wird dann ebenfalls ganzflächig galvanisch mit Aluminium überzogen. Bei der Durchführung der Galvano-Technik ist darauf zu achten, daß die Rückseite des Films 4 nicht ebenfalls metallisiert wird.
Der mit Kupfer und Aluminium laminiert beschichtete Film 4 wird dann beidseitig mit Fotolack beschichtet.
Der Fotolack auf der aluminiumbeschichteten Seite des Films 4 wird dann mit einer Struktur belichtet, die Fotolack nach dem Entwickeln nur noch über den Streifen beläßt, die den Anschlußfahnen 5 entsprechen und deren Anteil 12 der Aluminiumschicht stehenbleiben soll. Alles übrige Aluminium, das ist der weit überwiegende Anteil, wird bis runter auf die Kupferschicht 11 wieder abgeätzt.
Es erfolgt dann eine neue Fotolack-Beschichtung der ganzen Fläche. Die Belichtung erfolgt jetzt mit einer solchen Struktur, die nach dem Entwickeln Fotolack und damit nach dem folgenden Ätzen Kupfer nur noch über den Streifen 5 und innerhalb der Umrandung 106 beläßt. Bezüglich der Umrandung sei auf die Anteile 106' hingewiesen, die zwischen den einzelnen (einander gegenüberstehenden) Enden der Anschlußfahnen 5 und der Innenfläche der Umrandung 106 einen schmalen Streifen bilden, an dem zu Isolationszwecken (auch) das Kupfer entfernt ist. Handelt es sich um ein Filter mit einer unsymmetrisch anzuschließenden Interdigitalstruktur, kann für eine Fahne 5 - die Aussparung des Kupfers entsprechend dem Anteil 106' entfallen. Damit ergibt sich für die verbleibende Eupferschicht ein ansonsten in anderer Weise herzustellender Masseanschluß. Es wird im übrigen auch das Kupfer über den Löchern 116 des Films 4 entfernt. Die verbleibende Kupferbeschichtung des Films 4 ist nicht nur elektrische Abschirmung, sondern auch Feuchte-Diffusionssperre für das fertige Gehäuse.
Die Strukturseite des Films 4, d.h. die Seite des Films 4, auf der sich die Reste der Aluminiumschicht und der Kupferschicht befinden, wird nunmehr im nächsten Schritt mit Heißkleber bedruckt, und zwar auf einem Flächenanteil, zwischen der bereits erwähnten Umrandung 106 (ohne Berücksichtigung der Anteile 106') und der (zu einem Anteil gestrichelt dargestellten)Umrandung 107.
Mit dem Heißkleber wird somit der Flächenanteil des Films 4 bedruckt, mit dem später der untere Rand 62 der Kappe 6 mit dem Film 4 in Berührung kommt (in Off.1 ist der Heißkleber mit 63 bezeichnet). Heißkleber befindet sich aber auch noch auf den Flächenteilen, in dem der Substratkörper 2 (über die Kupferschicht 11 hintere) mit dem Film 4 verklebt wird und die auch die Sllmpfebilden.
Diese Verklebung und diese Sümpfe sind in Fig.1 mit 63 bzw. 8 bezeichnet.
Diese vorangehend für einen Abschnitt für ein einziges Filter beschriebenen Maßnahmen werden im jeweils selben Verfahrensschritt für eine Vielzahl von einzelnen Filtern über die Länge des Films hinweg ausgeführt. Es stehen somit auf dem Film nebeneinander eine Vielzahl von vorbereiteten Plätzen zur Verfügung, auf denen wie oben beschrieben hergestellte, mit Interdigitalstrukturen der Wandler versehene Substratkörper 2 aufgebracht werden.
Die Fig.2 zeigt in schematischem Umriß auch bereits einauf dem Film aufliegendes Substrat 2sdesSg auf befindliche Interdigitalatrukturen sich auf der in der Fig.2 rückwärtigen Seite des Substratkörpers 2 befinden. Die Interdigitaistrukturen sind entsprechend gestrichelt dargestellt. Der Substratkörper 2 haftet dabei noch im Verband mit den weiteren Substratkörpern am Hartpapier.
Die bus bars 14 der Interdigitalstrukturen, die beim montierten Substratkörper 2 auf den (einander zugewandten) Enden der Anschlußfahnen 5, d.h. auf den Enden der Aluminiumstreifen 12 (siehe Fig.1) aufliegen, werden nunmehr durch Thermokompression elektrisch miteinander verbunden. Infolge der Warme löst sich dabei die Verklebung zwischen Substrat 2 und dem Hartpapier.
Der im Laufe der Thermokompression angewandte Erhitzungsprozeß läßt gleichzeitig auch die Heißverklebung von Substratkörper 2 mit dem Heißkleber des Sumpfes 8 erfolgen. Es kann im übrigen vorgesehen sein, Film 4 und Substrat 2 einer Vorheizung auf z.B. 1000C auszusetzen, um die für die Thermokompression und für das Ankleben erforderliche Zeitdauer zu verkürzen.
Im nächstfolgenden Verfahrensschritt wird nunmehr die Schutzkappe 6 aufgebracht und befestigt. Die Schutzkappe 6 ist zuvor gegebenenfalls mit einer Dämpfungsmasse, wie z.B. einem Silikonkleber RTV3140, soweit angefüllt, daß sie im fertig montierten Gehäuse die bereits beschriebene, in Fig.1 mit 10 bezeichnete Dämpfungamasse bildet. Die Kappe 6 wird mit ihren Stiften 16 zu den Löchern 116 ajustiert auf die Heißkleberschicht 63 des Films 4 aufgesetzt und Film 4 und Kappe 6 werden am Rande 62 der Kappe 6 unter entsprechender Wärmeeinwirkung verklebt. Vorzugsweise werden dabei gleichzeitig die Köpfe 216 gebildet.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht, die gesamte T!ntage vom Stadium des gesägten Wafer ab) im Bandverfahren in einem Durchlauf ohne Zwischenlagerung durchzuführen. Dies ist für rationelle Fertigung von entscheidender Bedeutung. Ein vorteilhafter Nebeneffekt ist, daß die Filter, deren Gehäuse z.B. Abmessungen von nur 13 x 5 mm haben, sich alle noch auf ein und demselben Film befinden, leicht zu handhaben sind und insbesondere auch ihre Anschlußfahnen geschützt sind.
Einzelne Filter werden durch Zerschneiden des Films 4 an den mit A und A' bezeichneten Stellen vom Film abgetrennt. Gleiches erfolgt im übrigen auch für eventuell fehlerhafte Filter. Solche fehlerhaften Filter können in einfacher Weise festgestellt werden, indem man den Film mit den darauf befindlichen, im Gehäuse gekapselten Filtern durch eine entsprechende Testvorrichtung durchlaufen läßt und Filter für Filter eine Überprüfung vornimmt. Auch hier dient die Perforation für den notwendigen Weitertransport des Films 4.
Fig.2 zeigt das Stadium, in dem die Kappe 6 noch nicht aufgesetzt ist.
Die Fig.2 zeigt nicht nur ein einziges, wie voranstehend beschriebenes Wellenfilter, von dem auch die in der Figur an sich verdeckten Einzelheiten (gestrichelt) wiedergegeben sind. Fig.2 zeigt auf demselben Filitand 4 das nächstfolgende Filter, von diesem jedoch nur die sichtbaren Konturen, d.h. im wsentlichen das Substrat 2 und die mit Kleber beschichtete Kupferschicht 11 des Films 4.
Es kann auch von Vorteil sein, das Kupfer 111 der Anschlußfahnen 5 im Bereich der Löcher 21 zu verzinnen.
Im Bereich der Löcher 21 kann im übrigen das Aluminium 12 der Anschlußfahnen 5 auch entfernt sein. Das Vorhandensein von Aluminium 12 ist in erster Linie an den Eontaktstellen mit dem Aluminium der bus bars 14 erforderlich und für die Abstandhaltung zwischen der Kupferschicht 11 und den Interdigitalstrukturen des Substrats 2 notwendig.
Die Kappe 6 des Gehäuses besteht insbesondere aus thermoplastischem Kunststoff und ihre Oberfläche ist vorsugsweise metallisiert 61, und zwar für elektrische Abschirmung und gegebenenfalls auch als zusätzlicher Feuchteschutz.

Claims

Patentansprüche: In In einem dichten Gehäuse montiertes elektroakustisches Oberflächenwellenfilter, mit einem Substrat aus einem piezoelektrischen Material; mit auf der einen Oberfläche des Substrats aufgebrachter Fingerstruktur aus Aluminium, die mit Anschlußflächen versehen ist; mit Anschlußfahnen, die mit einem ersten Anteil aus dem Gehäuse herausragen und deren zweiter, im Gehäuse verlaufender Anteil mit jeweils einer der Anschlußflächen fur elektrischen Kontakt verbunden sind; mit je einem Sumpf zur reflexionsarmen Dämpfung der Oberflächenwellen an beiden Enden ihrer vorgesehenen Laufstrecke auf dem Substrat; mit einen Sumpf zur Eliminierung von im Substrat unerwduschterweise entstandenen Volumenwellen; g e k e n n z e i c h n e t dadurch, daß das Gehäuse aus einem ersten Teil in Form einer Kappe (6) aus Kunststoffmaterial und einem zweiten Teil besteht, das ein Stück eines Films (4) aus Polyamid (Polyimid) ist, wobei Kappe (6) und Film (4) an ihren Rändern mit Heißkleber (63) miteinander fest verbunden sind und wobei der Verbindungarand (62) der Kappe (6) eine Anzahl, die Wand der Kappe (6) geradlinig fortsetzende, stiftartige Vorsprünge (16) hat, die in entsprechend angeordnete Löcher (116) des Films (4) hineinragen und in diesen Löchern mit dem Film (4) durch Niederschmelzen (216) fest verbunden sind; daß der zweite Anteil (111) der Anschlußfahnen (5) auf der Oberfläche des Films (4) befestigt ist; daß die Anschlußfahnen (11) ein Laminat aus einer auf dem Film aufliegenden Schicht (iii) aus Kupfer und einer darauf befindlichen Schicht (12) aus Aluminium sind; daß die Kontaktverbindung eine an sich bekannte Thermo- kompressions-verbindung zwischen der Aluminiumschicht (12) des einen Endes der jeweiligen Anschlußfahne (5) und der jeweiligen Anschlußflache der Fingerstruktur (14) ist; daß wenigstens die Aluminiumschicht (111) der einzelnen Anschlußfahnen (5) mit ihrer Dicke einen jeweiligen Abstandshalter zwischen der mit der Fingerstruktur (14) versehenen Oberfläche (21) des Substrats (2) und der ihr gegenüberliegenden Oberfläche des Films (4) hat; daß der Raum zwischen der Rückseite des Substrats (2) und der Innenseite des kappenförmigen Gehäuseteils (6) im wesentlichen vollständig mit einer Dämpfungsmasse (10) ausgefüllt ist, die wenigstens an der der Fingerstruktur (14) gegenüberliegenden Rückseite des Substrats im wesentlichen ganzflächig anliegt, um Reflexionen von Volumenwellen zu vermeiden, die auf die Grenzfläche zwischen dieser Rückseite und der angrenzenden Dämpfungsmasse (10) auftreffen; daß die zur Dämpfung der Oberflächenwellen vorgesehenen Sümpfe (8) ein Mittel zur Befestigung des Substrats (2) mit der dem Substrat (2) im Bereich dieser Sümpfe (8) gegenüberliegenden Oberfläche des Films (4) ist.
2. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1 mit elektrischer Abschirmung und mit Feuchtigkeitsschutz, g ek e n n z e i c h n e t dadurch, daß der Film (4) auf seiner dem Gehäuse innenraum zugewandten Oberfläche im Bereich außerhalb der auf diesem Film (4) befestigten Anschlußfahnen (5) diesen Anschlußfahnen (5) gegenüber elektrisch isoliert mit einer Metallschicht (11) beschichtet ist, die wenigstens ein Anteil einer ursprünglichen Beschichtung des Films ist, aus der auch die Anschlußfahnen (5) hergestellt wirden sind, und daß die Kappe (6) metallisiert ist.
3. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 2, g e -k e n n z e i c h n e t dadurch, daß auch die am Rand der Kappe (6) vorspringenden Stifte (16) metallisiert sind und am Rande der Löcher des Films (4), in dem diese Stifte (16) eingesteckt sind, elektrische Kontaktverbindung mit der Metallisierung (11) des Films haben.
4. Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 2 oder 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die abschirmende Metallisierung (11) der Oberfläche des Films (4) die Kupfer schicht der ursprünglichen Aluminium-Eupfer-Laminat-Beschichtung des Films (4) ist, von der die Aluminiumschicht durch Litzen entfernt worden ist, so daß der Abstand der der Gehäuseinnenseite zugewandten Oberfläche der abschirmenden zetallislerung (11) des Films (4) und der Oberfläche des Substrats (2) bzw. der Fingerstruktur (14) durch die Dicke der Alurniniumschicht (12) des Laminats der Anschlußfahnen (5) bestimmt ist.
5. Verfahren zur fließbandmäßigen Herstellung einer Vielzahl nach einem der Patentansprüche 1 bis 4 gekapselter Oberflächenwellenfilter, g e k e n n z e i c h n e t dadurch, daß ein Perforation aufweisender Film (4) mit den Löchern (116) und 21 versehen wird; daß dieser Film (4) mit Klebstoff beschichtet und darauf mit einer Kupferschicht (11) lamelliert wird; daß die Kupferschicht (11) mit Aluminium (12) beschichtet wird; daß auf die Aluminiumschicht (12) eine Fotolackschicht aufgebracht wird; daß in einem ersten Fotolithografieprozeß das Aluminium mit Ausnahme der Stellen der Anschlußfahnen (5) abgeätzt wird; daß die Oberfläche der Kupferschicht (11) und der Aluminium-Anschlußfahnen (12) erneut mit Fotolack beschich- tet werden; daß in einem zweiten Fotolithografieprozeß das Kupfer (11) mit Ausnahme der Grundfläche (106) , jedoch auch an den Stellen der Löcher (116) und an den Aussparungen (106') entlang der Anschlußfahnen-(5) abgeätzt wird; daß die Auflagefläche 106 abzüglich 107) für den Rand (62) der Kappe (6) und die Flächen für die Dämpfungssümpfe (8) mit Heißkleber bedruckt werden; daß das vorbereitete Substrat (2) des Filters mit seinen Elektrodenstrukturen (14) face down auf den Heißkleber im Bereich der Sümpfe (8) aufgelegt wird; daß unter Wärme und Druck das Substrat (2) mit dem Elebstoff der Sümpfe (8) und die Elektrodenstrukturen (14) mit den Anschlußfahnen (5) verbunden werden; daß die mit Dämpfungsmasse gefüllte Kappe (6) mit ihrem Rand nach unten über das Substrat (2) auf den mit Heißkleber (106-107) versehenen kupferlamellierten Film (4) aufgelegt und unter Wärmeeinwirkung festgeklebt wird, womit sich ein Filmband (4) mit in Abständen fortlaufend darauf befindlichen gekapselten Wellenfiltern ergibt, von dem die Filter dann einzeln abgetrennt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 5, g e k e n n z e i c h -n e t dadurch, daß die Funktionsprüfung (Fig.3) als Endkontrolle an den noch auf dem Filmband (4) befindlichen Filtern ausgeführt wird.