EP0080738A2 - Zwischenträgerband mit Verdrahtungselementen zur Bestückung mit Chipbausteinen - Google Patents

Zwischenträgerband mit Verdrahtungselementen zur Bestückung mit Chipbausteinen Download PDF

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EP0080738A2
EP0080738A2 EP82111175A EP82111175A EP0080738A2 EP 0080738 A2 EP0080738 A2 EP 0080738A2 EP 82111175 A EP82111175 A EP 82111175A EP 82111175 A EP82111175 A EP 82111175A EP 0080738 A2 EP0080738 A2 EP 0080738A2
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EP
European Patent Office
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intermediate carrier
carrier tape
copper foil
tape
photoresist
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP82111175A
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English (en)
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EP0080738A3 (de
Inventor
Hermann Brenner
Hans Hadersbeck
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4839Assembly of a flat lead with an insulating support, e.g. for TAB
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the invention relates to a method for producing an intermediate carrier tape with a wiring element that can be automatically fitted and contacted with chip modules (e.g. half-tenant elements) and that consists of a perforated and contaminated tape on which a copper foil is applied on one side.
  • chip modules e.g. half-tenant elements
  • Wira z. B. is based on a polyimide film which is provided with a plastic adhesive layer. A perforation is made in this film and additional holes are punched out. A copper foil is laminated onto the film prepared in this way and the film is then coated on both sides with photoresist. Fine structures are applied to the copper side of the film using photo masks and photo technology. Tin is electrodeposited in these fine structures. Then the photoresist is removed from copper, and the copper is removed except for the tinned side and the copper is etched away down to the tinned copper tracks of the fine structures. When the photo lacquer on the back of the film is awake, the profitable intermediate carrier is obtained.
  • the object of the invention is to implement the method defined at the outset.
  • the intermediate carrier tape should be designed in such a way that dynamic testing of the chip components (e.g. semiconductor elements) is possible.
  • the method according to the invention for producing the intermediate carrier tape can be simple, easily reproducible and inexpensive.
  • the intermediate carrier tape is coated with photoresist on the side of the copper foil and the underside of the copper foil, which is open in the punched-out portions of the carrier foil, is provided with a metal that can be snapped and then, in a known manner, the desired one by means of photo, electroplating and etching technology Structuring is produced and that the metallic stabilization is removed from the intermediate carrier former thus finished by heating the central region immediately before the honing operation and the melting material is separated between the legs during contacting.
  • the laminated intermediate carrier tape e.g. B. polyimide tape
  • the laminated intermediate carrier tape is coated only on the side of the copper foil in the so-called "bead coat" process with photoresist. This significantly reduces the consumption of photoresist.
  • uniform conditions for drying are obtained with the one-sided coating on copper foil. Exposure and development of the photoresist. This is an essential prerequisite for a safe and good reproducibility of the process.
  • the copper foil is given the same etching resist as in the galvanic metallization as the wiring structure on the top.
  • the mechanically stabilized, etch-resistant metal layer which is deposited on the underside of the copper foil, provides a mechanical stabilization of the connection legs.
  • the narrow parting lines between the individual connecting pins as well as between the connecting pins and the inner area are bridged by this metal layer. So that the connection legs are held in their exact position until contact.
  • the copper part filling the interior becomes loose and can be removed.
  • the copper part becomes loose and can be removed.
  • the remaining bridges between the end legs are melted when contacting and end legs are melted and separated when contacting.

Abstract

Ein kaschiertes Polyimidband wird nur auf der Seite der Kupferfolie im sogenannten "beadcoat"-Verfahren mit Fotolack beschichtet, die in den Ausstanzungen der Tragerfolie offene Unterseite der Kupferfolie mit einer schmelzfähigen Metallisierung versehen und anschließend in bekannter Weise mittels Foto-, Galvanisier- und Atztechnik die gewunschte Strukturierung erzeugt. Von dem so fertiggestellten Trägerband wird ferner durch Erwärmung des Mittelbereiches unmittelbar vor der Kontaktierung die metallische Stabilisierung entfernt und bei der Kontaktierung das Schmelzmaterial zwischen den Beinchen aufgetrennt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Zwischenträgerbandes mit Verdrahtungselementer das automatisch mit Chipbausteinen (z. B. Halbieterelementen) bestückt und kontaktiert werden kann und das aus einer perforieeten und kontstoffband besteht, auf dem auf der einen Seite eine Kupferfolie aufgebracht ist.
  • Aus der DE-PS 24 14 297 ist bereits ein Verfahren zur teilautomatischen Herstellung von Zwischenträgern für Halbleiterbauelemente bekannt. Dabei wira z. B. von einem Polyimidfilm ausgegangen, der mit einer Kunstoff- kleberschicht versehen ist. In diesen Film wird eine Perforation eingebracht und außerdem Zusatzlöcher ausgestanzt. Auf den so vorbereiteten Film wird eine Kupferfolie auflaminiert und anschließend der Film beidseitig mit Fotolack beschichtet. Mittels Fotomasken und Fototechnik werden kupferseitig auf dem Film Feinstrukturen aufgebracht. In diesen Feinstrukturen wird galvanisch Zinn abgeschieden. Anschließend wird der Fotolack kupferentfernt, und das Kupfe bis auf di verzinnten seitig entfernt und das Kupfer bis auf die verzinnten Kupferbahnen der Feinstrukturen weggeätzt. Wach Entfernen des Fotolacks auf der Rückseite des Films erhält man den gewünsenten Zwischenträger.
  • Die beidseitige Beschichtung erfordert eine relativ große Menge des teueren Fotolackes. Auβerdem bedingen die Aus- nehmungen in der Polyimidfolie stark unterschiedliche
    Figure imgb0001
    Figure imgb0002
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs definierte Verfahren zu realisieren. Das Zwischenträgerband soll so gestaltet sein, daβ eine dynamische Prüfung der Chipbausteine (z. B. Halbleiterelemente) möglich ist. Darüber hinaus das Verfahren nach der Erfindung zur Herstellung des Zwischenträgerbandes einfach, gut reproduzierbar und kostengünstig sein.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäβ dadurch gelöst, daß das Zwischenträgerband auf der Seite der Kupferfolie mit Fotolack beschichtet und die in den Ausstanzungen der Trägerfolie offene Unterseite der Kupferfolie mit einer schnelzfähigen Metallisierung versehen wird und anschlieβend in bekannter Weise mittels Foto-, Galvanisier-und Ätztechnik die gewünschte Strukturierung erzeugt wird und daß von dem so fertiggestellten Zwischenträgerband former durch Erwärmung des Mittelbereiches unmittelbar vor der Hontaktierung die metallische Stabilisierung entferm und bei der Kontaktierung das Schmelzdaterial zwischen den Beinchen aufgetrennt wird.
  • Das kaschierte Zwischenträgerband, z. B. Polyimidband, wird nur auf der Seite der Kupferfolie im sogenannten "beadcoat"-Verfahren mit Fotolack beschichtet. Der Verbrauch an Fotolack wird damit erheblich reduziert. Außerdem gewinnt man mit der einseitigen Beschichtung auf Kupferfolie einheitliche Verhältnisse für die Trocknung. Belichtung und Entwicklung des Fotolacks. Damit ist eine wesentliche Voraussetzung für eine sichere und gute Reproduzierbarkeit des Verfahrens gegeber.
    Figure imgb0003
  • siete der Kupferfolie erhält bei der galvanischen Metal seite der Kupferfolie erhält bei der galvanischen Metallisierung den gleichen Ätzresist wie die Verdrahtungs- struktur auf der Oberseite. Gleichzeitig und als Haupt- zweck wird mit der auf der Unterseite der Kupferfolie ab- geschiedenen ätzresistenten Metallschicht eine mechanische geschiedenen ätzresis tenten Metallschicht eine mechanische Stabilisierung der Anschlußbeinchen erreicht. Hach dem Ätzen werden die schmalen Trennfugen zwischen den einzelnen Anschlußbeinchen sowie zwischen den Anschlußbeinchen und dem Innenbereich durch diese Metallschicht überbrückt. Damit werden die Anschlußbeinchen in ihrer genauen Lage bis zur Kontaktierung festgehalten. Unmittelbar vor der Kontaktierung wird allein der Innenbereich Z . B. mit einem Heizstempel erwärmt. Das den Innenbereich füllende Kupferteil wird dadurch lose und kann weggenommen werder. Kupferteil wird dadurch lose und kann weggenommen werden. Die noch verbleibenden Überbrückungen zwischen den schlußbeinchen werden beim Kontaktieren geschmolzen und schlußbeinchen werden beim Kontaktieren geschmolzen und aufgetrennt.

Claims (1)

1. Verfahren zur Herstellung eines Zwischenträgerbandes mit Verdrahtungselementen, das automatisch mit Chipbausteinen (z. B. Halbleiterelenenten) bestückt und kontaktiert werden kann und das aus einem perforierten Kunststoffband besteht, auf dem auf der einen Seite eine Kupferfol aufgebracht ist ,dadurch ge- kennzeichnet, daß dieses Band auf der Seite der Kupferfolie mit Fotolack beschichtet und die
Figure imgb0004
versehen wird und anschließend in bekannter Weise mittels Foto-, Galvanisier- und Ätztechnik die gewünschte Strukturierung erzeugt wird und daß von dem so fertiggestellten Zwischenträgerband ferner durch Erwärmung des Mittelbereiches unmittelbar vor der Kontaktierung die metallische Stabilisierung entfernt und bei der Kontaktierung das Schmelzmaterial zwischen den Beinchen aufgetrennt wird.
EP82111175A 1981-12-02 1982-12-02 Zwischenträgerband mit Verdrahtungselementen zur Bestückung mit Chipbausteinen Withdrawn EP0080738A3 (de)

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DE19813147729 DE3147729A1 (de) 1981-12-02 1981-12-02 Zwischentraegerband mit verdrahtungselementen zur bestueckung mit chipbausteinen
DE3147729 1981-12-02

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Publication Number Publication Date
EP0080738A2 true EP0080738A2 (de) 1983-06-08
EP0080738A3 EP0080738A3 (de) 1985-05-02

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ID=6147726

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EP82111175A Withdrawn EP0080738A3 (de) 1981-12-02 1982-12-02 Zwischenträgerband mit Verdrahtungselementen zur Bestückung mit Chipbausteinen

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EP0080738A3 (de) 1985-05-02
JPS58105560A (ja) 1983-06-23

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Inventor name: HADERSBECK, HANS