AT315947B - Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers für integrierte Schaltkreise - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers für integrierte Schaltkreise

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AT315947B
AT315947B AT263471A AT263471A AT315947B AT 315947 B AT315947 B AT 315947B AT 263471 A AT263471 A AT 263471A AT 263471 A AT263471 A AT 263471A AT 315947 B AT315947 B AT 315947B
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Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



   Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers für integrierte Schaltkreise, mit einem äusseren, die Anschlussfahnen aufweisenden Bereich (Anschlussplatte) und mit einem inneren, die Anschlussenden für den integrierten Schaltkreis aufweisenden zentralen Verbindungsbereich geringerer Dicke, mit 
 EMI1.1 
 von" 0, 01 mm2.Integrierte Schaltkreise werden bekanntlich auf Systemträgern befestigt und sodann in ein Gehäuse verpackt, aus dem die Anschlussfahnen, welche einen Teil des Systemträgers bilden, herausragen. 



   Die   Anschluss- oder Kontaktierungsstellen   einer integrierten Schaltung sind gewöhnlich mit einer etwa ein
Mikron starken Gold- oder Aluminiumschicht versehen, die im Vakuum aufgedampft wird. Die integrierte
Schaltung wird gemäss einem bekannten Verfahren auf den mittleren Bereich eines Systemträgers aufgesetzt und die Anschlussstellen der integrierten Schaltung mit Gold- oder Aluminiumdrähten von 15 bis 25 Mikron Dicke verschweisst, welche anderseits an den Leitungsstreifen der Anschlussplatte des Systemträgers befestigt sind.
Anschliessend wird das Ganze in ein Gehäuse eingeschlossen, beispielsweise mit Kunststoff umpresst. Dieses
Herstellungsverfahren hat den Nachteil, dass sich die Verbindung der Anschlussenden des Systemträgers mit den
Anschlussstellen der integrierten Schaltung nicht automatisieren lässt. 



   Man hat daher bereits versucht, die Verbindung der integrierten Schaltung mit dem Systemträger ohne
Verwendung von Verbindungsdrähtchen durchzuführen, indem anstelle der Verbindungsdrähtchen ein zentraler
Verbindungsbereich   (engl. =Spider-Frame)   in Form eines Rahmens verwendet ist. Dieser zentrale
Verbindungsbereich weist eine strahlenförmige Anordnung von streifenförmigen Anschlussstreifen auf, deren äussere Enden sich in Deckung mit den zugeordneten Anschlussenden der Anschlussplatte bringen lassen. Die
Anschlussstreifen des zentralen Verbindungsbereiches lassen sich ohne grössere Schwierigkeiten sowohl mit den
Anschlussenden der Anschlussplatte als auch mit den Anschlussstellen der integrierten Schaltung auf übliche Weise verschweissen.

   Dieses bekannte Verfahren ermöglicht zwar eine vollautomatische Verbindung der integrierten
Schaltung mit einem Systemträger, ergibt jedoch noch Fertigungsschwierigkeiten beim Kontaktieren dieser Teile durch die nur begrenzte Temperaturbeständigkeit des Kunststoffplättchens des zentralen Verbindungsbereiches, durch das komplizierte Entfernen des Rahmens desselben nach dem Verschweissen der Anschlussenden und
Anschlussstellen sowie durch die noch nicht ausreichende Genauigkeit in der Herstellung der Rahmen nach dem
Vakuumaufdampfverfahren. 



   Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von Systemträgern zu schaffen, welche sich in einem automatischen Vorgang mit einer integrierten Schaltung verbinden lassen und welches einfacher und genauer durchzuführen ist als die bekannten Verfahren. 



   Die Lösung ist im wesentlichen darin zu sehen, dass auf einer Basisplatte aus einem passivierbaren Metall eine den Umrissen des fertigen Systemträgers entsprechende elektrisch leitende Matrize aufgebracht wird, dass die derart präparierte Basisplatte in ein erstes Plattierungsbad gebracht und aus diesem ein erstes, als elektrischer
Leiter geeignetes Metall in einer gewünschten Dicke auf der Matrize abgeschieden wird, und dass die Anschlussplatte des Systemträgers auf an sich bekannte Weise (Ätzen, Stanzen, galvanoplastischer Aufbau) hergestellt wird. 



   Eine besondere Durchführungsform besteht darin, dass die elektrisch leitende Matrize aus einer einheitlichen Schicht besteht und dass nach Beendigung der Abscheidung des ersten Metalls eine nichtleitende Abdeckschicht auf den zentralen Verbindungsbereich der Matrize aufgebracht wird, dass anschliessend die derart präparierte Basisplatte in ein zweites Plattierungsbad gebracht und ein zweites Metall in einer Dicke von mehr als
50 Mikron abgeschieden wird, und dass die nichtleitende Abdeckschicht danach abgelöst und schliesslich der fertige Systemträger von der Basisplatte abgezogen wird. 



   Eine andere Durchführungsform ist darin zu sehen, dass die Abscheidung in dem ersten Plattierungsbad vor Erreichen der gewünschten Schichtdicke des ersten Metalls unterbrochen wird, die der Anschlussplatte des Systemträgers entsprechende Oberfläche der Matrize mit einer elektrisch nichtleitenden Abdeckschicht bedeckt wird, danach die Basisplatte wieder in das erste Plattierungsbad zurückgebracht und die Abscheidung des ersten Metalls bis zu der gewünschten Dicke des zentralen Verbindungsbereiches vollendet wird, sodann die Abdeckschicht entfernt wird und danach die Anschlussplatte galvanoplastisch hergestellt wird. Diese Durchführungsart des Verfahrens ist insbesondere günstig, wenn, wie in den meisten Fällen üblich, in dem ersten Plattierungsbad Gold abgeschieden wird.

   Man erreicht auf diese Weise, dass die eine Seite des fertigen Systemträgers mit einer sehr dünnen Goldschicht versehen ist, die keine wesentlichen zusätzlichen Kosten verursacht, jedoch die Lötfähigkeit der Anschlussfahnen des Systemträgers sehr verbessert. 



   Gemäss einer abgeänderten Durchführungsform wird der der Anschlussplatte des Systemträgers entsprechende Bereich der Matrizevor dem Einbringen in das erste Plattierungsbad mit einer elektrisch nichtleitenden Abdeckschicht bedeckt, und diese Schicht wird nach dem Abscheiden des ersten Metalls entfernt und sodann die Anschlussplatte galvanoplastisch hergestellt. Auch hiebei ergibt sich eine Materialeinsparung an dem für das Abscheiden des zentralen Verbindungsbereiches verwendeten Material. 



   Vorzugsweise wird die Matrize auf der Basisplatte derart hergestellt, dass die Basisplatte mit einem Photolack beschichtet wird, dass die beschichtete Basisplatte über eine die Abbildung des Systemträgers enthaltende Photomaske belichtet wird, und dass der derart belichtete Photolack entwickelt wird. Der belichtete 

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 und entwickelte Photolack ergibt dabei stromleitende Bereiche, auf die sich Metall in den Plattierungsbädern abscheiden kann. 



   Dabei werden die nichtleitenden Abdeckschichten vorzugsweise durch Aufbringen eines lösungsmittellöslichen Lackes hergestellt, der vorzugsweise im Siebdruckverfahren aufgebracht wird. 



   Es ist ferner günstig, einen Photolack zu verwenden, der in dem Lösungsmittel für den lösungsmittellöslichen Lack unlösbar ist, damit die durch den Photolack gebildete Matrize nicht durch den Abdecklack zerstört wird. 



   Vorzugsweise wird in dem ersten Plattierungsbad Gold, Silber, Kupfer oder Aluminium oder Legierungen derselben abgeschieden, wobei Gold und Aluminium vorzuziehen sind. 



   Als Metall, das in dem zweiten Plattierungsbad abgeschieden wird, eignet sich besonders Eisen, Nickel, Chrom, Kobalt oder eine Legierung derselben, natürlich auch die gleichen Metalle wie in dem ersten Plattierungsbad, wobei korrosionsfeste Legierungen vorzuziehen sind. 



   Das erste Metall wird vorzugsweise in einer Dicke von 15 bis 25 Mikron abgeschieden. Diese Dicke gewährleistet eine sichere Kontaktierung der Anschlussenden der Anschlussstreifen mit den Anschlussstellen der integrierten Schaltung. 



   Das zweite Metall, welches die Anschlussplatte bildet, wird vorzugsweise in einer Dicke von 150 bis 300 Mikron abgeschieden. 



   Gemäss einer Weiterbildung wird der zentrale Verbindungsbereich vor dem Abziehen des Systemträgers von der Basisplatte mit einer Klebefolie bedeckt, die nach dem Abziehen wieder entfernt wird. Dies bringt den Vorteil mit sich, dass die verhältnismässig dünnen Anschlussstreifen sich nicht verschieben können, so dass sich die integrierte Schaltung in bezug auf die Anschlussstreifen genau zentrieren lässt. 



   Dabei kann die Klebefolie mit einem Ausschnitt versehen sein, der die Anschlussenden des zentralen Verbindungsbereiches freilässt, wobei die Klebefolie nach dem Verbinden der Anschlussenden mit der integrierten Schaltung wieder entfernt wird. Hiedurch wird gewährleistet, dass die Klebefolie beim Verschweissen der Anschlussenden mit den Anschlussstellen der integrierten Schaltung nicht hinderlich sind. 



   Als Basisplatte wird vorzugsweise eine nichtrostende Stahlplatte, eine vernickelte Kupferplatte, Messingplatte oder verkupferte Kunststoffplatte verwendet. 



   Die Erfindung ist im folgenden an Hand schematischer Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen ergänzend beschrieben.   Fig. 1   ist eine Draufsicht auf einen Systemträger, Fig. 2 bis 8 zeigen im Schnitt längs der 
 EMI2.1 
 



   Der in   Fig. 1   dargestellte Systemträger umfasst eine schraffiert gezeichnete Anschlussplatte und einen zentralen Verbindungsbereich--5-. Die Anschlussplatte umfasst   Anschlussfahnen --17-- aus   Nickel, die im äusseren Bereich an   Haltestreifen--l   und   2--enden.   Die   Haltestreifen--2-sind   mit Transportöffnungen   - 3-und Zentrieröffnungen--19--versehen.    



   Die   Anschlussfahnen --17-- weisen   verbreiterte   Bereiche --4-- auf,   welche insbesondere zum Verbessern der Haftfähigkeit der Leitungsbahnen beim Umgiessen eines mit einer integrierten Schaltung 
 EMI2.2 
    --5-- desAnschlussstreifen --6-- aus   Gold, welche eine Dicke von etwa 15 bis 25 Mikron aufweisen und welche Fortsetzungen der verbreiterten   Bereiche--4--der Anschlussfahnen-17-bilden.   An den Enden der   Anschlussstreifen --6-- wird   die integrierte Schaltung nach Zentrierung mit Ultraschall angeschweisst. Die verbreiterten   Bereiche --4-- sind   durch parallel zu den   Haltestreifen-2--verlaufende   Versteifungsstege   - --7-- miteinander   verbunden, um dem Systemträger eine grössere Stabilität zu verleihen.

   Die Versteifungsstege werden natürlich nach dem Befestigen der integrierten Schaltung und eventuell nach dem Einsetzen des Systemträgers in ein Gehäuse herausgetrennt. Ebenso werden die   Haltestreifen--l   und 2-sodann von den Anschlussfahnen abgetrennt. 



   Die Fig. 2 bis 15 zeigen verschiedene Schritte der Herstellungsverfahrens nach der Erfindung für einen Systemträger. 



   Die Fig. 2 bis 8 zeigen einen Querschnitt längs der Linie I-I von   Fig. l,   also entlang der beiden mittleren Anschlussfahnen des Systemträgers. 



   Die Fig. 9 bis 15 zeigen die gleichen Schritte des Herstellungsverfahrens, jedoch im Querschnitt längs der Linie II-II von   Fig. l,   wobei jeweils die beiden nebeneinanderstehenden Zeichnungen der Fig. 2 bis 15 dem gleichen Herstellungsschritt entsprechen. 



   Zur Herstellung des Systemträgers wird auf eine   Basisplatte --8-- aus   nichtrostendem Stahl oder vernickeltem Kupfer eine Oberfläche der Platte ganz mit einem Photolack beschichtet und sodann dieser über eine photographische Maske, die dem in Fig. l dargestellten Systemträger entspricht, belichtet. Durch Entwickeln des Photolackes und anschliessendes Auswaschen der unbelichteten Stellen erhält man eine Matrize, die lediglich die Stellen der   Basisplatte-8-freilässt,   an denen der Systemträger entsprechend Fig. l durch 

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 galvanoplastische Metallabscheidung aufgebaut werden soll. Es entsteht dabei im Querschnitt gesehen ein Muster entsprechend den Fig. 2 und 9. 



   Die derart vorbereitete Basisplatte wird nunmehr passiviert,   d. h.   derart vorbehandelt, dass sich ein darauf abgeschiedenes Metall von der Basisplatte abziehen lässt. 



   Man erkennt aus Fig. 2, dass lediglich der zentrale Verbindungsbereich mit einer   Photolackinsel--9--   versehen ist, während die danebenliegenden Bereiche unbelegt sind, da an dieser Stelle die Anschlussfahnen   --17- von Fig. l   verlaufen. 



   Fig. 9 zeigt den Aufbau der Photolackschicht längs der Linie II-II von   Fig. 1.   Man erkennt zwei breite, an den beiden Aussenseiten liegende freie Stellen, die den   Versteifungsstegen--7-entsprechen,   sowie sechs in der Mitte liegende freie Stellen, die den   Anschlussstreifen --6-- entsprechen.   



   Auf die derart hergestellte Matrize wird nunmehr der den zentralen Verbindungsbereich-S-- umgebende Bereich mit einer Abdeckschicht eines lösungsmittellöslichen   Lackes--12--abgedeckt,   wobei dieser Lack so gewählt ist, dass er sich ablösen lässt, ohne den Photolack--9--anzugreifen. Man erkennt aus
Fig. 3, dass nunmehr nur noch die innerhalb des Verbindungsbereiches --5-- liegenden Anschlussstreifen --6-- auf der Matrize freigelassen sind. Dies zeigt auch Fig. 10, gemäss der die den   Versteifungsstegen--7-   entsprechenden Stellen der Matrize mit der   Lackschicht--12--abgedeckt   sind. 



   Die derart präparierte Platte wird nunmehr in ein erstes elektrolytisches Bad gebracht und eine Goldschicht in einer Stärke von 15 bis 25 Mikron aufgetragen. Diese Goldschicht setzt sich natürlich nur an den nicht mit
Lack bedeckten   Stellen--30--ab   und bildet die   Anschlussstreifen-6--.   



   In Abänderung dieses Verfahrens kann man jedoch vor dem Aufbringen der Lackschicht--12- anfangen, die Anschlussplatte und den zentralen Verbindungsbereich gleichzeitig aus ein und demselben Material, etwa Gold, aufzubauen. Nachdem eine gewisse Schichtdicke, gewöhnlich etwa in einer Stärke von 2 bis
5 Mikron, höchstens jedoch gleich der gewünschten Dicke der   Anschlussstreifen--6--aufgetragen   ist, wird dann die   Photolackschicht--12--aufgebracht.   Das Aufbringen der   Photolackschicht--12-ist   lediglich in dem Falle nicht erforderlich, wo das in dem ersten elektrolytischen Bad abgeschiedene Metall auf dem gesamten
Systemträger bis zur gewünschten Dicke der   Anschlussstreifen--6--aufgetragen   worden ist. Die Fig. 4 und 11 zeigen Schnittansichten längs der Linien   l-I   bzw.

   II-II in dieser Verfahrensstufe. 



   Nachdem die   Anschlussstreifen --6-- bis   zu der gewünschten Dicke abgeschieden worden sind, wird die Basisplatte aus dem elektrolytischen Bad wieder herausgenommen und die   Photolackschicht--12--entfernt.   



  Dabei ergibt sich eine Querschnittsstruktur entsprechend den Fig. 5 und 12. 



   Sodann wird der zentrale   Verbindungsbereich --5-- mit   einer zweiten Lackschicht--14--abgedeckt, so dass nur noch die Anschlussplatte des Systemträgers auf der Matrize freibleibt. Diese Verfahrensstufe ist in den Fig. 6 und 13 für die Schnittansichten   I-I   bzw. II-II von   Fig. 1   dargestellt. Die zweite Lackschicht--14--kann natürlich aus dem gleichen Material bestehen wie die erste Lackschicht--12--. 



   Nach dem Aufbringen der zweiten   Lackschicht--14--wird   nunmehr die Matrize in ein zweites elektrolytisches Bad gehängt, in dem die freigebliebenen Bereiche der Basisplatte--8--mit einer Nickelschicht   - 15--plattiert   werden, welche in einer Stärke von 150 bis 300 Mikron aufgetragen wird. Man erkennt aus Fig. 7, dass die   Anschlussstreifen --6-- des   zentralen Verbindungsbereiches mit der Nickelschicht--15verbunden sind, da die zweite   Lackschicht--14--sich   nur über die Oberseite der   Anschlussstreifen--6--,   nicht jedoch über die seitlichen Bereiche derselben erstreckt. Dies wird mit Sicherheit erreicht, wenn die zweite   Lackschicht--14--etwas kleiner   gehalten wird als der Umrandung der Anschlussstreifen entspricht. 



   Fig. 14 zeigt den Zustand der Matrize nach diesem Verfahrensschritt im Schnitt längs der Linie II-II von   Fig. 1.    



   Da nunmehr sowohl die dünnen   Anschlussstreifen --6-- des   zentralen Verbindungsbereiches als auch die dickeren anschlussfahnen --17-- der Anschlussplatte hergestellt sind, kann man den lösungsmittellöslichen Lack--14--und den   Photolack--9--mit   passenden Lösungsmitteln ablösen, so dass sich nur noch der fertige Systemträger auf der Basisplatte --8-- befindet. Da die Basisplatte wie eingangs erwähnt passiviert worden ist, lässt sich der fertige Systemträger von der   Basisplatte --8-- abziehen.   
 EMI3.1 
 Enden der Anschlussstreifen --6-- erstreckt, so dass es nicht erforderlich ist, zum Verschweissen der Anschlussstreifen --6-- mit den Anschlussstellen einer integrierten Schaltung die folie --16-- abzulösen. 

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Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zum Herstellen eines Systemträgers für integrierte Schaltkreise, mit einem äusseren, die <Desc/Clms Page number 4> EMI4.1 passivierbaren Metall eine den Umrissen des fertigen Systemträgers entsprechende elektrisch leitende Matrize aufgebracht wird, dass die derart präparierte Basisplatte in ein erstes Plattierungsbad gebracht und aus diesem ein erstes, als elektrischer Leiter geeignetes Metall in einer gewünschten Dicke auf der Matrize abgeschieden wird, und dass die Anschlussplatte des Systemträgers auf an sich bekannte Weise (Ätzen, Stanzen, galvanoplastischer Aufbau) hergestellt wird.
    EMI4.2 aus einer einheitlichen Schicht besteht und dass nach Beendigung der Abscheidung des ersten Metalls eine nichtleitende Abdeckschicht auf den zentralen Verbindungsbereich der Matrize aufgebracht wird, dass anschliessend die derart präparierte Basisplatte in ein zweites Plattierungsbad gebracht und ein zweites Metall in einer Dicke von mehr als 50 Mikron abgeschieden wird, und dass die nichtleitende Abdeckschicht danach abgelöst und schliesslich der fertige Systemträger von der Basisplatte abgezogen wird.
    EMI4.3 Plattierungsbad vor Erreichen der gewünschten Schichtdicke des ersten Metalls unterbrochen wird, die der Anschlussplatte des Systemträgers entsprechende Oberfläche der Matrize mit einer elektrisch nichtleitenden Abdeckschicht bedeckt wird, danach die Basisplatte wieder in das erste Plattierungsbad zurückgebracht und die Abscheidung des ersten Metalls bis zu der gewünschten Dicke des zentralen Verbindungsbereiches vollendet wird, sodann die Abdeckschicht entfernt wird und danach die Anschlussplatte galvanoplastisch hergestellt wird. EMI4.4 Systemträgers entsprechende Bereich der Matrize vor dem Einbringen in das erste Plattierungsbad mit einer elektrisch nichtleitenden Abdeckschicht bedeckt wird, dass diese Schicht nach dem Abscheiden des ersten Metalls entfernt wird, und dass sodann die Anschlussplatte galvanoplastisch hergestellt wird.
    EMI4.5 Basisplatte derart hergestellt wird, dass die Basisplatte mit einem Photolack beschichtet wird, dass die beschichtete Basisplatte über eine die Abbildung des Systemträgers enthaltende Photomaske belichtet wird und dass der derart belichtete Photolack entwickelt wird. EMI4.6 Plattierungsbad Eisen, Nickel, Chrom, Kobalt, Gold, Silber, Kupfer oder eine Legierung derselben abgeschieden wird. EMI4.7 Verbindungsbereich vor dem Abziehen des Systemträgers von der Basisplatte mit einer Klebefolie bedeckt wird, die nach dem Abziehen wieder entfernt wird. EMI4.8 vorzugsweise eine nichtrostende Stahlplatte, eine vernickelte Kupferplatte, Messingplatte oder verkupferte Kunststoffplatte verwendet wird.
    16. Systemträger für integrierte Schaltungen, mit einem äusseren, die Anschlussfahnen aufweisenden Bereich (Anschlussplatte) und mit einem inneren, die Anschlussenden für die integrierte Schaltung aufweisenden zentralen Verbindungsbereich geringerer Dicke, mit einem Querschnitt der Anschlussenden von 01 mm', EMI4.9
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2368125A1 (fr) * 1976-10-12 1978-05-12 Allegheny Ludlum Ind Inc Bande composite pour la realisation de cadres de connexion et son procede de fabrication
EP0069390A2 (de) * 1981-07-06 1983-01-12 Matsushita Electronics Corporation Leiterrahmen für Halbleiteranordnung in Plastikverkapselung
WO1994011902A1 (en) * 1992-11-17 1994-05-26 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and semiconductor device using same
US5859471A (en) * 1992-11-17 1999-01-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2368125A1 (fr) * 1976-10-12 1978-05-12 Allegheny Ludlum Ind Inc Bande composite pour la realisation de cadres de connexion et son procede de fabrication
EP0069390A2 (de) * 1981-07-06 1983-01-12 Matsushita Electronics Corporation Leiterrahmen für Halbleiteranordnung in Plastikverkapselung
EP0069390A3 (en) * 1981-07-06 1984-11-14 Matsushita Electronics Corporation Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device
WO1994011902A1 (en) * 1992-11-17 1994-05-26 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and semiconductor device using same
US5859471A (en) * 1992-11-17 1999-01-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads

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