DE2610539A1 - Halbleiterbauelement mit elektrischen kontakten und verfahren zur herstellung solcher kontakte - Google Patents

Halbleiterbauelement mit elektrischen kontakten und verfahren zur herstellung solcher kontakte

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DE2610539A1 DE19762610539 DE2610539A DE2610539A1 DE 2610539 A1 DE2610539 A1 DE 2610539A1 DE 19762610539 DE19762610539 DE 19762610539 DE 2610539 A DE2610539 A DE 2610539A DE 2610539 A1 DE2610539 A1 DE 2610539A1
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Description

SIELIENS AKTIENGESELLSCHAFT . UNSER ZEICHEjtg 10539 Berlin und München I YPA 76 P 7022 BRD
Halbleiterbauelement mit elektrischen Kontakten und Verfahren zur Herstellung solcher Zontakte.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit elektrischen Eontakten und ein Verfahren zur Herstellung solcher elektrischer Eontakte.
In der Halbleitertechnologie tritt häufig das Problem auf, daß an ohnehin sehr kleinen Halbleiterbauelementen besonders kleinflächige elektrische Kontakte angebracht werden müssen, und zwar ohne großen technischen Aufwand. Bekannte Verfahren zur Herstellung derartiger Kontakte sind beispielsweise das "nailhead bonding", bei dem durch Thermokompression ein kleiner Draht an der jeweils zu kontaktierenden Fläche eines Halbleiterbauelementes befestigt wird. Nachteilig ist bei diesem Verfahren, daß jeder Eontakt einzeln hergestellt werden muß, und daß bei sehr kleinen Halbleiterbauelementen das exakte Treffen der Kontaktierungsstelle schwierig ist. Andere Verfahren zur Herstellung von Kontakten an Halbleiterbauelementen sind das Wiederaufschmelz-Löten, bei der das Halbleiterbauelement an den Kontaktierungsflächen mit Höckern versehen wird und bei denen
• diese Hocker an entsprechend ausgebildete Hocker, die sich an Zuleitungen befinden, aufgesetzt und zusammengeschmolzen wer- ■Aen. . Weiterhin können Halbleiterbauelemente mit einem sogenannten "beam lead"-Verfahren kontäktiert werden, bei dem auf der Halbleiteroberfläche galvanisch Leiterbahnen abgeschieden werden. Die beiden letzten Verfahren haben- den Nachteil, daß nach dem Aufbringen der ersten. Metallkontaktschicht auf dem Halblei-
• terkörper v/eitere Verfahrensschritte notwendig sind, bei denen • der Halbleiterkörper mit galvanischen Bädern behandelt und anschließend nachgereinigt wird.
Aufgabe der Erfindung ist es, für Halbleiterbauelemente mit elektrischen Eontakten einen Aufbau anzugeben, der es erlaubt,
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SIz 17 BIa
auch sehr kleine Halbleiterbauelemente elektrisch sicher und mechanisch fest zu kontaktieren, und der zu seiner Herstellung nur wenige Yerfahrensschritte benötigt.
Diese Aufgabe wird bei wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenen Halbleiterbauelementen mit elektrischen Kontakten erfindungsgemäß nach der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Weise gelöst. Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung solcher Halbleiterbauelemente mit elektrischen Kontakten ist in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung geht von einem in der DOS 2 247 279 (US Patentschrift Nr. 1 913 224) beschriebenen Verfahren aus, nach dem elektrisch leitende Schichten, z.B. Metallschichten, dadurch kontaktiert werden können, indem auf sie thermoplastische Trägerfolien aufgebracht werden und durch diese Trägerfolien hindurch Anschlußdrähte eingeschmolzen und beispielsweise durch Ultraschall-Schweißen an den elektrisch leitenden Schichten befestigt werden. In der DOS 2 247 260 (US Patentschrift Nr.
2 857 074) ist ein Verfahren zur Kontaktierung von Wicke!kondensatoren angegeben, bei denen die Kondensatorelektroden aus Metallschichten bestehen, die zwischen Trägerfolien aus thermoplastischem Material liegen. Die Kontaktierung der Anschluß-· drähte erfolgt dabei in der Weise, daß die Arischlußdrälite erhitzt und durch die Trägerfolie hindurch an die Elektroden-Metallschicht angedrückt v/erden. · Die Trägerfolie aus thermoplastischen Material dient dabei gleichzeitig der mechanischen Befestigung des Anschlußdrahtes. Dieses "Verfahren, bei dem auf • die zu kontaktierende Fläche zunächst eine •thermoplastische Folie aufgebracht und dann durch.diese Folie hindurch ein Anschlußdraht eingeschmolzen und an der zu kontaktierenden Metallisierungsfläche befestigt wird, ist nicht ohne zusätzliche Hilfsmittel auf die Kontaktierung von Halbleiterbauelementen- ■ übertragbar, da es sehr schwierig ist, mit dem" Anschlußdraht.
durch die Trägerfolie hindurch die sehr kleine Kontaktierungsfläche des Halbleiterbauelementes zu treffen. Die Erfindung
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nutzt jedoch die Tatsache aus, daß ein in die thermoplastische Trägerfolie eingeschmolzenes Halbleiterbauelement darin einen guten mechanischen Halt findet, so. daß zur elektrischen Yerbindung ein Berührungskontakt mit der zwischen den Trägerfolien verlaufenden elektrisch leitenden Zwischenschicht ausreicht.
An diese Zwischenschicht können in an sich bekannter Weise (vgl. DOS 2 247 279 = US PS 1 913 224 und DOS 2 247 260 = US PS 3 857 074) Anschlußdrähte angebracht v/erden. . Das Anbringen dieser Anschlußdrähte kann dabei sowohl vor dem Eindrücken des Halbleiterbauelementes in die Schicht aus thermoplastischem Materials als auch nachher erfolgen.
Zur Kontaktierung wird vorteilhaft das in den Unteransprüchen angegebene Verfahren angewendet. Vorteilhaft ist es, wenn die auf den Halbleiterkörper aufgebrachten Metallkontaktschichten kleine Hocker aufweisen, da beim Eindrücken des Halbleiterkörpers an diesen Höckern mit der Schicht aus leitendem Material, die z.B. eine Metallschicht ist, besonders stabile Verbindungen entstehen. Gemäß einer weiteren Ausbildung des Erfindungsgedankens wird dabei zur Herstellung von zwei voneinander getrennten Kontakten an ein und demselben Halbleiterbauelement dieses Halbleiterbauelement so tief in die Schichten aus thermoplastischem Material eingedrückt, daß die dazwischenliegende Schicht aus leitfähigem Material, z.B. eine Aluminiumschicht, in zwei voneinander elektrisch getrennte Teile aufreißt. Gleichfalls ist es möglich, als Zwischenschicht eine Schicht zu verwenden, die aus zwei parallel verlaufenden, voneinander getrennten Bahnen besteht, und das Halbleiterbauelement so einzudrücken, daß jeweils, eine der am Halbleiterbauelement angebrachten Kontalctflächen mit jeweils einer dieser Bahnen leitend verbunden wird.
Zur Herstellung von Kontakten an besonders kleinflächigen HaIb-• leiterbauelementen empfiehlt es sich entsprechend einer weite-.
ren Ausgestaltung' des erfindungsgemäßen Verfahrens, von einen Halbleiterstäbchen auszugehen, in dem mehrere der einzelnen HaIb-'leiterbauelemente hintereinander angeordnet sind, dieses HaIb-
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leiterstäbchen der Erfindung entsprechend zu kontaktieren und danach das so kontaktierte Stäbchen in die einzelnen Halbleiterbauelemente zu zerteilen. Dieses Verfahren ist besonders zur Kontaktierung von Halbleiterdioden geeignet; ein vorteilhaftes . Verfahren zur Herstellung" und Kontaktierung solcher Halbleiterdioden ist im Unteranspruch 9 angegeben.
Im folgenden wird beschrieben und anhand der Figuren erläutert, wie erfindungsgemäß ein Halbleiterbauelement mit elektrischen Kontakten aufgebaut ist und wie es hergestellt wird.
Fig.1 zeigen schematisch, wie ein Halbleiterbauelement in die un Schichtenfolge aus zwei thermoplastischen Trägerfolien und der dazwischenliegenden* Schicht aus leitfähigem Material eingesenkt ist und wie weitere Anschlußdrähte angebracht sind,
Fig.3 zeigen, wie das in den Fig.1 und .2 dargestellte Halbleiterund 4 "bauelement zweckmäßig hergestellt wird, leiterköroer Fig. 5 Draufsicht auf einen mit Anschlußdrähten versehenen HaIb-Als Beispiel diene die Kontaktierung einer Lumineszenzdiode. Ein Halbleiterkörper 1, durch den eine pn-Grenzschicht 2 verläuft, wird auf der Seitenfläche seines p-leitenden Teiles mit einer Metallkantaktschicht 5, auf der Seitenfläche seines n-leitenden Teiles· 4 mit einer·Metallkontaktschicht 6 versehen. Diese Metällkontaktschichten v/erden so gestaltet, daß sie kleine Höcker 17 aufweisen.: Als Material kann z.B. Gold verwendet werden. Die Metallkontaktschichten 5 bzw. 6 werden dabei so aufgebracht, daß der pn-übergang nicht überbrückt wird. Um zu verhin-. dem, daß beim Eindrücken des Halbleiterkörpers in die Schichtenfolge aus thermoplastischen Schichten und der Zwischenschicht .aus leitendem Material der pn-übergang leitend überbrückt wird, wird derjenige Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers, an dem der pn-übergang heraustritt, mit einer Isolierschicht 7 zugedeckt; dann v/ird der so mit den Metallkontakt schichten 5 und
35· und. der Isolierschicht 7 versehene Halbleiterkörper in eine Schichtenfolge aus einer thermoplastischen Schicht 8, einer dar-
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unterliegenden leitfähigen Zwischenschicht 9 und einer unter dieser Schicht 9 liegenden Schicht 10 aus thermoplastischem Material eingedrückt. Vor dem Eindrücken v/ird der Halbleiterkörper auf eine Temperatur aufgeheizt, die über der Erweichungstemperatur des thermoplastischen Materials liegt. Das Eindrücken erfolgt vorzugsweise mit Hilfe eines thermostatisierten Stem pels. Der Halbleiterkörper 1 v/ird so tief in das thermoplastische Material 10 eingedrückt, daß die Zwischenschicht 9 aus leitfähigem Material aufreißt und auf diese Weise zwei getrennte Geilbereiche 11,12 dieser leitfähigen Schicht entstehen. Beim Eindrücken des Halbleiterkörpers quillt etwas thermoplastisches Material der Schicht 8 an den Stellen 13 und 14 nach oben, wodurch nach dem Erstarren des thermoplastischen Materials eine den Halbleiterkörper umschließende mechanisch feste Halterung für den Halbleiterkörper entsteht. Die Teilbereiche 11 und 12, in die die Schicht 9 aus leitfähigem Material aufgerissen ist, werden ebenfalls durch Eindrücken von erwärmten Anschlußdrähten 15 und 16 entsprechend der in der DOS 2 247 260 angegebenen Weise mit Außenanschlüssen versehen.
In Fig.2 ist eine weitere Möglichkeit gezeigt, mit der ein Halbleiterbauelement, z.B. eine Lumineszenzdiode, kontaktiert werden kann. Der Halbleiterkörper 21, der aus einem p-leitenden Teil 23 und einem η-leitenden Teil 24 mit einer dazwischen verlaufenden pn-Grenzschicht 22 besteht, v/ird an den parallel zu der pn-Grenzschicht 22 verlaufenden Seitenflächen mit Metallkontaktschichten 25 und 26 aus Gold, beispielsweise durch Aufdampfen, versehen. Um" Unsicherheiten in de,r genauen Positionierung des Halbleiterkörper 21 beim Eindrücken in das thermo-
30· plastische Material auszugleichen, ist die Metallkontaktschicht 25 höckerartig ausgebildet. . Der Halbleiterkörper wird nun in • eine" .Schichtenfolge aus den Schichten 28, 29 und'210 nach vorhergehender Erwärmung auf eine über dem Erweichungspunkt .des thermoplastischen Materials liegende Temperatur mit einem thermostatisierten Stempel 220 eingedrückt.' Bei der Schichtenfol-e bestellt die Schicht 29 aus leitfähigem Material aus zwei parallel verlaufenden, voneinander getrennt liegenden Bahnen 211
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und 212 aus Metall, z.B. Aluminium. Diese voneinander getrennten Bahnen können dadurch erzeugt werden, daß bei einer Schichtenfolge mit einer zunächst in sich zusammenhängenden Schicht 29 aus leitfähigem Material ein Streifen so tief ausgefräst wird, daß diese Schicht 29 unterbrochen wird. Anstelle des mechanischen Entfernens kann ein solcher Streifen auch durch Bestrahlen und Erhitzen durch einen Laserstrahl (Lasererosion) von der leitenden Schicht befreit werden. Das Halbleiterbauelement v/ird dann genau in diesen ausgefrästen Teil eingedrückt. Gegenüber dem anhand Fig.1 beschriebenen Verfahren hat dieses Verfahren den Vorteil, daß keine Gefahr besteht, den pn-übergang 22 durch beim Eindrücken des Halbleiterbauelementes verschleppte Teile der Schicht 29 leitend zu überbrücken, so daß es nicht notwendig ist, den pn-übergang 22 durch eine auf dem Halbleiterkörper aufgebrachte Isolierschicht abzudecken, wie dies bei dem in Fig.1 dargestellten Verfahren mit Hilfe der Isolierschient 7 erfolgt. Das Anbringen der Anschlußdrähte an die Schicht 29 aus leitendem Material erfolgt in der aus der DOS 2-247 260 bekannten Weise. Nach der Kontaktierung des Halbleiterkörpers und dem Anbringen von Anschlußdrähten kann das Bauelement für einen weiteren Schutz vor mechanischer Beanspruchung in Kunststoff eingegossen werden.
Bei Halbleiterbauelementen, die entsprechend Fig.1 mit einer einen pn-übergang schützenden Isolierschicht (7 in Fig.1) versehen sind, erfolgt das Aufbringen der Metallkontaktschichten und der Isolierschichten vorteilhaft in der in den Fig.3 und 4 dargestellten Iteise. Die-Halbleiterscheiben 31, in denen pn-Über-. gänge-32 parallel zur Oberfläche dieser Scheiben verlaufen, wer-• den auf ihrer Oberfläche und ihrer Unterfläche mit_ einer Schicht 33 bzw. 34 aus Metall, z.B. Gold, versehen. Dieses Metall wird
beispielsweise aufgedampft oder aufgesputtert. Diese Halbleiter-■' scheiben 31 werden dann aufeinander unter Zuhilfenahme einer Kunststoff-Zwischenschicht 35 aufgestapelt. Dabei ist jede Halbleiterscheibe von der nächsten Halbleiterscheibe durch eine sol-■ ehe Kunststoff-Zwischenschicht 35 getrennt. Diese Kunststoff-Zwischenschicht besteht aus einem lösbaren Stoff. Von-dem so
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entstehenden Block aus Halbleiterscheiben mit Kunststoff-Zwischenschichten v/erden dann in einer zur Ebene der pn-Übergänge 32 senkrechten Ebene 36 Scheiben abgeschnitten. Eine so abgeschnittene Scheibe ist schematisch in Fig.4 dargestellt. Auf diese Scheibe 41, die aus mehreren Halbleiterstäbchen 42 mit dazwischenliegenden Kunststoff-Stäbchen 43 besteht, wird eine Isolierschicht 44 so aufgebracht, daß die an einer Fläche der Scheibe 41 austretenden pn-Übergänge 45 von dieser Isolierschicht bedeckt sind. Das Aufbringen der Isolierschicht kann
10' dabei so erfolgen, daß jeweils nur der Teil, in dem die pn-Übergänge 45 an die Oberfläche der Halbleiterstäbchen 42 treten, bedeckt wird oder sie kann auch ganzflächig über die ganze aus den einzelnen Stäbchen bestehende Scheibe aufgetragen v/erden. Sodann werden die Kunststoff-Zwischenschichten 43 v/eggelöst, so daß einzelne mit Metallkontaktschichten und Isolierschichten versehene Halbleiterstäb'chen übrigbleiben. Die Halbleiterstäbchen werden dann durch Eindrücken in eine Schichtenfolge aus thermoplastischem Material mit einer Zwischenschicht aus elektrisch leitendem Material kontaktiert, wie es anhand der Fig.1 und 2 bereits beschrieben wurde. Entlang des Halbleiterstäbchens 5-1 v/erden sodann Anschlußdrähte 52 in an sich bekannter Weise angebracht, zur Gewinnung, eines mechanischen festen Haltes dann das Halbleiterstäbchen in Kunststoff eingegossen und schließlich in einer zur Stäbchenrichtung senkrechten Richttmg (Linien 5^ in Fig.5) so in einzelne Teile zersägt, daß jedes
der abgesägten Teile jeweils zwei Anschlußdrähte besitzt (Fig.5). . Durch dieses gesamte Verfahren wird erreicht, daß die Kontaktierung an'einem relativ großen Halbleiterkörper vorgenommen . wird,- und die sehr kleinen einzelnen Bauelemente nur· noch von einem bereits fertigen, mit Anschlüssen versehenen größeren Körper abgesägt v/erden. ' " . ·
10 Patentansprüche
5 Figuren . . . '
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Claims (10)

  1. Patentansprüche
    χ} Halbleiterbauelement mit elektrischen Kontakten, bei dem an Seitenflächen eines Halbleiterkörpers Metallkontalctschichten aufgebracht sind, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterkörper (1) in eine Schichtenfolge eingesenkt ist, die aus zwei Schichten (8, 10) aus thermoplastischem Material und einer zwischen diesen Schichten (8, 10) befindlichen, in wenigstens zwei Teilbereiche (11 und 12) aufgetrennten Schicht (9) aus leitendem Material besteht, wobei jeweils eine der Metallkontalctschichten (5» 6) mit jeweils einem der Teilbereiche (11, 12) leitend verbunden ist.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Metallkontaktschichten (5, 6) mit Höckern (17) versehen sind.
  3. 3. Halbleiterbauelement mit elektrischen Kontakten nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß an den Teilbereichen (11,12) der Schicht (9) jeweils ein Anschlußdraht (15» 16) angebracht ist, der im Kontaktbereich in einer der Schichten (8, 10) aus thermoplastischem Ilaterial eingebettet ist.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit
    ■ elektrischen Kontakten, nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem auf Seitenflächen eines. Halbleiterkörpers (1) eine oder mehrere Metallkontaktschichten .(5, 6) aufgebracht werden und daran weitere Zuleitungen angebracht, werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper erwärmt . wird-und in" eine Schichtenfolge - aus zwei Schichten, aus thermoplastischem Material und einer zwischen diesen Schichten befindlichen Schicht aus leitfähigem Material so eingedrückt wird, daß dabei zwischen der Schicht aus elektrisch leitendem ■Material und den an dem Halbleiterkörper aufgebrachten lletallkontakt schichten eine elektrisch leitende Verbindung entsteht.
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  5. 5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper mit einem thermostatisierten Stempel (220) eingedrückt wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper durch die Schicht (9) aus elektrisch leitendem Material hindurchgedrückt x*ird, so daß diese in zwei voneinander getrennte !MLbereiche(i 1,12) aufreißt, und daß dabei jeder dieser Teilbareiche (11,12) jiit jeweils einer an dem Halbleiterbauelement befindlichen Hetallkontaktschichten (5, 6) leitend verbunden wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5f dadurch g e k e η η zeich η-et , daß eine Schichtenfolge verwendet wird, bei der die Schicht aus leitendem Material aus zwei parallel verlaufenden, voneinander getrennten Bahnen (11, 12) "besteht.
  8. 8. Verfahren nach einem der Anspräche 4 bis 7» dadurch gekennzeichnet , daß ein Anschlußdraht (.15, 16) erhitzt und in die thermoplastische Schicht (8) so eingedrückt \/ird, daß er mit der Schicht (9) aus leitendem Ma- -terial leitend verbunden wird.·
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet , daß ein stabförmiger Halbleiterkörper'''so in die Schichtenfolge eingedrückt wird, daß zwei seiner Längsseiten jeweils mit einem der Streifen (11, 12) leitend verbunden werden, d3ß sodenn Paare von. Anschlußdrähten (15, 16) entlang der Längsrichtung des Halbleiterkörpers Angebracht werden, und daß sodann der Halbleiterkörper senkrecht zu seiner Längsrichtung so zerschnitten wird, daß die dabei ■ entstehenden Teile des Halbleiterkorpers jeweils ein Paar von Anschlußdrähten aufweisen. .
  10. 10.Verfahren zur Herstellung und Kontaktierung von Halbleiterkörpern, wobei Halbleiterscheiben mit einem p-Gebiet, einem
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    η-Gebiet und einem zur Scheibenebene parallelen pn-übergang an einer zu dem pn-übergang parallelen Oberfläche mit einer elektrisch leitenden Schicht versehen werden, gekennzeichnet durch den Ablauf folgender Yerfahrensschritte:
    1) Aufstapeln der Halbleiterscheiben, wobei die Halbleiterscheiben mit Zwischenschichten (35) aus lösbarem Kunststoff miteinander verklebt v/erden,
    b) Zersägen des aus Halbleiterscheiben und Zwischenschichten gebildeten Körpers in einer zur Ebene der pn-Übergänge
    senkrechten Richtung in einzelne Scheiben,
    c) Weglösen der Zwischenschichten, so daß die in den Scheiben enthaltenen Halbleiterstäbchen (43) herausgelöst werden ,
    d) Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 9 für jedes
    der so erzeugten Halbleiterstäbchen (43).
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GB6851/77A GB1531394A (en) 1976-03-12 1977-02-18 Semiconductor components
FR7705232A FR2344129A1 (fr) 1976-03-12 1977-02-23 Composant a semi-conducteurs comportant des contacts electriques et procede pour la fabrication de tels contacts
US05/771,848 US4164811A (en) 1976-03-12 1977-02-25 Process for making a semiconductor component with electrical contacts
MX168184A MX143414A (es) 1976-03-12 1977-02-28 Mejoras en metodo para la fabricacion de un componente semiconductor con contactos electricos
SE7702371A SE7702371L (sv) 1976-03-12 1977-03-03 Halvledarkomponent
NL7702439A NL7702439A (nl) 1976-03-12 1977-03-07 Halfgeleiderbouwsteen met elektrische contacten en een werkwijze voor het vervaardigen van dergelijke contacten.
AT149277A AT361983B (de) 1976-03-12 1977-03-07 Halbleiterbauelement mit elektrischen kontakten und verfahren zur herstellung solcher kontakte
DK103277A DK103277A (da) 1976-03-12 1977-03-09 Halvlederbyggeelement med elektriske kontakter og fremgangsmade til fremstilling af sadanne kontakter
IT21106/77A IT1077688B (it) 1976-03-12 1977-03-10 Componente a semiconduttori con contatti elettrici e procedimento per la formazione di detti contatti
JP2656277A JPS52111376A (en) 1976-03-12 1977-03-10 Semiconductor element having electric contacts and method of making the same
BE175693A BE852341A (fr) 1976-03-12 1977-03-10 Composant a semiconducteurs comportant des contacts electriques et procede pour la fabrication de tels contacts
CA273,740A CA1065499A (en) 1976-03-12 1977-03-11 Semiconductor component with electric contacts and process for making the same

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2845022A1 (de) * 1977-10-18 1979-04-26 Shinetsu Polymer Co Elektronisches schaltungsbauelement

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53103659U (de) * 1977-01-25 1978-08-21
GB2138205B (en) * 1983-04-13 1986-11-05 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing a microwave circuit
GB8324839D0 (en) * 1983-09-16 1983-10-19 Lucas Ind Plc Mounting carrier for microelectronic silicon chip
CN1194059A (zh) * 1995-08-29 1998-09-23 美国3M公司 用于粘合电子器件的可变形基片部件
JP2006082479A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Koito Mfg Co Ltd 車輌用灯具の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2990498A (en) * 1956-07-02 1961-06-27 Gen Electric Capacitor
US2977672A (en) * 1958-12-12 1961-04-04 Gen Electric Method of making bonded wire circuit
US3213404A (en) * 1961-08-01 1965-10-19 Thomas & Betts Corp Means for connecting electrical conductors
US3418444A (en) * 1963-10-21 1968-12-24 Elco Corp Method and apparatus for bonding through insulating material
US3300851A (en) * 1964-01-02 1967-01-31 Gen Electric Method of making bonded wire circuits
US3368276A (en) * 1964-08-03 1968-02-13 Coilcraft Inc Method for mounting a circuit element
US3390252A (en) * 1965-10-22 1968-06-25 Philco Ford Corp Electric heating tool
US4012833A (en) * 1973-12-28 1977-03-22 Sony Corporation Method of making display structure having light emitting diodes
US4024627A (en) * 1974-04-29 1977-05-24 Amp Incorporated Package mounting of electronic chips, such as light emitting diodes
US4079284A (en) * 1976-05-03 1978-03-14 U.S. Philips Corporation Mounting piezoelectric elements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2845022A1 (de) * 1977-10-18 1979-04-26 Shinetsu Polymer Co Elektronisches schaltungsbauelement

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CA1065499A (en) 1979-10-30

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