DE3931551A1 - Verfahren zum herstellen eines mehrschichtigen, kupfer- und keramikschichten aufweisenden substrates - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines mehrschichtigen, kupfer- und keramikschichten aufweisenden substratesInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen
eines mehrschichtigen Substrates gemäß Oberbegriff Patent
anspruch 1.
Mehrschichtige Substrate, die im einfachsten Fall aus einer
mittleren Keramikschicht und zwei äußeren Kupferschichten
bestehen, welche jeweils mit einer Oberflächenseite mit der
benachbarten Oberflächenseite der Keramikschicht flächig
verbunden sind, sind bekannt und werden insbesondere in der
Elektronik als Leiterplatten auch für Leistungs-Halbleiter-
Bauelemente (Chips) verwendet. Hierbei ist dann die eine
äußere Kupferschicht zumindest in einem Teilbereich in Form
von Leiterbahnen ausgebildet. Auf dieser Kupferschicht ist
dann auch das wenigstens eine Halbleiterbauelement vorgesehen
und mit den vorhandenen Leiterbahnen entsprechend verbunden.
Die die andere Seite des Substrates bildende äußere Kupfer
schicht dient zum Abführen der beim Betrieb des Halbleiter
bauelementes entstehenden Verlustwärme und wird für diesen
Zweck in geeigneter Weise und unter Verwendung eines wärme
leitenden Materials, d. h. in der Regel durch Löten unter
Verwendung eines Weichlotes mit einer Trag- oder Gehäuse
platte größerer Dicke verbunden. Mit dieser Platte, die
ebenfalls aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit
(bevorzugt Kupfer) gefertigt ist, kann dann der entsprechende
Schaltkreis bzw. das entsprechende Bauteil bzw. Modul zur
Abführung der Verlustwärme an einem Kühlkörper befestigt
werden. Schaltkreise bzw. Module dieser Art haben u.a. den
Vorteil, daß durch die Verwendung des Substrats zwar die
erforderliche Kühlwirkung sichergestellt ist, die mit dem
Kühlkörper zu verbindende Trag- oder Gehäuseplatte gleich
zeitig aber elektrisch bzw. galvanisch von dem auf dem
Substrat vorgesehenen wenigstens einen Bauelement getrennt
ist.
Die Bestückung der Substrate mit den Bauelementen erfolgt in
der Regel automatisch bzw. maschinell, wofür eine hohe
Maßhaltigkeit der Substrate hinsichtlich ihrer äußeren
Abmessungen erforderlich ist.
Ein grundsätzliches Problem ergibt sich dadurch, daß Keramik
und Kupfer sehr unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizien
ten aufweisen. Wenn das Substrat mit der dickeren Trag- bzw.
Gehäuseplatte verbunden ist und hierbei insbesondere auch die
Schicht des das Substrat mit dieser Tragplatte verbindenden
Material (Weichlot) dünn gehalten ist, wie dies aus thermi
schen Gründen angestrebt wird, kommt es beim Erwärmen des
Substrates sowie der Tragplatte (aufgrund der beim Betrieb
freigesetzten Verlustwärme) bei einer großflächigen Ausbil
dung des Substrates in der wenigstens einen Keramikschicht zu
Spannungen, die zu unerwünschten Brüchen in dieser Schicht
führen. Aus den vorgenannten Gründen ist es daher kaum
möglich, Substratgrößen von mehr als 20 cm2 zu realisieren.
Bekannt ist es auch, bei der Herstellung der vorgenannten
Substrate die Kupferschichten mit der jeweils angrenzenden
Keramikschicht mittels des sogenannten Direct-Copper-Bonding-
Verfahrens (DCB-Verfahren) miteinander zu verbinden. Bei
diesem Verfahren (DE-PS 23 19 854) wird durch Oberflächen
oxidation der Kupferschicht und durch anschließende Erhitzung
der zu verbindenden Schichten auf eine Temperatur oberhalb
der eutektischen Temperatur eine feste Verbindung erreicht.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren aufzuzeigen, mit
welchem es möglich ist, unter Einhaltung der geforderten
Maßhaltigkeit ein Substrat herzustellen, welches auch bei
großflächiger Ausbildung die vorgenannten Nachteile nicht
aufweist.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Verfahren entsprechend dem
kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 ausgebildet.
Bei dem mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen
Substrat, welches im einfachsten Fall in der Schichtfolge
eine einzige Keramikschicht aufweist, aber in Schichtfolge
mit mehreren Kupferschichten auch mehrere Keramikschichten
besitzen kann, sind sämtliche, jeweils vorhandene Keramik
schichten, d.h. bei der einfachsten Ausführung die einzige
Keramikschicht wenigstens einmal geteilt, so daß trotz einer
großflächigen Gesamtausbildung des Substrates die bezüglich
der Wärmeausdehnung kritische Bereiche (Keramikbereiche)
kleinflächig gehalten sind und somit aufgrund des unter
schiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Kupfer und
Keramik thermische Spannungen in einer das Substrat zerstö
renden bzw. schädigenden Größe nicht auftreten können.
Unter den Begriff "Kupfer" bzw. "Kupferschicht" fallen im
Sinne der Erfindung auch Kupferlegierungen bzw. hieraus
bestehende Schichten.
Dadurch, daß das Zertrennen jeder Keramikschicht erst dann
erfolgt, wenn diese Keramikschicht mit den weiteren Schichten
zu der Schichtfolge verbunden ist, läßt sich die geforderte
Maßhaltigkeit für das Substrat erreichen, und zwar insbeson
dere auch dann, wenn die Verbindung zwischen den einzelnen
Schichten mittels des DCB-Verfahrens erfolgt, bei dem es
äußerst schwierig ist, die einzelnen Schichten zueinander in
Position zu halten, und dies allenfalls durch eine entspre
chende Fixierung der miteinander zu verbindenden Schichten an
ihrem Außenumfang möglich ist.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteran
sprüche.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren an
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in vereinfachter perspektivischer Darstellung einen in
der ersten Verfahrensstufe des erfindungsgemäßen
Verfahrens hergestellten Substratrohling bestehend aus
einer mittleren Keramikschicht und zwei äußeren, an
dieser Keramikschicht befestigten Kupferschichten;
Fig. 2 einen Schnitt durch das aus dem Rohling nach Fig. 1
erhaltene Substrat;
Fig. 3 in schematischer Darstellung und im Schnitt ein
elektronisches Bauelement, hergestellt unter Verwen
dung des Substrates gemäß Fig. 2;
Fig. 4 eine Draufsicht auf die Grund- bzw. Bodenplatte des
Gehäuses des Bauelementes nach Fig. 3;
Fig. 5 in verschiedenen Positionen a-e die einzelnen
Verfahrensschritte bei einer weiteren, möglichen
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum
Herstellen eines mehrere Keramikschichten aufweisenden
Substrats.
Das in den Fig. 2 und 3 dargestellte Substrat 1 wird nach
einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens im
wesentlichen in drei Verfahrensschritten hergestellt, und
zwar derart, daß dieses Substrat 1 eine obere durchgehende
Kupferschicht 2, eine geteilte, d.h. von zwei Abschnitten 3′
und 3′′ gebildete Keramikschicht 3 sowie eine untere,
ebenfalls geteilte, d.h. von den beiden Abschnitten 4′ und
4′′ gebildete Kupferschicht 4 aufweist. Die Kupferschicht 2
bildet durch mehrere, in dieser Schicht vorgesehene, durch
gehende und in der Fig. 1 nur schematisch angedeutete
Schlitze 5 mehrere elektrisch voneinander getrennte Leiter
bahnen. Der Verlauf der Schlitze 5 ist so gewählt, daß die
Kupferschicht 2 eine durchgehende, die Abschnitte 3′ und 3′′
der Keramikschicht überbrückende Schicht bildet.
Der in der Fig. 2 dargestellte Aufbau des Substrates 1 hat
den Vorteil, daß dieses Substrat bzw. dessen Kupferschicht 2
großflächig ausgeführt werden können, ohne daß es bei der
Verwendung dieses Substrats bei Aufbau eines elektrischen
bzw. elektronischen Schaltkreises oder Moduls, beispielsweise
des in der Fig. 3 dargestellten Halbleiterleistungs-Moduls in
der Keramikschicht 3 zu diese Keramikschicht zerstörenden
Spannungen beim Erwärmen des Substrates 1 kommt.
Wie die Fig. 3 zeigt, wird das Substrat 1 mit der unteren
Kupferschicht bzw. mit den beiden Abschnitten 4′ und 4′′ in
geeigneter Weise (bevorzugt unter Verwendung von Weichlot) an
einer Oberflächenseite einer Platte 6 befestigt, die aus
einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit, d.h. bevorzugt
aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt ist. Die
Verbindungsschicht ist mit 11 bezeichnet. Die Platte 7, die
aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit (bevorzugt
aus Kupfer oder einer Kupferlegierung) hergestellt ist und
eine im Vergleich zu den Dicken der Schichten 2, 3 und 4
wesentlich größere Dicke aufweist, bildet die Bodenplatte des
Gehäuses des Moduls 6. Auf der Oberseite des Substrates 1,
d.h. auf der dortigen oberen Kupferschicht 2 ist wenigstens
ein, nur andeutungsweise dargestelltes aktives Halbleiter
bauelement 8 in geeigneter Weise befestigt und mit den von
der Kupferschicht 2 gebildeten Leiterbahnen verbunden, die
dann ihrerseits mit äußeren Anschlüssen 9 in Verbindung
stehen. Das Substrat 1 sowie das wenigstens eine den aktiven
Teil des Leistungs-Moduls 6 bildende Halbleiterbauelement 8
(Halbleiterchip) sind in einer Kunststoffmasse 10 eingebet
tet, die das eigentliche Gehäuse des Moduls 6 bildet. Die
beim Betrieb im Bereich des Bauelementes 8 entstehende
Verlustwärme wird über die Kupferschicht 2, Keramikschicht 3
bzw. deren Abschnitte 3′ und 3′′, die Kupferschicht 4 bzw.
deren Abschnitte 4′ und 4′′, die Verbindungsschicht 11
zwischen der unteren Kupferschicht 4 und der Oberseite der
Platte 7 sowie über einen nicht dargestellten Kühlkörper
abgeführt. Um eine gute Wärmeableitung zu erreichen, ist für
die Keramikschicht ein Material verwendet, welches eine hohe
Wärmeleitfähigkeit aufweist (beispielsweise Aluminiumoxid-
Keramik). Weiterhin ist aus Gründen der besseren Wärmeablei
tung die Verbindungsschicht 11 möglichst dünn gehalten.
Trotz einer großflächigen Ausbildung des Substrates 1 bzw.
der Kupferschicht 2 und trotz der im Vergleich zur Keramik
schicht 3 wesentlich größeren Dicke der Platte 7 treten bei
der durch die Verlustwärme bedingten thermischen Ausdehnung
insbesondere in der Platte 7 keine so großen Spannungen in
der Keramikschicht 3 auf, daß diese zerstört würde. Dies ist
dadurch bedingt, daß die Keramikschicht 3 geteilt ist bzw.
sich aus den beiden kleinflächigeren Abschnitten 3′ und 3′′
zusammensetzt und in bezug auf diese kleineren Flächen bzw.
Abmessungen der Abschnitte 3′ und 3′′ zum Ausgleich der
unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoffizienten
zwischen Keramik und Kupfer insbesondere auch die Elastizität
der Verbindungsschicht 11 völlig ausreichend ist.
Es versteht sich, daß speziell bei sehr großflächiger
Ausbildung des Substrates 1 dessen Keramikschicht und damit
auch dessen untere Kupferschicht 4 zwei- oder mehrfach
geteilt sein können, d.h. aus drei oder mehr als drei
Abschnitten bestehen können.
Die Herstellung des Substrates 1 erfolgt im wesentlichen in
drei Verfahrensschritten. Zunächst wird in einem Direct-
Copper-Bonding-Verfahren (DCB) die vorzugsweise Kupferschicht
2 mit einer durchgehenden Keramikschicht 3 und diese mit
einer ebenfalls durchgehenden unteren Kupferschicht 4
verbunden, so daß sich der in der Fig. 1 dargestellte
rechteckförmige oder quadratische Substrat-Rohling 1a ergibt.
In einem zweiten Verfahrensschritt wird dann mit einem
geeigneten Werkzeug zunächst in die untere Kupferschicht 4
ein diese Kupferschicht 4 in die beiden Abschnitte 4′ und 4′′
trennender Schlitz eingebracht, wie dies in der Fig. 1 mit
den Linien 12 angedeutet ist. Der entsprechende Schlitz
erstreckt sich selbstverständlich über die gesamte Breite des
Substrat-Rohlings 1a.
In einem dritten Verfahrensschritt wird dann vom Schlitz 12
her ein bis an die Unterseite der oberen Kupferschicht 2
reichender und die Keramikschicht 3 in die beiden Abschnitte
3′ und 3′′ teilender Schlitz in diese Keramikschicht einge
bracht, wie dies in der Fig. 1 mit den Linien 13 angedeutet
ist. Der Schlitz 13, der sich ebenfalls über die gesamte
Breite des Substrat-Rohlings la erstreckt, besitzt eine
kleinere Breite als der Schlitz 12, so daß sich auch im
Bereich der Teilung der Keramikschicht 3 der Rand der
Kupferschicht 4 gegenüber dem Rand der Keramikschicht 3
zurückgesetzt ist, wie dies am gesamten Umfang des Substrates
1 nicht nur in bezug auf die Kupferschicht 4, sondern auch in
bezug auf die Kupferschicht 2 der Fall ist, d.h. auch im
Bereich des Umfanges steht die Keramikschicht 3 über die
Kupferschichten 2 und 4 um einen vorgegebenen Betrag vor, was
insbesondere zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit des
Substrates 1 zwischen den beiden Kupferschichten 2 und 4
beiträgt. Das Einbringen der Schlitze 5 in die Kupferschicht
2 erfolgt bevorzugt erst nach dem Verbinden dieser Kupfer
schicht mit der Keramikschicht 3.
Das vorbeschriebene Verfahren, bei dem zum Herstellen des
Substrates 1 zunächst jeweils durchgehende, sich im wesent
lichen über die gesamte Fläche des Substrates erstreckende
Schichten miteinander verbunden werden und erst nach dem
DCB-Verfahren die Trennung der Keramikschicht 3 sowie der
unteren Kupferschicht 4 erfolgt, hat insbesondere den
Vorteil, daß das Substrat 1 mit relativ geringem Aufwand mit
hoher Maßhaltigkeit insbesondere auch bezüglich der von der
überstehenden Keramikschicht 3 bestimmten Abmessungen des
Substrates 1 sowie bezüglich der relativen Lage der Abschnit
te 3′ und 3′′ zu der durchgehenden Kupferschicht 2 gefertigt
werden kann.
Bei dem vorbeschriebenen Substrat 1 liegt die Dicke der
Keramikschicht 3 beispielsweise in der Größenordnung von etwa
0,2-1 µm und die Dicke der Kupferschichten etwa in der
Größenordnung zwischen ca. 0 2-0,4 µm, während die Dicke
der Platte 7 mindestens um den Faktor 10 größer ist als die
Dicke der Kupferschichten 2 und 4.
Es ist möglich, das Substrat 1 mit mehreren gleichartigen
Substraten im Mehrfachnutzen herzustellen. Hierbei wird dann
in einem ersten Verfahrensschritt ein Substrat-Rohling
gefertigt, der wiederum aus einer durchgehenden mittleren
Keramikschicht sowie aus einer oberen und einer unteren,
jeweils durchgehenden Kupferschicht besteht und bezüglich
seiner Größe der Größe mehrerer Substrate 1 entspricht. In
diesem Rohling werden dann die die Keramikschicht sowie die
untere Kupferschicht trennenden Schlitze 12 und 13 einge
bracht. Gleichzeitig erfolgt mit einer geeigneten Schlitz-
Technik auch ein Schlitzen bzw. Trennen der oberen und
unteren Kupferschicht dort, wo der Nutzen später in die
einzelnen Substrate zertrennt werden soll. Dieses Zertrennen
erfolgt dann gegebenenfalls nach einer vorausgehenden
Schlitzung der mittleren Keramikschicht durch Brechen.
Grundsätzlich ist es hierbei selbstverständlich auch möglich,
im Mehrfachnutzen zunächst eine Vielzahl von Substrat-Roh
lingen la herzustellen, die dann in den weiteren Verfahrens
schritten (Einbringung der Schlitze 12 und 13) jeweils zu
einem Substrat 1 verarbeitet werden.
In der Fig. 5 ist in den verschiedenen Positionen a-e die
Herstellung des in der Position e wiedergegebenen Substrates
14 dargestellt, welches eine mittlere, durchgehende Kupfer
schicht 15 aufweist, auf der beidseitig jeweils eine geteilte
Keramikschicht 16 bzw. 17 mit den beiden Abschnitten 16′ und
16′′ bzw. 17′ und 17′′ befestigt ist. Auf der Keramikschicht
16 bzw. den Abschnitten 16′ und 16′′ ist eine obere Kupfer
schicht 18 aufgebracht, die durch Schlitze 19 zwar in
verschiedene Leiterbahnen unterteilt ist, jedoch die beiden
Abschnitte 16′ und 16′′ der darunter liegenden Keramikschicht
16 überbrückt. Auf den beiden Abschnitten 17′ und 17′′ der
Keramikschicht 17 sind die beiden Abschnitte 20′ und 20′′
einer unteren Kupferschicht 20 befestigt. Die Verbindung der
einzelnen Schichten ist auch bei diesem Substrat 14 wiederum
mit dem DCB-Verfahren hergestellt, allerdings in mehreren
Verfahrensabschnitten, wie dies nachfolgend noch beschrieben
wird, daß Substrat 14 eignet sich beispielsweise wiederum zur
Verwendung bei Leistungsbauteilen und wird mit den Abschnit
ten 20′ und 20′′ in geeigneter Weise auf einer der Platte 7
des Moduls 6 entsprechenden Platte 21 in geeigneter Weise
befestigt. Da sämtliche Keramikschichten 16 und 17 geteilt
sind, können auch bei dem Substrat 14 trotz großflächiger
Ausbildung keine Probleme bzw. keine die Keramikschichten
zerstörenden Spannungen bedingt durch den unterschiedlichen
Ausdehnungskoeffizienten zwischen Kupfer und Keramik auftre
ten.
Ebenso wie das Substrat 1 bietet auch das Substrat 14 den
Vorteil, daß das wenigstens eine aktive Bauelement eines
unter Verwendung dieses Substrates hergestellten Moduls
elektrisch bzw. galvanisch von der mit einem Kühlkörper zu
befestigenden Platte 21 getrennt ist. Das Substrat 14 bietet
mit seiner durchgehenden Kupferschicht 15 aber auch eine
elektrische Abschirmung (z.B. HF-Abschirmung), die galvanisch
sowohl vom aktiven Bauelement, als auch von der Platte 21
getrennt ist.
Für die Herstellung des Substrates 14 wird in einem ersten
Verfahrensschritt entsprechend der Position a zunächst ein
Substrat-Rohling 14a hergestellt, der die durchgehende
Kupferschicht 15 aufweist, die mit ihrer einen Oberflächen
seite mit der durchgehenden Keramikschicht 16 und an ihrer
anderen Oberflächenseite mit der ebenfalls durchgehenden
Keramikschicht 17 verbunden ist, die ihrerseits die durch
gehende Kupferschicht 20 trägt.
In einem weiteren Verfahrensschritt (Position b) wird durch
Einbringen eines Schlitzes 22 die obere Keramikschicht 16 in
die beiden Abschnitte 16′ und 16′′ geteilt.
In einem dritten Verfahrensschritt (Position c) wird dann auf
die geteilte Keramikschicht 16 die obere Kupferschicht 18
aufgebracht, und zwar als durchgehende Schicht.
In einem vierten Verfahrensschritt (Position d) erfolgt dann
das Einbringen der Schlitze 19 in die obere Kupferschicht 18
sowie das Einbringen eines Schlitzes 23 in die untere
Kupferschicht 20.
In einem fünften Verfahrensschritt erfolgt dann das Einbrin
gen eines Schlitzes 24 in die Keramikschicht 17, um diese in
die beiden Abschnitte 17′ und 17′′ zu unterteilen und so das
in der Position e dargestellte Substrat zu erhalten.
Das vorbeschriebene Verfahren, bei dem das Verbinden der
Schichten in den einzelnen Verfahrensschritten jeweils mit
dem DCB-Verfahren erfolgt, hat auch den Vorteil, daß in allen
Verfahrensschritten ein Substrat-Rohling bzw. ein Zwischen
produkt vorliegt, welches eine ausreichende mechanische und
thermische Steifigkeit, insbesondere auch durch die bis zum
letzten Verfahrensschritt noch durchgehende Keramikschicht 17
aufweist, so daß Probleme hinsichtlich eines Verbiegens des
Substrat-Rohlings während der einzelnen Verfahrensschritte
nicht auftreten. Von Vorteil ist auch, daß bei dem Substrat
14 die Schlitze 22 und 24 derart eingebracht sind, daß sich
diese Schlitze an der durchgehenden Kupferschicht 15 exakt
gegenüberliegen, so daß das Substrat 14 in bezug auf die
beiden, sich an die Kupferschicht 15 anschließenden Keramik
schichten 16 und 17 den gleichen Aufbau aufweisen.
Das Einbringen der Schlitze 5, 12, 19 und/oder 23 erfolgt
bevorzugt mit einer bekannten Maskierungs-Ätz-Technik, wobei
beispielsweise die nicht zu ätzenden Bereiche mit einer
geeigneten, in einem Druckverfahren aufgebrachten Maskie
rungsschicht (Lack) abgedeckt werden. Für das Einbringen der
Schlitze 13, 22 und 24 eignen sich mechanische Methoden,
beispielsweise Sägen oder Fräsen.
Die Erfindung wurde voranstehend an einem Ausführungsbeispiel
beschrieben. Es versteht sich, daß Änderungen sowie Abwand
lungen möglich sind, ohne daß dadurch der der Erfindung
zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird.
Claims (16)
1. Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Sub
strates, bei dem miteinander Schichten (2, 3, 4; 15, 16,
17, 18, 20) teilweise aus Kupfer sowie teilweise aus
Keramik bestehen, wobei die Schichten (2, 3, 4; 15, 16,
17, 18, 20) zumindest in einem Verfahrensschritt an
einander benachbarten Oberflächenseiten miteinander
verbunden werden, dadurch gekennzeichnet, daß in wenig
stens einem weiteren Verfahrensschritt sämtliche, mit
wenigstens einer Schicht (2, 4; 15, 20) verbundenen
Keramikschichten (3, 16, 17) durch Einbringen wenigstens
eines durch die jeweilige Keramikschicht hindurchreichen
den Schlitzes (13, 22, 24) in jeweils wenigstens zwei
Abschnitte (3′, 3′′; 16′, 16′′, 17′, 17′′) zertrennt
werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Zertrennen wenigstens einer Keramikschicht (3; 17)
von einer Oberflächenseite dieser Keramikschicht her
erfolgt, an der diese Keramikschicht (3, 17) mit einer
weiteren Schicht (4, 20) oder mit einer Schichtfolge
abgedeckt ist, und daß diese wenigstens eine weitere
Schicht (4, 20) oder Schichtfolge ebenfalls zertrennt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Zertrennen der weiteren Schicht (4, 20) oder der
Schichtfolge gleichzeitig mit dem Zertrennen der Keramik
schicht (3, 17) erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Zertrennen der weiteren Schicht (4, 17) vor dem
Zertrennen der durch diese weitere Schicht abgedeckten
Keramikschicht (3, 17) erfolgt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die die wenigstens eine Keramik
schicht abdeckende Schichtfolge ihrerseits aus wenigstens
einer Schicht aus Keramik und einer Schicht aus Kupfer
besteht.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine Keramikschicht (3,
16) vor ihrem Zertrennen mit einer außen liegenden
Kupferschicht (2, 18) verbunden wird, die zumindest
teilweise als Leiterbahnen ausgebildet ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine Keramikschicht (3,
16) vor ihrem Zertrennen mit einer außen liegenden
Kupferschicht (2, 18) verbunden wird, in der nach ihrem
Verbinden mit der Keramikschicht Leiterbahnen durch
Einbringen von Schlitzen (5, 19) ausgebildet werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß dieses Verfahren wenigstens zwei
aufeinander folgende Verfahrensschritte zum Verbinden von
Schichten sowie wenigstens einen dazwischen liegenden
Verfahrensschritt zum Zertrennen wenigstens einer
Keramikschicht umfaßt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß in dem ersten Verfahrensschritt eine
Keramikschicht (3) mit einer oberen und einer unteren
Kupferschicht (2, 4) verbunden wird, und daß dann
anschließend die untere Kupferschicht (4) sowie die
Keramikschicht (3) durch Einbringen wenigstens eines
Schlitzes (12, 13) zertrennt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß in einem ersten Verfahrensschritt
eine Schichtenfolge bestehend aus einer ersten durch
gehenden Keramikschicht (16) aus einer sich hieran
anschließenden ersten, durchgehenden Kupferschicht (15),
aus einer sich hieran anschließenden zweiten, durch
gehenden Keramikschicht (17) sowie aus einer sich hieran
anschließenden zweiten, durchgehenden Kupferschicht
hergestellt wird, daß dann in einem zweiten Verfahrens
schritt zumindest die erste Keramikschicht (16) durch
Einbringen wenigstens eines Schlitzes (22) von der der
ersten Kupferschicht (15) abgewendeten Oberflächenseite
der ersten Keramikschicht (16) her zertrennt wird, daß in
einer dritten Verfahrensschritt auf der der ersten
Kupferschicht abgewendete Oberflächenseite der zer
trennten ersten Keramikschicht (16) eine dritte Kupfer
schicht (18) befestigt wird, und daß dann anschließend
die zweite Kupferschicht (20) sowie die zweite Keramik
schicht (17) durch Einbringen wenigstens eines Schlitzes
zertrennt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
nach dem Befestigen der dritten Kupferschicht (18) in
dieser durch Einbringen wenigstens eines Schlitzes (19)
Leiterbahnen ausgebildet werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß das Verbinden der Schichten jeweils
mit dem DCB-Verfahren erfolgt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß das Zertrennen der Keramikschichten,
d.h. das Einbringen der Schlitze (13, 22, 24) auf
mechanischem Wege, z.B. durch Sägen oder Fräsen er
folgt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das Einbringen der Schlitze (5, 12,
19, 23) in die Kupferschichten (2, 4, 18, 20) auf
mechanischem Wege, z.B. durch Sägen oder Fräsen, oder
durch Ätzverfahren erfolgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch
gekennzeichnet, daß in der das Substrat (1, 14) bildenden
Schichtfolge jede einer Keramikschicht (3, 16, 17)
benachbarte Schicht eine Kupferschicht (2, 4′; 15, 18,
20) ist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß in der das Substrat (1, 14) bildenden
Schichtfolge die beiden äußeren Schichten jeweils
Kupferschichten (2, 4; 18, 20) sind.
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Owner name: ELECTROVAC AG, KLOSTERNEUBURG, AT |
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Inventor name: SCHULZ-HARDER, JUERGEN,DR.-ING., 92676 ESCHENBACH, Inventor name: AKY?REK, ALTAN, DIPL.-ING., 91207 LAUF, DE Inventor name: MAIER, PETER H. DIPL.-KAUFM., 91207 LAUF, DE |
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