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TECHNISCHES
GEBIET
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
elektronischen Gerätes.
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STAND DER
TECHNIK
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Die
Nachfrage zum Beschleunigen der Informationsverarbeitung ist immer
mehr intensiviert worden, wobei eine wachsende Anzahl von Halbleiterchips
mit Hochfrequenz Jahr für
Jahr entwickelt wurde. Um die Wirkungsweise von Halbleitern zu beschleunigen,
ist nicht nur das Erreichen einer hohen Dichte und einer hohen Leistung
von integrierten Chips, sondern auch eine Verbesserung der Eigenschaften
von peripheren Schaltungen notwendig. Insbesondere ist die Gewährleistung
der Stabilität
einer Übertragungsleitung
und einer Stromversorgungsleitung eine der Anforderungen für einen
stabilen Hochgeschwindigkeitsbetrieb. Somit geht man nicht zu weit,
wenn man sagt, dass der Hauptkörper eines
Halbleiterchips stark von den peripheren Vorrichtungen abhängt.
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Ein
Kondensator ist einer der wichtigen Vorrichtungen, die die Stabilität der Übertragungsleitung und
der Stromversorgungsleitung gewährleistet.
Um den Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu realisieren, sollte der Kondensator
nicht nur eine Hochfrequenz-Leistung aufweisen, sondern die dorthin
führende
Verdrahtung sollte außerdem
eine niedrige Impedanz haben.
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Um
den Halbleiterchip mit Hochfrequenz zu betreiben, ist es notwendig,
den Kondensator in der Nähe
des Halbleiter chips anzuordnen, um so Leitungsverluste zu verringern.
Herkömmliche
Verfahren sind auf jene zum Ausbilden eines winzigen Kondensators
innerhalb des Halbleiters begrenzt, wobei dies für einen weiteren stabilen Hochfrequenz-Betrieb
unzureichend wird. Zusätzlich
bewirkt das Anordnen des Kondensators im Umkreis eines Halbleiterchips
ein Problem dahingehend, dass eine Montageplatte groß wird.
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US-A-5
538 433 offenbart einen. elektrischen Verbinder mit einer laminierten
Basisplatte, die durch wechselndes Laminieren von ersten bis vierten
leitenden Schichten und dielektrischen Schichten und mehreren verbindenden
Kontaktstiften (Signal-Kontaktstift und Stromquellen-Kontaktstift)
gebildet wird, die die laminierte Basisplatte durchdringen. Der Stromquellen-Kontaktstift
ist mit der ersten leitenden Schicht elektrisch verbunden, wobei
der Signal-Kontaktstift von den leitenden Schichten isoliert ist.
Des Weiteren sind zwischen diesen Verbindungsstiften mehrere Verbindungsöffnungen
in der Basisplatte ausgebildet, wobei fünfte leitende Schichten in
diesen Verbindungsöffnungen
mit den ersten bis vierten leitenden Schichten elektrisch verbunden
sind.
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OFFENBARUNG
DER ERFINDUNG
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die oben vermerkten
Probleme zu lösen
und ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Gerätes bereitzustellen,
in dem das Unterdrücken der
Zunahme der Größe der Montagefläche und
das Anordnen eines Kondensators in der Nähe eines Halbleiterchips zur
gleichen Zeit realisiert werden können.
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Um
die oben erwähnte
Aufgabe zu erfüllen, ist
ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes gemäß der vorliegenden
Erfindung in Anspruch 1 definiert. Mit dieser Konfiguration kann
ein einfaches Verfahren gewünschte
dünne Metallfolien miteinander
unter den Metallfolien verbinden, die in dem elektronischen Gerät schichtweise
angeordnet sind. Daher sind Ableitelektroden auf den dünnen Metallfolien
ausgebildet, die auf diese Weise verbunden sind, wobei sie ermöglichen,
dass mehrere dünne
Metallfolien, die verbunden sind, als Elektrodenschichten mit dem
gleichen elektrischen Potenzial wirken.
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Bei
dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung kann man die Öffnungen erhalten, indem die
dielektrische dünne
Folie aufgebracht wird, wobei dann ein Laserstrahl einen vorgegebenen
Bereich bestrahlt, um einen Teil der dielektrischen dünnen Folie
zu entfernen. Somit kann die dielektrische dünne Folie mit den Öffnungen
einfach und wirksam an einer gewünschten
Stelle in einer genauen Weise gebildet werden.
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Es
ist vorzuziehen, dass der Laserstrahl ein Kohlendioxidgas-Laser
ist. Somit kann nur die dielektrische dünne Folie wirksam entfernt
werden, ohne eine Verschlechterung der dünnen Metallfolie zu verursachen.
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Alternativ
kann man bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des
elektronischen Gerätes
der vorliegenden Erfindung die Öffnungen durch
eine Ölschablone
erhalten. Somit kann die dielektrische dünne Folie mit den Öffnungen
leicht und wirksam bei niedrigen Kosten gebildet werden.
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Es
ist vorzuziehen, dass ein Öl,
das für
die Ölschablone
verwendet wird, ein auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, ein Mineralöl oder ein
Fluorkohlenwasserstoff-Öl
ist. Da diese Öle
eine ausgezeichnete Benetzungsfähigkeit
für die
dünne Metallfolie haben
und zuverlässig
verhindern, dass dünnes Harzfolienmaterial
anhaftet, kann die Öffnung
mit einer klaren Umrandung zuverlässig ausgebildet werden.
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Außerdem ist
es bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der
vorliegenden Erfindung vorzuziehen, dass, nachdem die Schritte zum
Aufbringen wiederholt durchgeführt
wurden, ein Teil der dünnen
Me tallfolie zu einer Fläche
des schichtweise angeordneten Erzeugnisses freiliegt, die man in
der Beschichtungsrichtung erhalten hat. Mit dieser Konfiguration
kann der freiliegende Teil der dünnen
Metallfolie in eine Ableitelektrode verarbeitet werden.
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Es
ist vorzuziehen, dass eine leitende Substanz auf eine Oberfläche des
freiliegenden Teils der dünnen
Metallfolie aufgetragen wird. Mit anderen Worten, es ist vorzuziehen,
dass die leitende Substanz auf dem freiliegenden Teil der dünnen Metallfolie
haftet, so dass sie wegen des leichten Herausführens der Elektrode und der
Verbindung mit der Verdrahtungsplatte und den anderen elektronischen
Geräten
auf der gleichen Ebene liegt oder von der äußeren Fläche des elektronischen Gerätes vorsteht.
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Das
Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes mit mehreren dielektrischen
dünnen Folien
weist das Aufbringen einer dielektrischen dünnen Folie mit einer Öffnung in
einem vorgegebenen Teil mehrere Male auf, so dass man ein schichtweise angeordnetes
Produkt erhält,
das die dielektrische dünne
Folie mit einem Durchdringungsloch umfasst, das in einer Beschichtungsrichtung
hindurch dringt. Mit dieser Konfiguration kann ein einfaches Verfahren
das Durchdringungsloch für
die Durchdringungselektrode bilden, das das elektronische Gerät in der Beschichtungsrichtung
durchdringt.
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Außerdem wird
bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung, nachdem die dielektrischen dünnen Folien
mehrere Male aufgetragen wurden, eine leitende Substanz in das Durchdringungsloch
des schichtweise angeordneten Produktes gefüllt, das man erhalten hat.
Somit kann man eine Durchdringungselektrode, die das elektronische Gerät in der
Beschichtungsrichtung durchdringt, erhalten.
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Das
Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes gemäß der vorliegenden Erfindung weist
das Ausbilden einer dünnen
Metallfolie, die in einer Streifenform strukturiert ist, das Ausbilden
einer dielektrischen dünnen
Folie mit einer Öffnung
in einem Bereich, in dem die dünne
Metallfolie nicht ausgebildet ist, das Ausbilden einer dünnen Metallfolie, die
in einer Streifenform strukturiert ist, in einem Bereich ohne die Öffnung auf
der dielektrischen dünnen Folie,
und das Füllen
einer leitenden Substanz in die Öffnung
auf. Mit dieser Konfiguration kann ein einfaches Verfahren eine
Durchdringungselektrode bilden, die das elektronische Gerät in der
Beschichtungsrichtung durchdringt und nicht mit der dünnen Metallfolie
in dem elektrischen Gerät
verbunden ist. Zusätzlich
kann eine gewünschte
Schaltungskonfiguration, die von einer solchen Durchdringungselektrode
unabhängig
ist, für
das gleiche elektronische Gerät
bereitgestellt werden. Somit ist es zum Beispiel möglich, das
elektronische Gerät,
das man durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung erhalten
hat, auf einer Verdrahtungsplatte zu montieren und ein weiteres
elektronisches Gerät
(zum Beispiel einen Halbleiterchip) darauf anzuordnen, um dieses
elektronische Gerät
mit der Verdrahtungsplatte über
die Durchdringungselektrode zu verbinden. Da das elektronische Gerät, das man
durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung erhalten hat, die
dünnen
Metallfolien und die dielektrische dünne Folie aufweist, die zwischen
den dünnen
Metallfolien angeordnet ist, ist es zum Beispiel außerdem möglich, einen
Kondensator in dem elektronischen Gerät zu bilden. Während die
Zunahme der Größe einer
Montagefläche
unterdrückt
wird, kann der Kondensator infolgedessen in der Nähe des Halbleiterchips
angeordnet werden, wobei dadurch eine Hochfrequenz-Ansteuerung des Halbleiterchips
und ein Unterdrücken
der Zu nahme der Größe der Montagefläche zur
gleichen Zeit realisiert werden.
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Bei
dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, dass die leitende
Substanz von den dünnen
Metallfolien elektrisch isoliert ist. Mit dieser Konfiguration werden
zum Beispiel eine Leiterplatte und das andere elektronische Gerät elektrisch
miteinander über
die Durchdringungselektrode verbunden, als ob es das elektronische
Gerät dazwischen
nicht geben würde.
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Außerdem sind
bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung die dünnen
Metallfolien so ausgebildet, dass sie im Wesentlichen streifenförmig sind.
Mit dieser Konfiguration kann das elektronische Gerät mit der
oben genannten Konfiguration effizient hergestellt werden.
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Die
im Wesentlichen streifenförmige
dünne Metallfolie
ist so ausgebildet, dass eine Richtung des Streifens die darunter
ausgebildete kreuzt (so dass Streifenrichtungen einer dünnen Metallfolie
und ihrer benachbarten dünnen
Metallfolie wie schräge
Linien ausgebildet sind). Da die dünnen Metallfolien über und
unter der dielektrischen dünnen
Folie einen vorgegebenen überlappten
Teil in der Beschichtungsrichtung haben, kann somit in diesem Teil
ein Kapazität
bildender Bereich gebildet werden. Die Richtungen der Streifen der
dünnen
Metallfolie müssen
sich nicht rechtwinklig kreuzen und können sich schiefwinklig kreuzen.
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Außerdem ist
es bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der
vorliegenden Erfindung vorzuziehen, dass sich beide dünnen Metallfolien,
die an beiden Seiten der dielektrischen dünnen Folie ausgebildet sind,
mit einer vorgegebenen Größe in einer
Beschichtungsrichtung überlappen.
Somit kann wahlweise eine Struktu rierungsform der dünnen Metallfolie
entworfen werden, wobei zur gleichen Zeit der Kapazität bildende
Bereich ausgebildet werden kann.
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Außerdem ist
es bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der
vorliegenden Erfindung vorzuziehen, dass eine Elektrode, die mit
mindestens einem Teil der dünnen
Metallfolie elektrisch verbunden ist, auf einer Oberfläche im Wesentlichen
rechtwinklig zu einer Oberfläche
ausgebildet ist, auf der die dünne
Metallfolie ausgebildet ist. Mit dieser Konfiguration kann man das
elektronische Gerät
mit einer externen Elektrode auf einer Oberfläche erhalten, die sich von
der Oberfläche
unterscheidet, auf der die Durchdringungselektrode ausgebildet ist
(die äußere Oberfläche des
elektronischen Gerätes,
zu der die Durchdringungselektrode freiliegt).
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Es
ist vorzuziehen, dass mehrere Elektroden ausgebildet werden, wobei
ein Teil oder alle Elektroden elektrisch voneinander isoliert sind.
Somit können
mehrere unabhängige
Kondensatoren in dem elektronischen Gerät ausgebildet werden. Außerdem kann
die Änderung
der Größe und Anzahl
der dünnen
Metallfolien, die mit einer Elektrode verbunden sind, die Kapazität von jedem
Kondensator ändern.
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Bei
dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, dass die dielektrische
dünne Folie
eine zweite Öffnung
in einem Bereich hat, in dem die dünnen Metallfolien ausgebildet sind,
und über
die zweite Öffnung
beide dünnen
Metallfolien elektrisch verbindet, die an beiden Seiten der dielektrischen
dünnen
Folie ausgebildet sind. Mit dieser Konfiguration kann ein einfaches
Verfahren gewünschte
dünne Metallfolien
unter dünnen
Metallfolien miteinander verbinden, die in dem elektronischen Gerät schichtweise
angeordnet sind. Daher werden Ableitelektroden auf den dünnen Metallfo lien gebildet,
die auf diese Weise verbunden sind, die es mehreren dünnen Metallfolien,
die verbunden sind, ermöglichen,
als Elektrodenschichten mit dem gleichen elektrischen Potenzial
zu wirken.
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Bei
dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung kann die strukturierte dünne Metallfolie
ausgebildet werden, indem die dünne
Metallfolie nach dem Auftragen einer festen Schablone oder einer
Verdampfungsschablone ausgebildet wird oder indem die dünne Metallfolie
gefolgt von einem Laser-Ätzen
gebildet wird. Mit dieser Konfiguration kann man die dünne Metallfolie
mit einer gewünschten
Form leicht und effizient erhalten.
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Die Öffnungen
brauchen in der dielektrischen dünnen
Folie nicht ausgebildet werden, während das schichtweise angeordnete
Produkt hergestellt wird, wobei Löcher ausgebildet werden können, nachdem
man das schichtweise angeordnete Produkt erhalten hat, wobei dadurch
die Vorrichtung zur Herstellung des schichtweise angeordneten Produktes
vereinfacht wird.
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Bei
dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung kann das Loch ein Durchdringungsloch
sein, das so ausgebildet ist, dass es nicht die dünnen Metallfolien
durchdringt. Damit kann die Durchdringungselektrode leicht gebildet
werden.
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Außerdem werden
mehrere Schichten der dünnen
Metallfolie gebildet, wobei das Loch so ausgebildet ist, dass ein
Teil der dünnen
Metallfolie zu einer inneren Wand des Lochs freiliegt. Dann kann
das Füllen
der leitenden Substanz, so dass sie mit der freiliegenden dünnen Metallfolie
verbunden ist, eine Ableitelektrode leicht bilden. Es ist für das Loch
hier möglich,
das elektronische Gerät
zu durchdringen oder nicht zu durchdringen.
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Bei
dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Loch durch
Einstrahlen eines Laserstrahls gebildet wird. Mit dieser Konfiguration
kann das Loch effizient gebildet werden. Die hier verwendete Laserstrahl-Quelle wird
vorzugsweise unter der Berücksichtigung
ausgewählt,
ob sie die Schichten der dünnen
Metallfolie zur gleichen Zeit durchdringt oder nicht.
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Ein
elektronisches Gerät,
das durch das Verfahren von Anspruch 1 gemäß der vorliegenden Erfindung
hergestellt werden kann, weist Elektrodenschichten, die einander
gegenüberliegend
angeordnet sind, ein Dielektrikum, das zwischen den Elektrodenschichten
angeordnet ist, eine Verbindungselektrode, die mit mindestens einer
der Elektrodenschichten verbunden ist, und Durchdringungselektroden auf,
die das elektronische Gerät
durchdringen, ohne mit den Elektrodenschichten verbunden zu sein.
Da das elektronische Gerät
die Durchdringungselektroden aufweist, ist es zum Beispiel möglich, das
elektronische Gerät
auf einer Verdrahtungsplatte zu montieren und ein weiteres elektronisches
Gerät (zum Beispiel
einen Halbleiterchip) darauf anzuordnen, um dieses elektronische
Gerät mit
der Verdrahtungsplatte über
die Durchdringungselektrode zu verbinden. Da außerdem das elektronische Gerät die Elektrodenschichten
und das Dielektrikum aufweist, das zwischen den Elektrodenschichten
angeordnet ist, ist es zum Beispiel möglich, einen Kondensator in
dem elektronischen Gerät
zu bilden. Infolgedessen kann, während
die Zunahme der Größe einer
Montagefläche
unterdrückt
wird, der Kondensator in der Nähe des
Halbleiterchips angeordnet werden, wobei dadurch eine Hochfrequenz-Ansteuerung
des Halbleiterchips und ein Unterdrücken der Zunahme der Größe der Montagefläche zur
gleichen Zeit realisiert werden.
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Es
ist vorzuziehen, dass die oben erwähnten Durchdringungselektroden
das elektronische Gerät in
einer Richtung durchdringen, die im Wesentlichen parallel zur Anordnungsrichtung
der Elektrodenschicht und des Dielektrikums verläuft. Das elektronische Gerät mit einer
solchen Konfiguration ist leicht herzustellen.
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Bei
dem oben beschriebenen elektronischen Gerät sind die Durchdringungselektroden
wie Gitterpunkte angeordnet, wobei die Elektrodenschichten eine
erste Elektrodenschicht und eine zweite Elektrodenschicht aufweisen,
die zwischen den Durchdringungselektroden angeordnet sind, und die
erste Elektrodenschicht und die zweite Elektrodenschicht so angeordnet
sind, dass sie von einer Durchdringungsrichtung der Durchdringungselektroden
aus gesehen wie ein Gitter miteinander gekreuzt sind und so, dass
das Dielektrikum dazwischen angeordnet ist. Alternativ können die
Elektrodenschichten eine erste Elektrodenschicht und eine zweite
Elektrodenschicht aufweisen, die so angeordnet sind, dass sie einen
zugewandten Teil mit einer vorgegebenen Größe haben und so, dass das Dielektrikum
dazwischen angeordnet ist. Mit dieser Konfiguration kann ein Kondensator
mit einer gewünschten
Kapazität
in dem elektronischen Gerät
leicht gebildet werden.
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Bei
dem elektronischen Gerät
kann die Verbindungselektrode eine Ableitelektrode sein, die in der
gleichen Ebene wie die Durchdringungselektrode ausgebildet ist.
Mit anderen Worten, die Ableitelektrode und die Durchdringungselektrode
können
so ausgebildet sein, dass sie zur gleichen Oberfläche des
elektronischen Gerätes
freiliegen. Mit dieser Konfiguration kann die ab Ableitelektrode
mit der Verdrahtungsplatte, die verwendet wird, um die Elektrodenschichten
im elektronischen Gerät
mit Spannung zu versorgen, auf der gleichen Ebene wie die Durchdringungselektrode
(zum Beispiel der unteren Oberfläche
oder der oberen Oberfläche
des elektronischen Ge rätes)
in einer ähnlichen
Weise verbunden werden. Infolgedessen kann die Montagefläche weiterhin
verringert werden.
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Außerdem kann
ein weiteres elektronisches Gerät,
das auf dem elektronischen Gerät
angeordnet ist, leicht mit der Ableitelektrode verbunden werden.
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Zusätzlich kann
in dem elektronischen Gerät die
Verbindungselektrode eine externe Elektrode sein, die in einer anderen
Ebene als die Durchdringungselektrode ausgebildet ist. Zum Beispiel
kann die Durchdringungselektrode so ausgebildet sein, dass sie zu
der oberen und der unteren Außenfläche des
elektronischen Gerätes
freiliegt, wobei die Verbindungselektrode (die externe Elektrode)
an der Randfläche
des elektronischen Gerätes
ausgebildet ist. Wenn mit dieser Konfiguration das elektronische Gerät auf der
Verdrahtungsplatte montiert wird, kann die externe Elektrode leicht
auf die Verdrahtungsplatte gelötet
werden.
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Bei
dem elektronischen Gerät
ist es vorzuziehen, dass mehrere Kapazität bildende Bereiche zwischen
der ersten Elektrodenschicht und der zweiten Elektrodenschicht gebildet
werden. Somit kann ein Kondensator innerhalb des elektronischen
Gerätes
ausgebildet werden.
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Es
ist vorzuziehen, dass die Verbindungselektroden, die mit der ersten
Elektrodenschicht und der zweiten Elektrodenschicht verbunden sind,
die die Kapazität
bildenden Bereiche bilden, voneinander isoliert sind. Mit dieser
Konfiguration können mehrere
unabhängige
Kondensatoren innerhalb des elektronischen Gerätes gebildet werden.
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Wenn
des Weiteren die Kapazität
bildenden Bereiche mit unterschiedlichen Kapazitäten gebildet werden, können mehrere
Kondensatoren mit unterschiedlicher Kapazität innerhalb des elektronischen Gerätes gebildet
werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
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Es
zeigen:
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1 eine
schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen Gerätes gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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2 eine
Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen
Gerätes von 1 zeigt;
-
3 eine
schematische Perspektivansicht, die eine Vorrichtung zur Herstellung
des elektronischen Gerätes
von 1 zeigt;
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4 eine
schematische Ansicht, die ein Beispiel zeigt, das das elektronische
Gerät von 1 verwendet;
-
5 eine
schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen Gerätes gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
-
6 eine
Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen
Gerätes von 5 zeigt;
-
7 eine
schematische Querschnittsansicht, die eine Vorrichtung zur Herstellung
des elektronischen Gerätes
von 5 zeigt;
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8 eine
schematische Ansicht, die ein Beispiel zeigt, das das elektronische
Gerät von 5 verwendet;
-
9 eine
schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen Gerätes gemäß der dritten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
-
10 eine
Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen
Gerätes von 9 zeigt;
-
11 eine
schematische Ansicht, die ein Beispiel zeigt, das das elektronische
Gerät von 9 verwendet.
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BESTE AUSFÜHRUNGSART
DER ERFINDUNG
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Das
Folgende ist eine Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung sowie von Beispielen von elektronischen Geräten und Verfahren
zu deren Herstellung, die nützlich
sind, um die Erfindung zu verstehen, mit Bezug auf die begleitenden
Zeichnungen.
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(Erste Ausführungsform)
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1 ist
eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen
Gerätes 10 zeigt. 2 ist
eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des
elektronischen Gerätes
von 1 zeigt.
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Mehrere
erste Elektrodenschichten 1 sind so ausgebildet, dass sie
sich streifenförmig
(bandförmig)
auf im Wesentlichen der gleichen Ebene befinden, wobei mehrere zweite
Elektrodenschichten 2 so ausgebildet sind, dass sie sich
streifenförmig
(bandförmig)
auf im Wesentlichen der gleichen Ebene befinden. Sie sind schichtweise
so angeordnet, dass eine dielektrische Schicht 3 zwischen
den ersten Elektrodenschichten 1 und den zweiten Elektrodenschichten 2 angeordnet
ist. Durch das Kreuzen der Richtungen der Streifen der ersten Elektrodenschichten 1 und
der zweiten Elektrodenschichten 2 werden Kapazität bildende
Bereiche 9 an den Schnittpunkten gebildet und wirken als
Kondensatoren.
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Eine
erste Ableitelektrode 4 ist mit der ersten Elektrodenschicht 1 verbunden,
wobei eine zweite Ableitelektrode 5 mit der zweiten Elektrodenschicht 2 verbunden
ist. Sie können
als Verbindungsanschlüsse
genutzt werden, wenn der Kapazität
bildende Bereich 9 als ein Kondensator wirkt, wie oben
erwähnt ist.
Die Ableitelektroden 4 und 5 können so ausgebildet sein, dass
sie das elektronische Gerät 10 in
der Beschichtungsrichtung gemäß 1 und 2 durchdringen,
oder so, dass sie nur an einer Oberfläche des elektronischen Gerätes erscheinen.
Es ist möglich,
dass eine der Ableitelekt roden 4 und 5 so ausgebildet
ist, dass sie das elektronische Gerät durchdringt, wobei die andere
nur auf einer Oberfläche
davon erscheint.
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Neben
den Ableitelektroden 4 und 5 sind Durchdringungselektroden 6 in
dem elektronischen Gerät 10 ausgebildet.
Diese Durchdringungselektroden 6 verbinden die anderen
elektronischen Geräte elektrisch,
die über
und unter dem elektronischen Gerät 10 angeordnet
sind, als ob es das elektronische Gerät zwischen ihnen nicht geben
würde.
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Ein
Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten 1 und 2 kann
ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine Metallverbindung
sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen Schicht 3 kann
ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz, ein keramisches
Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff
oder ein auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff,
ein Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder ein Halbmetalloxid
wie Siliziumoxid sein. Außerdem
kann ein Material zum Ausbilden der Ableitelektroden 4 und 5 und
der Durchdringungselektroden 6 eine leitende Paste oder
ein leitendes Polymer zusätzlich
zu einem Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Kupfer oder einem Lötmaterial
sein.
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Die
Elektrodenschichten 1 und 2 können durch Vakuumverdampfung,
Sputtern oder galvanisches Beschichten oder dergleichen ausgebildet werden.
Außerdem
können
die Elektrodenschichten 1 und 2 so ausgebildet
sein, dass sie durch Verwendung einer festen Schablone mit einer
Strukturierung, durch Verwendung einer Verdampfungsschablone aus Öl oder dergleichen
oder durch entsprechendes Laser-Ätzen
streifenförmig
sind. Das Material für
die Ölschablone
kann aus verschiedenen Ölsorten
wie auf Kohlenwasserstoff basierendem Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl bestehen.
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Die
dielektrische Schicht 3 kann durch die folgenden Verfahren
gebildet werden. Wenn ein auf Harz basierendes Material verwendet
wird, wird es durch Erwärmen
verdampft oder durch Ultraschallwellen oder Sprühen zerstäubt und anschließend aufgebracht.
Wenn das keramische Material oder das auf Metall basierende Material
verwendet wird, können
Sputtern, Verdampfen oder dergleichen gewählt werden.
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Um
die Ableitelektroden 4 und 5 und die Durchdringungselektroden 6 zu
bilden, werden Öffnungen
in der dielektrischen Schicht 3 durch die folgenden Verfahren
gebildet. Nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht, wird das
Dielektrikum in einem vorgegebenen Teil durch Laser-Ätzen entfernt. Alternativ
wird die dielektrische Schicht nach dem Auftragen der Verdampfungsschablone
wie Öl
gebildet. Eine gepunktete Verdampfungsschablone kann wirksam durch
ein Tintenstrahl-System aufgetragen werden, in dem Mikrotropfen
aus einem Schablonenmaterial von Mikroporen ausgestoßen werden.
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Wenn
die Ölschablone
aufgetragen wird, kann das Öl
wie auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl verwendet
werden.
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Wenn
die Verdampfungsschablone verwendet wird, kann überschüssiges Schablonenmaterial, das
nach dem Ausbilden von jeder Schicht übrig bleibt, wenn nötig durch
ein Infrarot-Dunkelstrahl-Heizgerät bzw. Fern-Infrarot-Heizgerät, einen Elektronenstrahl,
eine Bestrahlung mit einer Ultraviolettlampe oder eine Plasmabestrahlung
entfernt werden.
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3 ist
eine schematische Perspektivansicht einer Vorrichtung, um einen
Teil eines Beispiels von Schritten zur Herstellung der elektronischen
Geräte
von 1 und 2 zu beschreiben.
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Ein
Träger
wird von einer Kammer 11 zum Hereinbringen des Trägers hereingebracht,
die an der rechten Seite der Vorrichtung angeordnet ist, durch vorgegebene
Schritte ge führt
und dann von einem Tor 22 zum Herausnehmen des Trägers herausgenommen,
das an der linken Seite angeordnet ist. Mehrere Kammern, die durch
jeden Schritt geteilt sind, sind zwischen den Torventilen 12a und 12b angeordnet
und in einem Unterdruckbehälter
ausgebildet, in dem ein vorgegebener Grad des Unterdrucks aufrechterhalten
wird. Ein Beförderungssystem 21, das
im Wesentlichen in der Mitte der Vorrichtung angeordnet ist, bewegt
den Träger
von einer Kammer zur anderen, so dass eine vorgegebene Bearbeitung durchgeführt wird.
Ein Substrat, das zum Beispiel ein blattförmiges oder plattenförmiges Harz,
keramischen Werkstoff oder Metall aufweist, kann als der Träger verwendet
werden, wobei dielektrische dünne Folien
und dünne
Metallfolien darauf aufgebracht werden.
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Der
Träger
wird in die Kammer 11 zum Hereinbringen des Trägers gebracht
und wird dann über das
geöffnete
Torventil 12a in den Unterdruckbehälter gebracht. Zunächst bildet
eine Quelle 13 zum Ausbilden einer unteren Isolationsfolie
eine untere Isolationsfolie auf der Trägeroberfläche. Durch Verwendung einer
Strukturierungsschablone oder durch Einstrahlen eines Laserstrahls
können Öffnungen (Löcher) gebildet
werden, in denen die Durchdringungselektroden und die Ableitelektroden
ausgebildet werden. Anschließend
bildet eine Kombination aus einer Quelle 14 zum Ausbilden
einer dünnen
Metallfolie und einer Strukturierungsschablone eine erste strukturierte
dünne Metallfolie
(eine erste Elektrodenschicht). Danach bildet eine Quelle 15 zum
Ausbilden einer dielektrischen dünnen
Folie eine erste dielektrische dünne
Folie (eine dielektrische Schicht). Nach dem Ausbilden der ersten
dielektrischen dünnen
Folie entfernt ein Laserstrahl-Apparat 16 die
dielektrische dünne
Folie dort, wo die Ableitelektroden und die Durchdringungselektroden
ausgebildet werden. Als Nächstes
bildet eine Kombination aus einer Quel le 17 zum Ausbilden
einer dünnen
Metallfolie und einer Strukturierungsschablone eine zweite strukturierte
dünne Metallfolie
(eine zweite Elektrodenschicht). Daraufhin bildet eine Quelle 18 zum Ausbilden
einer dielektrischen dünnen
Folie eine zweite dielektrische dünne Folien (eine dielektrische Schicht).
Auch nach dem Ausbilden der zweiten dielektrischen dünnen Folie
entfernt ein Laserstrahl-Apparat 19 die dielektrische dünne Folie
dort, wo die Ableitelektroden und die Durchdringungselektroden ausgebildet
werden. Anschließend
wird der Träger wieder
zur Quelle 14 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie, zur Quelle 15 zum
Ausbilden einer dielektrischen dünnen
Folie, zum Laserstrahl-Apparat 16, zur Quelle 17 zum
Ausbilden einer dünnen
Metallfolie, zur Quelle 18 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie
und zum Laserstrahl-Apparat 19 in dieser Reihenfolge befördert, um
wie oben für
eine vorgegebene Anzahl von Malen bearbeitet zu werden. Nachdem
die Folien die vorgegebenen Male gebildet wurden, bildet eine Quelle 20 zum
Ausbilden einer oberen Isolationsfolie eine obere Isolationsfolie. Durch
Verwendung einer Strukturierungsschablone oder durch Einstrahlen
eines Laserstrahls können Öffnungen
(Löcher)
ausgebildet werden, in denen die Durchdringungselektroden und die
Ableitelektroden gebildet werden. Dann öffnet das Torventil 12b,
so dass der Träger
aus dem Tor 22 zum Herausnehmen des Trägers herausgenommen wird.
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Die
Durchdringungselektrode wird wie folgt gebildet. Eine leitende Paste
wird so aufgestrichen, dass sie ein Durchgangsloch, das ausgebildet
ist, füllt und
dann aushärtet.
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Die
Ableitelektrode kann in einer ähnlichen Weise
gebildet werden. Eine leitende Paste wird so aufgestrichen, dass
sie eine Öffnung
füllt,
die in der oberen Isolationsfolie und/oder der unteren Isolationsfolie
ausgebildet ist, um so mit der dünnen
Metallfolie verbunden zu werden, die zur Öff nung freiliegt. Das Ende
der Ableitelektrode kann in der gleichen Ebene liegen wie ein schichtweise
angeordnetes Produkt oder kann leicht von dessen Oberfläche vorstehen.
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In
einem geeigneten nachfolgenden Schritt wird das schichtweise angeordnete
Produkt in vorgegebene Größen geschnitten,
wo es notwendig ist.
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Das
gemäß der vorliegenden
Erfindung gebildete elektronische Gerät 10 wird verwendet,
indem es zum Beispiel zwischen einem Träger 28, auf dem ein
Halbleiterchip 27 montiert ist, und einer Verdrahtungsplatte 30 angeordnet
wird, wie in 4 schematisch gezeigt wird.
Ein Signalanschluss 29a an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 wird
mit einer Verdrahtungsstruktur 31, die auf der Verdrahtungsplatte 30 ausgebildet
ist, über
die Durchdringungselektrode 6 des elektronischen Gerätes 10 verbunden, wenn
es notwendig ist. Außerdem
wird ein Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 mit
der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und
weiter mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden. Der
andere Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 wird
mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und
weiter mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden. Die
Durchdringungselektrode 6 und die Ableitelektroden 4 und 5 können mit der
Verdrahtungsstruktur 31 auf der Oberfläche der Verdrahtungsplatte 30 gemäß 4 oder
mit einer anderen Einrichtung wie einer Verbindung innerhalb der
Verdrahtungsplatte 30 verbunden werden.
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Da
die erste Elektrodenschicht 1, die mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden
ist, und die zweite Elektrodenschicht 2, die mit der zweiten
Ableitelektrode 5 verbunden ist, durch die dazwischen angeordnete
dielektrische Schicht isoliert sind, wird, wenn ein Energieanschluss,
der mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden ist, ein
Vcc-Anschluss ist und ein Energieanschluss, der mit der zweiten
Ableitelektrode 5 verbunden ist, zum Beispiel ein Masseanschluss
ist, der zwischen der ersten Ableitelektrode 4 und der zweiten
Ableitelektrode 5 ausgebildete Kondensator die Montagefläche im Wesentlichen
nicht vergrößern und
wirkt als ein Durchleitungskondensator für die Stromversorgung in der
Nähe des
Halbleiterchips. Dies ist bei einer Hochfrequenz-Ansteuerung und bei einer Verringerung
der Größe der Montagefläche vorzuziehen.
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[Beispiel 1]
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Aluminium
wurde als ein Material für
die dünne
Metallfolie verwendet, Aluminiumoxid wurde als ein dielektrisches
Material verwendet, wobei eine auf Silber basierende Paste als eine
leitende Paste verwendet wurde. Als ein Verfahren zum Ausbilden
von Löchern
für Elektroden
in der dielektrischen Schicht wurde ein Tintenstrahl-System übernommen.
Das Tintenstrahl-System beinhaltet das Auflegen eines Ölschablonenmaterials
auf einen vorgegebenen Teil, bevor die dielektrische Schicht ausgebildet
wird. Als das Ölschablonenmaterial
wurde Fluorkohlenwasserstoff-Öl
verwendet. In einer Fläche
von 17 Quadratmillimeter wurden 484 Durchdringungselektroden mit
einem Durchmesser von 0,25 mm an Gitterpunkten mit einem Abstand
von 0,8 mm gebildet, wobei 462 Ableitelektroden 4 der Elektrodenschicht 1 und
462 Ableitelektroden 5 der Elektrodenschicht 2 mit
einem Durchmesser von jeweils 0,25 mm an Gitterpunkten mit einem
Abstand von 0,8 mm zwischen den Durchdringungselektroden gebildet
wurden. Die Elektrodenschichten 1 und 2 waren
beide 0,65 mm breite Mehrfachstreifen. Das Aufbringen der Elektrodenschicht
mit einer Dicke von 30 nm und der dielektrischen Schicht mit einer
Dicke von 0,5 μm
wurde wiederholt, so dass man 80 dielektrische Schichten erhalten
hat. Isolationsschichten mit einer Dicke von 4 μm wurden jeweils auf der oberen
und der unteren Seite des schichtweise angeordneten Produktes ausgebildet,
um dessen Festigkeit zu erhöhen.
Die obere und die untere Isolationsschicht wurden für die Vereinfachung
aus dem gleichen Material hergestellt wie die dielektrische Schicht.
Die untere Isolationsschicht wurde bearbeitet, um Löcher für die Durchdringungselektroden
und die Ableitelektroden durch Schablonen zu bilden. Die obere Isolationsschicht
wurde ebenfalls bearbeitet, um Löcher
für die
Durchdringungselektroden durch Schablonen zu bilden. Eine leitende
Paste wurde so aufgestrichen, dass der konkave Teil (Öffnung),
der durch die Bearbeitung des Lochs für die Durchdringungselektroden
und die Ableitelektroden gebildet wurde, gefüllt wurde und danach aushärtete.
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Ein
LCR-Messgerät
bestätigte
das Ergebnis, dass ein Kondensator mit einer Gesamtkapazität von 1 μF und tan δ 1,2 innerhalb
des schichtweise angeordneten Produktes mit einer Dicke von etwa
50 μm ausgebildet
wurde. Das gleiche Resultat wurde bei Verwendung einer feinen Linie
von Lötmaterial
an Stelle der leitenden Paste erreicht.
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(Zweite Ausführungsform)
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5 ist
eine schematische Draufsicht, die ein weiteres Beispiel des elektronischen
Gerätes 10 zeigt. 6 ist
eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des
elektronischen Gerätes von 5 zeigt.
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Mehrere
erste Elektrodenschichten 1 sind so ausgebildet, dass sie
auf der im Wesentlichen gleichen Ebene streifenförmig liegen, wobei mehrere zweite
Elektrodenschichten 2 so ausgebildet sind, dass sie auf
der im Wesentlichen gleichen Ebene streifenförmig liegen. Sie sind schichtweise
so angeordnet, dass eine dielektrische Schicht 3 zwischen den
ersten Elektrodenschichten 1 und den zweiten Elektrodenschichten 2 angeordnet
ist. Durch das Kreuzen der Richtungen der Streifen der ersten Elektrodenschichten 1 und
der zweiten Elektrodenschichten 2 werden Kapazität bildende
Bereiche 9 an den Schnittpunkten gebildet und wirken als
Kondensatoren.
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An
den Randflächen
des elektronischen Gerätes 10 sind
externe Elektroden 7 und 8 ausgebildet. Eine erste
externe Elektrode 7 ist mit der ersten Elektrodenschicht 1 verbunden,
wobei eine zweite externe Elektrode 8 mit der zweiten Elektrodenschicht 2 jeweils
in einer elektrischen Weise verbunden ist. Sie können als Verbindungsanschlüsse genutzt
werden, wenn der Kapazität
bildende Bereich 9 als Kondensator wirkt, wie oben erwähnt wurde.
Die externen Elektroden 7 und 8 können gemäß 5 an
beiden Seiten des elektronischen Gerätes, wobei sie einander zugewandt
sind, oder nur an einer Seite davon ausgebildet sein. Es ist möglich, eine
der externen Elektroden 7 und 8 an beiden Seiten
und die andere nur an einer Seite des elektronischen Gerätes auszubilden.
Außerdem
können
die externen Elektroden 7 und 8 so ausgebildet
sein, dass sie an beide Oberflächen
in der Beschichtungsrichtung des elektronischen Gerätes 10 gemäß 6 (obere
und untere Oberfläche)
oder nur an eine Oberfläche
davon reichen. Es ist möglich,
dass eine der externen Elektroden 7 und 8 an beide
Oberflächen
und die andere nur an eine Oberfläche des elektronischen Gerätes reicht.
Zusätzlich
können
mehrere Streifen der Elektrodenschichten 1 (oder 2)
mit einer externen Elektrode 7 (oder 8) verbunden
sein. Entsprechend kann die Kapazität eines gebildeten Kondensators
geändert werden.
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Neben
den externen Elektroden 7 und 8 sind Durchdringungselektroden 6 in
dem elektronischen Gerät 10 ausgebildet.
Diese Durchdringungselektroden 6 verbinden die anderen
elektronischen Geräte elektrisch,
die über
und unter dem elektronischen Gerät 10 angeordnet
sind, als ob es das elektronische Gerät zwischen ihnen nicht geben
würde.
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Ein
Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten 1 und 2 kann
ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine Metallverbindung
sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen Schicht 3 kann
ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz, ein keramisches
Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff
oder ein auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff,
ein Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder ein Halbmetalloxid
wie Siliziumoxid sein. Außerdem
kann ein Material zum Ausbilden der externen Elektroden 7 und 8 und
der Durchdringungselektroden 6 eine leitende Paste oder
ein leitendes Polymer zusätzlich
zu einem Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Kupfer oder einem Lötmaterial
sein.
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Die
Elektrodenschichten 1 und 2 können durch Vakuumverdampfung,
Sputtern oder galvanisches Beschichten oder dergleichen gebildet
werden. Außerdem
können
die Elektrodenschichten 1 und 2 so ausgebildet
sein, dass sie durch Ver- wendung einer festen Schablone mit Strukturierung, durch
Verwendung einer Verdampfungsschablone aus Öl oder dergleichen oder durch
entsprechendes Laser-Ätzen
streifenförmig
ausgebildet sind. Das Material für
die Ölschablone
kann aus verschiedenen Ölsorten
wie auf Kohlenwasserstoff basierendem Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl bestehen.
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Die
dielektrische Schicht 3 kann durch die folgenden Verfahren
gebildet werden. Wenn ein auf Harz basierendes Material verwendet
wird, wird es durch Erwärmen
verdampft oder durch Ultraschallwellen oder Sprühen zerstäubt und anschließend aufgebracht.
Wenn das keramische Material oder das auf Metall basierende Material
verwendet wird, können
Sputtern, Verdampfen oder dergleichen ausgewählt werden.
-
Die
externen Elektroden 7 und 8 können durch thermisches Spritzen,
galvanisches Beschichten oder Auftragen einer leitenden Paste oder
dergleichen gebildet werden.
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Um
die die Durchdringungselektroden 6 zu bilden, werden in
der dielektrischen Schicht 3 Öffnungen durch die folgenden
Verfahren gebildet. Nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht
wird das Dielektrikum in einem vorgegebenen Teil durch Laser-Ätzen entfernt.
Alternativ wird die dielektrische Schicht nach dem Auftragen der
Verdampfungsschablone wie Öl
gebildet. Eine gepunktete Verdampfungsschablone kann wirksam durch
ein Tintenstrahl-System aufgetragen werden, in dem Mikrotropfen
aus einem Schablonenmaterial von Mikroporen ausgestoßen werden.
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Wenn
die Ölschablone
aufgetragen wird, kann das Öl
wie auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl verwendet
werden.
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Wenn
die Verdampfungsschablone verwendet wird, kann überschüssiges Schablonenmaterial, das
nach dem Ausbilden von jeder Schicht übrig bleibt, wenn nötig durch
ein Infrarot-Dunkelstrahl-Heizgerät bzw. Fern-Infrarot-Heizgerät, einen Elektronenstrahl,
eine Bestrahlung mit einer Ultraviolettlampe oder eine Plasmabestrahlung
entfernt werden.
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7 ist
eine schematische Querschnittsansicht, die einen Teil eines Beispiels
einer Vorrichtung zur Herstellung des elektronischen Gerätes von 5 und 6 zeigt.
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Ein
Unterdruckbehälter 24 weist
mehrere Kammern auf, die durch jeden Schritt geteilt sind. Mit den
Kammern der Quellen 14 und 17 zum Ausbilden von
dünnen
Metallfolien sind Absaugsysteme 25 mit einer Vakuumpumpe
verbunden. In jeder Kammer des Unterdruckbehälters wird ein vorgegebener
Grad des Unterdrucks aufrechterhalten. Als ein Beförderungssystem
ist ein Träger,
der sich drehend in eine Richtung des Pfeils bewegt (eine zylindrische
Dosenwalze in 7), im Wesentlichen in der Mitte
des Unterdruckbehälters 24 angeordnet.
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Zunächst bildet
eine Quelle zum Ausbilden einer Isolationsfolie (eine Quelle 15 oder 18 zum
Ausbilden einer die lektrischen dünnen
Folie in 7) eine untere Isolationsfolie
auf der Dosenwalze 23. Nach dem Ausbilden der unteren Isolationsfolie
kann die Folie dort, wo die Durchdringungselektroden ausgebildet
werden, entfernt werden, um Öffnungen
(Löcher)
durch einen Laserstrahl-Apparat 16 oder 19 zu bilden.
Verschlüsse 26 der
Quellen 14 und 17 zum Ausbilden von dünnen Metallfolien
werden hier geschlossen. Das Drehen der Dosenwalze 23 für eine vorgegebene
Anzahl von Malen bildet die untere Isolationsfolie mit einer vorgegebenen
Dicke. Anschließend
wird der Verschluss 26 geöffnet, wobei dann eine Kombination
aus einer Quelle 14 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie
und einer Strukturierungsschablone eine erste strukturierte dünne Metallfolie (eine
erste Elektrodenschicht) bildet. Daraufhin bildet eine Quelle 15 zum
Ausbilden einer dielektrischen dünnen
Folie eine erste dielektrische dünne
Folie (eine dielektrische Schicht). Nach dem Ausbilden der ersten
dielektrischen dünnen
Folie entfernt ein Laserstrahl-Apparat 16 die dielektrische
dünne Folie
dort, wo die Durchdringungselektroden ausgebildet werden. Als Nächstes bildet
eine Kombination aus einer Quelle 17 zum Ausbilden einer
dünnen
Metallfolie und einer Strukturierungsschablone eine zweite strukturierte
dünne Metallfolie
(eine zweite Elektrodenschicht). Danach bildet eine Quelle 18 zum
Ausbilden einer dielektrischen dünnen
Folie eine zweite dielektrische dünne Folie (eine dielektrische
Schicht). Auch nach dem Ausbilden der zweiten dielektrischen dünnen Folie
entfernt ein Laserstrahl-Apparat 19 die dielektrische dünne Folie
dort, wo die Durchdringungselektroden ausgebildet werden. Anschließend wird
der Träger
wieder zur Quelle 14 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie,
zur Quelle 15 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie,
zum Laserstrahl-Apparat 16, zur Quelle 17 zum
Ausbilden einer dünnen
Metallfolie, zur Quelle 18 zum Ausbilden einer die lektrischen
dünnen
Folie und zum Laserstrahl-Apparat 19 in dieser Reihenfolge
befördert,
um für
eine vorgegebene Anzahl von Malen wie oben bearbeitet zu werden.
Nach dem Ausbilden der Folien für
eine vorgegebene Anzahl von Malen wird der Verschluss 26 geschlossen,
wobei dann die Quelle zum Ausbilden der Isolationsfolie (die Quelle 15 oder 18 zum
Ausbilden der dielektrischen dünnen
Folie in 7) eine obere Isolationsfolie
bildet. Nach dem Ausbilden der oberen Isolationsfolie kann die Folie dort,
wo die Durchdringungselektroden ausgebildet werden, durch den Laserstrahl-Apparat 16 oder 19 entfernt
werden, um Öffnungen
(Löcher)
zu bilden. Das Drehen der Dosenwalze 23 für eine vorgegebene
Anzahl von Malen bildet die obere Isolationsfolie mit einer vorgegebenen
Dicke.
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Die
Durchdringungselektrode wird wie folgt gebildet. Eine leitende Paste
wird so aufgestrichen, dass sie ein Durchgangsloch, das ausgebildet
ist, füllt und
dann aushärtet.
-
In
einem späteren
geeigneten Schritt wird das schichtweise angeordnete Produkt wenn
nötig in vorgegebene
Größen geschnitten.
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Die
externen Elektroden werden an den Seiten des schichtweise angeordneten
Produktes gebildet, das in die vorgegebenen Größen durch thermisches Spritzen
oder Auftragen einer Paste geschnitten wird.
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Das
getrennte Ausbilden der externen Elektroden durch Verwendung einer
Schablone oder eines Decklacks kann die Anzahl der streifenförmigen Elektroden
regeln, die mit den einzelnen externen Elektroden verbunden werden.
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Das
gebildete elektronische Gerät 10 wird verwendet,
indem es zum Beispiel zwischen einem Träger 28, auf dem ein
Halbleiterchip 27 montiert ist, und einer Verdrahtungsplatte 30 angeordnet
wird, wie schematisch in 8 gezeigt wird. Ein Signalanschluss 29a an
der unteren Oberfläche
des Trägers 28 wird
mit einer Verdrahtungsstruktur 31, die auf der Verdrahtungsplatte 30 ausgebildet
ist, über
die Durchdringungselektrode 6 des elektronischen Gerätes 10 verbunden,
wenn es notwendig ist. Außerdem wird
ein Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 mit
der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und
weiter mit der ersten externen Elektrode 7 verbunden. Der
andere Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 wird
mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und
weiter mit der zweiten externen Elektrode 8 verbunden.
Die Durchdringungselektrode 6 und die externen Elektroden 7 und 8 können mit
der Verdrahtungsstruktur 31 auf der Oberfläche der
Verdrahtungsplatte 30 gemäß 8 oder mit
einer anderen Einrichtung wie einer Verbindung innerhalb der Verdrahtungsplatte 30 oder der
der oberen Oberfläche
des elektronischen Gerätes
der vorliegenden Erfindung verbunden werden. Die externen Elektroden 7 und 8 und
die Verdrahtungsplatte 30 können mit einer Lötverbindung 32 oder
mit anderen Mitteln verbunden werden.
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Da
die erste Elektrodenschicht 1, die mit der ersten externen
Elektrode 7 verbunden ist, und die zweite Elektrodenschicht 2,
die mit der zweiten externen Elektrode 8 verbunden ist,
durch die dazwischen angeordnete dielektrische Schicht isoliert
sind, wird, wenn zum Beispiel ein Energieanschluss, der mit der ersten
externen Elektrode 7 verbunden ist, ein Vcc-Anschluss ist
und ein Energieanschluss, der mit der zweiten externen Elektrode 8 verbunden
ist, eine Masseanschluss ist, der zwischen der ersten externen Elektrode 7 und
der zweiten externen Elektrode 8 ausgebildete Kondensator
die Montagefläche
im Wesentlichen nicht vergrößern und
wirkt als ein Durchleitungskondensator für die Stromversorgung in der
Nähe des
Halbleiterchips. Dies ist bei einer Hochfrequenz-Ansteuerung und
bei einer Verringerung der Größe der Montagefläche vorzuziehen.
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[Beispiel 2]
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Aluminium
wurde als ein Material für
die dünne
Metallfolie verwendet, Acrylat wurde als ein dielektrisches Material
verwendet, wobei eine auf Silber basierende Paste als eine leitende
Paste verwendet wurde. Zum Ausbilden der Löcher für die Durchdringungselektroden
in der dielektrischen Schicht wurde das folgende Verfahren übernommen.
Das Verfahren weist das Entfernen des Dielektrikums in einem vorgegebenen
Teil durch Laser-Ätzen
nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht auf. Als Laser wurde ein
Kohlendioxidgas-Laser mit einer Ausgabe von 10 W verwendet. In einer
Fläche
von 17 Quadratmillimeter wurden 484 Durchdringungselektroden mit
einem Durchmesser von 0,25 mm an Gitterpunkten mit einem Abstand
von 0,8 mm gebildet. Die Elektrodenschichten 1 und 2 waren
beide 0,8 mm breite Mehrfachstreifen. Das Aufbringen der Elektrodenschicht mit
einer Dicke von 30 nm und der dielektrischen Schicht mit einer Dicke
von 0,25 μm
wurde wiederholt, um 140 dielektrische Schichten zu erhalten. Isolationsschichten
mit einer Dicke von 5 μm
wurden jeweils auf der oberen und der unteren Seite des schichtweise
angeordneten Produktes ausgebildet, um dessen Festigkeit zu erhöhen. Die
obere und die untere Isolationsschicht wurden für die Vereinfachung aus dem
gleichen Material hergestellt wie die dielektrische Schicht. Die
obere und die untere Isolationsschicht wurden mit einem Laser bearbeitet,
um die Durchdringungselektroden zu bilden. Anschließend wurde
das schichtweise angeordnete Produkt geschnitten, wobei eine Messingschicht
mit einer Dicke von 20 μm
auf der Schnittfläche
durch ein thermisches Spritzen, gefolgt vom Ausbilden einer Lötplattenschicht
mit einer Dicke von 60 μm
ausgebildet wurde, um eine externe Elektrode herzustellen. Eine leitende
Paste wurde so aufgestrichen, dass der konkave Teil (Öffnung),
der durch die Bearbeitung des Lochs für die Durch dringungselektroden
gebildet wurde, gefüllt
wurde und danach aushärtete.
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Ein
LCR-Messgerät
bestätigte
das Ergebnis, dass ein Kondensator mit einer Gesamtkapazität von 1 μF und tan δ 0,8% innerhalb
des schichtweise angeordneten Produktes mit einer Dicke von etwa
50 μm ausgebildet
wurde.
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(Dritte Ausführungsform)
-
9 ist
eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines weiteren elektronischen
Gerätes 10 zeigt. 10 ist
eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des
elektronischen Gerätes
von 9 zeigt.
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Mehrere
erste Elektrodenschichten 1 sind mit einer vorgegebenen
Struktur in im Wesentlichen der gleichen Ebene ausgebildet, wobei
mehrere zweite Elektrodenschichten 2 mit einer vorgegebenen
Struktur in im Wesentlichen der gleichen Ebene ausgebildet sind.
Sie sind schichtweise so angeordnet, dass eine dielektrische Schicht 3 zwischen
den ersten Elektrodenschichten 1 und den zweiten Elektrodenschichten 2 angeordnet
ist. Durch das Ausbilden der ersten Elektrodenschichten 1 und
der zweiten Elektrodenschichten 2 so, dass sich mindestens ein
Teil von ihnen miteinander überlappt
(zugewandt ist), werden Kapazität
bildende Bereiche 9 an den sich überlappenden Teilen (zugewandten
Teilen) gebildet und wirken als Kondensatoren. Die Kapazität kann durch
Einstellen der Größe von jedem überlappenden
Teil (den Kapazität
bildenden Bereich 9) geändert
werden.
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Eine
erste Ableitelektrode 4 ist mit der ersten Elektrodenschicht 1 verbunden,
wobei eine zweite Ableitelektrode 5 mit der zweiten Elektrodenschicht 2 verbunden
ist. Sie können
als Verbindungsanschlüsse
genutzt werden, wenn der Kapazität
bildende Bereich 9 als Kondensator wirkt, wie oben erwähnt wurde.
Die Ableitelektroden 4 und 5 können so ausgebildet sein, dass
sie das elektronische Gerät 10 in
der Be schichtungsrichtung gemäß 9 und 10 durchdringen
oder nur an einer Oberfläche
des elektronischen Gerätes
erscheinen. Es ist möglich,
dass eine der Ableitelektroden 4 und 5 so ausgebildet
ist, dass sie das elektronische Gerät durchdringt, wobei die andere
nur auf einer Oberfläche
davon erscheint.
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Neben
den Ableitelektroden 4 und 5 sind Durchdringungselektroden 6 in
dem elektronischen Gerät
ausgebildet. Diese Durchdringungselektroden 6 verbinden
elektrisch die anderen elektronischen Geräte, die über und unter dem elektronischen
Gerät 10 angeordnet
sind, als ob es das elektronische Gerät zwischen ihnen nicht geben
würde.
-
Ein
Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten 1 und 2 kann
ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine Metallverbindung
sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen Schicht 3 kann
ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz, ein keramisches
Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff
oder auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff, ein
Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder ein Halbmetalloxid
wie Siliziumoxid sein. Außerdem
kann ein Material zum Ausbilden der Ableitelektroden 4 und 5 und
der Durchdringungselektroden 6 zusätzlich zu einem Metall wie Gold,
Silber, Aluminium, Kupfer oder einem Lötmaterial eine leitende Paste
oder ein leitendes Polymer sein.
-
Die
Elektrodenschichten 1 und 2 können durch Vakuumverdampfung,
Sputtern oder galvanisches Beschichten oder dergleichen gebildet
werden. Außerdem
können
die Elektrodenschichten 1 und 2 in der vorgegebenen
Struktur (Form) wie einer polygonalen Form durch Verwendung einer
festen Schablone mit Strukturierung, durch Verwendung einer Verdampfungsschablone
aus Öl
oder dergleichen oder durch entsprechendes Laser-Ätzen ausgebildet
sein. Das Material für
die Ölschablone
kann aus verschiedenen Ölsorten
wie auf Kohlenwasserstoff basierendem Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl bestehen.
-
Die
dielektrische Schicht 3 kann durch die folgenden Verfahren
gebildet werden. Wenn ein auf Harz basierendes Material verwendet
wird, wird es durch Erwärmen
verdampft oder durch Ultraschallwellen oder Sprühen zerstäubt und anschließend aufgebracht.
Wenn das keramische Material oder das auf Metall basierende Material
verwendet wird, können
Sputtern, Verdampfen oder dergleichen ausgewählt werden.
-
Um
die Ableitelektroden 4 und 5 und die Durchdringungselektroden 6 zu
bilden, werden Öffnungen
in der dielektrischen Schicht 3 durch die folgenden Verfahren
ausgebildet. Nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht wird
das Dielektrikum in einem vorgegebenen Teil durch Laser-Ätzen entfernt. Alternativ
wird die dielektrische Schicht nach dem Auftragen der Verdampfungsschablone
wie Öl
gebildet. Eine gepunktete oder lineare Verdampfungsschablone kann
ebenfalls wirksam durch ein Tintenstrahl-System aufgetragen werden,
in dem Mikrotropfen aus einem Schablonenmaterial von Mikroporen
ausgestoßen
werden.
-
Wenn
die Ölschablone
aufgetragen wird, kann das Öl
wie auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl verwendet
werden.
-
Wenn
die Verdampfungsschablone verwendet wird, kann überschüssiges Schablonenmaterial, das
nach dem Ausbilden von jeder Schicht übrig bleibt, wenn nötig durch
ein Infrarot-Dunkelstrahl-Heizgerät bzw. Fern-Infrarot-Heizgerät, einen Elektronenstrahl,
eine Bestrahlung mit einer Ultraviolettlampe oder eine Plasmabestrahlung
entfernt werden.
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Das
elektronische Gerät
kann zum Beispiel durch Verwendung der Vorrichtung, die im ersten oder
zweiten Ausfüh rungsbeispiel
beschrieben wurde, in einer ähnlichen
Weise speziell hergestellt werden.
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Das
gebildete elektronische Gerät 10 wird verwendet,
indem es zum Beispiel zwischen einem Träger 28, auf dem ein
Halbleiterchip 27 montiert ist, und einer Verdrahtungsplatte 30 angeordnet
wird, wie schematisch in 11 gezeigt
wird. Ein Signalanschluss 29a an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 wird
mit einer Verdrahtungsstruktur 31, die auf der Verdrahtungsplatte 30 ausgebildet
ist, über die
Durchdringungselektrode 6 des elektronischen Gerätes 10 der
vorliegenden Erfindung verbunden, wenn es notwendig ist. Außerdem wird
ein Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 mit
der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und
weiter mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden. Der
andere Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des
Trägers 28 wird
mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und
weiter mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden. Die
Durchdringungselektrode 6 und die Ableitelektroden 4 und 5 können mit der
Verdrahtungsstruktur 31 an der Oberfläche der Verdrahtungsplatte 30 gemäß 11 oder
mit einer anderen Einrichtung wie einer Verbindung innerhalb der
Verdrahtungsplatte 30 verbunden werden. Alternativ kann
der Energieanschluss 29b an der unteren Seite des Trägers 28 mit
den Ableitelektroden 4 und 5 an der unteren Seite
des Trägers
verbunden werden, wobei dann das elektronische Gerät 10 der
vorliegenden Erfindung mit der Verdrahtungsplatte 30 auf
der Oberfläche
der Verdrahtungsplatte 30 verbunden werden kann. Die Bezugszahl 9 in 11 kennzeichnet
einen Kapazität
bildenden Bereich, der an dem überlappenden
Teil der ersten und der zweiten dünnen Metallfolien gebildet
wird.
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Da
die erste Elektrodenschicht 1, die mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden
ist, und die zweite Elektroden schicht 2, die mit der zweiten
Ableitelektrode 5 verbunden ist, durch die dazwischen angeordnete
dielektrische Schicht isoliert sind, wird zum Beispiel, wenn ein
Energieanschluss, der mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden
ist, ein Vcc-Anschluss ist
und der andere Energieanschluss, der mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden
ist, eine Masseanschluss ist, der zwischen der ersten Ableitelektrode 4 und
der zweiten Ableitelektrode 5 ausgebildete Kondensator
die Montagefläche
im Wesentlichen nicht vergrößern und
wirkt als ein Durchleitungskondensator für die Stromversorgung in der
Nähe des Halbleiterchips.
Dies ist bei einer Hochfrequenz-Ansteuerung
und bei einer Verringerung der Größe der Montagefläche vorzuziehen.
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[Beispiel 3]
-
Aluminium
wurde als ein Material für
die dünne
Metallfolie verwendet, Acrylat wurde als ein dielektrisches Material
verwendet, wobei eine auf Silber basierende Paste als eine leitende
Paste verwendet wurde. Beim Ausbilden einer Elektrodenschicht wurde
eine feste Schablone mit Durchgangslöchern verwendet, wobei beim
Ausbilden einer dielektrischen Schicht, Fluorkohlenwasserstoff-Öl als Material
für eine Ölschablone
zum Aufbringen mit einem Tintenstrahl-System verwendet wurde. In
einer Fläche
von 15 Quadratmillimeter wurden 20 × 10 Reihen, das heißt, insgesamt
200 Durchdringungselektroden mit einem Durchmesser von 0,3 mm bei
einem Abstand von 0,7 mm, und rechtwinklige Elektrodenschichten 1 und 2 mit
einer Breite von 1 bis 2 mm in verschiedenen Längen zwischen den Reihen der
Durchdringungselektroden ausgebildet, um Kondensatoren mit unterschiedlicher
Größe aus den überlappenden
Teile beider Elektroden herzustellen. Eine leitende Paste wurde
in Teile gefüllt,
die ein Loch von 0,25 mm × 1
mm definieren, um zwei Ableitelektroden in jedem Kondensator zu
bilden. Das Aufbringen der Elektrodenschicht mit einer Dicke von
30 nm und der dielektrischen Schicht mit einer Dicke von 0,3 μm wurde wiederholt,
um 130 dielektrische Schichten zu erhalten. Isolationsschichten
mit einer Dicke von 8 μm wurden
jeweils auf der oberen und der unteren Seite des schichtweise angeordneten
Produktes ausgebildet, um dessen Festigkeit zu erhöhen. Die
obere und die untere Isolationsschicht wurden für die Vereinfachung aus dem
gleichen Material hergestellt wie die dielektrische Schicht. Die
untere Isolationsschicht wurde bearbeitet, um Löcher für die Durchdringungselektroden
und die Ableitelektroden durch Schablonen zu bilden. Die obere Isolationsschicht
wurde ebenfalls bearbeitet, um Löcher
für die
Durchdringungselektroden durch Schablonen zu bilden. Eine leitende
Paste wurde so aufgestrichen, dass der konkave Teil (Öffnung),
der durch die Bearbeitung des Lochs für die Durchdringungselektroden
und die Ableitelektroden gebildet wurde, gefüllt wurde und danach aushärtete.
-
Ein
LCR-Messgerät
bestätigte
das Ergebnis, dass neun Kondensatoren, nämlich vier Kondensatoren mit
einer Kapazität
von 0,047 μF,
zwei Kondensatoren mit einer Kapazität von 0,068 μF, zwei Kondensatoren
mit einer Kapazität
von 0,1 μF
und ein Kondensator mit einer Kapazität von 0,47 μF bei tan δ 1,2% innerhalb des schichtweise
angeordneten Produktes mit einer Dicke von etwa 60 μm ausgebildet wurden.
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Ein
Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten ist nicht auf das
der oben beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsbeispiele und der Beispiele
1 bis 3 beschränkt,
sondern kann ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine
Metallverbindung sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen
Schicht kann ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz,
ein keramisches Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender
keramischer Werkstoff oder ein auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer
Werk stoff, ein Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder
ein Halbmetalloxid wie Siliziumoxid sein. Außerdem kann ein Material zum
Ausbilden der Durchdringungselektroden und der Ableitelektroden
zusätzlich
zu der leitenden Paste ein leitendes Polymer oder ein Metall wie
Gold, Silber, Aluminium, Kupfer oder ein Lötmaterial sein. Des Weiteren
kann ein Material zum Ausbilden der externen Elektroden zusätzlich zu
der leitenden Paste ein einzelnes Material sein, dass aus einem
leitenden Polymer und einem Metall wie Messing, Zink, Lötmaterial, Gold,
Silber und Kupfer ausgewählt
wird. Alternativ können
die externen Elektroden aus einer Kombination davon ausgebildet
sein. Zum Beispiel kann nach dem Ausbilden einer Messingschicht
eine Schicht aus leitender Paste darauf ausgebildet sein.
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In
den für
die Beschreibung der ersten bis dritten Ausführungsbeispiele verwendeten
Zeichnungen sind die Elektrodenschichten so angeordnet, dass sie
in der Beschichtungsrichtung von oben aus gesehen rechtwinklig zueinander
angeordnet sind, so dass sie rechtwinklige, Kapazität bildende
Bereiche bilden. Die Kapazität
bildenden Bereiche müssen
jedoch nicht rechtwinklig sein. Zum Beispiel kann das Kreuzen der
streifenförmigen
Elektroden schräg zueinander
den Kapazität
bildenden Bereich, der an dem Schnittpunkt gebildet wird, mit den
anderen Formen wie einem Parallelogramm bilden.
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Darüber hinaus
sind die Formen der Ableitelektroden und der Durchdringungselektroden
nicht auf jene begrenzt, die in den Zeichnungen schematisch dargestellt
sind, sondern können
in andere Formen geändert
werden.
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Des
Weiteren kann ein elektronisches Gerät eine Mischung der in den
ersten bis dritten Ausführungsbeispielen
beschriebenen Strukturen aufweisen. Zum Beispiel können nach
dem Ausbilden der Elektroden so, dass sie streifenförmig sind,
wie im ersten und zweiten Ausführungsbeispiel
beschrieben ist, einige dieser Elektroden mit den Ableitelektroden des
ersten Ausführungsbeispiels
verbunden werden, wobei die anderen mit den externen Elektroden
des zweiten Ausführungsbeispiels
verbunden werden können.
Alternativ können
nach dem Ausbilden der Elektroden so, dass sie streifenförmig sind,
wie im ersten und zweiten Ausführungsbeispiel
beschrieben ist, und nach dem Ausbilden der Elektroden in der vorgegebenen
Struktur, wie im dritten Ausführungsbeispiel
beschrieben ist, einige dieser Elektroden mit den Ableitelektroden
des ersten oder dritten Ausführungsbeispiels
verbunden werden, wobei die anderen mit den externen Elektroden
des zweiten Ausführungsbeispiels
verbunden werden können.
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Obwohl
die Öffnungen
(Löcher)
zum Ausbilden der Durchdringungselektroden und der Ableitelektroden
in der dielektrischen Schicht durch Laser-Ätzen oder Aufbringen des Verdampfungsöls jedes
Mal dann ausgebildet werden, wenn die dielektrische Schicht aufgebracht
wird, müssen
Sie nicht während
des Aufbringens gebildet werden. Zum Beispiel kann nach dem Aufbringen
ein Bestrahlen eines Laserstrahls in einem vorgegebenen Teil die Öffnungen
(Löcher)
bilden. Mit anderen Worten kann die Durchdringungselektrode durch
Ausbilden eines Durchdringungslochs in einer Beschichtungsrichtung gebildet
werden, so dass sie mit keiner Elektrodenschicht in Kontakt kommt
und ein leitendes Material in das Durchdringungsloch gefüllt wird.
Außerdem kann
die Ableitelektrode durch Ausbilden eines Lochs mit einer vorgegebenen
Tiefe (oder ein Durchdringungsloch) gebildet werden, so dass sie
nur mit einer gewünschten
Elektrodenschicht in Kontakt kommt und ein leitendes Material darin
gefüllt
wird, um mit der Elektrodenschicht in Kontakt zu kommen, die zu
einer inneren Wand (und einem unteren Teil) dieses Lochs freiliegt.
Somit wird diese Ableitelektrode mit der gewünschten Elektrodenschicht elektrisch verbunden.
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Zusätzlich kann
das elektronische Gerät,
obwohl es mit einer Kondensatorfunktion als einem Beispiel beschrieben,
ist, weitere Funktionen (zum Beispiel eine Spule, einen Rauschfilter
oder eine schichtweise angeordnete Leiterplatte usw.) anders als
die oder zusammen mit der Kondensatorfunktion haben.
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Die
Erfindung kann in anderen speziellen Formen verkörpert sein, ohne von deren
Geist oder wesentlichen Eigenschaften abzuweichen. Die in dieser
Anmeldung offenbarten Ausführungsbeispiele sollen
in jeder Hinsicht als veranschaulichend und nicht einschränkend betrachtet
werden, wobei der Umfang der Erfindung eher durch die beigefügten Ansprüche als
durch die vorangegangene Beschreibung angezeigt wird und alle Änderungen,
die in die Bedeutung und den Bereich der Entsprechung der Ansprüche fallen,
darin eingeschlossen sein sollen.
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INDUSTRIELLE
ANWENDBARKEIT
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Wie
oben beschrieben ist, kann das Verfahren zur Herstellung des elektronischen
Gerätes
einen Kapazität
bildenden Bereich, eine Spule, einen Rauschfilter und eine schichtweise
angeordnete Leiterplatte usw. in der Nähe eines Halbleiterchips bilden,
wobei dadurch eine Hochfrequenz-Ansteuerung des
Halbleiterchips und ein Unterdrücken
der Zunahme der Größe einer
Montagefläche
erreicht wird. Somit kann die vorliegende Erfindung insbesondere
für eine
elektronische Anlage verwendet werden, die die Informationsverarbeitung
wirksam beschleunigen soll.