DE60033353T2 - ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURE - Google Patents

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Noriyasu Kobe-shi Echigo
Masaru Kawanishi-shi Odagiri
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Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL TERRITORY

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Gerätes.The The present invention relates to a process for producing a electronic device.

STAND DER TECHNIKSTATE OF TECHNOLOGY

Die Nachfrage zum Beschleunigen der Informationsverarbeitung ist immer mehr intensiviert worden, wobei eine wachsende Anzahl von Halbleiterchips mit Hochfrequenz Jahr für Jahr entwickelt wurde. Um die Wirkungsweise von Halbleitern zu beschleunigen, ist nicht nur das Erreichen einer hohen Dichte und einer hohen Leistung von integrierten Chips, sondern auch eine Verbesserung der Eigenschaften von peripheren Schaltungen notwendig. Insbesondere ist die Gewährleistung der Stabilität einer Übertragungsleitung und einer Stromversorgungsleitung eine der Anforderungen für einen stabilen Hochgeschwindigkeitsbetrieb. Somit geht man nicht zu weit, wenn man sagt, dass der Hauptkörper eines Halbleiterchips stark von den peripheren Vorrichtungen abhängt.The Demand to speed up information processing is always more intensified, with a growing number of semiconductor chips with high frequency year for Year was developed. To speed up the operation of semiconductors, is not only achieving high density and high performance from integrated chips, but also improve the properties necessary from peripheral circuits. In particular, the warranty stability a transmission line and a power line one of the requirements for a stable high-speed operation. So you do not go too far, when one says that the main body of a Semiconductor chips strongly depends on the peripheral devices.

Ein Kondensator ist einer der wichtigen Vorrichtungen, die die Stabilität der Übertragungsleitung und der Stromversorgungsleitung gewährleistet. Um den Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu realisieren, sollte der Kondensator nicht nur eine Hochfrequenz-Leistung aufweisen, sondern die dorthin führende Verdrahtung sollte außerdem eine niedrige Impedanz haben.One Capacitor is one of the important devices that improve the stability of the transmission line and the power supply line guaranteed. To realize the high-speed operation, the capacitor should not only have a high-frequency power, but those there premier Wiring should be as well have a low impedance.

Um den Halbleiterchip mit Hochfrequenz zu betreiben, ist es notwendig, den Kondensator in der Nähe des Halbleiter chips anzuordnen, um so Leitungsverluste zu verringern. Herkömmliche Verfahren sind auf jene zum Ausbilden eines winzigen Kondensators innerhalb des Halbleiters begrenzt, wobei dies für einen weiteren stabilen Hochfrequenz-Betrieb unzureichend wird. Zusätzlich bewirkt das Anordnen des Kondensators im Umkreis eines Halbleiterchips ein Problem dahingehend, dass eine Montageplatte groß wird.Around operate the semiconductor chip with high frequency, it is necessary the capacitor in the vicinity to arrange the semiconductor chip so as to reduce line losses. conventional Methods are those for forming a minute capacitor limited within the semiconductor, this being for another stable high-frequency operation becomes insufficient. additionally causes the arrangement of the capacitor in the vicinity of a semiconductor chip a problem in that a mounting plate becomes large.

US-A-5 538 433 offenbart einen. elektrischen Verbinder mit einer laminierten Basisplatte, die durch wechselndes Laminieren von ersten bis vierten leitenden Schichten und dielektrischen Schichten und mehreren verbindenden Kontaktstiften (Signal-Kontaktstift und Stromquellen-Kontaktstift) gebildet wird, die die laminierte Basisplatte durchdringen. Der Stromquellen-Kontaktstift ist mit der ersten leitenden Schicht elektrisch verbunden, wobei der Signal-Kontaktstift von den leitenden Schichten isoliert ist. Des Weiteren sind zwischen diesen Verbindungsstiften mehrere Verbindungsöffnungen in der Basisplatte ausgebildet, wobei fünfte leitende Schichten in diesen Verbindungsöffnungen mit den ersten bis vierten leitenden Schichten elektrisch verbunden sind.US-A-5 538 433 discloses a. electrical connector with a laminated Base plate made by alternately laminating from first to fourth conductive layers and dielectric layers and a plurality of interconnecting Contact pins (signal pin and power source pin) is formed, which penetrate the laminated base plate. The power source contact pin is electrically connected to the first conductive layer, wherein the signal pin is isolated from the conductive layers. Furthermore, there are a plurality of connection openings between these connection pins formed in the base plate, wherein fifth conductive layers in these connection openings electrically connected to the first to fourth conductive layers are.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGEPIPHANY THE INVENTION

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die oben vermerkten Probleme zu lösen und ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Gerätes bereitzustellen, in dem das Unterdrücken der Zunahme der Größe der Montagefläche und das Anordnen eines Kondensators in der Nähe eines Halbleiterchips zur gleichen Zeit realisiert werden können.It is an object of the present invention noted above to solve problems and to provide a method of manufacturing an electronic device, in which suppressing the Increase in the size of the mounting surface and arranging a capacitor in the vicinity of a semiconductor chip for same time can be realized.

Um die oben erwähnte Aufgabe zu erfüllen, ist ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes gemäß der vorliegenden Erfindung in Anspruch 1 definiert. Mit dieser Konfiguration kann ein einfaches Verfahren gewünschte dünne Metallfolien miteinander unter den Metallfolien verbinden, die in dem elektronischen Gerät schichtweise angeordnet sind. Daher sind Ableitelektroden auf den dünnen Metallfolien ausgebildet, die auf diese Weise verbunden sind, wobei sie ermöglichen, dass mehrere dünne Metallfolien, die verbunden sind, als Elektrodenschichten mit dem gleichen elektrischen Potenzial wirken.Around the above mentioned To fulfill the task is a method of manufacturing the electronic device according to the present invention Invention defined in claim 1. With this configuration can a simple procedure desired thin metal foils with each other under the metal foils, which in the electronic device in layers are arranged. Therefore, discharge electrodes are on the thin metal foils formed in this way, allowing them to that several thin ones Metal foils which are connected as electrode layers with the same electric potential act.

Bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung kann man die Öffnungen erhalten, indem die dielektrische dünne Folie aufgebracht wird, wobei dann ein Laserstrahl einen vorgegebenen Bereich bestrahlt, um einen Teil der dielektrischen dünnen Folie zu entfernen. Somit kann die dielektrische dünne Folie mit den Öffnungen einfach und wirksam an einer gewünschten Stelle in einer genauen Weise gebildet werden.at the method described above for the production of the electronic equipment In the present invention, the openings can be obtained by the dielectric thin Foil is applied, in which case a laser beam a predetermined Area irradiated to a portion of the dielectric thin film to remove. Thus, the dielectric thin film with the openings simple and effective at a desired Be formed in a precise way.

Es ist vorzuziehen, dass der Laserstrahl ein Kohlendioxidgas-Laser ist. Somit kann nur die dielektrische dünne Folie wirksam entfernt werden, ohne eine Verschlechterung der dünnen Metallfolie zu verursachen.It It is preferable that the laser beam is a carbon dioxide gas laser is. Thus, only the dielectric thin film can be efficiently removed without causing deterioration of the thin metal foil.

Alternativ kann man bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung die Öffnungen durch eine Ölschablone erhalten. Somit kann die dielektrische dünne Folie mit den Öffnungen leicht und wirksam bei niedrigen Kosten gebildet werden.alternative can be in the above-described method for producing the electronic device the present invention, the openings through an oil stencil receive. Thus, the dielectric thin film with the openings be formed easily and effectively at low cost.

Es ist vorzuziehen, dass ein Öl, das für die Ölschablone verwendet wird, ein auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, ein Mineralöl oder ein Fluorkohlenwasserstoff-Öl ist. Da diese Öle eine ausgezeichnete Benetzungsfähigkeit für die dünne Metallfolie haben und zuverlässig verhindern, dass dünnes Harzfolienmaterial anhaftet, kann die Öffnung mit einer klaren Umrandung zuverlässig ausgebildet werden.It is preferable that an oil used for the oil stencil is a hydrocarbon-based oil, a mineral oil or a fluorohydrocarbon oil. Since these oils have excellent wetting ability for the thin metal foil and reliably prevent thin resin sheet material from adhering, the opening having a clear border can be reliably formed the.

Außerdem ist es bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung vorzuziehen, dass, nachdem die Schritte zum Aufbringen wiederholt durchgeführt wurden, ein Teil der dünnen Me tallfolie zu einer Fläche des schichtweise angeordneten Erzeugnisses freiliegt, die man in der Beschichtungsrichtung erhalten hat. Mit dieser Konfiguration kann der freiliegende Teil der dünnen Metallfolie in eine Ableitelektrode verarbeitet werden.Besides that is in the method of manufacturing the electronic device described above in accordance with the present invention, after the steps for Apply repeatedly were, part of the thin Me tallfolie to a surface of the layered product is exposed in the coating direction has received. With this configuration can be the exposed part of the thin Metal foil are processed in a discharge electrode.

Es ist vorzuziehen, dass eine leitende Substanz auf eine Oberfläche des freiliegenden Teils der dünnen Metallfolie aufgetragen wird. Mit anderen Worten, es ist vorzuziehen, dass die leitende Substanz auf dem freiliegenden Teil der dünnen Metallfolie haftet, so dass sie wegen des leichten Herausführens der Elektrode und der Verbindung mit der Verdrahtungsplatte und den anderen elektronischen Geräten auf der gleichen Ebene liegt oder von der äußeren Fläche des elektronischen Gerätes vorsteht.It It is preferable that a conductive substance is applied to a surface of the exposed part of the thin Metal foil is applied. In other words, it is preferable that the conductive substance on the exposed part of the thin metal foil adheres so that they are easy to lead out of the electrode and the Connection with the wiring board and the other electronic devices is on the same level or projecting from the outer surface of the electronic device.

Das Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes mit mehreren dielektrischen dünnen Folien weist das Aufbringen einer dielektrischen dünnen Folie mit einer Öffnung in einem vorgegebenen Teil mehrere Male auf, so dass man ein schichtweise angeordnetes Produkt erhält, das die dielektrische dünne Folie mit einem Durchdringungsloch umfasst, das in einer Beschichtungsrichtung hindurch dringt. Mit dieser Konfiguration kann ein einfaches Verfahren das Durchdringungsloch für die Durchdringungselektrode bilden, das das elektronische Gerät in der Beschichtungsrichtung durchdringt.The Method for producing the electronic device with a plurality of dielectric thin films shows the application of a dielectric thin film with an opening in a predetermined part several times, so that one layered arranged Product receives, that the dielectric thin Includes film having a penetration hole in a coating direction penetrates through. With this configuration can be a simple procedure the penetration hole for forming the penetrating electrode that the electronic device in the coating direction penetrates.

Außerdem wird bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung, nachdem die dielektrischen dünnen Folien mehrere Male aufgetragen wurden, eine leitende Substanz in das Durchdringungsloch des schichtweise angeordneten Produktes gefüllt, das man erhalten hat. Somit kann man eine Durchdringungselektrode, die das elektronische Gerät in der Beschichtungsrichtung durchdringt, erhalten.In addition, will in the above-described method for producing the electronic equipment of the present invention after the dielectric thin films were applied several times, a conductive substance in the penetration hole filled the layered product that has been obtained. Thus, one can use a penetrating electrode, which is the electronic device in the Coating direction penetrates, obtained.

Das Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes gemäß der vorliegenden Erfindung weist das Ausbilden einer dünnen Metallfolie, die in einer Streifenform strukturiert ist, das Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie mit einer Öffnung in einem Bereich, in dem die dünne Metallfolie nicht ausgebildet ist, das Ausbilden einer dünnen Metallfolie, die in einer Streifenform strukturiert ist, in einem Bereich ohne die Öffnung auf der dielektrischen dünnen Folie, und das Füllen einer leitenden Substanz in die Öffnung auf. Mit dieser Konfiguration kann ein einfaches Verfahren eine Durchdringungselektrode bilden, die das elektronische Gerät in der Beschichtungsrichtung durchdringt und nicht mit der dünnen Metallfolie in dem elektrischen Gerät verbunden ist. Zusätzlich kann eine gewünschte Schaltungskonfiguration, die von einer solchen Durchdringungselektrode unabhängig ist, für das gleiche elektronische Gerät bereitgestellt werden. Somit ist es zum Beispiel möglich, das elektronische Gerät, das man durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung erhalten hat, auf einer Verdrahtungsplatte zu montieren und ein weiteres elektronisches Gerät (zum Beispiel einen Halbleiterchip) darauf anzuordnen, um dieses elektronische Gerät mit der Verdrahtungsplatte über die Durchdringungselektrode zu verbinden. Da das elektronische Gerät, das man durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung erhalten hat, die dünnen Metallfolien und die dielektrische dünne Folie aufweist, die zwischen den dünnen Metallfolien angeordnet ist, ist es zum Beispiel außerdem möglich, einen Kondensator in dem elektronischen Gerät zu bilden. Während die Zunahme der Größe einer Montagefläche unterdrückt wird, kann der Kondensator infolgedessen in der Nähe des Halbleiterchips angeordnet werden, wobei dadurch eine Hochfrequenz-Ansteuerung des Halbleiterchips und ein Unterdrücken der Zu nahme der Größe der Montagefläche zur gleichen Zeit realisiert werden.The A method of manufacturing the electronic device according to the present invention comprises forming a thin one Metal foil, which is structured in a stripe shape, forming a dielectric thin Foil with an opening in an area where the thin one Metal foil is not formed, forming a thin metal foil, the is structured in a strip shape, in an area without the opening on the dielectric thin film, and the filling a conductive substance in the opening on. With this configuration, a simple process can be a Penetration electrode forming the electronic device in the Coating direction penetrates and not with the thin metal foil in the electrical device connected is. additionally can be a desired Circuit configuration derived from such a penetrating electrode independently is for the same electronic device to be provided. Thus it is possible, for example, that electronic device, obtained by the process of the present invention has to mount on one wiring board and another electronic device (For example, a semiconductor chip) to arrange this electronic device with the wiring board over to connect the penetrating electrode. Because the electronic device that one obtained by the process of the present invention, the thin Metal foils and the dielectric thin film has, between the thin one Metal foils is arranged, it is also possible, for example, a Condenser to form in the electronic device. While the Increase the size of one mounting surface repressed As a result, the capacitor can be near the semiconductor chip be arranged, thereby a high-frequency drive of the semiconductor chip and a suppression To increase the size of the mounting surface to same time be realized.

Bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, dass die leitende Substanz von den dünnen Metallfolien elektrisch isoliert ist. Mit dieser Konfiguration werden zum Beispiel eine Leiterplatte und das andere elektronische Gerät elektrisch miteinander über die Durchdringungselektrode verbunden, als ob es das elektronische Gerät dazwischen nicht geben würde.at the method described above for the production of the electronic equipment According to the present invention, it is preferable that the conductive Substance of the thin ones Metal foils is electrically insulated. With this configuration will be for example, a printed circuit board and the other electronic device electrically over each other the penetrating electrode connected as if it were the electronic Device in between would not exist.

Außerdem sind bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung die dünnen Metallfolien so ausgebildet, dass sie im Wesentlichen streifenförmig sind. Mit dieser Konfiguration kann das elektronische Gerät mit der oben genannten Konfiguration effizient hergestellt werden.Besides, they are in the above-described method for producing the electronic equipment the present invention, the thin Metal foils formed so that they are substantially strip-shaped. With this configuration, the electronic device with the above configuration can be produced efficiently.

Die im Wesentlichen streifenförmige dünne Metallfolie ist so ausgebildet, dass eine Richtung des Streifens die darunter ausgebildete kreuzt (so dass Streifenrichtungen einer dünnen Metallfolie und ihrer benachbarten dünnen Metallfolie wie schräge Linien ausgebildet sind). Da die dünnen Metallfolien über und unter der dielektrischen dünnen Folie einen vorgegebenen überlappten Teil in der Beschichtungsrichtung haben, kann somit in diesem Teil ein Kapazität bildender Bereich gebildet werden. Die Richtungen der Streifen der dünnen Metallfolie müssen sich nicht rechtwinklig kreuzen und können sich schiefwinklig kreuzen.The essentially strip-shaped thin metal foil is designed so that one direction of the strip is underneath trained crosses (so that stripe directions of a thin metal foil and her neighbors thin Metal foil like weird Lines are formed). Because the thin metal foils over and under the dielectric thin Slide a predetermined overlapped Part in the coating direction can thus in this part a capacity forming area. The directions of the stripes of the thin Metal foil need do not cross at right angles and can cross at oblique angles.

Außerdem ist es bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung vorzuziehen, dass sich beide dünnen Metallfolien, die an beiden Seiten der dielektrischen dünnen Folie ausgebildet sind, mit einer vorgegebenen Größe in einer Beschichtungsrichtung überlappen. Somit kann wahlweise eine Struktu rierungsform der dünnen Metallfolie entworfen werden, wobei zur gleichen Zeit der Kapazität bildende Bereich ausgebildet werden kann.Besides that is in the method of manufacturing the electronic device described above present invention that both thin metal foils, which are formed on both sides of the dielectric thin film, with a given size in one Overlap coating direction. Thus, optionally, a structural form of the thin metal foil may be provided be designed, at the same time forming the capacity Area can be formed.

Außerdem ist es bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung vorzuziehen, dass eine Elektrode, die mit mindestens einem Teil der dünnen Metallfolie elektrisch verbunden ist, auf einer Oberfläche im Wesentlichen rechtwinklig zu einer Oberfläche ausgebildet ist, auf der die dünne Metallfolie ausgebildet ist. Mit dieser Konfiguration kann man das elektronische Gerät mit einer externen Elektrode auf einer Oberfläche erhalten, die sich von der Oberfläche unterscheidet, auf der die Durchdringungselektrode ausgebildet ist (die äußere Oberfläche des elektronischen Gerätes, zu der die Durchdringungselektrode freiliegt).Besides that is in the method of manufacturing the electronic device described above vorzuziehen that an electrode that with at least part of the thin one Metal foil is electrically connected, on a surface substantially perpendicular to a surface is formed on which the thin Metal foil is formed. With this configuration you can do that electronic device obtained with an external electrode on a surface other than the surface differs on which the penetrating electrode is formed (the outer surface of the electronic device, to which the penetrating electrode is exposed).

Es ist vorzuziehen, dass mehrere Elektroden ausgebildet werden, wobei ein Teil oder alle Elektroden elektrisch voneinander isoliert sind. Somit können mehrere unabhängige Kondensatoren in dem elektronischen Gerät ausgebildet werden. Außerdem kann die Änderung der Größe und Anzahl der dünnen Metallfolien, die mit einer Elektrode verbunden sind, die Kapazität von jedem Kondensator ändern.It It is preferable that a plurality of electrodes are formed, wherein a part or all electrodes are electrically isolated from each other. Thus, you can several independent Capacitors are formed in the electronic device. In addition, can the change the size and number the thin one Metal foils connected to an electrode, the capacity of each Change capacitor.

Bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, dass die dielektrische dünne Folie eine zweite Öffnung in einem Bereich hat, in dem die dünnen Metallfolien ausgebildet sind, und über die zweite Öffnung beide dünnen Metallfolien elektrisch verbindet, die an beiden Seiten der dielektrischen dünnen Folie ausgebildet sind. Mit dieser Konfiguration kann ein einfaches Verfahren gewünschte dünne Metallfolien unter dünnen Metallfolien miteinander verbinden, die in dem elektronischen Gerät schichtweise angeordnet sind. Daher werden Ableitelektroden auf den dünnen Metallfo lien gebildet, die auf diese Weise verbunden sind, die es mehreren dünnen Metallfolien, die verbunden sind, ermöglichen, als Elektrodenschichten mit dem gleichen elektrischen Potenzial zu wirken.at the method described above for the production of the electronic equipment According to the present invention, it is preferable that the dielectric thin foil a second opening in a region where the thin metal foils are formed, and over the second opening both thin Metal foils electrically connecting, on both sides of the dielectric thin Foil are formed. With this configuration can be a simple Method desired thin metal foils under thin Metal foils interconnect, which in the electronic device in layers are arranged. Therefore, discharge electrodes are formed on the thin metal foils, which are connected in this way, which makes it several thin metal foils, which are connected, allow as electrode layers with the same electrical potential to act.

Bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung kann die strukturierte dünne Metallfolie ausgebildet werden, indem die dünne Metallfolie nach dem Auftragen einer festen Schablone oder einer Verdampfungsschablone ausgebildet wird oder indem die dünne Metallfolie gefolgt von einem Laser-Ätzen gebildet wird. Mit dieser Konfiguration kann man die dünne Metallfolie mit einer gewünschten Form leicht und effizient erhalten.at the method described above for the production of the electronic equipment The present invention may provide the structured thin metal foil be formed by the thin Metal foil after applying a solid stencil or a Evaporation stencil is formed or by the thin metal foil followed by a laser etching is formed. With this configuration you can use the thin metal foil with a desired Keep shape light and efficient.

Die Öffnungen brauchen in der dielektrischen dünnen Folie nicht ausgebildet werden, während das schichtweise angeordnete Produkt hergestellt wird, wobei Löcher ausgebildet werden können, nachdem man das schichtweise angeordnete Produkt erhalten hat, wobei dadurch die Vorrichtung zur Herstellung des schichtweise angeordneten Produktes vereinfacht wird.The openings need in the dielectric thin Foil are not formed while the layered arranged Product is produced, wherein holes can be formed after one has received the layered product, thereby the device for producing the layered product is simplified.

Bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung kann das Loch ein Durchdringungsloch sein, das so ausgebildet ist, dass es nicht die dünnen Metallfolien durchdringt. Damit kann die Durchdringungselektrode leicht gebildet werden.at the method described above for the production of the electronic equipment In the present invention, the hole may be a penetration hole that is designed so that it is not the thin metal foils penetrates. Thus, the penetrating electrode can be easily formed become.

Außerdem werden mehrere Schichten der dünnen Metallfolie gebildet, wobei das Loch so ausgebildet ist, dass ein Teil der dünnen Metallfolie zu einer inneren Wand des Lochs freiliegt. Dann kann das Füllen der leitenden Substanz, so dass sie mit der freiliegenden dünnen Metallfolie verbunden ist, eine Ableitelektrode leicht bilden. Es ist für das Loch hier möglich, das elektronische Gerät zu durchdringen oder nicht zu durchdringen.In addition, will several layers of thin ones Formed metal foil, wherein the hole is formed so that a Part of the thin one Metal foil is exposed to an inner wall of the hole. Then can the filling the conductive substance, leaving it with the exposed thin metal foil is connected, easily form a discharge electrode. It is for the hole possible here, the electronic device to penetrate or not to penetrate.

Bei dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, dass das Loch durch Einstrahlen eines Laserstrahls gebildet wird. Mit dieser Konfiguration kann das Loch effizient gebildet werden. Die hier verwendete Laserstrahl-Quelle wird vorzugsweise unter der Berücksichtigung ausgewählt, ob sie die Schichten der dünnen Metallfolie zur gleichen Zeit durchdringt oder nicht.at the method described above for the production of the electronic equipment According to the present invention, it is preferable that the hole through Injection of a laser beam is formed. With this configuration the hole can be formed efficiently. The laser beam source used here is preferably under consideration selected, whether they are the layers of the thin ones Penetrates metal foil at the same time or not.

Ein elektronisches Gerät, das durch das Verfahren von Anspruch 1 gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt werden kann, weist Elektrodenschichten, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, ein Dielektrikum, das zwischen den Elektrodenschichten angeordnet ist, eine Verbindungselektrode, die mit mindestens einer der Elektrodenschichten verbunden ist, und Durchdringungselektroden auf, die das elektronische Gerät durchdringen, ohne mit den Elektrodenschichten verbunden zu sein. Da das elektronische Gerät die Durchdringungselektroden aufweist, ist es zum Beispiel möglich, das elektronische Gerät auf einer Verdrahtungsplatte zu montieren und ein weiteres elektronisches Gerät (zum Beispiel einen Halbleiterchip) darauf anzuordnen, um dieses elektronische Gerät mit der Verdrahtungsplatte über die Durchdringungselektrode zu verbinden. Da außerdem das elektronische Gerät die Elektrodenschichten und das Dielektrikum aufweist, das zwischen den Elektrodenschichten angeordnet ist, ist es zum Beispiel möglich, einen Kondensator in dem elektronischen Gerät zu bilden. Infolgedessen kann, während die Zunahme der Größe einer Montagefläche unterdrückt wird, der Kondensator in der Nähe des Halbleiterchips angeordnet werden, wobei dadurch eine Hochfrequenz-Ansteuerung des Halbleiterchips und ein Unterdrücken der Zunahme der Größe der Montagefläche zur gleichen Zeit realisiert werden.An electronic device that can be manufactured by the method of claim 1 according to the present invention comprises electrode layers disposed opposite to each other, a dielectric disposed between the electrode layers, a connection electrode connected to at least one of the electrode layers, and penetrating electrodes that penetrate the electronic device without being connected to the electrode layers. For example, since the electronic device has the penetrating electrodes, it is possible to mount the electronic device on a wiring board and to arrange another electronic device (for example, a semiconductor chip) thereon to connect this electronic device to the wiring board via the penetrating electrode. In addition, since the electronic device has the electrode layers and the dielectric disposed between the electrode layers For example, it is possible to form a capacitor in the electronic device. As a result, while the increase in the size of a mounting surface is suppressed, the capacitor can be disposed in the vicinity of the semiconductor chip, thereby realizing high-frequency driving of the semiconductor chip and suppressing the increase in the size of the mounting surface at the same time.

Es ist vorzuziehen, dass die oben erwähnten Durchdringungselektroden das elektronische Gerät in einer Richtung durchdringen, die im Wesentlichen parallel zur Anordnungsrichtung der Elektrodenschicht und des Dielektrikums verläuft. Das elektronische Gerät mit einer solchen Konfiguration ist leicht herzustellen.It It is preferable that the above-mentioned penetrating electrodes the electronic device in penetrate a direction substantially parallel to the arrangement direction the electrode layer and the dielectric extends. The electronic device with a such configuration is easy to manufacture.

Bei dem oben beschriebenen elektronischen Gerät sind die Durchdringungselektroden wie Gitterpunkte angeordnet, wobei die Elektrodenschichten eine erste Elektrodenschicht und eine zweite Elektrodenschicht aufweisen, die zwischen den Durchdringungselektroden angeordnet sind, und die erste Elektrodenschicht und die zweite Elektrodenschicht so angeordnet sind, dass sie von einer Durchdringungsrichtung der Durchdringungselektroden aus gesehen wie ein Gitter miteinander gekreuzt sind und so, dass das Dielektrikum dazwischen angeordnet ist. Alternativ können die Elektrodenschichten eine erste Elektrodenschicht und eine zweite Elektrodenschicht aufweisen, die so angeordnet sind, dass sie einen zugewandten Teil mit einer vorgegebenen Größe haben und so, dass das Dielektrikum dazwischen angeordnet ist. Mit dieser Konfiguration kann ein Kondensator mit einer gewünschten Kapazität in dem elektronischen Gerät leicht gebildet werden.at The above-described electronic device is the penetrating electrodes arranged as grid points, wherein the electrode layers a have first electrode layer and a second electrode layer, which are arranged between the penetrating electrodes, and the first electrode layer and the second electrode layer so arranged are that they from a penetration direction of the penetration electrodes seen from how a grid are crossed with each other and so that the dielectric is interposed therebetween. Alternatively, the Electrode layers, a first electrode layer and a second Electrode layer, which are arranged so that they have a facing portion of a given size and so that the dielectric is arranged in between. With this configuration can be a capacitor with a desired capacity in the electronic device be easily formed.

Bei dem elektronischen Gerät kann die Verbindungselektrode eine Ableitelektrode sein, die in der gleichen Ebene wie die Durchdringungselektrode ausgebildet ist. Mit anderen Worten, die Ableitelektrode und die Durchdringungselektrode können so ausgebildet sein, dass sie zur gleichen Oberfläche des elektronischen Gerätes freiliegen. Mit dieser Konfiguration kann die ab Ableitelektrode mit der Verdrahtungsplatte, die verwendet wird, um die Elektrodenschichten im elektronischen Gerät mit Spannung zu versorgen, auf der gleichen Ebene wie die Durchdringungselektrode (zum Beispiel der unteren Oberfläche oder der oberen Oberfläche des elektronischen Ge rätes) in einer ähnlichen Weise verbunden werden. Infolgedessen kann die Montagefläche weiterhin verringert werden.at the electronic device For example, the connection electrode may be a deflection electrode which is in the same level as the penetrating electrode is formed. In other words, the discharge electrode and the penetrating electrode can be formed so that they are at the same surface of the electronic device exposed. With this configuration, the starting from Ableitelektrode with the wiring board that is used around the electrode layers in the electronic device to supply voltage on the same level as the penetrating electrode (for example, the lower surface or the upper surface of the electronic device) in a similar Be connected. As a result, the mounting surface can continue be reduced.

Außerdem kann ein weiteres elektronisches Gerät, das auf dem elektronischen Gerät angeordnet ist, leicht mit der Ableitelektrode verbunden werden.In addition, can another electronic device, that on the electronic device is arranged to be easily connected to the Ableitelektrode.

Zusätzlich kann in dem elektronischen Gerät die Verbindungselektrode eine externe Elektrode sein, die in einer anderen Ebene als die Durchdringungselektrode ausgebildet ist. Zum Beispiel kann die Durchdringungselektrode so ausgebildet sein, dass sie zu der oberen und der unteren Außenfläche des elektronischen Gerätes freiliegt, wobei die Verbindungselektrode (die externe Elektrode) an der Randfläche des elektronischen Gerätes ausgebildet ist. Wenn mit dieser Konfiguration das elektronische Gerät auf der Verdrahtungsplatte montiert wird, kann die externe Elektrode leicht auf die Verdrahtungsplatte gelötet werden.In addition, can in the electronic device the Connecting electrode be an external electrode, in another Level is formed as the penetrating electrode. For example For example, the penetrating electrode may be formed to be too the upper and the lower outer surface of the electronic device exposed, wherein the connection electrode (the external electrode) on the edge surface of the electronic device is trained. If with this configuration the electronic device on the Wiring plate is mounted, the external electrode can be easily soldered to the wiring board become.

Bei dem elektronischen Gerät ist es vorzuziehen, dass mehrere Kapazität bildende Bereiche zwischen der ersten Elektrodenschicht und der zweiten Elektrodenschicht gebildet werden. Somit kann ein Kondensator innerhalb des elektronischen Gerätes ausgebildet werden.at the electronic device It is preferable that multiple capacity forming areas between the first electrode layer and the second electrode layer is formed become. Thus, a capacitor within the electronic equipment be formed.

Es ist vorzuziehen, dass die Verbindungselektroden, die mit der ersten Elektrodenschicht und der zweiten Elektrodenschicht verbunden sind, die die Kapazität bildenden Bereiche bilden, voneinander isoliert sind. Mit dieser Konfiguration können mehrere unabhängige Kondensatoren innerhalb des elektronischen Gerätes gebildet werden.It It is preferable that the connecting electrodes are connected to the first Electrode layer and the second electrode layer are connected, the capacity form forming areas, are isolated from each other. With this Configuration can be several independent Capacitors are formed within the electronic device.

Wenn des Weiteren die Kapazität bildenden Bereiche mit unterschiedlichen Kapazitäten gebildet werden, können mehrere Kondensatoren mit unterschiedlicher Kapazität innerhalb des elektronischen Gerätes gebildet werden.If furthermore the capacity forming areas with different capacities can be several Capacitors with different capacitance formed within the electronic device become.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen Gerätes gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; 1 a schematic plan view showing an example of an electronic device according to the first embodiment of the present invention;

2 eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen Gerätes von 1 zeigt; 2 a perspective view showing an internal structure of a part of the electronic device of 1 shows;

3 eine schematische Perspektivansicht, die eine Vorrichtung zur Herstellung des elektronischen Gerätes von 1 zeigt; 3 a schematic perspective view showing an apparatus for producing the electronic device of 1 shows;

4 eine schematische Ansicht, die ein Beispiel zeigt, das das elektronische Gerät von 1 verwendet; 4 a schematic view showing an example, the electronic device of 1 used;

5 eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen Gerätes gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; 5 a schematic plan view showing an example of an electronic device according to the second embodiment of the present invention;

6 eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen Gerätes von 5 zeigt; 6 a perspective view showing an internal structure of a part of the electronic device of 5 shows;

7 eine schematische Querschnittsansicht, die eine Vorrichtung zur Herstellung des elektronischen Gerätes von 5 zeigt; 7 a schematic cross-sectional view showing an apparatus for producing the electronic device of 5 shows;

8 eine schematische Ansicht, die ein Beispiel zeigt, das das elektronische Gerät von 5 verwendet; 8th a schematic view showing an example, the electronic device of 5 used;

9 eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen Gerätes gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; 9 a schematic plan view showing an example of an electronic device according to the third embodiment of the present invention;

10 eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen Gerätes von 9 zeigt; 10 a perspective view showing an internal structure of a part of the electronic device of 9 shows;

11 eine schematische Ansicht, die ein Beispiel zeigt, das das elektronische Gerät von 9 verwendet. 11 a schematic view showing an example, the electronic device of 9 used.

BESTE AUSFÜHRUNGSART DER ERFINDUNGBEST VERSION THE INVENTION

Das Folgende ist eine Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sowie von Beispielen von elektronischen Geräten und Verfahren zu deren Herstellung, die nützlich sind, um die Erfindung zu verstehen, mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen.The The following is a description of the embodiments of the present invention Invention as well as examples of electronic devices and methods for their production, useful are to understand the invention, with reference to the accompanying Drawings.

(Erste Ausführungsform)First Embodiment

1 ist eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines elektronischen Gerätes 10 zeigt. 2 ist eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen Gerätes von 1 zeigt. 1 is a schematic plan view showing an example of an electronic device 10 shows. 2 is a perspective view showing an internal structure of a part of the electronic device of 1 shows.

Mehrere erste Elektrodenschichten 1 sind so ausgebildet, dass sie sich streifenförmig (bandförmig) auf im Wesentlichen der gleichen Ebene befinden, wobei mehrere zweite Elektrodenschichten 2 so ausgebildet sind, dass sie sich streifenförmig (bandförmig) auf im Wesentlichen der gleichen Ebene befinden. Sie sind schichtweise so angeordnet, dass eine dielektrische Schicht 3 zwischen den ersten Elektrodenschichten 1 und den zweiten Elektrodenschichten 2 angeordnet ist. Durch das Kreuzen der Richtungen der Streifen der ersten Elektrodenschichten 1 und der zweiten Elektrodenschichten 2 werden Kapazität bildende Bereiche 9 an den Schnittpunkten gebildet und wirken als Kondensatoren.Several first electrode layers 1 are formed so that they are strip-shaped (band-shaped) on substantially the same plane, wherein a plurality of second electrode layers 2 are formed so that they are strip-shaped (band-shaped) on substantially the same plane. They are arranged in layers such that a dielectric layer 3 between the first electrode layers 1 and the second electrode layers 2 is arranged. By crossing the directions of the strips of the first electrode layers 1 and the second electrode layers 2 become capacity forming areas 9 formed at the intersections and act as capacitors.

Eine erste Ableitelektrode 4 ist mit der ersten Elektrodenschicht 1 verbunden, wobei eine zweite Ableitelektrode 5 mit der zweiten Elektrodenschicht 2 verbunden ist. Sie können als Verbindungsanschlüsse genutzt werden, wenn der Kapazität bildende Bereich 9 als ein Kondensator wirkt, wie oben erwähnt ist. Die Ableitelektroden 4 und 5 können so ausgebildet sein, dass sie das elektronische Gerät 10 in der Beschichtungsrichtung gemäß 1 und 2 durchdringen, oder so, dass sie nur an einer Oberfläche des elektronischen Gerätes erscheinen. Es ist möglich, dass eine der Ableitelekt roden 4 und 5 so ausgebildet ist, dass sie das elektronische Gerät durchdringt, wobei die andere nur auf einer Oberfläche davon erscheint.A first discharge electrode 4 is with the first electrode layer 1 connected, wherein a second Ableitelektrode 5 with the second electrode layer 2 connected is. They can be used as connection terminals when the capacity-forming area 9 acts as a capacitor as mentioned above. The discharge electrodes 4 and 5 can be designed to be the electronic device 10 in the coating direction according to 1 and 2 penetrate, or so that they only appear on a surface of the electronic device. It is possible that one of the Ableitelekt roden 4 and 5 is designed so that it penetrates the electronic device, the other appears only on a surface thereof.

Neben den Ableitelektroden 4 und 5 sind Durchdringungselektroden 6 in dem elektronischen Gerät 10 ausgebildet. Diese Durchdringungselektroden 6 verbinden die anderen elektronischen Geräte elektrisch, die über und unter dem elektronischen Gerät 10 angeordnet sind, als ob es das elektronische Gerät zwischen ihnen nicht geben würde.In addition to the discharge electrodes 4 and 5 are penetrating electrodes 6 in the electronic device 10 educated. These penetrating electrodes 6 The other electronic devices connect electrically above and below the electronic device 10 are arranged as if the electronic device would not exist between them.

Ein Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten 1 und 2 kann ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine Metallverbindung sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen Schicht 3 kann ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz, ein keramisches Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff oder ein auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff, ein Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder ein Halbmetalloxid wie Siliziumoxid sein. Außerdem kann ein Material zum Ausbilden der Ableitelektroden 4 und 5 und der Durchdringungselektroden 6 eine leitende Paste oder ein leitendes Polymer zusätzlich zu einem Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Kupfer oder einem Lötmaterial sein.A material for forming the electrode layers 1 and 2 may be a metal such as aluminum, copper or gold or a metal compound. A material for forming the dielectric layer 3 may be a resin material such as acrylic resin, epoxy resin or vinyl resin, a ceramic material such as a barium titanium oxide based ceramic material or a strontium titanium oxide based ceramic material, a metal oxide such as titanium oxide or aluminum oxide or a semi-metal oxide such as silicon oxide. In addition, a material for forming the drain electrodes 4 and 5 and the penetrating electrodes 6 a conductive paste or a conductive polymer in addition to a metal such as gold, silver, aluminum, copper or a solder material.

Die Elektrodenschichten 1 und 2 können durch Vakuumverdampfung, Sputtern oder galvanisches Beschichten oder dergleichen ausgebildet werden. Außerdem können die Elektrodenschichten 1 und 2 so ausgebildet sein, dass sie durch Verwendung einer festen Schablone mit einer Strukturierung, durch Verwendung einer Verdampfungsschablone aus Öl oder dergleichen oder durch entsprechendes Laser-Ätzen streifenförmig sind. Das Material für die Ölschablone kann aus verschiedenen Ölsorten wie auf Kohlenwasserstoff basierendem Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl bestehen.The electrode layers 1 and 2 may be formed by vacuum evaporation, sputtering or electroplating or the like. In addition, the electrode layers 1 and 2 be designed such that they are strip-shaped by using a solid template with a structuring, by using an evaporation template made of oil or the like or by appropriate laser etching. The material for the oil stencil may consist of various types of oil such as hydrocarbon based oil, mineral oil or fluorocarbon oil.

Die dielektrische Schicht 3 kann durch die folgenden Verfahren gebildet werden. Wenn ein auf Harz basierendes Material verwendet wird, wird es durch Erwärmen verdampft oder durch Ultraschallwellen oder Sprühen zerstäubt und anschließend aufgebracht. Wenn das keramische Material oder das auf Metall basierende Material verwendet wird, können Sputtern, Verdampfen oder dergleichen gewählt werden.The dielectric layer 3 can be formed by the following methods. When a resin-based material is used, it is evaporated by heating, or atomized by ultrasonic wave or spraying, and then applied. When the ceramic material or the metal-based material is used, sputtering, evaporation or the like can be selected.

Um die Ableitelektroden 4 und 5 und die Durchdringungselektroden 6 zu bilden, werden Öffnungen in der dielektrischen Schicht 3 durch die folgenden Verfahren gebildet. Nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht, wird das Dielektrikum in einem vorgegebenen Teil durch Laser-Ätzen entfernt. Alternativ wird die dielektrische Schicht nach dem Auftragen der Verdampfungsschablone wie Öl gebildet. Eine gepunktete Verdampfungsschablone kann wirksam durch ein Tintenstrahl-System aufgetragen werden, in dem Mikrotropfen aus einem Schablonenmaterial von Mikroporen ausgestoßen werden.To the discharge electrodes 4 and 5 and the penetrating electrodes 6 form openings in the dielectric layer 3 formed by the following methods. After forming the dielectric layer, the dielectric is removed in a predetermined part by laser etching. Alternatively, the dielectric layer is formed after application of the evaporation stencil, such as oil. A dotted evaporation template can be effectively applied by an ink jet system in which microdrops are ejected from a template material of micropores.

Wenn die Ölschablone aufgetragen wird, kann das Öl wie auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl verwendet werden.If the oil stencil The oil can be applied such as hydrocarbon based oil, mineral oil or hydrofluorocarbon oil become.

Wenn die Verdampfungsschablone verwendet wird, kann überschüssiges Schablonenmaterial, das nach dem Ausbilden von jeder Schicht übrig bleibt, wenn nötig durch ein Infrarot-Dunkelstrahl-Heizgerät bzw. Fern-Infrarot-Heizgerät, einen Elektronenstrahl, eine Bestrahlung mit einer Ultraviolettlampe oder eine Plasmabestrahlung entfernt werden.If If the evaporation template is used, excess stencil material, the remaining after forming each layer, if necessary through an infrared dark jet heater or far infrared heater, an electron beam, an irradiation with an ultraviolet lamp or a plasma irradiation be removed.

3 ist eine schematische Perspektivansicht einer Vorrichtung, um einen Teil eines Beispiels von Schritten zur Herstellung der elektronischen Geräte von 1 und 2 zu beschreiben. 3 FIG. 13 is a schematic perspective view of an apparatus to form part of an example of steps for manufacturing the electronic devices of FIG 1 and 2 to describe.

Ein Träger wird von einer Kammer 11 zum Hereinbringen des Trägers hereingebracht, die an der rechten Seite der Vorrichtung angeordnet ist, durch vorgegebene Schritte ge führt und dann von einem Tor 22 zum Herausnehmen des Trägers herausgenommen, das an der linken Seite angeordnet ist. Mehrere Kammern, die durch jeden Schritt geteilt sind, sind zwischen den Torventilen 12a und 12b angeordnet und in einem Unterdruckbehälter ausgebildet, in dem ein vorgegebener Grad des Unterdrucks aufrechterhalten wird. Ein Beförderungssystem 21, das im Wesentlichen in der Mitte der Vorrichtung angeordnet ist, bewegt den Träger von einer Kammer zur anderen, so dass eine vorgegebene Bearbeitung durchgeführt wird. Ein Substrat, das zum Beispiel ein blattförmiges oder plattenförmiges Harz, keramischen Werkstoff oder Metall aufweist, kann als der Träger verwendet werden, wobei dielektrische dünne Folien und dünne Metallfolien darauf aufgebracht werden.A carrier is from a chamber 11 for bringing in the carrier brought in, which is arranged on the right side of the device, leads ge by predetermined steps and then by a gate 22 taken out for removing the carrier, which is arranged on the left side. Several chambers, divided by each step, are between the gate valves 12a and 12b arranged and formed in a vacuum container in which a predetermined degree of negative pressure is maintained. A transport system 21 , which is arranged substantially in the center of the device, moves the carrier from one chamber to the other, so that a predetermined processing is performed. A substrate having, for example, a sheet-form or plate-shaped resin, ceramic or metal may be used as the carrier, with dielectric thin films and thin metal foils being applied thereon.

Der Träger wird in die Kammer 11 zum Hereinbringen des Trägers gebracht und wird dann über das geöffnete Torventil 12a in den Unterdruckbehälter gebracht. Zunächst bildet eine Quelle 13 zum Ausbilden einer unteren Isolationsfolie eine untere Isolationsfolie auf der Trägeroberfläche. Durch Verwendung einer Strukturierungsschablone oder durch Einstrahlen eines Laserstrahls können Öffnungen (Löcher) gebildet werden, in denen die Durchdringungselektroden und die Ableitelektroden ausgebildet werden. Anschließend bildet eine Kombination aus einer Quelle 14 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie und einer Strukturierungsschablone eine erste strukturierte dünne Metallfolie (eine erste Elektrodenschicht). Danach bildet eine Quelle 15 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie eine erste dielektrische dünne Folie (eine dielektrische Schicht). Nach dem Ausbilden der ersten dielektrischen dünnen Folie entfernt ein Laserstrahl-Apparat 16 die dielektrische dünne Folie dort, wo die Ableitelektroden und die Durchdringungselektroden ausgebildet werden. Als Nächstes bildet eine Kombination aus einer Quel le 17 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie und einer Strukturierungsschablone eine zweite strukturierte dünne Metallfolie (eine zweite Elektrodenschicht). Daraufhin bildet eine Quelle 18 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie eine zweite dielektrische dünne Folien (eine dielektrische Schicht). Auch nach dem Ausbilden der zweiten dielektrischen dünnen Folie entfernt ein Laserstrahl-Apparat 19 die dielektrische dünne Folie dort, wo die Ableitelektroden und die Durchdringungselektroden ausgebildet werden. Anschließend wird der Träger wieder zur Quelle 14 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie, zur Quelle 15 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie, zum Laserstrahl-Apparat 16, zur Quelle 17 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie, zur Quelle 18 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie und zum Laserstrahl-Apparat 19 in dieser Reihenfolge befördert, um wie oben für eine vorgegebene Anzahl von Malen bearbeitet zu werden. Nachdem die Folien die vorgegebenen Male gebildet wurden, bildet eine Quelle 20 zum Ausbilden einer oberen Isolationsfolie eine obere Isolationsfolie. Durch Verwendung einer Strukturierungsschablone oder durch Einstrahlen eines Laserstrahls können Öffnungen (Löcher) ausgebildet werden, in denen die Durchdringungselektroden und die Ableitelektroden gebildet werden. Dann öffnet das Torventil 12b, so dass der Träger aus dem Tor 22 zum Herausnehmen des Trägers herausgenommen wird.The carrier is in the chamber 11 brought in bringing the carrier and is then on the open gate valve 12a brought into the vacuum tank. First, make a source 13 for forming a lower insulating film, a lower insulating film on the carrier surface. By using a patterning template or by irradiating a laser beam, openings (holes) can be formed in which the penetrating electrodes and the drain electrodes are formed. It then forms a combination of a source 14 for forming a thin metal foil and a patterning template, a first patterned thin metal foil (a first electrode layer). After that forms a source 15 for forming a dielectric thin film, a first dielectric thin film (a dielectric layer). After forming the first dielectric thin film, a laser beam apparatus removes 16 the dielectric thin film where the drain electrodes and the penetrating electrodes are formed. Next is a combination of a source le 17 for forming a thin metal foil and a patterning template, a second structured thin metal foil (a second electrode layer). Thereupon forms a source 18 for forming a dielectric thin film, a second dielectric thin film (a dielectric layer). Even after forming the second dielectric thin film, a laser beam apparatus is removed 19 the dielectric thin film where the drain electrodes and the penetrating electrodes are formed. Subsequently, the carrier becomes the source again 14 for forming a thin metal foil, to the source 15 for forming a dielectric thin film, the laser beam apparatus 16 , to the source 17 for forming a thin metal foil, to the source 18 for forming a dielectric thin film and the laser beam apparatus 19 in this order to be processed as above for a predetermined number of times. After the slides have been formed the given times, forming a source 20 for forming an upper insulating film, an upper insulating film. By using a patterning template or by irradiating a laser beam, openings (holes) can be formed in which the penetrating electrodes and the lead-out electrodes are formed. Then the gate valve opens 12b so that the carrier out of the gate 22 is taken out for removing the carrier.

Die Durchdringungselektrode wird wie folgt gebildet. Eine leitende Paste wird so aufgestrichen, dass sie ein Durchgangsloch, das ausgebildet ist, füllt und dann aushärtet.The Penetration electrode is formed as follows. A conductive paste is painted so that it has a through hole that is formed is, fills and then hardens.

Die Ableitelektrode kann in einer ähnlichen Weise gebildet werden. Eine leitende Paste wird so aufgestrichen, dass sie eine Öffnung füllt, die in der oberen Isolationsfolie und/oder der unteren Isolationsfolie ausgebildet ist, um so mit der dünnen Metallfolie verbunden zu werden, die zur Öff nung freiliegt. Das Ende der Ableitelektrode kann in der gleichen Ebene liegen wie ein schichtweise angeordnetes Produkt oder kann leicht von dessen Oberfläche vorstehen.The Ableitelektrode can in a similar manner be formed. A conductive paste is painted over so that she an opening crowded, in the upper insulation film and / or the lower insulation film is designed to be so with the thin Metal foil to be connected, which is exposed to Publ opening. The end the Ableitelektrode can lie in the same plane as a layered arranged product or can easily protrude from the surface.

In einem geeigneten nachfolgenden Schritt wird das schichtweise angeordnete Produkt in vorgegebene Größen geschnitten, wo es notwendig ist.In a suitable subsequent step is the layered arranged Cut product into specified sizes, where it is necessary.

Das gemäß der vorliegenden Erfindung gebildete elektronische Gerät 10 wird verwendet, indem es zum Beispiel zwischen einem Träger 28, auf dem ein Halbleiterchip 27 montiert ist, und einer Verdrahtungsplatte 30 angeordnet wird, wie in 4 schematisch gezeigt wird. Ein Signalanschluss 29a an der unteren Oberfläche des Trägers 28 wird mit einer Verdrahtungsstruktur 31, die auf der Verdrahtungsplatte 30 ausgebildet ist, über die Durchdringungselektrode 6 des elektronischen Gerätes 10 verbunden, wenn es notwendig ist. Außerdem wird ein Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des Trägers 28 mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und weiter mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden. Der andere Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des Trägers 28 wird mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und weiter mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden. Die Durchdringungselektrode 6 und die Ableitelektroden 4 und 5 können mit der Verdrahtungsstruktur 31 auf der Oberfläche der Verdrahtungsplatte 30 gemäß 4 oder mit einer anderen Einrichtung wie einer Verbindung innerhalb der Verdrahtungsplatte 30 verbunden werden.The electronic device formed according to the present invention 10 is used by, for example, between a carrier 28 on which a semiconductor chip 27 is mounted, and a wiring board 30 is arranged as in 4 is shown schematically. A signal connection 29a on the lower surface of the carrier 28 comes with a wiring structure 31 on the wiring board 30 is formed, via the penetrating electrode 6 of the electronic device 10 connected, if necessary. There will also be an energy connection 29b on the lower surface of the carrier 28 with the wiring board 30 via the penetrating electrode 6 and continue with the first lead-off electrode 4 connected. The other energy connection 29b on the lower surface of the carrier 28 is with the wiring board 30 via the penetrating electrode 6 and further with the second discharge electrode 5 connected. The penetrating electrode 6 and the discharge electrodes 4 and 5 can with the wiring structure 31 on the surface of the wiring board 30 according to 4 or with another device such as a connection inside the wiring board 30 get connected.

Da die erste Elektrodenschicht 1, die mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden ist, und die zweite Elektrodenschicht 2, die mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden ist, durch die dazwischen angeordnete dielektrische Schicht isoliert sind, wird, wenn ein Energieanschluss, der mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden ist, ein Vcc-Anschluss ist und ein Energieanschluss, der mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden ist, zum Beispiel ein Masseanschluss ist, der zwischen der ersten Ableitelektrode 4 und der zweiten Ableitelektrode 5 ausgebildete Kondensator die Montagefläche im Wesentlichen nicht vergrößern und wirkt als ein Durchleitungskondensator für die Stromversorgung in der Nähe des Halbleiterchips. Dies ist bei einer Hochfrequenz-Ansteuerung und bei einer Verringerung der Größe der Montagefläche vorzuziehen.As the first electrode layer 1 connected to the first lead-off electrode 4 is connected, and the second electrode layer 2 connected to the second lead-off electrode 5 is isolated by the dielectric layer interposed therebetween, when a power terminal is connected to the first lead-out electrode 4 is a Vcc terminal and a power terminal connected to the second Ableitelektrode 5 is connected, for example, a ground terminal, which is between the first Ableitelektrode 4 and the second discharge electrode 5 formed capacitor does not substantially increase the mounting area and acts as a pass-through capacitor for the power supply in the vicinity of the semiconductor chip. This is preferable in high-frequency driving and in reducing the size of the mounting surface.

[Beispiel 1][Example 1]

Aluminium wurde als ein Material für die dünne Metallfolie verwendet, Aluminiumoxid wurde als ein dielektrisches Material verwendet, wobei eine auf Silber basierende Paste als eine leitende Paste verwendet wurde. Als ein Verfahren zum Ausbilden von Löchern für Elektroden in der dielektrischen Schicht wurde ein Tintenstrahl-System übernommen. Das Tintenstrahl-System beinhaltet das Auflegen eines Ölschablonenmaterials auf einen vorgegebenen Teil, bevor die dielektrische Schicht ausgebildet wird. Als das Ölschablonenmaterial wurde Fluorkohlenwasserstoff-Öl verwendet. In einer Fläche von 17 Quadratmillimeter wurden 484 Durchdringungselektroden mit einem Durchmesser von 0,25 mm an Gitterpunkten mit einem Abstand von 0,8 mm gebildet, wobei 462 Ableitelektroden 4 der Elektrodenschicht 1 und 462 Ableitelektroden 5 der Elektrodenschicht 2 mit einem Durchmesser von jeweils 0,25 mm an Gitterpunkten mit einem Abstand von 0,8 mm zwischen den Durchdringungselektroden gebildet wurden. Die Elektrodenschichten 1 und 2 waren beide 0,65 mm breite Mehrfachstreifen. Das Aufbringen der Elektrodenschicht mit einer Dicke von 30 nm und der dielektrischen Schicht mit einer Dicke von 0,5 μm wurde wiederholt, so dass man 80 dielektrische Schichten erhalten hat. Isolationsschichten mit einer Dicke von 4 μm wurden jeweils auf der oberen und der unteren Seite des schichtweise angeordneten Produktes ausgebildet, um dessen Festigkeit zu erhöhen. Die obere und die untere Isolationsschicht wurden für die Vereinfachung aus dem gleichen Material hergestellt wie die dielektrische Schicht. Die untere Isolationsschicht wurde bearbeitet, um Löcher für die Durchdringungselektroden und die Ableitelektroden durch Schablonen zu bilden. Die obere Isolationsschicht wurde ebenfalls bearbeitet, um Löcher für die Durchdringungselektroden durch Schablonen zu bilden. Eine leitende Paste wurde so aufgestrichen, dass der konkave Teil (Öffnung), der durch die Bearbeitung des Lochs für die Durchdringungselektroden und die Ableitelektroden gebildet wurde, gefüllt wurde und danach aushärtete.Aluminum was used as a material for the thin metal foil, alumina was used as a dielectric material, and a silver-based paste was used as a conductive paste. As a method of forming holes for electrodes in the dielectric layer, an ink-jet system has been adopted. The ink-jet system involves placing an oil stencil material on a predetermined portion before the dielectric layer is formed. As the oil stencil material, fluorohydrocarbon oil was used. In an area of 17 square millimeters, 484 0.25 mm diameter penetrating electrodes were formed at grid points 0.8 mm apart, with 462 lead electrodes 4 the electrode layer 1 and 462 lead-off electrodes 5 the electrode layer 2 each with a diameter of 0.25 mm were formed at grid points with a distance of 0.8 mm between the penetrating electrodes. The electrode layers 1 and 2 were both 0.65 mm wide multiple strips. The application of the electrode layer having a thickness of 30 nm and the dielectric layer having a thickness of 0.5 μm was repeated to obtain 80 dielectric layers. Insulation layers having a thickness of 4 μm were respectively formed on the upper and lower sides of the layered product to increase its strength. The upper and lower insulating layers were made of the same material as the dielectric layer for the sake of simplicity. The lower insulating layer was processed to form holes for the penetrating electrodes and the drain electrodes by stencils. The upper insulating layer was also processed to form holes for the penetrating electrodes through templates. A conductive paste was brushed so that the concave part (opening) formed by machining the hole for the penetrating electrodes and the drain electrodes was filled and then cured.

Ein LCR-Messgerät bestätigte das Ergebnis, dass ein Kondensator mit einer Gesamtkapazität von 1 μF und tan δ 1,2 innerhalb des schichtweise angeordneten Produktes mit einer Dicke von etwa 50 μm ausgebildet wurde. Das gleiche Resultat wurde bei Verwendung einer feinen Linie von Lötmaterial an Stelle der leitenden Paste erreicht.One LCR meter confirmed the result that a capacitor with a total capacity of 1 uF and tan δ 1.2 within the layered product with a thickness of about 50 microns formed has been. The same result was achieved when using a fine line of soldering material achieved in place of the conductive paste.

(Zweite Ausführungsform)Second Embodiment

5 ist eine schematische Draufsicht, die ein weiteres Beispiel des elektronischen Gerätes 10 zeigt. 6 ist eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen Gerätes von 5 zeigt. 5 is a schematic plan view showing another example of the electronic device 10 shows. 6 is a perspective view showing an internal structure of a part of the electronic device of 5 shows.

Mehrere erste Elektrodenschichten 1 sind so ausgebildet, dass sie auf der im Wesentlichen gleichen Ebene streifenförmig liegen, wobei mehrere zweite Elektrodenschichten 2 so ausgebildet sind, dass sie auf der im Wesentlichen gleichen Ebene streifenförmig liegen. Sie sind schichtweise so angeordnet, dass eine dielektrische Schicht 3 zwischen den ersten Elektrodenschichten 1 und den zweiten Elektrodenschichten 2 angeordnet ist. Durch das Kreuzen der Richtungen der Streifen der ersten Elektrodenschichten 1 und der zweiten Elektrodenschichten 2 werden Kapazität bildende Bereiche 9 an den Schnittpunkten gebildet und wirken als Kondensatoren.Several first electrode layers 1 are formed so as to be strip-shaped on the substantially same plane, wherein a plurality of second electrode layers 2 are formed so that they lie strip-shaped on the substantially same plane. They are arranged in layers such that a dielectric layer 3 between the first electrode layers 1 and the second electrode layers 2 is arranged. By crossing the directions of the strips of the first electrode layers 1 and the second electrode layers 2 become capacity forming areas 9 to the Intersections formed and act as capacitors.

An den Randflächen des elektronischen Gerätes 10 sind externe Elektroden 7 und 8 ausgebildet. Eine erste externe Elektrode 7 ist mit der ersten Elektrodenschicht 1 verbunden, wobei eine zweite externe Elektrode 8 mit der zweiten Elektrodenschicht 2 jeweils in einer elektrischen Weise verbunden ist. Sie können als Verbindungsanschlüsse genutzt werden, wenn der Kapazität bildende Bereich 9 als Kondensator wirkt, wie oben erwähnt wurde. Die externen Elektroden 7 und 8 können gemäß 5 an beiden Seiten des elektronischen Gerätes, wobei sie einander zugewandt sind, oder nur an einer Seite davon ausgebildet sein. Es ist möglich, eine der externen Elektroden 7 und 8 an beiden Seiten und die andere nur an einer Seite des elektronischen Gerätes auszubilden. Außerdem können die externen Elektroden 7 und 8 so ausgebildet sein, dass sie an beide Oberflächen in der Beschichtungsrichtung des elektronischen Gerätes 10 gemäß 6 (obere und untere Oberfläche) oder nur an eine Oberfläche davon reichen. Es ist möglich, dass eine der externen Elektroden 7 und 8 an beide Oberflächen und die andere nur an eine Oberfläche des elektronischen Gerätes reicht. Zusätzlich können mehrere Streifen der Elektrodenschichten 1 (oder 2) mit einer externen Elektrode 7 (oder 8) verbunden sein. Entsprechend kann die Kapazität eines gebildeten Kondensators geändert werden.At the edge surfaces of the electronic device 10 are external electrodes 7 and 8th educated. A first external electrode 7 is with the first electrode layer 1 connected, wherein a second external electrode 8th with the second electrode layer 2 each connected in an electrical manner. They can be used as connection terminals when the capacity-forming area 9 acts as a capacitor, as mentioned above. The external electrodes 7 and 8th can according to 5 on both sides of the electronic device, facing each other, or formed on only one side thereof. It is possible to use one of the external electrodes 7 and 8th on both sides and the other form only on one side of the electronic device. In addition, the external electrodes 7 and 8th be formed so that they both surfaces in the coating direction of the electronic device 10 according to 6 (upper and lower surface) or just to a surface thereof. It is possible that one of the external electrodes 7 and 8th on both surfaces and the other only on one surface of the electronic device. In addition, several strips of the electrode layers 1 (or 2 ) with an external electrode 7 (or 8th ). Accordingly, the capacity of a formed capacitor can be changed.

Neben den externen Elektroden 7 und 8 sind Durchdringungselektroden 6 in dem elektronischen Gerät 10 ausgebildet. Diese Durchdringungselektroden 6 verbinden die anderen elektronischen Geräte elektrisch, die über und unter dem elektronischen Gerät 10 angeordnet sind, als ob es das elektronische Gerät zwischen ihnen nicht geben würde.In addition to the external electrodes 7 and 8th are penetrating electrodes 6 in the electronic device 10 educated. These penetrating electrodes 6 The other electronic devices connect electrically above and below the electronic device 10 are arranged as if the electronic device would not exist between them.

Ein Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten 1 und 2 kann ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine Metallverbindung sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen Schicht 3 kann ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz, ein keramisches Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff oder ein auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff, ein Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder ein Halbmetalloxid wie Siliziumoxid sein. Außerdem kann ein Material zum Ausbilden der externen Elektroden 7 und 8 und der Durchdringungselektroden 6 eine leitende Paste oder ein leitendes Polymer zusätzlich zu einem Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Kupfer oder einem Lötmaterial sein.A material for forming the electrode layers 1 and 2 may be a metal such as aluminum, copper or gold or a metal compound. A material for forming the dielectric layer 3 may be a resin material such as acrylic resin, epoxy resin or vinyl resin, a ceramic material such as a barium titanium oxide based ceramic material or a strontium titanium oxide based ceramic material, a metal oxide such as titanium oxide or aluminum oxide or a semi-metal oxide such as silicon oxide. In addition, a material for forming the external electrodes 7 and 8th and the penetrating electrodes 6 a conductive paste or a conductive polymer in addition to a metal such as gold, silver, aluminum, copper or a solder material.

Die Elektrodenschichten 1 und 2 können durch Vakuumverdampfung, Sputtern oder galvanisches Beschichten oder dergleichen gebildet werden. Außerdem können die Elektrodenschichten 1 und 2 so ausgebildet sein, dass sie durch Ver- wendung einer festen Schablone mit Strukturierung, durch Verwendung einer Verdampfungsschablone aus Öl oder dergleichen oder durch entsprechendes Laser-Ätzen streifenförmig ausgebildet sind. Das Material für die Ölschablone kann aus verschiedenen Ölsorten wie auf Kohlenwasserstoff basierendem Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl bestehen.The electrode layers 1 and 2 can be formed by vacuum evaporation, sputtering or electroplating or the like. In addition, the electrode layers 1 and 2 be formed so that they are formed by using a solid stencil with structuring, by using an evaporation stencil of oil or the like or by appropriate laser etching strip-shaped. The material for the oil stencil may consist of various types of oil such as hydrocarbon based oil, mineral oil or fluorocarbon oil.

Die dielektrische Schicht 3 kann durch die folgenden Verfahren gebildet werden. Wenn ein auf Harz basierendes Material verwendet wird, wird es durch Erwärmen verdampft oder durch Ultraschallwellen oder Sprühen zerstäubt und anschließend aufgebracht. Wenn das keramische Material oder das auf Metall basierende Material verwendet wird, können Sputtern, Verdampfen oder dergleichen ausgewählt werden.The dielectric layer 3 can be formed by the following methods. When a resin-based material is used, it is evaporated by heating, or atomized by ultrasonic wave or spraying, and then applied. When the ceramic material or the metal-based material is used, sputtering, evaporation or the like can be selected.

Die externen Elektroden 7 und 8 können durch thermisches Spritzen, galvanisches Beschichten oder Auftragen einer leitenden Paste oder dergleichen gebildet werden.The external electrodes 7 and 8th can be formed by thermal spraying, electroplating or applying a conductive paste or the like.

Um die die Durchdringungselektroden 6 zu bilden, werden in der dielektrischen Schicht 3 Öffnungen durch die folgenden Verfahren gebildet. Nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht wird das Dielektrikum in einem vorgegebenen Teil durch Laser-Ätzen entfernt. Alternativ wird die dielektrische Schicht nach dem Auftragen der Verdampfungsschablone wie Öl gebildet. Eine gepunktete Verdampfungsschablone kann wirksam durch ein Tintenstrahl-System aufgetragen werden, in dem Mikrotropfen aus einem Schablonenmaterial von Mikroporen ausgestoßen werden.Around the the penetration electrodes 6 are formed in the dielectric layer 3 Openings formed by the following methods. After forming the dielectric layer, the dielectric is removed in a predetermined part by laser etching. Alternatively, the dielectric layer is formed after application of the evaporation stencil, such as oil. A dotted evaporation template can be effectively applied by an ink jet system in which microdrops are ejected from a template material of micropores.

Wenn die Ölschablone aufgetragen wird, kann das Öl wie auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl verwendet werden.If the oil stencil The oil can be applied such as hydrocarbon based oil, mineral oil or hydrofluorocarbon oil become.

Wenn die Verdampfungsschablone verwendet wird, kann überschüssiges Schablonenmaterial, das nach dem Ausbilden von jeder Schicht übrig bleibt, wenn nötig durch ein Infrarot-Dunkelstrahl-Heizgerät bzw. Fern-Infrarot-Heizgerät, einen Elektronenstrahl, eine Bestrahlung mit einer Ultraviolettlampe oder eine Plasmabestrahlung entfernt werden.If If the evaporation template is used, excess stencil material, the remaining after forming each layer, if necessary through an infrared dark jet heater or far infrared heater, an electron beam, an irradiation with an ultraviolet lamp or a plasma irradiation be removed.

7 ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Teil eines Beispiels einer Vorrichtung zur Herstellung des elektronischen Gerätes von 5 und 6 zeigt. 7 FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a part of an example of a device for manufacturing the electronic device of FIG 5 and 6 shows.

Ein Unterdruckbehälter 24 weist mehrere Kammern auf, die durch jeden Schritt geteilt sind. Mit den Kammern der Quellen 14 und 17 zum Ausbilden von dünnen Metallfolien sind Absaugsysteme 25 mit einer Vakuumpumpe verbunden. In jeder Kammer des Unterdruckbehälters wird ein vorgegebener Grad des Unterdrucks aufrechterhalten. Als ein Beförderungssystem ist ein Träger, der sich drehend in eine Richtung des Pfeils bewegt (eine zylindrische Dosenwalze in 7), im Wesentlichen in der Mitte des Unterdruckbehälters 24 angeordnet.A vacuum tank 24 has several chambers divided by each step. With the chambers of the sources 14 and 17 for training thin metal foils are suction systems 25 connected to a vacuum pump. In each chamber of the vacuum tank, a predetermined degree of negative pressure is maintained. As a conveying system, a carrier that rotates in a direction of the arrow (a cylindrical can roller in FIG 7 ), essentially in the middle of the vacuum tank 24 arranged.

Zunächst bildet eine Quelle zum Ausbilden einer Isolationsfolie (eine Quelle 15 oder 18 zum Ausbilden einer die lektrischen dünnen Folie in 7) eine untere Isolationsfolie auf der Dosenwalze 23. Nach dem Ausbilden der unteren Isolationsfolie kann die Folie dort, wo die Durchdringungselektroden ausgebildet werden, entfernt werden, um Öffnungen (Löcher) durch einen Laserstrahl-Apparat 16 oder 19 zu bilden. Verschlüsse 26 der Quellen 14 und 17 zum Ausbilden von dünnen Metallfolien werden hier geschlossen. Das Drehen der Dosenwalze 23 für eine vorgegebene Anzahl von Malen bildet die untere Isolationsfolie mit einer vorgegebenen Dicke. Anschließend wird der Verschluss 26 geöffnet, wobei dann eine Kombination aus einer Quelle 14 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie und einer Strukturierungsschablone eine erste strukturierte dünne Metallfolie (eine erste Elektrodenschicht) bildet. Daraufhin bildet eine Quelle 15 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie eine erste dielektrische dünne Folie (eine dielektrische Schicht). Nach dem Ausbilden der ersten dielektrischen dünnen Folie entfernt ein Laserstrahl-Apparat 16 die dielektrische dünne Folie dort, wo die Durchdringungselektroden ausgebildet werden. Als Nächstes bildet eine Kombination aus einer Quelle 17 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie und einer Strukturierungsschablone eine zweite strukturierte dünne Metallfolie (eine zweite Elektrodenschicht). Danach bildet eine Quelle 18 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie eine zweite dielektrische dünne Folie (eine dielektrische Schicht). Auch nach dem Ausbilden der zweiten dielektrischen dünnen Folie entfernt ein Laserstrahl-Apparat 19 die dielektrische dünne Folie dort, wo die Durchdringungselektroden ausgebildet werden. Anschließend wird der Träger wieder zur Quelle 14 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie, zur Quelle 15 zum Ausbilden einer dielektrischen dünnen Folie, zum Laserstrahl-Apparat 16, zur Quelle 17 zum Ausbilden einer dünnen Metallfolie, zur Quelle 18 zum Ausbilden einer die lektrischen dünnen Folie und zum Laserstrahl-Apparat 19 in dieser Reihenfolge befördert, um für eine vorgegebene Anzahl von Malen wie oben bearbeitet zu werden. Nach dem Ausbilden der Folien für eine vorgegebene Anzahl von Malen wird der Verschluss 26 geschlossen, wobei dann die Quelle zum Ausbilden der Isolationsfolie (die Quelle 15 oder 18 zum Ausbilden der dielektrischen dünnen Folie in 7) eine obere Isolationsfolie bildet. Nach dem Ausbilden der oberen Isolationsfolie kann die Folie dort, wo die Durchdringungselektroden ausgebildet werden, durch den Laserstrahl-Apparat 16 oder 19 entfernt werden, um Öffnungen (Löcher) zu bilden. Das Drehen der Dosenwalze 23 für eine vorgegebene Anzahl von Malen bildet die obere Isolationsfolie mit einer vorgegebenen Dicke.First, a source for forming an insulating film (a source 15 or 18 for forming a dielectric thin film in 7 ) a lower insulation film on the can roller 23 , After forming the lower insulating film, the film where the penetrating electrodes are formed may be removed to openings (holes) through a laser beam apparatus 16 or 19 to build. closures 26 the sources 14 and 17 to form thin metal foils are closed here. Turning the can roller 23 for a predetermined number of times forms the lower insulating film with a predetermined thickness. Subsequently, the closure 26 opened, in which case a combination of a source 14 for forming a thin metal foil and a patterning template, forms a first patterned thin metal foil (a first electrode layer). Thereupon forms a source 15 for forming a dielectric thin film, a first dielectric thin film (a dielectric layer). After forming the first dielectric thin film, a laser beam apparatus removes 16 the dielectric thin film where the penetrating electrodes are formed. Next is a combination of a source 17 for forming a thin metal foil and a patterning template, a second structured thin metal foil (a second electrode layer). After that forms a source 18 for forming a dielectric thin film, a second dielectric thin film (a dielectric layer). Even after forming the second dielectric thin film, a laser beam apparatus is removed 19 the dielectric thin film where the penetrating electrodes are formed. Subsequently, the carrier becomes the source again 14 for forming a thin metal foil, to the source 15 for forming a dielectric thin film, the laser beam apparatus 16 , to the source 17 for forming a thin metal foil, to the source 18 for forming a dielectric thin film and laser beam apparatus 19 in this order to be processed for a predetermined number of times as above. After forming the films for a predetermined number of times, the shutter becomes 26 closed, then the source for forming the insulating film (the source 15 or 18 for forming the dielectric thin film in 7 ) forms an upper insulating film. After forming the upper insulating film, the film may be formed by the laser beam apparatus where the penetrating electrodes are formed 16 or 19 be removed to form openings (holes). Turning the can roller 23 for a predetermined number of times forms the upper insulating film with a predetermined thickness.

Die Durchdringungselektrode wird wie folgt gebildet. Eine leitende Paste wird so aufgestrichen, dass sie ein Durchgangsloch, das ausgebildet ist, füllt und dann aushärtet.The Penetration electrode is formed as follows. A conductive paste is painted so that it has a through hole that is formed is, fills and then hardens.

In einem späteren geeigneten Schritt wird das schichtweise angeordnete Produkt wenn nötig in vorgegebene Größen geschnitten.In a later one suitable step is the layered product if necessary in given Sizes cut.

Die externen Elektroden werden an den Seiten des schichtweise angeordneten Produktes gebildet, das in die vorgegebenen Größen durch thermisches Spritzen oder Auftragen einer Paste geschnitten wird.The external electrodes are placed on the sides of the layers Product formed in the specified sizes by thermal spraying or applying a paste is cut.

Das getrennte Ausbilden der externen Elektroden durch Verwendung einer Schablone oder eines Decklacks kann die Anzahl der streifenförmigen Elektroden regeln, die mit den einzelnen externen Elektroden verbunden werden.The separately forming the external electrodes by using a Stencil or a top coat can be the number of strip-shaped electrodes regulate, which are connected to the individual external electrodes.

Das gebildete elektronische Gerät 10 wird verwendet, indem es zum Beispiel zwischen einem Träger 28, auf dem ein Halbleiterchip 27 montiert ist, und einer Verdrahtungsplatte 30 angeordnet wird, wie schematisch in 8 gezeigt wird. Ein Signalanschluss 29a an der unteren Oberfläche des Trägers 28 wird mit einer Verdrahtungsstruktur 31, die auf der Verdrahtungsplatte 30 ausgebildet ist, über die Durchdringungselektrode 6 des elektronischen Gerätes 10 verbunden, wenn es notwendig ist. Außerdem wird ein Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des Trägers 28 mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und weiter mit der ersten externen Elektrode 7 verbunden. Der andere Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des Trägers 28 wird mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und weiter mit der zweiten externen Elektrode 8 verbunden. Die Durchdringungselektrode 6 und die externen Elektroden 7 und 8 können mit der Verdrahtungsstruktur 31 auf der Oberfläche der Verdrahtungsplatte 30 gemäß 8 oder mit einer anderen Einrichtung wie einer Verbindung innerhalb der Verdrahtungsplatte 30 oder der der oberen Oberfläche des elektronischen Gerätes der vorliegenden Erfindung verbunden werden. Die externen Elektroden 7 und 8 und die Verdrahtungsplatte 30 können mit einer Lötverbindung 32 oder mit anderen Mitteln verbunden werden.The formed electronic device 10 is used by, for example, between a carrier 28 on which a semiconductor chip 27 is mounted, and a wiring board 30 is arranged as schematically in 8th will be shown. A signal connection 29a on the lower surface of the carrier 28 comes with a wiring structure 31 on the wiring board 30 is formed, via the penetrating electrode 6 of the electronic device 10 connected, if necessary. There will also be an energy connection 29b on the lower surface of the carrier 28 with the wiring board 30 via the penetrating electrode 6 and continue with the first external electrode 7 connected. The other energy connection 29b on the lower surface of the carrier 28 is with the wiring board 30 via the penetrating electrode 6 and continue with the second external electrode 8th connected. The penetrating electrode 6 and the external electrodes 7 and 8th can with the wiring structure 31 on the surface of the wiring board 30 according to 8th or with another device such as a connection inside the wiring board 30 or the upper surface of the electronic device of the present invention. The external electrodes 7 and 8th and the wiring board 30 can with a solder joint 32 or by other means.

Da die erste Elektrodenschicht 1, die mit der ersten externen Elektrode 7 verbunden ist, und die zweite Elektrodenschicht 2, die mit der zweiten externen Elektrode 8 verbunden ist, durch die dazwischen angeordnete dielektrische Schicht isoliert sind, wird, wenn zum Beispiel ein Energieanschluss, der mit der ersten externen Elektrode 7 verbunden ist, ein Vcc-Anschluss ist und ein Energieanschluss, der mit der zweiten externen Elektrode 8 verbunden ist, eine Masseanschluss ist, der zwischen der ersten externen Elektrode 7 und der zweiten externen Elektrode 8 ausgebildete Kondensator die Montagefläche im Wesentlichen nicht vergrößern und wirkt als ein Durchleitungskondensator für die Stromversorgung in der Nähe des Halbleiterchips. Dies ist bei einer Hochfrequenz-Ansteuerung und bei einer Verringerung der Größe der Montagefläche vorzuziehen.As the first electrode layer 1 connected to the first external electrode 7 is connected, and the second electrode layer 2 connected to the second external electrode 8th is connected, through the intervening arranged dielectric layer is, if, for example, a power terminal connected to the first external electrode 7 is a Vcc terminal and a power terminal connected to the second external electrode 8th is connected, a ground connection is that between the first external electrode 7 and the second external electrode 8th formed capacitor does not substantially increase the mounting area and acts as a pass-through capacitor for the power supply in the vicinity of the semiconductor chip. This is preferable in high-frequency driving and in reducing the size of the mounting surface.

[Beispiel 2][Example 2]

Aluminium wurde als ein Material für die dünne Metallfolie verwendet, Acrylat wurde als ein dielektrisches Material verwendet, wobei eine auf Silber basierende Paste als eine leitende Paste verwendet wurde. Zum Ausbilden der Löcher für die Durchdringungselektroden in der dielektrischen Schicht wurde das folgende Verfahren übernommen. Das Verfahren weist das Entfernen des Dielektrikums in einem vorgegebenen Teil durch Laser-Ätzen nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht auf. Als Laser wurde ein Kohlendioxidgas-Laser mit einer Ausgabe von 10 W verwendet. In einer Fläche von 17 Quadratmillimeter wurden 484 Durchdringungselektroden mit einem Durchmesser von 0,25 mm an Gitterpunkten mit einem Abstand von 0,8 mm gebildet. Die Elektrodenschichten 1 und 2 waren beide 0,8 mm breite Mehrfachstreifen. Das Aufbringen der Elektrodenschicht mit einer Dicke von 30 nm und der dielektrischen Schicht mit einer Dicke von 0,25 μm wurde wiederholt, um 140 dielektrische Schichten zu erhalten. Isolationsschichten mit einer Dicke von 5 μm wurden jeweils auf der oberen und der unteren Seite des schichtweise angeordneten Produktes ausgebildet, um dessen Festigkeit zu erhöhen. Die obere und die untere Isolationsschicht wurden für die Vereinfachung aus dem gleichen Material hergestellt wie die dielektrische Schicht. Die obere und die untere Isolationsschicht wurden mit einem Laser bearbeitet, um die Durchdringungselektroden zu bilden. Anschließend wurde das schichtweise angeordnete Produkt geschnitten, wobei eine Messingschicht mit einer Dicke von 20 μm auf der Schnittfläche durch ein thermisches Spritzen, gefolgt vom Ausbilden einer Lötplattenschicht mit einer Dicke von 60 μm ausgebildet wurde, um eine externe Elektrode herzustellen. Eine leitende Paste wurde so aufgestrichen, dass der konkave Teil (Öffnung), der durch die Bearbeitung des Lochs für die Durch dringungselektroden gebildet wurde, gefüllt wurde und danach aushärtete.Aluminum was used as a material for the thin metal foil, acrylate was used as a dielectric material, and a silver-based paste was used as a conductive paste. To form the holes for the penetrating electrodes in the dielectric layer, the following procedure was adopted. The method comprises removing the dielectric in a predetermined part by laser etching after forming the dielectric layer. As the laser, a carbon dioxide gas laser with an output of 10 W was used. In an area of 17 square millimeters, 484 0.25 mm diameter penetrating electrodes were formed at grid points spaced 0.8 mm apart. The electrode layers 1 and 2 were both 0.8 mm wide multiple strips. The application of the electrode layer having a thickness of 30 nm and the dielectric layer having a thickness of 0.25 μm was repeated to obtain 140 dielectric layers. Insulation layers with a thickness of 5 μm were respectively formed on the upper and lower sides of the layered product to increase its strength. The upper and lower insulating layers were made of the same material as the dielectric layer for the sake of simplicity. The upper and lower insulating layers were laser-processed to form the penetrating electrodes. Subsequently, the layered product was cut to form a brass layer having a thickness of 20 μm on the cut surface by thermal spraying followed by forming a soldering plate layer having a thickness of 60 μm to prepare an external electrode. A conductive paste was brushed so that the concave part (opening) formed by machining the hole for the piercing electrodes was filled and then cured.

Ein LCR-Messgerät bestätigte das Ergebnis, dass ein Kondensator mit einer Gesamtkapazität von 1 μF und tan δ 0,8% innerhalb des schichtweise angeordneten Produktes mit einer Dicke von etwa 50 μm ausgebildet wurde.One LCR meter confirmed the result that a capacitor with a total capacity of 1 uF and tan δ 0.8% within the layered product with a thickness of about 50 microns formed has been.

(Dritte Ausführungsform)Third Embodiment

9 ist eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel eines weiteren elektronischen Gerätes 10 zeigt. 10 ist eine Perspektivansicht, die einen inneren Aufbau eines Teils des elektronischen Gerätes von 9 zeigt. 9 is a schematic plan view showing an example of another electronic device 10 shows. 10 is a perspective view showing an internal structure of a part of the electronic device of 9 shows.

Mehrere erste Elektrodenschichten 1 sind mit einer vorgegebenen Struktur in im Wesentlichen der gleichen Ebene ausgebildet, wobei mehrere zweite Elektrodenschichten 2 mit einer vorgegebenen Struktur in im Wesentlichen der gleichen Ebene ausgebildet sind. Sie sind schichtweise so angeordnet, dass eine dielektrische Schicht 3 zwischen den ersten Elektrodenschichten 1 und den zweiten Elektrodenschichten 2 angeordnet ist. Durch das Ausbilden der ersten Elektrodenschichten 1 und der zweiten Elektrodenschichten 2 so, dass sich mindestens ein Teil von ihnen miteinander überlappt (zugewandt ist), werden Kapazität bildende Bereiche 9 an den sich überlappenden Teilen (zugewandten Teilen) gebildet und wirken als Kondensatoren. Die Kapazität kann durch Einstellen der Größe von jedem überlappenden Teil (den Kapazität bildenden Bereich 9) geändert werden.Several first electrode layers 1 are formed with a predetermined structure in substantially the same plane, wherein a plurality of second electrode layers 2 are formed with a predetermined structure in substantially the same plane. They are arranged in layers such that a dielectric layer 3 between the first electrode layers 1 and the second electrode layers 2 is arranged. By forming the first electrode layers 1 and the second electrode layers 2 such that at least a part of them overlap each other (facing each other) become capacity-forming areas 9 formed on the overlapping parts (facing parts) and act as capacitors. The capacity can be adjusted by adjusting the size of each overlapping part (the capacitance forming area 9 ).

Eine erste Ableitelektrode 4 ist mit der ersten Elektrodenschicht 1 verbunden, wobei eine zweite Ableitelektrode 5 mit der zweiten Elektrodenschicht 2 verbunden ist. Sie können als Verbindungsanschlüsse genutzt werden, wenn der Kapazität bildende Bereich 9 als Kondensator wirkt, wie oben erwähnt wurde. Die Ableitelektroden 4 und 5 können so ausgebildet sein, dass sie das elektronische Gerät 10 in der Be schichtungsrichtung gemäß 9 und 10 durchdringen oder nur an einer Oberfläche des elektronischen Gerätes erscheinen. Es ist möglich, dass eine der Ableitelektroden 4 und 5 so ausgebildet ist, dass sie das elektronische Gerät durchdringt, wobei die andere nur auf einer Oberfläche davon erscheint.A first discharge electrode 4 is with the first electrode layer 1 connected, wherein a second Ableitelektrode 5 with the second electrode layer 2 connected is. They can be used as connection terminals when the capacity-forming area 9 acts as a capacitor, as mentioned above. The discharge electrodes 4 and 5 can be designed to be the electronic device 10 in the loading direction according to 9 and 10 penetrate or only appear on a surface of the electronic device. It is possible that one of the discharge electrodes 4 and 5 is designed so that it penetrates the electronic device, the other appears only on a surface thereof.

Neben den Ableitelektroden 4 und 5 sind Durchdringungselektroden 6 in dem elektronischen Gerät ausgebildet. Diese Durchdringungselektroden 6 verbinden elektrisch die anderen elektronischen Geräte, die über und unter dem elektronischen Gerät 10 angeordnet sind, als ob es das elektronische Gerät zwischen ihnen nicht geben würde.In addition to the discharge electrodes 4 and 5 are penetrating electrodes 6 formed in the electronic device. These penetrating electrodes 6 electrically connect the other electronic devices that are above and below the electronic device 10 are arranged as if the electronic device would not exist between them.

Ein Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten 1 und 2 kann ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine Metallverbindung sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen Schicht 3 kann ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz, ein keramisches Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff oder auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff, ein Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder ein Halbmetalloxid wie Siliziumoxid sein. Außerdem kann ein Material zum Ausbilden der Ableitelektroden 4 und 5 und der Durchdringungselektroden 6 zusätzlich zu einem Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Kupfer oder einem Lötmaterial eine leitende Paste oder ein leitendes Polymer sein.A material for forming the electrode layers 1 and 2 may be a metal such as aluminum, copper or gold or a metal compound. A material for forming the dielectric layer 3 For example, a resin material such as acrylic resin, epoxy resin or vinyl resin, a ceramic material such as a barium titanium oxide-based ceramic material or a strontium titanium oxide-based ceramic ceramic material, a metal oxide such as titanium oxide or aluminum oxide, or a semi-metal oxide such as silicon oxide. In addition, a material for forming the drain electrodes 4 and 5 and the penetrating electrodes 6 in addition to a metal such as gold, silver, aluminum, copper or a solder material, a conductive paste or a conductive polymer.

Die Elektrodenschichten 1 und 2 können durch Vakuumverdampfung, Sputtern oder galvanisches Beschichten oder dergleichen gebildet werden. Außerdem können die Elektrodenschichten 1 und 2 in der vorgegebenen Struktur (Form) wie einer polygonalen Form durch Verwendung einer festen Schablone mit Strukturierung, durch Verwendung einer Verdampfungsschablone aus Öl oder dergleichen oder durch entsprechendes Laser-Ätzen ausgebildet sein. Das Material für die Ölschablone kann aus verschiedenen Ölsorten wie auf Kohlenwasserstoff basierendem Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl bestehen.The electrode layers 1 and 2 can be formed by vacuum evaporation, sputtering or electroplating or the like. In addition, the electrode layers 1 and 2 be formed in the predetermined structure (shape) as a polygonal shape by using a solid stencil with structuring, by using an evaporation stencil made of oil or the like, or by corresponding laser etching. The material for the oil stencil may consist of various types of oil such as hydrocarbon based oil, mineral oil or fluorocarbon oil.

Die dielektrische Schicht 3 kann durch die folgenden Verfahren gebildet werden. Wenn ein auf Harz basierendes Material verwendet wird, wird es durch Erwärmen verdampft oder durch Ultraschallwellen oder Sprühen zerstäubt und anschließend aufgebracht. Wenn das keramische Material oder das auf Metall basierende Material verwendet wird, können Sputtern, Verdampfen oder dergleichen ausgewählt werden.The dielectric layer 3 can be formed by the following methods. When a resin-based material is used, it is evaporated by heating, or atomized by ultrasonic wave or spraying, and then applied. When the ceramic material or the metal-based material is used, sputtering, evaporation or the like can be selected.

Um die Ableitelektroden 4 und 5 und die Durchdringungselektroden 6 zu bilden, werden Öffnungen in der dielektrischen Schicht 3 durch die folgenden Verfahren ausgebildet. Nach dem Ausbilden der dielektrischen Schicht wird das Dielektrikum in einem vorgegebenen Teil durch Laser-Ätzen entfernt. Alternativ wird die dielektrische Schicht nach dem Auftragen der Verdampfungsschablone wie Öl gebildet. Eine gepunktete oder lineare Verdampfungsschablone kann ebenfalls wirksam durch ein Tintenstrahl-System aufgetragen werden, in dem Mikrotropfen aus einem Schablonenmaterial von Mikroporen ausgestoßen werden.To the discharge electrodes 4 and 5 and the penetrating electrodes 6 form openings in the dielectric layer 3 formed by the following methods. After forming the dielectric layer, the dielectric is removed in a predetermined part by laser etching. Alternatively, the dielectric layer is formed after application of the evaporation stencil, such as oil. A dotted or linear evaporation template may also be effectively applied by an ink jet system in which microdrops are ejected from a template material of micropores.

Wenn die Ölschablone aufgetragen wird, kann das Öl wie auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, Mineralöl oder Fluorkohlenwasserstoff-Öl verwendet werden.If the oil stencil The oil can be applied such as hydrocarbon based oil, mineral oil or hydrofluorocarbon oil become.

Wenn die Verdampfungsschablone verwendet wird, kann überschüssiges Schablonenmaterial, das nach dem Ausbilden von jeder Schicht übrig bleibt, wenn nötig durch ein Infrarot-Dunkelstrahl-Heizgerät bzw. Fern-Infrarot-Heizgerät, einen Elektronenstrahl, eine Bestrahlung mit einer Ultraviolettlampe oder eine Plasmabestrahlung entfernt werden.If If the evaporation template is used, excess stencil material, the remaining after forming each layer, if necessary through an infrared dark jet heater or far infrared heater, an electron beam, an irradiation with an ultraviolet lamp or a plasma irradiation be removed.

Das elektronische Gerät kann zum Beispiel durch Verwendung der Vorrichtung, die im ersten oder zweiten Ausfüh rungsbeispiel beschrieben wurde, in einer ähnlichen Weise speziell hergestellt werden.The electronic device For example, by using the device in the first or Second Ausfüh insurance example was described in a similar Way specially made.

Das gebildete elektronische Gerät 10 wird verwendet, indem es zum Beispiel zwischen einem Träger 28, auf dem ein Halbleiterchip 27 montiert ist, und einer Verdrahtungsplatte 30 angeordnet wird, wie schematisch in 11 gezeigt wird. Ein Signalanschluss 29a an der unteren Oberfläche des Trägers 28 wird mit einer Verdrahtungsstruktur 31, die auf der Verdrahtungsplatte 30 ausgebildet ist, über die Durchdringungselektrode 6 des elektronischen Gerätes 10 der vorliegenden Erfindung verbunden, wenn es notwendig ist. Außerdem wird ein Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des Trägers 28 mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und weiter mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden. Der andere Energieanschluss 29b an der unteren Oberfläche des Trägers 28 wird mit der Verdrahtungsplatte 30 über die Durchdringungselektrode 6 und weiter mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden. Die Durchdringungselektrode 6 und die Ableitelektroden 4 und 5 können mit der Verdrahtungsstruktur 31 an der Oberfläche der Verdrahtungsplatte 30 gemäß 11 oder mit einer anderen Einrichtung wie einer Verbindung innerhalb der Verdrahtungsplatte 30 verbunden werden. Alternativ kann der Energieanschluss 29b an der unteren Seite des Trägers 28 mit den Ableitelektroden 4 und 5 an der unteren Seite des Trägers verbunden werden, wobei dann das elektronische Gerät 10 der vorliegenden Erfindung mit der Verdrahtungsplatte 30 auf der Oberfläche der Verdrahtungsplatte 30 verbunden werden kann. Die Bezugszahl 9 in 11 kennzeichnet einen Kapazität bildenden Bereich, der an dem überlappenden Teil der ersten und der zweiten dünnen Metallfolien gebildet wird.The formed electronic device 10 is used by, for example, between a carrier 28 on which a semiconductor chip 27 is mounted, and a wiring board 30 is arranged as schematically in 11 will be shown. A signal connection 29a on the lower surface of the carrier 28 comes with a wiring structure 31 on the wiring board 30 is formed, via the penetrating electrode 6 of the electronic device 10 connected to the present invention, if necessary. There will also be an energy connection 29b on the lower surface of the carrier 28 with the wiring board 30 via the penetrating electrode 6 and continue with the first lead-off electrode 4 connected. The other energy connection 29b on the lower surface of the carrier 28 is with the wiring board 30 via the penetrating electrode 6 and further with the second discharge electrode 5 connected. The penetrating electrode 6 and the discharge electrodes 4 and 5 can with the wiring structure 31 on the surface of the wiring board 30 according to 11 or with another device such as a connection inside the wiring board 30 get connected. Alternatively, the energy connection 29b on the lower side of the carrier 28 with the discharge electrodes 4 and 5 be connected to the lower side of the carrier, in which case the electronic device 10 of the present invention with the wiring board 30 on the surface of the wiring board 30 can be connected. The reference number 9 in 11 indicates a capacitance forming region formed at the overlapping part of the first and second thin metal foils.

Da die erste Elektrodenschicht 1, die mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden ist, und die zweite Elektroden schicht 2, die mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden ist, durch die dazwischen angeordnete dielektrische Schicht isoliert sind, wird zum Beispiel, wenn ein Energieanschluss, der mit der ersten Ableitelektrode 4 verbunden ist, ein Vcc-Anschluss ist und der andere Energieanschluss, der mit der zweiten Ableitelektrode 5 verbunden ist, eine Masseanschluss ist, der zwischen der ersten Ableitelektrode 4 und der zweiten Ableitelektrode 5 ausgebildete Kondensator die Montagefläche im Wesentlichen nicht vergrößern und wirkt als ein Durchleitungskondensator für die Stromversorgung in der Nähe des Halbleiterchips. Dies ist bei einer Hochfrequenz-Ansteuerung und bei einer Verringerung der Größe der Montagefläche vorzuziehen.As the first electrode layer 1 connected to the first lead-off electrode 4 connected, and the second electrode layer 2 connected to the second lead-off electrode 5 is insulated by the interposed dielectric layer, for example, when a power terminal connected to the first Ableitelektrode 4 is connected, a Vcc terminal and the other power terminal, which is connected to the second Ableitelektrode 5 is connected, a ground terminal is that between the first Ableitelektrode 4 and the second discharge electrode 5 formed capacitor does not substantially increase the mounting area and acts as a pass-through capacitor for the power supply in the vicinity of the semiconductor chip. This is preferable in high-frequency driving and in reducing the size of the mounting surface.

[Beispiel 3][Example 3]

Aluminium wurde als ein Material für die dünne Metallfolie verwendet, Acrylat wurde als ein dielektrisches Material verwendet, wobei eine auf Silber basierende Paste als eine leitende Paste verwendet wurde. Beim Ausbilden einer Elektrodenschicht wurde eine feste Schablone mit Durchgangslöchern verwendet, wobei beim Ausbilden einer dielektrischen Schicht, Fluorkohlenwasserstoff-Öl als Material für eine Ölschablone zum Aufbringen mit einem Tintenstrahl-System verwendet wurde. In einer Fläche von 15 Quadratmillimeter wurden 20 × 10 Reihen, das heißt, insgesamt 200 Durchdringungselektroden mit einem Durchmesser von 0,3 mm bei einem Abstand von 0,7 mm, und rechtwinklige Elektrodenschichten 1 und 2 mit einer Breite von 1 bis 2 mm in verschiedenen Längen zwischen den Reihen der Durchdringungselektroden ausgebildet, um Kondensatoren mit unterschiedlicher Größe aus den überlappenden Teile beider Elektroden herzustellen. Eine leitende Paste wurde in Teile gefüllt, die ein Loch von 0,25 mm × 1 mm definieren, um zwei Ableitelektroden in jedem Kondensator zu bilden. Das Aufbringen der Elektrodenschicht mit einer Dicke von 30 nm und der dielektrischen Schicht mit einer Dicke von 0,3 μm wurde wiederholt, um 130 dielektrische Schichten zu erhalten. Isolationsschichten mit einer Dicke von 8 μm wurden jeweils auf der oberen und der unteren Seite des schichtweise angeordneten Produktes ausgebildet, um dessen Festigkeit zu erhöhen. Die obere und die untere Isolationsschicht wurden für die Vereinfachung aus dem gleichen Material hergestellt wie die dielektrische Schicht. Die untere Isolationsschicht wurde bearbeitet, um Löcher für die Durchdringungselektroden und die Ableitelektroden durch Schablonen zu bilden. Die obere Isolationsschicht wurde ebenfalls bearbeitet, um Löcher für die Durchdringungselektroden durch Schablonen zu bilden. Eine leitende Paste wurde so aufgestrichen, dass der konkave Teil (Öffnung), der durch die Bearbeitung des Lochs für die Durchdringungselektroden und die Ableitelektroden gebildet wurde, gefüllt wurde und danach aushärtete.Aluminum was used as a material for the thin metal foil, acrylate was used as a dielectric material, and a silver-based paste was used as a conductive paste. In forming an electrode layer, a solid stencil having through-holes was used, and when forming a dielectric layer, fluorohydrocarbon oil was used as a material for an oil stencil for application with an ink-jet system. In an area of 15 square millimeters, 20 × 10 rows, that is, a total of 200 penetrating electrodes having a diameter of 0.3 mm at a pitch of 0.7 mm, and rectangular electrode layers 1 and 2 1 to 2 mm wide in various lengths between the rows of penetrating electrodes to make capacitors of different sizes from the overlapping parts of both electrodes. A conductive paste was filled in parts defining a 0.25 mm x 1 mm hole to form two drain electrodes in each capacitor. The application of the electrode layer having a thickness of 30 nm and the dielectric layer having a thickness of 0.3 μm was repeated to obtain 130 dielectric layers. Insulation layers having a thickness of 8 μm were respectively formed on the upper and lower sides of the layered product to increase its strength. The upper and lower insulating layers were made of the same material as the dielectric layer for the sake of simplicity. The lower insulating layer was processed to form holes for the penetrating electrodes and the drain electrodes by stencils. The upper insulating layer was also processed to form holes for the penetrating electrodes through templates. A conductive paste was brushed so that the concave part (opening) formed by machining the hole for the penetrating electrodes and the drain electrodes was filled and then cured.

Ein LCR-Messgerät bestätigte das Ergebnis, dass neun Kondensatoren, nämlich vier Kondensatoren mit einer Kapazität von 0,047 μF, zwei Kondensatoren mit einer Kapazität von 0,068 μF, zwei Kondensatoren mit einer Kapazität von 0,1 μF und ein Kondensator mit einer Kapazität von 0,47 μF bei tan δ 1,2% innerhalb des schichtweise angeordneten Produktes mit einer Dicke von etwa 60 μm ausgebildet wurden.One LCR meter confirmed the result that nine capacitors, namely four capacitors with a capacity of 0.047 μF, two capacitors with a capacity of 0.068 μF, two capacitors with a capacity of 0.1 μF and a capacitor with a capacitance of 0.47 μF at tan δ 1.2% within the layered arranged product having a thickness of about 60 microns were formed.

Ein Material zum Ausbilden der Elektrodenschichten ist nicht auf das der oben beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsbeispiele und der Beispiele 1 bis 3 beschränkt, sondern kann ein Metall wie Aluminium, Kupfer oder Gold oder eine Metallverbindung sein. Ein Material zum Ausbilden der dielektrischen Schicht kann ein Harzmaterial wie Acrylharz, Epoxidharz oder Vinylharz, ein keramisches Material wie ein auf Bariumtitanoxid basierender keramischer Werkstoff oder ein auf Strontiumtitanoxid basierender keramischer Werk stoff, ein Metalloxid wie Titanoxid oder Aluminiumoxid oder ein Halbmetalloxid wie Siliziumoxid sein. Außerdem kann ein Material zum Ausbilden der Durchdringungselektroden und der Ableitelektroden zusätzlich zu der leitenden Paste ein leitendes Polymer oder ein Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Kupfer oder ein Lötmaterial sein. Des Weiteren kann ein Material zum Ausbilden der externen Elektroden zusätzlich zu der leitenden Paste ein einzelnes Material sein, dass aus einem leitenden Polymer und einem Metall wie Messing, Zink, Lötmaterial, Gold, Silber und Kupfer ausgewählt wird. Alternativ können die externen Elektroden aus einer Kombination davon ausgebildet sein. Zum Beispiel kann nach dem Ausbilden einer Messingschicht eine Schicht aus leitender Paste darauf ausgebildet sein.One Material for forming the electrode layers is not on the the above-described first to third embodiments and the examples 1 to 3 limited, but can be a metal like aluminum, copper or gold or a Be metal compound. A material for forming the dielectric Layer may be a resin material such as acrylic resin, epoxy resin or vinyl resin, a ceramic material such as barium titanium oxide based ceramic material or a strontium titanium oxide based ceramic Material, a metal oxide such as titanium oxide or aluminum oxide or a semi-metal oxide such as silica. In addition, a material for Forming the penetrating electrodes and the diverting electrodes additionally to the conductive paste, a conductive polymer or a metal such as Gold, silver, aluminum, copper or a soldering material. Furthermore For example, a material for forming the external electrodes may be added to The conductive paste will be a single material that comes from a conductive polymer and a metal such as brass, zinc, solder, gold, Silver and copper selected becomes. Alternatively you can the external electrodes are formed of a combination thereof be. For example, after forming a brass layer a layer of conductive paste may be formed thereon.

In den für die Beschreibung der ersten bis dritten Ausführungsbeispiele verwendeten Zeichnungen sind die Elektrodenschichten so angeordnet, dass sie in der Beschichtungsrichtung von oben aus gesehen rechtwinklig zueinander angeordnet sind, so dass sie rechtwinklige, Kapazität bildende Bereiche bilden. Die Kapazität bildenden Bereiche müssen jedoch nicht rechtwinklig sein. Zum Beispiel kann das Kreuzen der streifenförmigen Elektroden schräg zueinander den Kapazität bildenden Bereich, der an dem Schnittpunkt gebildet wird, mit den anderen Formen wie einem Parallelogramm bilden.In the for used the description of the first to third embodiments Drawings are the electrode layers arranged so that they in the coating direction viewed from above at right angles to each other are arranged so that they are rectangular, capacity-forming Forming areas. The capacity forming areas but not be right-angled. For example, the cruising of the stripe Electrodes diagonally to each other the capacity forming area formed at the intersection with the form other shapes like a parallelogram.

Darüber hinaus sind die Formen der Ableitelektroden und der Durchdringungselektroden nicht auf jene begrenzt, die in den Zeichnungen schematisch dargestellt sind, sondern können in andere Formen geändert werden.Furthermore are the shapes of the drain electrodes and the penetrating electrodes not limited to those shown schematically in the drawings are, but can changed to other forms become.

Des Weiteren kann ein elektronisches Gerät eine Mischung der in den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen beschriebenen Strukturen aufweisen. Zum Beispiel können nach dem Ausbilden der Elektroden so, dass sie streifenförmig sind, wie im ersten und zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben ist, einige dieser Elektroden mit den Ableitelektroden des ersten Ausführungsbeispiels verbunden werden, wobei die anderen mit den externen Elektroden des zweiten Ausführungsbeispiels verbunden werden können. Alternativ können nach dem Ausbilden der Elektroden so, dass sie streifenförmig sind, wie im ersten und zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben ist, und nach dem Ausbilden der Elektroden in der vorgegebenen Struktur, wie im dritten Ausführungsbeispiel beschrieben ist, einige dieser Elektroden mit den Ableitelektroden des ersten oder dritten Ausführungsbeispiels verbunden werden, wobei die anderen mit den externen Elektroden des zweiten Ausführungsbeispiels verbunden werden können.Furthermore, an electronic device may have a mixture of the structures described in the first to third embodiments. For example, after forming the electrodes to be strip-shaped, as described in the first and second embodiments, some of these electrodes may be connected to the drain electrodes of the first embodiment, and the others may be connected to the external electrodes of the second embodiment. Alternatively, after forming the electrodes to be strip-shaped as described in the first and second embodiments, and after forming the electrodes in the predetermined structure as described in the third embodiment, some of these electrodes may be connected to the drain electrodes of the first or second electrodes third embodiment, wherein the others with the external electrodes of the second Ausfüh example can be connected.

Obwohl die Öffnungen (Löcher) zum Ausbilden der Durchdringungselektroden und der Ableitelektroden in der dielektrischen Schicht durch Laser-Ätzen oder Aufbringen des Verdampfungsöls jedes Mal dann ausgebildet werden, wenn die dielektrische Schicht aufgebracht wird, müssen Sie nicht während des Aufbringens gebildet werden. Zum Beispiel kann nach dem Aufbringen ein Bestrahlen eines Laserstrahls in einem vorgegebenen Teil die Öffnungen (Löcher) bilden. Mit anderen Worten kann die Durchdringungselektrode durch Ausbilden eines Durchdringungslochs in einer Beschichtungsrichtung gebildet werden, so dass sie mit keiner Elektrodenschicht in Kontakt kommt und ein leitendes Material in das Durchdringungsloch gefüllt wird. Außerdem kann die Ableitelektrode durch Ausbilden eines Lochs mit einer vorgegebenen Tiefe (oder ein Durchdringungsloch) gebildet werden, so dass sie nur mit einer gewünschten Elektrodenschicht in Kontakt kommt und ein leitendes Material darin gefüllt wird, um mit der Elektrodenschicht in Kontakt zu kommen, die zu einer inneren Wand (und einem unteren Teil) dieses Lochs freiliegt. Somit wird diese Ableitelektrode mit der gewünschten Elektrodenschicht elektrisch verbunden.Even though the openings (Holes) for forming the penetrating electrodes and the diverting electrodes in the dielectric layer by laser etching or applying the evaporation oil each Then be formed when the dielectric layer is applied will have to Do not while of applying. For example, after application irradiating a laser beam in a predetermined part of the openings (Holes) form. In other words, the penetrating electrode may pass through Forming a penetration hole formed in a coating direction so that it does not come into contact with any electrode layer and a conductive material is filled in the penetration hole. In addition, can the Ableitelektrode by forming a hole with a predetermined Depth (or a penetration hole) are formed so that they only with a desired one Electrode layer comes into contact and a conductive material in it filled is to come into contact with the electrode layer, the too an inner wall (and a lower part) of this hole is exposed. Thus, this lead electrode is electrically connected to the desired electrode layer.

Zusätzlich kann das elektronische Gerät, obwohl es mit einer Kondensatorfunktion als einem Beispiel beschrieben, ist, weitere Funktionen (zum Beispiel eine Spule, einen Rauschfilter oder eine schichtweise angeordnete Leiterplatte usw.) anders als die oder zusammen mit der Kondensatorfunktion haben.In addition, can the electronic device, although described with a capacitor function as an example, is, other functions (for example, a coil, a noise filter or a layered printed circuit board, etc.) other than have or together with the capacitor function.

Die Erfindung kann in anderen speziellen Formen verkörpert sein, ohne von deren Geist oder wesentlichen Eigenschaften abzuweichen. Die in dieser Anmeldung offenbarten Ausführungsbeispiele sollen in jeder Hinsicht als veranschaulichend und nicht einschränkend betrachtet werden, wobei der Umfang der Erfindung eher durch die beigefügten Ansprüche als durch die vorangegangene Beschreibung angezeigt wird und alle Änderungen, die in die Bedeutung und den Bereich der Entsprechung der Ansprüche fallen, darin eingeschlossen sein sollen.The Invention may be embodied in other specific forms without departing from the same To deviate spirit or essential qualities. The in this Application disclosed embodiments are intended considered in all respects as illustrative and not restrictive the scope of the invention is indicated by the appended claims indicated by the preceding description and all changes, falling within the meaning and scope of the equivalence of the claims, should be included in it.

INDUSTRIELLE ANWENDBARKEITINDUSTRIAL APPLICABILITY

Wie oben beschrieben ist, kann das Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes einen Kapazität bildenden Bereich, eine Spule, einen Rauschfilter und eine schichtweise angeordnete Leiterplatte usw. in der Nähe eines Halbleiterchips bilden, wobei dadurch eine Hochfrequenz-Ansteuerung des Halbleiterchips und ein Unterdrücken der Zunahme der Größe einer Montagefläche erreicht wird. Somit kann die vorliegende Erfindung insbesondere für eine elektronische Anlage verwendet werden, die die Informationsverarbeitung wirksam beschleunigen soll.As is described above, the method for producing the electronic equipment a capacity forming area, a coil, a noise filter and a layerwise arranged printed circuit board, etc. in the vicinity of a semiconductor chip, thereby a high-frequency control of the Semiconductor chips and a suppression the increase in the size of one mounting surface is reached. Thus, the present invention may be more particularly for one electronic equipment used, which is the information processing to accelerate effectively.

Claims (7)

Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Gerätes mit: Aufbringen von mehreren streifenförmigen ersten dünnen Metallfolien (1); Aufbringen einer ersten dielektrischen dünnen Folie (3), die eine erste Öffnung auf den mehreren ersten dünnen Metallfolien und eine zweite und dritte Öffnung beide in einem Bereich hat, in dem die mehreren ersten dünnen Metallfolien nicht aufgebracht sind; Aufbringen von mehreren streifenförmigen zweiten dünnen Metallfolien (2) auf einen Bereich der dielektrischen dünnen Folie (3), wobei der Bereich die dritte Öffnung aufweist und nicht die erste und die zweite Öffnung aufweist, wobei die Richtungen der Streifen der mehreren ersten dünnen Metallfolien (1) und der mehreren zweiten dünnen Metallfolien (2) gekreuzt sind; Aufbringen einer zweiten dielektrischen dünnen Folie mit einer vierten, fünften und sechsten Öffnung an den gleichen Positionen wie die erste, die zweite bzw. die dritte Öffnung mit Bezug auf eine Beschichtungsrichtung; und wiederholtes Durchführen der vier Auftragungsschritte auf einen Träger in einem Vakuum, wobei die erste und die zweite dünne Metallfolie durch Vakuumverdampfung oder Sputtern aufgebracht werden; wodurch die ersten dünnen Metallfolien, die durch die erste und durch die zweite dielektrische dünne Folie getrennt sind, miteinander über die erste und die vierte Öffnung elektrisch verbunden sind, die zweiten dünnen Metallfolien, die durch die erste und die zweite dielektrische dünne Folie getrennt sind, miteinander über die dritte und die sechste Öffnung elektrisch verbunden sind, und Kapazität bildende Bereiche (9) an jeweiligen Schnittpunkten der mehreren streifenförmigen ersten dünnen Metallfolien und der mehreren streifenförmigen zweiten dünnen Metallfolien gebildet werden, und das Verfahren weiterhin das Füllen einer leitenden Substanz in ein Durchdringungsloch aufweist, das aus der zweiten und der fünften Öffnung gebildet wird, die in der Beschichtungsrichtung verbunden sind und damit eine Durchdringungselektrode (6) bilden.Method for producing an electronic device comprising: applying a plurality of strip-shaped first thin metal foils ( 1 ); Application of a first dielectric thin film ( 3 ) having a first opening on the plurality of first thin metal foils and a second and third openings both in a region where the plurality of first thin metal foils are not deposited; Applying a plurality of strip-shaped second thin metal foils ( 2 ) to a region of the dielectric thin film ( 3 ), wherein the region has the third opening and does not have the first and the second opening, wherein the directions of the strips of the plurality of first thin metal foils ( 1 ) and the plurality of second thin metal foils ( 2 ) are crossed; Depositing a second dielectric thin film having fourth, fifth and sixth openings at the same positions as the first, second and third openings with respect to a coating direction, respectively; and repeatedly performing the four deposition steps on a support in a vacuum, wherein the first and second thin metal foils are deposited by vacuum evaporation or sputtering; whereby the first thin metal foils separated by the first and second dielectric thin foils are electrically connected to each other via the first and fourth openings, the second thin metal foils separated by the first and second dielectric thin foils, are electrically connected to each other via the third and the sixth openings, and capacitance-forming areas ( 9 ) are formed at respective intersections of the plurality of strip-shaped first thin metal foils and the plurality of strip-shaped second thin metal foils, and the method further comprises filling a conductive substance into a penetration hole formed from the second and fifth openings connected in the coating direction and thus a penetrating electrode ( 6 ) form. Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes nach Anspruch 1, wobei die erste bis sechste Öffnung durch Aufbringen der dünnen dielektrischen Folie und dann durch Einstrahlen eines Laserstrahls auf einen vorgegebenen Teil erhalten wird, um einen Teil der dielektrischen dünnen Folie zu entfernen.Method for producing the electronic device according to Claim 1, wherein the first to sixth opening by applying the thin dielectric film and then by irradiation of a laser beam is obtained on a given part to a part of the dielectric thin To remove foil. Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes nach Anspruch 2, wobei der Laserstrahl ein Kohlendioxidgas-Laser ist.Method of making the electronic Apparatus according to claim 2, wherein the laser beam is a carbon dioxide gas laser. Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes nach Anspruch 1, wobei die erste bis sechste Öffnung durch eine Ölschablone erhalten wird.Method for producing the electronic device according to Claim 1, wherein the first to sixth opening through an oil stencil is obtained. Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes nach Anspruch 4, wobei ein für die Ölschablone verwendetes Öl ein auf Kohlenwasserstoff basierendes Öl, ein Mineralöl oder ein Fluorkohlenwasserstoff-Öl ist.Method for producing the electronic device according to Claim 4, wherein a for the oil stencil used oil a hydrocarbon based oil, a mineral oil or a Fluorocarbon oil is. Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei nach dem wiederholten Durchführen der Auftragungsschritte ein Teil der dünnen Metallfolie zu einer Oberfläche des schichtweise angeordneten Produktes, das in der Beschichtungsrichtung erhalten wird, freiliegt.Method for producing the electronic device according to one of the claims 1 to 5, wherein after repeatedly performing the application steps a part of the thin one Metal foil to a surface of the layered product, in the coating direction is received, exposed. Verfahren zur Herstellung des elektronischen Gerätes nach Anspruch 6, wobei eine leitende Substanz auf eine Oberfläche des freiliegenden Teils der dünnen Metallfolie aufgetragen wird.Method for producing the electronic device according to Claim 6, wherein a conductive substance is applied to a surface of the exposed part of the thin Metal foil is applied.
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