DE1514822A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1514822A1
DE1514822A1 DE19651514822 DE1514822A DE1514822A1 DE 1514822 A1 DE1514822 A1 DE 1514822A1 DE 19651514822 DE19651514822 DE 19651514822 DE 1514822 A DE1514822 A DE 1514822A DE 1514822 A1 DE1514822 A1 DE 1514822A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
prongs
semiconductor
frame
embedding
shaped part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651514822
Other languages
English (en)
Inventor
Engbert Dipl-Phys Dr Wilhelm
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Publication of DE1514822A1 publication Critical patent/DE1514822A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

822
Tel ©funken Patentverwertungsgesellschaft
m.b.H.
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 9. Juni 1965 PE/PT-M/N - Hn 71/64
"Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung11
Für integrierte Halbleiterschaltungen verwendet man zur Zeit Flachgehäuee, die aus Keramik oder Glas bestehen und auf jeder Seite je fünf oder sechs eingeschmolzene Flachdurchführungen enthalten* In das Gehäuse werden die integrierten Schaltungen in Form von Halbleiterplättchen, von denen jedes Plättchen mehrere aktive oder passive Bauelemente enthält, eingeklebt und es werden dann Bondkontakte von den Halbleiterplättchen zu den Durchführungen hergestellt. Da es bei den integrierten Schaltungen darauf ankommt, möglichst kleine Abmessungen zu erzielen, hängt die Dimension des fertigen,integrierten Bauelements von der Größe dieses aeh&uses ab. Bei den bislang verwendeten Gehäusen n»h»en diese etwa io mal so viel Platz ein, wie die lialbleit*rplMttchem selbst.
die MiniaturisieruÄf bei gleichseitiger Vereinfachung Herstellungsverfahrens weiter vorantreiben zu können, wird *rfinduftgsge«**ß vorgeschlagen, daß «in zum Kontaktieren
909826/0572 badoriginal
ψ - a -
15U822
geeignetes Blech derart mit Aussparungen versehen wird, daß ein rahmenförmiger Teil mit nach innen ragenden Zinken entsteht, auf die entweder ein Halbleiterkörper oder ein ZuIeitungsdraht zu einer albleiterelektrode aufgelötet wird, und daß die Zinken zusammen mit dem (den) Halbleiterkörper (η) in einen Kunststoff eingebettet und nach dem Einbetten vom rahmenförmigen Teil des Bleches getrent werden.
Der Vorteil dieses Verfahrens beruht darin, daß die Stanzoder geätzten Teile sehr klein gemacht werden können, und daß man den Schutz der Kristalloberfläche und den mechanischen Halt der Durchführungen mit einem Arbeitsgang durchführen kann. Um eine integrierte Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung aufbauen zu können, stanzt oder ätzt man ein geeignetes Blech so aus, daß ein rahmenförmiges Teil mit so vielen nach innen ragenden Zinken entsteht, wie Gehäusedurchführungen erforderlich sind· Die monolitische, integrierte Halbleiterschaltung wird in For« eines Plättchens auf einen dieser Zinken aufgelötet und von diesen Plättchen werden dann die Bondverbindungen zu den anderen Zinken hergestellt. Je nach der Zahl der Zinken können auch zwei oder «ehr integrierte Halbleiterplättchen »it dee erfindungagee&ß ausgebildeten Blechteiltontaktiert werden. Nach de» Kontaktieren wird eine Passivierung der Halbleiter-
909828/0572 _ 3 _
15H822
schaltungen vorgenommen, indem z.B. ein Glaspulver aufgesprüht und bei etwa 55o°C in einem Ofen zum Schmelzen gebracht wird. Auf diesen Arbeitsgang kann unter Umständen verzichtet werden,und man kann direkt nach dem Kontaktieren das System durch einen Backprozess in Kunststoff oder Glas einbetten. Dies geschieht bei- Temperaturen zwischen 15o und 2oo C bei Verwendung von Epoxydharz und bei 3<>o bis 600 C, wenn man Glas verwendet. Dabei legt sich der Isolierstoff zwischen die Zinken und über die Halbleiterplättchen und bildet ao eine se hut ζ axle Hülle für die integrierten Schaltelemente und gibt den Zinken, die nach dem anschließsenden Abtrennen des rahmenförmigen Teils als Gehäusedurchführungen dienen, den mechanischen Halt bei gleichzeitiger, gegenseitiger Isolierung.
Eine Weiterbildung des bisher beschriebenen Verfahrens besteht darin, daß die Zinken soweit in eine Feinstruktur übergehen, daß sie direkt auf die Kontaktstruktur der HaIbleiterplättchen zugeschnitten sind. Die Zinken sind nun so angeordnet, daß sie beim Auflegen eines Halbleiterplättchens direkt mit den Kontaktflecken des Plättchens in Berührung kommen. Nach dem richtigen Auflegen können die Kontaktflecken direkt mit den sie berührenden Zinken verlötet werden, oder man kontaktiert die Kontaktflecken mit den Zinken durch Bonden.
909826/0572
Kontaktiert man durch Bonden, so wird das Halbleiterplättchen zuerst mit der den Kontaktflecken abgewandten Seite auf eine Unterlage gejagt· Dann wird das Blech mit der Kontaktierungsstruktur auf das Halbleiterplättchen gelegt und mit Hilfe eines Druckstempels bei gleichzeitiger Anwendung von erhöhter Temperatur oder von Ultraschall mit den Kontaktflecken in Kontakt gebracht· Passivierung und Festlegung der Durchführungen erfolgt in der gleichen Weise trie sie bereits oben beschrieben wurde.
Das Verfahren gemäß der Erfindung soll anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert, werden·
Die Figur zeigt das ausgestanzte oder geätzte Blech mit dem rahmenförmigen Teil 1 und den Zinken 2. Auf zwei der Zinken wurde eine auf einem Halbleiterplättchen untergebrachte integrierte Schaltung 3 aufgebracht. Von diesen Halbleiterplättchen gehen Bondkontakte k zu den noch freien Zinken. Im Bereich 5 werden die Zinken mit den Halbleiterplättchen in Epoxydharz oder Glas eingebettet. Anschliessend werden die Zinken durch Abtrennen des rahmenförmigen Teils 1 an den Schnittflächen 6 und 7 elektrisch voneinander getrennt. Die aus der Kunststoff- oder Glasmasse heraus· ragenden Zinkenenden werden nun als Gehäusedurchführungen verwendet.
909826/0572 - 5 -

Claims (3)

  1. - 5 - 1314822
    Patentansprüche
    l) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere integrierte Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß ein zum Kontaktieren geeignetes Blech derart mit Aussparungen versehen wird, daß ein rahmenförmiger Teil mit nach innen ragenden Zinken entsteht, auf die entweder ein Halbleiterkörper oder ein ZuIeitungsdraht zu einer Halbleiterelektrode aufgelötet wird, und daß die Zinken zusammen mit dem(den) Haibleiterkörper(n) in einen Kunststoff eingebettet und nach dem Einbetten vom rahmenförmigen Teil des Bleches getrennt werden.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einbetten ein aushärtbarer Kunststoff verwendet wird·
  3. 3) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einbetten ein aufschmelzbares Glas verwendet wird·
    k) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussparungen durch Ausstanzen oder Ätzen hergestellt werden.
    90 98 26/0 572
    Leerseite
DE19651514822 1964-08-14 1965-06-12 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung Pending DE1514822A1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET0026811 1964-08-14
DET0028783 1965-06-12
DET0028863 1965-06-24
DET0029398 1965-09-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1514822A1 true DE1514822A1 (de) 1969-06-26

Family

ID=27437635

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651514822 Pending DE1514822A1 (de) 1964-08-14 1965-06-12 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1514827A Expired DE1514827C2 (de) 1964-08-14 1965-06-24 Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE1514869A Expired DE1514869C3 (de) 1964-08-14 1965-09-14 Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Hochfrequenztransistoren

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1514827A Expired DE1514827C2 (de) 1964-08-14 1965-06-24 Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE1514869A Expired DE1514869C3 (de) 1964-08-14 1965-09-14 Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Hochfrequenztransistoren

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3281628A (de)
JP (1) JPS516503B1 (de)
AT (2) AT261004B (de)
CH (1) CH439501A (de)
DE (3) DE1514822A1 (de)
GB (1) GB1112604A (de)

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3444440A (en) * 1964-11-27 1969-05-13 Motorola Inc Multiple lead semiconductor device with plastic encapsulation supporting such leads and associated elements
DE1514015A1 (de) * 1965-06-01 1970-08-20 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen von mit einer Huelle umgebenen und mit Zuleitungen versehenen Halbleiteranordnungen
US3413713A (en) * 1965-06-18 1968-12-03 Motorola Inc Plastic encapsulated transistor and method of making same
US3522490A (en) * 1965-06-28 1970-08-04 Texas Instruments Inc Semiconductor package with heat conducting mounting extending from package on side opposite conductor extensions
US3426423A (en) * 1965-07-08 1969-02-11 Molectro Corp Method of manufacturing semiconductors
DE1514881C3 (de) * 1965-10-15 1975-05-28 Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleiterbauelementes
US3429030A (en) * 1965-10-23 1969-02-25 Rca Corp Method of fabricating semiconductor devices
US3418089A (en) * 1965-12-16 1968-12-24 Berg Electronics Inc Assembly for transistor manufacture
US3444614A (en) * 1966-01-12 1969-05-20 Bendix Corp Method of manufacturing semiconductor devices
US3387359A (en) * 1966-04-01 1968-06-11 Sylvania Electric Prod Method of producing semiconductor devices
US3464105A (en) * 1966-04-21 1969-09-02 Sylvania Electric Prod Method of producing semiconductor devices
US3440027A (en) * 1966-06-22 1969-04-22 Frances Hugle Automated packaging of semiconductors
DE1564867C3 (de) * 1966-06-30 1975-04-10 Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen
US3484533A (en) * 1966-09-29 1969-12-16 Texas Instruments Inc Method for fabricating semiconductor package and resulting article of manufacture
US3524249A (en) * 1966-10-08 1970-08-18 Nippon Electric Co Method of manufacturing a semiconductor container
US3419763A (en) * 1966-10-31 1968-12-31 Itt High power transistor structure
US3577633A (en) * 1966-12-02 1971-05-04 Hitachi Ltd Method of making a semiconductor device
GB1196452A (en) * 1967-01-19 1970-06-24 Lucas Industries Ltd Semiconductor Circuits
US3465210A (en) * 1967-05-23 1969-09-02 Rca Corp Housing and lead assembly for high-frequency semiconductor devices
US3436810A (en) * 1967-07-17 1969-04-08 Jade Corp Method of packaging integrated circuits
US3484536A (en) * 1967-11-29 1969-12-16 Sprague Electric Co Encapsulated component
DE1907075B2 (de) * 1969-02-13 1974-07-04 Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Kleingleichrichtern
US3628483A (en) * 1970-03-20 1971-12-21 Amp Inc Method of making power frame for integrated circuit
US3679946A (en) * 1970-07-06 1972-07-25 Gen Motors Corp Strip mounted semiconductor device
US3611061A (en) * 1971-07-07 1971-10-05 Motorola Inc Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof
US3802065A (en) * 1972-03-16 1974-04-09 Gen Electric Method and structure for mounting semiconductor chips
US3999955A (en) * 1975-07-15 1976-12-28 Allegheny Ludlum Industries, Inc. Strip for lead frames
GB1550834A (en) * 1975-07-24 1979-08-22 Telcon Metals Ltd Semiconductor devices
GB1579715A (en) * 1977-03-12 1980-11-26 Omron Tateisi Electronics Co Contacless switch and method of making the same
US4914045A (en) * 1985-12-19 1990-04-03 Teccor Electronics, Inc. Method of fabricating packaged TRIAC and trigger switch
US5038453A (en) * 1988-07-22 1991-08-13 Rohm Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices, and leadframe and differential overlapping apparatus therefor
US7816772B2 (en) * 2007-03-29 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for multi-stage molding of integrated circuit package
US9823090B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object
US20100016095A1 (en) 2008-07-15 2010-01-21 Michael Scott Burnett Golf club head having trip step feature
US10888747B2 (en) 2008-07-15 2021-01-12 Taylor Made Golf Company, Inc. Aerodynamic golf club head
US8858359B2 (en) 2008-07-15 2014-10-14 Taylor Made Golf Company, Inc. High volume aerodynamic golf club head
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
US20100188078A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Andrea Foletto Magnetic sensor with concentrator for increased sensing range
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US10215550B2 (en) 2012-05-01 2019-02-26 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensors having highly uniform magnetic fields
US9817078B2 (en) 2012-05-10 2017-11-14 Allegro Microsystems Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil
US10725100B2 (en) 2013-03-15 2020-07-28 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US20140377915A1 (en) * 2013-06-20 2014-12-25 Infineon Technologies Ag Pre-mold for a magnet semiconductor assembly group and method of producing the same
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
US10495699B2 (en) 2013-07-19 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target
US9810519B2 (en) 2013-07-19 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US9720054B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US10712403B2 (en) 2014-10-31 2020-07-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9719806B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object
US10041810B2 (en) 2016-06-08 2018-08-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors
US10260905B2 (en) 2016-06-08 2019-04-16 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations
US10012518B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object
US10310028B2 (en) 2017-05-26 2019-06-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor
US10641842B2 (en) 2017-05-26 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Targets for coil actuated position sensors
US10996289B2 (en) 2017-05-26 2021-05-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated position sensor with reflected magnetic field
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
US10837943B2 (en) 2017-05-26 2020-11-17 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with error calculation
US10324141B2 (en) 2017-05-26 2019-06-18 Allegro Microsystems, Llc Packages for coil actuated position sensors
US10866117B2 (en) 2018-03-01 2020-12-15 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target
US10921391B2 (en) 2018-08-06 2021-02-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with spacer
US11255700B2 (en) 2018-08-06 2022-02-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11061084B2 (en) 2019-03-07 2021-07-13 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate
US10955306B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deformable substrate
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE475135A (de) * 1943-10-26 1900-01-01
US2750654A (en) * 1950-10-03 1956-06-19 Harry L Owens Miniature rectifier
US3025439A (en) * 1960-09-22 1962-03-13 Texas Instruments Inc Mounting for silicon semiconductor device
US3118016A (en) * 1961-08-14 1964-01-14 Texas Instruments Inc Conductor laminate packaging of solid-state circuits
US3171187A (en) * 1962-05-04 1965-03-02 Nippon Electric Co Method of manufacturing semiconductor devices
US3184658A (en) * 1962-05-22 1965-05-18 Texas Instruments Inc Semiconductor device and header combination

Also Published As

Publication number Publication date
AT254948B (de) 1967-06-12
DE1439717A1 (de) 1969-03-20
DE1514827A1 (de) 1969-09-11
US3281628A (en) 1966-10-25
DE1514827B2 (de) 1972-11-16
CH439501A (de) 1967-07-15
DE1514869A1 (de) 1969-09-04
AT261004B (de) 1968-04-10
DE1439717B2 (de) 1972-11-16
JPS516503B1 (de) 1976-02-28
DE1514869B2 (de) 1974-06-20
GB1112604A (en) 1968-05-08
DE1514827C2 (de) 1981-11-19
DE1514869C3 (de) 1975-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1514822A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE10321692B4 (de) Verbesserung einer Drahtkontaktierbarkeit in einer gehäusten Sensoranordnung
DE102009008738A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE3008688A1 (de) Uebertragereinrichtung fuer ein miniatur-funkgeraet
DE2820403A1 (de) Verfahren zur kontaktierung der klebstoffseitigen elektrode eines elektrischen bauteiles
EP3360167B1 (de) Optoelektronisches bauelement mit einem leiterrahmen mit einer versteifungsstruktur
DE102015100129A1 (de) Miniaturisiertes SMD-Diodenpaket und Herstellungsverfahren dafür
DE112019005011T5 (de) Halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils
EP1927132A2 (de) Leistungshalbleitermodul und verfahren zu dessen herstellung
DE102020004379A1 (de) Asymmetrisches zweiseitiges modul mit niedriger beanspruchung
DE1223461B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Gleichrichteranordnungen mit tablettenfoermigen Gleichrichterelementen
DE2101028C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE1956501A1 (de) Gehaeuse fuer integrierte Halbleiter-Schaltungen
DE102017210307A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
EP1220314B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE2925509A1 (de) Packung fuer schaltungselemente
DE112005003629T5 (de) IC-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung einer IC-Baugruppe
DE102014105367B4 (de) Pressmasse und Verfahren zum Verpacken von Halbleiterchips
DE1272406B (de) Elektronische Miniaturkombinationseinheit
DE102004057795A1 (de) Kontaktierung von Vielschicht-Piezoaktoren bzw. -sensoren
DE102014203306A1 (de) Herstellen eines Elektronikmoduls
DE10149774A1 (de) Verfahren zum Verpacken von elektronischen Baugruppen und Mehrfachchipverpackung
DE10356367B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und Bauelement
DE102018216282A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors
DE102015112452B4 (de) Leistungshalbleiterbaugruppe und Verfahren zu ihrer Herstellung