DE1514015A1 - Verfahren zum Herstellen von mit einer Huelle umgebenen und mit Zuleitungen versehenen Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von mit einer Huelle umgebenen und mit Zuleitungen versehenen Halbleiteranordnungen

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DE1514015A1 DE19651514015 DE1514015A DE1514015A1 DE 1514015 A1 DE1514015 A1 DE 1514015A1 DE 19651514015 DE19651514015 DE 19651514015 DE 1514015 A DE1514015 A DE 1514015A DE 1514015 A1 DE1514015 A1 DE 1514015A1
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Description

Verfahren zum Herstellen von mit einer Hülle umgebenen und mit Zuleitungen versehenen Halbleiteranordnungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von mit einer Hülle umgebenen und mit Zuleitungen versehenen Halbleiteranordnungen in grossan Serien, bei dem die Halbleiteranordnung auf einer Zuleitung befestigt wird, elektrische Verbindungen zwischen Kontaktelektroden auf Zonen des Halbleiterkörpers und weiteren Zuleitungen hergestellt und anschl!essend die Halbleiteranordnung von einer Hüllmasse umgeben wird-.
Halbleiteranordnungen werden zum Anschluss in elektrischen Schaltungen gewöhnlich auf einem Sockel befestigt und in einem Gehäuse untergebracht. Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verursachen die Sockel und Gehäuse einen nicht Tonerhebllohen Teil der Herstellungskosten. Um Kosten zu sparen, verwendet man häufig anstelle der QehKusekappen Glas- oder KunstharzumhUllungen, die die Halbleiteranordnung schützen. Es ist auch bereite bekannt, auf Sockel zu verzichten und mit Zuleitungen versehene Halbleiteranordnungen mit einer Kunststoffhülle zu umgeben. '
Die Erfindung betrifft ein Verfahren sun Herstellen von Halbleiterbauelementen ohne Sockel oder Gehäuse, das besonders zur automatischen Serienfertigung von Halbleiterbauelementen
009834/1330
BAD ORIGINAL
- 2 - INTERMETALL I 4 (Jib Pat.Dr.St/B. - Pl 226
geeignet ist, die mit einer Hülle ungeben sind und Zuleitungen besitzen. Das Verfahren zeichnet sich erfindungsgemäss dadurch aus, dass zahlreiche Zuleitungen in der für die Anschlüsse einer Halbleiteranordnung nötigen Zahl zu Gruppen zusammengefasst mit einem Metallblech verbunden sind» dass Jeweils eine Halbleiteranordnung mit einer Elektrode auf einer Zuleitung einer Gruppe befestigt wird und zwischen den anderen Zuleitungen der Gruppe und den anderen Kontaktelektroden der Halbleiteranordnung elektrische Verbindungen hergestellt werden, dass jede Halbleiteranordnung und die zugehörigen Zuleitungen mit einer Hülle umgeben werden und anschiiessend die Zuleitungen von dem Metallblech getrennt werden.
Die Erfindung wird im folgenden anhand einiger in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Die Figuren 1 und 2 zeigen zwei unterschiedliche AusfUhrungsbeispiele nach der Erfindung.
In Figur 1 sind auf einem Metallblech 1 Drahtstücke 2, die als Zuleitungen dienen, in Gruppen zu je drei Stücken zusammengefasst befestigt. Zweckmässig wird man diese Drahtstifte auf das Metallblech sohwelssen. Die Sohweissteilen sind bei 3 angedeutet . Die Drahtstücke 2 überragen den einen Rand des Bleches.
Wie die Zusammenfassung zu Gruppen zu je drei Drahtstücken erkennen lässt, ist im vorliegenden Beispiel die Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit drei Elektroden beschrieben. Als Beispiel soll die Herstellung eines Planartransistors 4 beschrieben werden. Dieser wird mit einer Oberfläche, die gleichzeitig den Kollektorkontakt enthält, auf dem oberen Ende des Jeweils mittleren Drahtstiftes befestigt. Damit ist der Kollektoranschluss hergestellt. Die auf der entgegengesetzten Oberfläche des Halbleiterkörper befindlichen Emitter- und Basiselektroden werden mittels Drähten 5 nlt den beiden anderen !Zuleitungen verbunden. - 3 -
009834/1330 ""'.'."
BAD ORIGINAL
-3- INTERMETA LL
' 28. ^1 1965
Pat.Dr.St/B. - Fl 226
Zu diesen Zweck kann das Metallblech mit den einzelnen Drahtgruppen nacheinander an verschiedenen Arbeitsstationen, die die einzelnen Prozesse ausführen, vorbeigeführt werden.
Zum Herstellen derUmhüllung 6 kann das Metallblech mit den befestigten und mit elektrischen Verbindungen versehenen Transistoranordnungen in einen aushärtenden flüssigen Kunststoff eingetaucht werden. Es ist aber ebensogut auch möglich, unter Verwendung geeigneter, die einzelnen Halbleiteranordnungen umgebender Formen mit einem geeigneten Material, z.B. Kunststoff, zu umspritzen. Weiterhin kann eine Glaseinschmelzung mit bei niedrigen Temperaturen schmelzenden Spezialgläsern vorgenommen werden.
Nachdem die Umhüllung erhärtet ist, werden die Zuleitungen 2, z.B. durch einfaches Durchschneiden, vom Blech 1 getrennt. Ee liegen dann einzelne mit Anschlüssen versehene Halbleiterbauelemente vor- .
Die Befestigung des Halbleiterkörpers mit einer Elektrode auf einem Zuleitungsdraht kann durch bekannte Bond-, Legier-, Lötoder andere Kontaktierprozesse erfolgen. Die Kontaktelektroden auf der anderen Oberfläche werden mit den anderen Zuleitungen durch dünne Drähte aus Gold, Silber oder Aluminium verbunden, wobei die dünnen Drähte durch Bondprozesse oder Schweissen an den Elektroden bzw. Zuleitungen befestigt werden. Bondprozesse eignen sich besonders gut für eine automatische Herstellung. Falls das erforderlich und zum Herstellen der elektrischen Verbindungen bsw. zum Anbringen des Halbleiterkörpers zweckmässIg ist, können die einseinen Zuleitungen 2 von verschiedener Länge sein. Man kann die Länge dei* Drähte den Jeweiligen Erforderniesen anpassen. In Figur 1 let beispielsweise d©r mittlere Draht kürzer als die beiden itusseren Drähte dargestellt.
BAD ORKaINAL --* ~ 009834/1330 ö
**.* . ~λ*. - * - IKTERMETALL
ν Pat«Dr*St/B. - Pl
In Figur 2 werden die Zuleitungen auf eine andere Art als nach Figur 1 hergestellt. Ein etwas breiteres Blech f wird am einen Rand durch Stanzen so bearbeitet, dass schmale zu Gruppen zusammengefasste Streifen 8 kammartig an diesem Rand mit dem Blech 7 verbunden bleibend In dem In Figur 2 dargestellten Beispiel wird wieder die Herstellung von mit drei Anschlüssen versehenen Halbleiterbauelementen, z.B. Planartransistoren, betrachtet. In ähnlicher Weise wie bei Figur 1 wird der Transistor 9 auf einem der Metallstreifen 8 befestigt. Die auf der anderen Oberfläche des Halbleiterkörpers befindlichen Elektroden werden wiederum Jeweils durch einen Draht 10 mit den beiden anderen Zuleitungen verbunden. Ansohliessend wird dann eine HUlIe 11 um den Halbleiterkörper, die elektrischen Ansohltisse und die Zuleitungen gelegt.
In dem in Figur 2 dargestellten Beispiel 1st der Halbleiterkörper nicht wie bei Figur 1 am oberen Ende der Zuleitungen, sondern am unteren Ende befestigt. Das kann aus mechanischen Gründen erforderlich sein. Nach Durchtrennen der Metallstreifen an der Kante dee Bleches 7 wird dann zweokmKsslg nochmals eine Isolierschicht auf die SchnlttflKohen der Enden der Zuleitungen 8 aufgebracht, falls eine solche Isolierung erforderlich erscheint.
Selbstverstund!ich 1st es auch möglich, bei Figur 2 den Halbleiterkörper an den oberen Enden der Metallstreifen zu befestigen, wie auch im umgekehrten Falle bei Figur 1 eine Befestigung in der Nähe des Metallblechrandes möglich 1st.
009834/1330
BAD OhivsinAL

Claims (1)

  1. P A T E NT ANSPRl)C HE
    1. Verfahren zum Herstellen von mit einer Hülle umgebenen und mit Zuleitungen versehenen Halbleiteranordnungen in grossen Serien, bei de» der Halbleiterkörper auf einer Zuleitung befestigt wird« elektrische Verbindungen zwiaohen Kontaktelektroden auf Zonen des Halbleiterkörpers und weiteren Zuleitungen hergestellt und anschllessend die Halbleiteranordnung von einer Hüllaasse umgeben wird, dadurch gekennzeichnet;, dass zahlreiche Zuleitungen in der für die Anschlüsse einer Halbleiteranordnung benötigten Zahl zu Gruppen zusammengefasst mit «inem Metallblech verbunden sind, dass jeweils eine Halbleiteranordnung mit einer Elektrode auf einer Zuleitung einer Gruppe befestigt wird und zwischen den anderen Zuleitungen der Gruppe und den anderen Kontaktelektroden der Halbleiteranordnung elektrische Verbindungen hergestellt werden, dass jede Halbleiteranordnung und die dazugehörigen Zuleitungen Bit einer Hülle uageben werden und anscnliessend dl· Zuleitungen von den Metallblech getrennt werden.
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daas einzelne DrahtstUoke zu den gewünschten Gruppen inieaaeengefasst mit einen Ende an eine« Metallblech derart «ng*» schwelest werden, dass sie den Rand des Metallbleohes über ragen. -
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass aus «in·* Rand eines Metallblech·» schmal· Streifen in Fom «iner kas«artlg«a 3truktur ausgestamt werden, die »it «Ι»» End· nit d«i «ttallbleoh verbunden bleiben.
    BAD ORIGINAL
    00 9834/1330
    28. Mal 1965 Pat.Dr.St/B. - Pl
    4. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2 oder 3* dadurch gekenn· zeichnet, dass die zu einer Gruppe zusammengefassten Zuleitungen unterschiedliche Länge haben.
    5« Verfahren nach einen oder mehreren der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper mit einer Oberfläche durch einen Bond-, Legier-, Lot- oder anderen Kontaktlerprozess auf einer Zuleitung befestigt wird und zwischen den auf der anderen Oberfläche befindlichen Kohtaktelektroden der Kalbleiteranordnung und den v anderen Zuleitungen dünne Drähte durch Bondprozesse oder Schweissen befestigt werden.
    6. Verfahren nach einen oder mehreren der Ansprüche 1-5» dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiteranordnungen an den Susseren freien Enden der Zuleitungen befestigt sind.
    7« Verfahren nach eine» oder mehreren der Ansprüche 1-5« dadurch gekennzeichnet, dass die Kalbleiteranordnungen in der NKhe der.Befestigungen der Zuleitungen mit de» Metallblech befestigt sind.
    8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet« dass die auf den Zuleitungen befestigten und mit den elektrischen Verbindungen versehenen Halbleiteranordnungen gemeinsam mit den Zuleitungen und den elektrischen Verbindungen von einen auehärtbartn Kunstharz umhüllt und nach dem Aushirten des Kunstharzes die Zuleitungen vom d*a Metallblech getrennt werden*
    • 7
    009834/133Q bad
    5 H 01 ς
    28* Mai 1965
    Pat.Br«St/B* .- £1
    Verfahren nach Ansprüchen 1-8, dadurch gekennzeichnet, dass die auf den Zuleitungen befestigten und seit den elektrischen Verbindungen versehenen Halbleiteranordnungen geneinsam mit den Zuleitungen und den elektrischen Verbindungen von einer Glasumsohmelzung umhüllt werden.
    0 0 913 4 / 1 3 3 0 BAD
    Leerseite
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