DE3503709A1 - Verfahren zur befestigung einer einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete halbleitereinrichtung - Google Patents

Verfahren zur befestigung einer einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete halbleitereinrichtung

Info

Publication number
DE3503709A1
DE3503709A1 DE19853503709 DE3503709A DE3503709A1 DE 3503709 A1 DE3503709 A1 DE 3503709A1 DE 19853503709 DE19853503709 DE 19853503709 DE 3503709 A DE3503709 A DE 3503709A DE 3503709 A1 DE3503709 A1 DE 3503709A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pattern
electrode plate
semiconductor element
insert
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19853503709
Other languages
English (en)
Other versions
DE3503709C2 (de
Inventor
Masaaki Itami Hyogo Sadamori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE3503709A1 publication Critical patent/DE3503709A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3503709C2 publication Critical patent/DE3503709C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H01L2924/13033—TRIAC - Triode for Alternating Current - A bidirectional switching device containing two thyristor structures with common gate contact
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49133—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53261—Means to align and advance work part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete Halbleitereinrichtung
BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete Halbleitereinrichtung. Insbesondere bezieht sie sich auf ein verbessertes Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete Halbleitereinrichtung wie z.B. ein druckgebondeter Leistungsthyristor, bei dem die Einsatzelektrodenplatte das Halbleiterelement überlappt.
Da in den vergangenen Jahren die Leistungsfähigkeit eines Leistungsthyristors größer wurde, wurde der Durchmesser des Siliziumsubstrats eines dazu verwendeten Elements in etwa 90 bis 102 mm groß. Weiterhin ist es, da solch ein Thyristor als eine Hochfrequenzeinrichtung angewendet wird, extrem wichtig, die Anfangseinschaltflächen zu vergrößern, d.h. die Einschaltgeschwindigkeit so hoch wie möglich zu machen.
Als Einrichtung zur Vergrößerung der Anfangseinschaltflächen wird im allgemeinen ein Verfahren angewendet, bei dem ein Hilfsthyristor so in der Umgebung der Gate-Elektrode vorgesehen ist, daß der Hilfsthyristor zuerst angeschaltet wird, wodurch der Hauptthyristorbereich angeschaltet wird. Weiterhin wird, aus der Sicht der Anwendung der Einrichtung in einem weiten Bereich, eine Einrichtung verwendet, bei der der Hilfsthyristor in dem Hauptthyristor miteingeschlossen ist, wodurch der Aufbau zur Erleichterung des Einschaltens des Hauptthyristors kompliziert ist.
Als eine andere technische Einrichtung zum Sicherstellen einer großen Leistungsfähigkeit eines Thyristors wird ein ■
Verfahren angewendet, bei dem ein Thyristorelement und ein I äußeres Elektrodenscheibenteil miteinander in Druckkontakt I gebracht werden, wobei eine relativ dünne Einsatzelektrodenplatte zwischen die Elektrode des inneren Thyristorelements und die äußere Elektrodenscheibe eingefügt wird, um dieselben miteinander in Druckkontakt zu bringen, und zum Übertragen eines Stroms zu denselben.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Halbleiter- j element und eine Einsatzelektrodenplatte vor der Verbindung ; mit einem herkömmlichen Befestigungsverfahren zeigt, und Fig. 2 ist eine grob dargestellte Schnittansicht, die ein ;
Beispiel eines druckgebondeten Thyristors zeigt, der durch Verschließen des Halbleiterelements, auf dem die in Fig. 1 *v! gezeigte Einsatzelektrodenplatte befestigt ist, zusammenge- ' baut ist.
Bezogen auf die Figuren 1 und 2 wird nun das herkömmliche Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte auf einem Element eines druckgebondeten Thyristors beschrieben. Ein Thyristor 1 weist auf seiner geglätteten Oberfläche eine Gate-Elektrode 2 auf, die im mittleren Teil desselben vorgesehen ist,und ein Elektrodenmuster 3 eines Hilfsthyristors, das radial von dem mittleren Teil aus gebildet ist. Eine Einsatzelektrodenplatte 4 wird durch eine dünne Platte aus leitfähigem Metall wie z.B. Molybdän, Wolfram, Kovar (legierter Stahl), Silber und Kupfer gebildet und ist mit einer Elektrode (Kathode) überlappend auf dem Thyristorelement 1 auf druckgebondete Weise verbunden. Die Einsatzelektrodenplatte 4 weist ein Aussparungsmuster 5 auf, das in seiner Form dem Elektrodenmuster 3 entspricht und dieses aufnimmt.
Die Einsatzelektrodenplatte 4 ist überlappend auf dem Thyristorelement 1 in engem Kontakt angebracht, und ein Passivierungsgummiteil 6 ist auf den äußeren Randteil derselben aufgelegt und gehärtet, wodurch die Einsatzelektrodenplatte 4 auf dem Thyristorelement 1 befestigt ist. Unter dieser Bedingung wird das Thyristorelement 1 von unten durch eine Elektrodenscheibe (Anode) 7 aus Kupfer etc. und von oben durch eine äußere Elektrodenscheibe (Kathode) 8 aus Kupfer etc. über die Einsatzelektrodenplatte 4, die mit demselben druckgebondet ist, gehalten. Das druckgebondete Thyristorelement 1 und die Einsatzelektrodenplatte 4 werden dann mit einer nicht-leitenden Einfassung 9 z.B. aus Keramikmaterial entlang dem äußeren Randteil des Thyristorelements 1 verschlossen. Ein Kontaktring 10 aus z.B. Kupfer steht abdichtend in Kontakt mit den unteren Teilen der äußeren Elektrodenscheibe 7 und der nicht-leitenden Einfassung 9 und ist an derselben durch Hartlöten befestigt. Ein aus einer Metallplatte hergestellter Koppelflansch 11 ist auf luftdichte Weise an dem oberen Teil der nicht-leitenden Einfassung 9 befestigt. Der Koppelflansch Ii ist durch Schweißen etc. auf luftdichte Weise mit einem andern Koppelflansch 12 aus einer Metallplatte verbunden, der seinerseits mit der äußeren Elektrodenscheibe 8 luftdicht verbunden ist.
Es muß erwähnt werden, daß ein Gate-Zuführungsdraht und eine Einrichtung zum Einziehen desselben in Fig. 2 nicht gezeigt sind.
In dem zuvor erwähnten herkömmlichen Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte 4 erhält man die folgenden Nachteile: Wenn die Einsatzelektrodenplatte 4 überlappend mit dem Thyristorelement 1 verbunden wird, wobei das Aussparungsmuster 5 mit dem Elektrodenmuster 3 ausgerichtet wird, und das Passivierungsgummiteil 6 wird an demselben zum Aushärten befestigt, dann kann eine Verschiebung zwischen dem
Aussparungsmuster 5 und dem Elektrodenmuster 3 während der Aushärtung des Passivierungsgummiteils auftreten. Weiterhin ist es bei einem komplizierten Elektrodenmuster 3 schwierig, das Aussparungsmuster 5 mit demselben per Hand auszurichten. Zusätzlich ist der äußere Durchmesse der Einsatzelektrodenplatte 4 geringfügig größer als das Elektrodenmuster 3 des Thyristorelements 1 zur Sicherstellung der Formbelastbarkeit, und die innere Kontaktoberfläche der äußeren Elektrodenscheibe 8 ist dem äußeren Durchmesser der Einsatzelektrodenplatte 4 angepaßt, wodurch lediglich ein kleiner Teil des Passivierungsgummiteils 6 zur Befestigung der Einsatzelektrodenplatte 4 verwendet wird. Somit kann die Einsatzelektrodenplatte 4 nicht zuverlässig an dem Thyristorelement 1 befestigt werden, was zu einer Verschiebung desselben führt.
Obwohl Vorsprünge und Ansätze zur Justage auf den Kontaktoberflächen der Einsatzelektrodenplatte 4 und des Thyristorelements 1 vorgesehen werden können, wird die Oberfläche der Einsatzelektrodenplatte 4 zur Erleichterung des elektrischen Kontaktes glatt gebildet und wird zur Verhinderung elektrischer Widerstandsverluste extrem dünn in einem Bereich von 0,2 bis 0,5 mm hergestellt, und daher ist es nicht möglich, Vorsprünge und Ansätze zur Justage derselben vorzusehen. In Übereinstimmung dazu ist es weiterhin sehr schwierig, in Eingriff stehende Vorsprünge und Ansätze auf der glatten oberen Oberfläche des Thyristorelements 1 vorzusehen.
Somit kann bei dem herkömmlichen Befestigungsverfahren die Einsatzelektrodenplatte 4 auf dem Thyristorelement 1 während des Zusammenbaus und nach der Fertigstellung des Zusammenbaus verschoben werden.
Demgemäß ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in einer druckgebondeten Halbleitereinrichtung vorzusehen, bei der die Einsatz-
elektrodenplatte in Bezug auf das Halbleiterelement während des Zusammenbaus und nach Fertigstellung des Zusammenbaus nicht verschoben wird.
Gemäß der Erfindung wird, kurz zusammengefaßt, ein Justierformteil auf dem auf der Oberfläche des Halbleiterelements gebildeten Elektrodenmuster angebracht, wobei das Justierformteil eine zu dem Elektrodenmuster identische Form hat, und ein Aussparungsmuster auf der Einsatzelektrodenplatte ist in das Justierformteil eingepaßt, wodurch die Einsatzelektrodenplatte in Kontakt mit dem Halbleiterelement und zu diesem ausgerichtet angebracht wird, und der äußere Randteil der Einsatzelektrodenplatte ist mit dem Halbleiterelement durch ein Passivierungsgummiteil verbunden.
Erfindungsgemäß wird, da die Einsatzelektrodenplatte mit dem Halbleiterelement unter sehr genauer Justierung desselben verbunden ist, die Einsatzelektrodenplatte in Bezug auf das Halbleiterelement während des Zusammenbaus und nach Fertigstellung des Zusammenbaus nicht verschoben.
In einer vorzuziehenden Ausführungsform der Erfindung ist ein Silikongummiteil auf das Elektrodenmuster des Halbleiterelements durch Schablonendruck aufgebracht, um ausgehärtet zu werden, oder ein Justierformteil aus anorganischem isolierendem Material mit einer Form identisch der eines Elektrodenmusters des Halbleiterelements ist auf dem Elektrodenmusterteil mit einem Verbinder aufgebracht.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Thyristorelements und einer Einsatzelektrodenplatte vor der
Verbindung mit einem herkömmlichen Befestigungsverfahren;
Fig. 2 eine grobe Darstellung der Querschnittsansicht eines druckgebondeten Thyristors, der durch Verschließen des Thyristorelements, auf dem wie in
Fig. 1 gezeigt die Einsatzelektrodenplatte befestigt ist, zusammengebaut ist;
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform der Erfindung, die den Zustand darstellt, bei dem ein Schablonendruckteil auf einem Halbleiterele
ment angebracht ist;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand
darstellt, bei dem ein Justierformteil auf das ,in Fig. 3 gezeigte Halbleiterelement aufgelegt ist;
Fig. 5 eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand
darstellt, bei dem eine Einsatzelektrodenplatte auf dem in Fig. 4 gezeigten Halbleiterelement befestigt ist; und
Fig. 6 eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, bei dem ein Justierformteil auf ein
Halbleiterelement aufgelegt ist, gemäß einer anderen Auführungsform der Erfindung.
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, die einen Zustand zeigt, bei dem ein Schablonendruckteil auf einem Halbleiterelement angeordnet ist, und Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem ein Justierformteil auf ein Halbleiterelement wie in Fig. 3 gezeigt aufgebracht ist, während Fig. 5 eine vergrößerte Schnittansicht darstellt, die einen Zustand zeigt, bei dem eine Einsatzelektrodenplatte auf dem in Fig. 4 gezeigten Halbleiterelement befestigt ist.
BAD
Zunächst wird, wie in Fig. 3 gezeigt, ein Schablonendruckteil 20 justiert auf einem Thyristorelement 1 aufgebracht. Das Schablonendruckteil 20 wird mit einem Tragrahmen 21 und einer Schablone 22, die in den Tragrahmen 21 eingepaßt ist, gebildet. Der Tragrahmen 21 ist aus rostfreiem Stahl, Aluminium oder ähnlichem in Form z.B. eines Quadrates gebildet. Die Schablone 22 ist aus einem rostfreien Stahlgitter, einem Polyäthylen-Terephthalat-Gitter, einem Nylon-Gitter etc. mit einer Dicke von 0,2 bis 0,5 mm gebildet. Die Schablone 22 ist mit einem Musterteil 22a, der entsprechend einem Elektrodenmuster 3 des in Fig. 1 gezeigten Thyristorelements 1 gebildet ist, versehen. Das Musterteil 22a ist als eine Blende mit einer Weite von ungefähr 0,2 bis 4 mm gebildet. Alle Teile, die nicht zu dem Musterteil 22a der Schablone gehören, werden einer Beschichtung mit einer photoempfindlichen Emulsion (Diazo-Harz) oder Nickelbeschichtung etc, unterworfen, um das Gitter aufzufüllen. Das Schablonendruckteil 20 ist so auf dem Thyristorelement 1 angeordnet, daß der Musterteil 22a das Elektrodenmuster 3 überlappt.
Dann wird eine kalt-abbindende Silikongummilösung in die Schablone 22 gefüllt und durch Andrücken an dieser angelegt. Die Silikongummilösung tritt durch das Gitter des Musterteils 22a hindurch, um auf dem Elektrodenmuster 3 des Thyristorelements 1 angebracht zu werden.
Das Schablonendruckteil 20 wird dann entfernt, so daß ein Justiermusterteil 23 mit einer Dicke von ungefähr 0,2 bis 0,5 mm auf vorstehende Weise auf dem Elektrodenmuster 3 des in Fig. 4 gezeigten Thyristorelements 1 gebildet ist. In diesem Zustand wird das Silikongummimaterial, das das Justiermusterteil 23 bildet, in einer Atmosphäre mit einer ausreichenden Luftfeuchtigkeit von 40 bis 60 % ausgehärtet. Das Material für das Justiermusterteil 23 ist nicht auf Silikongummi beschränkt und kann ebenfalls aus anderen Gummimaterialien und
synthetischem Harzmaterial mit ausreichender Isolationsfähigkeit ausgewählt werden.
Dann wird, wie in Fig. 5 gezeigt, die Einsatzelektrodenplatte 4 überlappend auf dem Thyristorelement 1 mit dem Aussparungsmuster 5, das justiert in das Justiermusterteil 23 eingepaßt ist, angebracht, und ein Passivierungsgummiteil 6 wird auf dem äußeren Randbereich des Thyristorelements 1 angebracht.
Wenn die Einsatzelektrodenplatte 4 relativ dick ist, kann die Schablone 22 aus einer Metallmaskenschablone gebildet werden, deren Dicke relativ groß ist.
Das Thyristorelement 1, auf dem die Einsatzelektrodenplatte 4 in der zuvor erwähnten Weise angebracht ist, wird mit äußeren Elektrodenscheiben 7 und 8 und einer nicht-leitenden Einfassung 9 zusammengebaut und auf ähnliche Weise verschlossen, wie dies weiter oben mit Bezug auf Fig. 2 beschrieben ist.
Fig. 6 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem ein Justiermusterteil auf dem Halbleiterelement gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung angebracht ist. In der in Fig. 6 gezeigten Ausführungsform ist ein Verbindungsteil 24 aus z.B.einer kaltaushärtenden Silikongummilösung durch Siebdruck etc. dünn auf einem Elektrodenmuster 3 des Thyristorelements 1 beschichtet, wobei anschliessend ein Justiermusterteil 25 daraufgebondet wird, das vorher identisch dem Elektrodenmuster 3 gebildet wird. Das Justiermusterteil 25 kann aus einer Platte aus anorganischem isolierendem Material wie z.B. einer Keramikplatte oder Glasplatte gebildet werden. Da in diesem Fall die Höhe des Justiermusterteils 25 relativ groß gemacht werden kann, kann die Einsatzelektrodenplatte 4 relativ dick, wie z.B. mehr als 1 mm dick sein.
Obgleich die Einsatzelektrodenplatte 4 wie oben beschrieben zur Reduzierung des elektrischen Widerstandes vorzugsweise dünn, wie z.B. 0,2 bis 0,5 mm, hergestellt wird, ergibt sich damit mehr eine Verbesserung der Warmeabsorptionsfähigkeit der Einsatzelektrodenplatte 4, als eine Verringerung des elektrischen Widerstandes derselben, wenn die Einrichtung für hohe Leistungen verwendet wird. In einem solchen Fall muß die Dicke der Einsatzelektrodenplatte 4 klein, wie ungefähr 1 mm wie oben beschrieben, gemacht werden.
Das Justiermusterteil 25 muß nicht notwendigerweise auf die zuvor beschriebene Weise hergestellt werden und kann auch durch Aufbringen eines im fernen Ultraviolettbereich vulkanisierenden Harzes auf das Elektrodenmuster 3 des Thyristorelements 1 mit Hilfe des Siebdrucks gebildet werden, um durch Einstrahlen untravioletter Strahlen ausgehärtet zu werden.
Weiterhin ist die Erfindung, obgleich die obige Beschreibung der Ausführungsformen in Bezug auf einen druckgebondeten Thyristor, der als druckgebondete Halbleitereinrichtung verwendet ist, durchgeführt wurde, nicht beschränkt auf einen druckgebondeten Thyristor und kann weitgehend auf druckgebondete Einrichtungen wie z.B. einen Leistungstransistor, einen Leistungs-Triac, einen Leistungs-Gate-Anschalt-Thyristor und einen Leistungs-Umkehr-Leitthyristor angewendet werden.
- Leerseite -

Claims (6)

  1. I Il 1 I I F= F=i I »
    PATENTANWALT DiPL.-PHYS. LUTZ H. PRÜFER · D-8OOO MÜNCHEN 9O
    FO 61-3265 P/Ka/so
    Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha, Tokyo/Japan
    PATENTANSPRÜCHE
    ' 1Λ Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in einer druckgebondeten Halbleitereinrichtung, bei dem eine Einsatzelektrodenplatte mit einem Aussparungsmuster überlappend auf einem Halbleiterelement mit einem Elektrodenmuster auf seiner Oberfläche, mit dem Aussparungsmuster, das identisch mit dem Elektrodenmuster zur Aufnahme desselben gebildet ist, ausgerichtet zu dem Elektrodenmuster, aufgebracht, und der äußere Randbereich der Einsatzelektrodenplatte an dem Halbleiterelement durch Aufbringen eines Passivierungsgummiteils befestigt wird, gekennzeichnet durch die Schritte
    Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete Halbleitereinrichtung
    PATENTANWALT DIPL.-PHYS. LUTZ H. PRÜFER ■ D-8000 MÜNCHEN BO HARTHAUSER STR. 25d TEL. (0 89) 640 640
    Bilden eines Justiermusterteils identisch dem Elektrodenmuster auf dem Elektrodenmuster des Halbleiterelements, wobei das Musterteil auf hervorstehende Weise auf der Oberfläche des Halbleiterelements aufgebracht ist, und überlappendes Anbringen der Einsatzelektrodenplatte auf dem Halbleiterelement mit dem Aussparungsmuster eingepaßt in das Justiermusterteil.
  2. 2. Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in einer druckgebondeten Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Schritt der Bildung des Justiermusterteils den Schritt zum Aufbringen eines Silikongummiteils auf das Elektrodenmuster des Halbleiterelements durch Siebdruck und Aushärten desselben einschließt.
  3. 3. Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in einer druckgebondeten Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Bildung des Justiermusterteils den Schritt des Aufbringens eines im fernen Ultraviolett vulkanisierten Harzteils auf das Elektrodenmuster des Halbleiterelements durch Siebdruck und Aushärten desselben durch Bestrahlen mit ultravioletten Strahlen einschließt.
  4. 4. Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in einer druckgebondeten Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Bildung des Justiermusterteils den Schritt des Aufbringens eines Justiermusterteils aus anorganischem Isoliermaterial, das identisch mit dem Elektrodenmuster gebildet ist, auf dem Elektrodenmuster des Halbleiterelements durch ein Verbindungsmittel einschließt.
  5. 5. Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in einer druckgebondeten Halbleitereinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungsmittel auf das Elektrodenmuster durch Siebdruck geschichtet ist.
  6. 6. Verfahren zur Befestigung einer Einsatzelektrodenplatte in einer druckgebondeten Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement ein Thyristorelement aufweist.
DE19853503709 1984-02-23 1985-02-04 Verfahren zur befestigung einer einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete halbleitereinrichtung Granted DE3503709A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59034531A JPS60177674A (ja) 1984-02-23 1984-02-23 圧接形半導体装置の插入電極板の固定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3503709A1 true DE3503709A1 (de) 1985-08-29
DE3503709C2 DE3503709C2 (de) 1989-02-16

Family

ID=12416853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853503709 Granted DE3503709A1 (de) 1984-02-23 1985-02-04 Verfahren zur befestigung einer einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete halbleitereinrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4559697A (de)
JP (1) JPS60177674A (de)
DE (1) DE3503709A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8909244U1 (de) * 1989-07-31 1989-09-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2215125B (en) * 1988-02-22 1991-04-24 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US6472740B1 (en) * 2001-05-30 2002-10-29 International Business Machines Corporation Self-supporting air bridge interconnect structure for integrated circuits
US6856075B1 (en) * 2001-06-22 2005-02-15 Hutchinson Technology Incorporated Enhancements for adhesive attachment of piezoelectric motor elements to a disk drive suspension

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514562A1 (de) * 1965-09-07 1969-10-16 Semikron Gleichrichterbau Vorrichtung zur Kontaktierung eines Halbleiter-Bauelementes mit segmentierter Kathode
DE2013742A1 (de) * 1969-03-21 1970-10-15 General Electric Company, Schenectady, N.Y. (V.St.A.) Gesteuerter Gleichrichter
DE2115954A1 (de) * 1971-04-01 1972-10-12 Gen Electric Halbleiterschalter
DE1539111B2 (de) * 1965-03-01 1973-12-06 Westinghouse Electric Corp., Pittsburgh, Pa. (V.St.A.) Halbleiterbauelement
DE2332574A1 (de) * 1972-06-28 1974-01-10 Westinghouse Brake Semi Conduc Verfahren zur herstellung eines halbleiters und halbleitervorrichtung
CH582425A5 (de) * 1973-06-19 1976-11-30 Westinghouse Electric Corp
DE2902224A1 (de) * 1979-01-20 1980-07-24 Bbc Brown Boveri & Cie Kontaktsystem fuer leistungs-halbleiterbauelemente
EP0022359A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-14 Westinghouse Brake And Signal Company Limited Halbleiterkontakt-Beilegefolie, Verfahren zur Befestigung und Halbleiteranordnung mit einer Kontakt-Beilegefolie

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4040170A (en) * 1975-05-27 1977-08-09 Westinghouse Electric Corporation Integrated gate assisted turn-off, amplifying gate thyristor, and a method for making the same
US4352118A (en) * 1979-03-02 1982-09-28 Electric Power Research Institute, Inc. Thyristor with segmented turn-on line for directing turn-on current
JPS5871657A (ja) * 1981-10-23 1983-04-28 Toshiba Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1539111B2 (de) * 1965-03-01 1973-12-06 Westinghouse Electric Corp., Pittsburgh, Pa. (V.St.A.) Halbleiterbauelement
DE1514562A1 (de) * 1965-09-07 1969-10-16 Semikron Gleichrichterbau Vorrichtung zur Kontaktierung eines Halbleiter-Bauelementes mit segmentierter Kathode
DE2013742A1 (de) * 1969-03-21 1970-10-15 General Electric Company, Schenectady, N.Y. (V.St.A.) Gesteuerter Gleichrichter
DE2115954A1 (de) * 1971-04-01 1972-10-12 Gen Electric Halbleiterschalter
DE2332574A1 (de) * 1972-06-28 1974-01-10 Westinghouse Brake Semi Conduc Verfahren zur herstellung eines halbleiters und halbleitervorrichtung
CH582425A5 (de) * 1973-06-19 1976-11-30 Westinghouse Electric Corp
DE2902224A1 (de) * 1979-01-20 1980-07-24 Bbc Brown Boveri & Cie Kontaktsystem fuer leistungs-halbleiterbauelemente
EP0014761A1 (de) * 1979-01-20 1980-09-03 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Mannheim Kontaktsystem für Leistungs-Thyristor
EP0022359A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-14 Westinghouse Brake And Signal Company Limited Halbleiterkontakt-Beilegefolie, Verfahren zur Befestigung und Halbleiteranordnung mit einer Kontakt-Beilegefolie

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8909244U1 (de) * 1989-07-31 1989-09-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
US4559697A (en) 1985-12-24
DE3503709C2 (de) 1989-02-16
JPS60177674A (ja) 1985-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68928633T2 (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Verbindungsteile
DE68910385T3 (de) Herstellungsverfahren einer elektronischen Speicherkarte und elektronische Speicherkarte, die nach diesem Verfahren hergestellt ist.
DE69323978T2 (de) Herstellungsverfahren eines Leiterrahmens
DE2712543A1 (de) In harz vergossene halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3937996A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen
DE68926652T2 (de) Halbleiterpackung ohne Montierungsfläche
DE102019212672A1 (de) Spulenkomponente
DE3913221A1 (de) Halbleiteranordnung
DE69220601T2 (de) Schichtwiderstand
DE1639039A1 (de) Scheibenfoermiges Halbleiterbauelement
DE1965546B2 (de) Halbleiterbauelement
DE3401404A1 (de) Halbleiterbauelement
DE3028178C2 (de) Leistungshalbleiter-Modul
DE2813968A1 (de) Halbleiteranordnung mit kontaktwarzen-anschluessen
DE69020009T2 (de) Verfahren zum Herstellen von Verbindungselektroden.
DE69417329T2 (de) In Harz versiegelte Halbleiteranordnung
DE69128226T2 (de) Halbleiteranordnung vom Druckkontakttyp
DE112016007464T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE69100960T2 (de) Leiterplatte.
DE112017007982T5 (de) Leistungs-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE3421672A1 (de) Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement
DE102014217266A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE3503709A1 (de) Verfahren zur befestigung einer einsatzelektrodenplatte in eine druckgebondete halbleitereinrichtung
DE19701165C1 (de) Chipkartenmodul
DE2004776A1 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee