DE3028178C2 - Leistungshalbleiter-Modul - Google Patents

Leistungshalbleiter-Modul

Info

Publication number
DE3028178C2
DE3028178C2 DE3028178A DE3028178A DE3028178C2 DE 3028178 C2 DE3028178 C2 DE 3028178C2 DE 3028178 A DE3028178 A DE 3028178A DE 3028178 A DE3028178 A DE 3028178A DE 3028178 C2 DE3028178 C2 DE 3028178C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
ceramic plate
power semiconductor
semiconductor module
fastening part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3028178A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3028178A1 (de
Inventor
Rolf 6800 Mannheim Rief
Peter Dipl.-Ing. 6940 Weinheim Wetzel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABB AG Germany
Original Assignee
BBC Brown Boveri AG Germany
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri AG Germany filed Critical BBC Brown Boveri AG Germany
Priority to DE3028178A priority Critical patent/DE3028178C2/de
Priority to BR8102389A priority patent/BR8102389A/pt
Priority to US06/284,335 priority patent/US4436951A/en
Publication of DE3028178A1 publication Critical patent/DE3028178A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3028178C2 publication Critical patent/DE3028178C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiter-Modul gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein derartiges Modul ist aus der DE-OS 28 40 514 bekannt. Das bekannte Modul ist etwa quaderförmig und besteht aus einem einstückigen Gehäuseoberteil, in das von unten, in der im Anspruch angegebenen Weise, als Gehäuseboden die Keramikplatte eingesetzt ist. In der Oberseite des Gehäuseoberteils befinden sich eine Reihe von Öffnungen, die so bemessen und angeordnet sind, daß die äußeren Anschlußelemente — Drähte oder Flachstecker — die die elektrische Verbindung zu den im Gehäuseinneren angebrachten Halbleiterbauelementen herstellen, hindurchtreten. Durch eine weitere
ίο Öffnung im Gehäuseoberteil wird bei der Herstellung des Moduls eine aushärtbare Kunststoffmasse eingespritzt. Die Befestigung des Moduls an einem Kühlgehäuse erfolgt mit Hilfe von seitlich am Gehäuse einstükkif ausgebildeten Flanschen mit je einer Bohrung. Die Keramikplatte, die die Halbleiterbauelemente, Metallisierungen und die äußeren Anschlußelemente trägt, ist so in die bodenseitige öffnung des Gehäuses eingesetzt, daß sie geringfügig, d. h_ 0,025 mm über die Ränder des Gehäuseoberteils übersteht. Dadurch soll ein großflächiger Kontakt zwischen der Keramikplatte und dem Kühlkörper bewirkt werden.
Die Erfahrung mit diesem auch im Handel erhältlichen Modul hat jedoch gezeigt, daß die Keramikplatte dieses Moduls nichts mit ihrer ganzen Fläche auf die ebene Fläche eines Kühlkörpers aufgepreßt werden kann. Diese mangelnde Auflage — insbesondere wohl in der Mitte der Platte — kann wegen der Elastizität der einstückig mit dem Gehäuseoberteil verbundenen Montageflansche aus Kunststoff auch bei festem Anziehen der vorgesehenen Montageschrauben nicht wesentlich verbessert werden. Falls es dennoch gelänge, diese Anpreßkraft deutlich zu steigern, bestünde im übrigen noch die Gefahr, daß die Keramikplatte wegen der ungleichmäßig verteilten' Spannungen in dieser Platte bricht. Die in der obengenannten Offenlegungsschrift zur Beseitigung dieses bereits erkannten Nachteils vorgeschlagene Verwendung einer Spezialfolie zwischen Keramikplatte und Kühlkörper macht jedoch die angestrebte Verbesserung des Wärmeübergangs zwischen Halbleiter und Kühlkörper sowie die angestrebte Verringerung des Montageaufwands zumindest teilweise wieder zunichte. Auch ist es relativ schwierig, das nach Einsetzen der Keramikplatte allseitig geschlossene Innere des Gehäuses mit der aushärtbaren Kunststoffmasse zu füllen.
Aus dem US-Patent 36 38 073 ist ein Leistungshalbleiter-Modul mit quaderförmigem Kunststoffgehäuse und einem zentralen Befestigungsteil mit einer durch dieses b'efestigungsteil und durch den Boden des Gehäuses
so durchgehenden Bohrung bekannt. Dieses Modul weist jedc"h keine keramische Bodenplatte auf; auch ist in dieser Patentschrift das Problem einer möglichst großflächigen Auflage des Gehäusebodens auf einem Kühlkörper nicht angesprochen.
Weiterhin ist aus den DE-OS 27 28 564 und 26 17 335 eine Anordnung von Halbleiterelementen in einem zweiteiligen Gehäuse bekannt, wobei eine metallische Bodenplatte und ein Kunststoff-Oberteil vorgesehen ist. Durch geeignete Anordnung mehrerer durchgehender Befestigungslöcher am Rande des Gehäuses wird bei dem aus der DE-OS 27 28 564 bekannten Modul eine geringfügige Verbiegung der Bodenplatte und damit eine großflächige Auflage der auf einem Kühlkörper aufzuschraubenden Bodenplatte erreicht.
Bei dem aus dem Ausführungsbeispiel der DE-OS 26 17 335 bekannten Modul sind die beiden Halbleiterelemente druckkontaktiert; der Kontaktdruck gegen die metallische Bodenplatte wird durch eine, durch ein
Loch in der Bodenplatte gehende, mit ihrem Kopf in die gehäuseäußere Seite der Bodenplatte eingesenkte Schraube und durch als Joch ausgebildete Blattfedern erzeugt In der genannten DE-OS wird zwar das Problem der Verbiegung durch eine solche Spannanordnung angesprochen — offenbar um diese Verbiegung gering zu halten, ist bei dem bekannten Modul auch die Spannschraube rtwa zentral in der Bodenplatte und zwischen beiden Halbleiterelementen angeordnet —, jedoch sind dieser DE-OS keine weitergehenden Hinweise auf die Maßnahmen nach dem vorliegenden Anspruch 1 zu entnehmea
Ausgehend von dem aus der DE-OS 28 40 514 bekannten Leistungshalbleiter-Modul liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, bei einem solchen Modul die Auflage der Keramikplatte und damit die Wärmeableitung bei einem auf der ebenen Fläche eines Kühlkörpers befestigten Moduls zu verbessern und den Einbau der Halbleiterbauelemente, Lötbrücken und der Anschiüßeiemente in das Gehäuse sowie das Ausgießen des Inneren des Moduls mit einer Vergußmas'-,? zu erleichtern.
Diese Aufgabe wird bei einem gattungsgemäßen Leistungshalbleiter-Modul durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst
Damit ergeben sich die Vorteile, daß zur Montage des Moduls an einem Kühlkörper nur eine einzige zentrale Befestigungsschraube nötig ist, daß die Vergußmasse auf einfachste Art und Weise in das offene Gehäuse eingegossen werden kann, daß die Vergußmasse sich im Gehäuseinnern aufgrund des Abstandes zwischen Keramikplatte und Speichen frei verteilt, daß der von der Befestigungsschraube erzeugte Druck nicht nur über das zentrale Befestigungsteil, sondern auch über die Speichen und die ausgehärtete Vergußmasse gleichmäßig auf die Keramikplatte verteilt wird, daß durch die Abtrennung je zweier äußerer Anschlußelemente durch eine der Speichen der Kriechweg zwischen den beiden Anschlußelementen verlängert wird und daß aufgrund aller dieser Maßnahmen ein sehr guter Wärmeübergang von den Halbleitern zu den Kühlkörpern erreicht wird.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung sind Gehäuse und Keramikplatte miteinander dicht verklebt. Dadurch ergibt sich die Möglichkeit, auch extrem dünnflüssige Vergußmassen zu verwenden, ohne daß an einem etwaigen Spalt zwischen Gehäuse und Keramikplatte Vergußmasse verlorengeht.
Vorteilhafterweise besitzt nicht nur der Rahmen einen schulterförmigen Absatz, in den die Keramikplatte eingesetzt wird, sondern auch das zentrale Befesiigungsteil.
Dieser schul terförmige Absatz zentriert die Keramikplatte und vergrößert die Klebefläche.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung besitzt die Bohrung im zentralen Befestigungsteil an der Gehäuseoberseite einen größeren Durchmesser. Dadurch wird bewirkt, daß die zentrale Befestigungsschraube versenkt ist und dadurch die Kriechwege zwischen den äußeren Anschlußelementen und der zentralen Befestigungsschraube verlängert werden.
Die Kriechwege lassen sich auch noch dadurch zusätzlich verlängern, daß die Speichen und das zentrale Befestigungsteil an der Gehäuseoberseite über die Höhe des Rahmens hochgerogen werden.
Vorzugsweise steht die gehäuseäußere Fläche der Keramikplatte ca 250 μπι über dem bodenseitigen Rand des Gehäuseoberteils übe". Dieser große Überstand erlaubt es, den schulterförmigen Absatz, in den die Keramikplatte eingesetzt wird, mit größerer Toleranz herzustellen, ohne daß der direkte Kontakt zwischen Keramik und Kühlkörper behindert und dadurch der gute Wärmeübergang verschlechtert würde.
Anhand der Zeichnung soll die Erfindung in Form eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. Es zeigt
F i g. 1 einen Querschnitt durch ein Leistungshalbleiter-Modul entsprechend der Linie 1-1 der F i g. 2,
F i g. 2 eine Draufsicht auf die Oberseite eines Moduls.
Man erkennt ein Gehäuseoberteil 1 aus einem Kunststoffmaterial, beispielsweise einem faserverstärkten Epoxidharz. Es besteht aus einem oben und unten offenen Rahmen 11, einem zentralen Befestigungsteil 13 sowie radialen Rippen 12 zwischen Rahmen 11 und zentralem Befestigungsteil 13. In die Bodenfläche 8 von Rahmen 11 und zentralem Befestigungsteil 13 ist :e ein schulterförmiger Absatz 9 eingearbeitet. In diese* Absatz 9 ist eine Keramikplatte 2 eingesetzt und mit dem Gehäuse dicht verklebt Die nach außen gerichtete Fläche 2.1 der Keramikplatte 2 steht etwa 250 μπι über dem bodeuseitigen Rand 8 des Gehäuseoberteils 1 über. Auf der zum Gehäuseinneren gerichteten Fläche Z2 der Keramikplatte 2 sind mit Hilfe von (nicht dargestellten) Metallisierung äußere Anschlußelemente 3, 3.1, die hier als Flachstecker ausgeführt sind, Halbleiterbauelemente 4 und Verbindungsbügel 5 befestigt Die Anschlußelemente 3,3.1 sind von der Oberseite des Gehäuses 1 her frei zugänglich. Die Rippen 12 sind so angeordnet, daß sie die Anschiußelemente 3,3.1 gegeneinander trennen. Sie erhöhen die Kriechwege. Zu diesem Zweck sind die Rippen 12 sowie das obere Ende des zentralen Befestigungsteils 13 über die Höhe des Rahmens 11 hochgezogen.
In F i g. 1 erkennt man, daß zwischen Keramikplatte 2 und unterem Ende der Rippen 12 ein Abstand verbietet, so daß eine Vergußmasse 6 sich gleichmäßig im Inneren des ■ Oehäuseoberteils 1 verteilen kann. Nachdem; die Vergußmasse 6 ausgehärtet ist, bilden Rahmen 11, Rippen 12, zentrales Befestigungsteil 13, Vergußmasse 6 und Keramikplatte 2 eine starre mechanische Einheit Dadurch wird der von einer zentralen Befestigungsschraube, die durch die Bohrung 7 gesteckt und mit einem (nicht dargestellten) Kühlkörper verschraubt wird, erzeugte Druck gleichmäßig auf die gesamte Fläche 2.1 des Keramikplättchens 2 verteilt, so daß sich über die gesamte Fläche ein gleichmäßiger Anpreßdruck ergibt.
In F i g. 2 erkennt man zusätzlich eine seitliche Markierung 10 am Gehäuseoberteil 1, mit deren Hilfe die Lage des Moduls eindeutig bestimmt wird. Man erkennt weiterhin, daß das / nschlußelement 3.1 eine .geringere Breite besitzt als die übrigen drei Anschlußelemente, an die die Steuersignale für steuerbare Halbleiterbauelemente angelegt werden, eindeutig gekennzeichnet werden.
Das in der Zeichnung des Ausführungsbeispiels dargestellte Leistungshalbleiter-Modul enthält eine Graetz-Brücke mit vier ungesteuerten DioJen;das Modul kann aber auch eine Drehstrombrücke mit sechs Dioden oder bei sogenannten Gleichrichter-Zweigpaaren zwei Thyristoren oder eiüen Thyristor und eine Diode enthalten. In all diesen Fällen bietet die Tatsache, daß auch nach Einsetzen der Keramikplatte das Gehäuseinnere und die dort liegenden elektrischen Bauteile frei zugänglich sind, ohne daß darunter die mechanische
Steifigkeit oder die elektrische Zuverlässigkeit leiden, und daß ein guter, gleichmäßiger Kontaktdruck zwischen Keramik und Kühlkörper erzielbar ist, erhebliche technische Vorteile.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
10
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Leistungshalbleiter-Modul mit einem in der Außenkontur etwa quaderförmigen Gehäuse, das aus einem Gehäuseoberteil aus Kunststoff mit einer Ausnehmung auf der Bodenseite und mit einem Absatz am Umfang der Ausnehmung sowie aus einem Gehäuseboden aus einer Keramikplatte besteht, wobei die Keramikplatte in den Absatz so eingesetzt ist, daß diese mit ihrer nach außen weisenden Hauptfläche geringfügig über den bodenseitigen Rand des Gehäuseoberteils übersteht, ferner mit Metallisierungen, Halbleiterbauelementen und Lötbrücken auf der anderen, dem Inneren des Gehäuses zugewandten Hauptfläche der Bodenplatte., mit Anschlußelementen, die auf der Oberseite des Gehäuses frei zugänglich sind, mit Einrichtungen zur Befestigung des M-cduIs an einem Kühlkörper und mit einer ausffehsrieten !solierstoffniassir im Inneren des Gehäuses, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuseoberteil (1) ein die Seitenteile des Gehäuses bildendes Rahmenteil (11), ein zentrales Befestigungsteil (13) mit durchgehender Bohrung (7) als Einrichtung zur Befestigung des Moduls auf einem Kühlkörper und radiale Speichen (12) zwischen Rahmenteil (11) und Befestigungsteil (13) umfaßt, daß die Keramikplatte (2) zusätzlich an der Bodenseite des zentralen Befestigungsteils (13) abgestützt ist und eine mif der Bohrung (7) fluchtende Durchbrechung besitzt, daß zwischen den Speichen (12) und der Keramikplatte (1) ein Austand besteht und daß die äußeren Anschlußeiemente (3) durch jeweils wenigstens eine Speiche (12) gegeneinander abgetrennt sind.
2. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Gehäuse (1) und Keramikplatte (2) miteinander dicht verklebt sind.
3. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zentrale Befestigungsteil (13) an der Bodenseite einen schulterförmigen Absatz (9) besitzt, in welchen die Keramik eingesetzt ist.
4. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung (7) im zentralen Befestigungsteil (13) an der Gehäuse-Oberseite einen größeren Durchmesser besitzt, so daß eine Befestigungsschraube versenkt werden kann.
5. Leistungshalbleiter-Modul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichen (12) und das zentrale Befestigungsteil (13) an der Gehäuse-Oberseite über die Höhe des Rahmens (11) hochgezogen sind.
6. Leistungshalbleiter-Modul nach wenistens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die gehäuseäußere Fläche (2.1) der Keramikplatte (2) ca. 250 um über den bodenseitigen Rand (8) des Gehäuseoberteils (1) übersteht.
DE3028178A 1980-07-25 1980-07-25 Leistungshalbleiter-Modul Expired DE3028178C2 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3028178A DE3028178C2 (de) 1980-07-25 1980-07-25 Leistungshalbleiter-Modul
BR8102389A BR8102389A (pt) 1980-07-25 1981-04-20 Modulo de semicondutor de potencia
US06/284,335 US4436951A (en) 1980-07-25 1981-07-17 Semiconductor power module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3028178A DE3028178C2 (de) 1980-07-25 1980-07-25 Leistungshalbleiter-Modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3028178A1 DE3028178A1 (de) 1982-02-25
DE3028178C2 true DE3028178C2 (de) 1985-05-09

Family

ID=6108061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3028178A Expired DE3028178C2 (de) 1980-07-25 1980-07-25 Leistungshalbleiter-Modul

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4436951A (de)
BR (1) BR8102389A (de)
DE (1) DE3028178C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19522126A1 (de) * 1995-06-19 1997-01-09 Hella Kg Hueck & Co Elektronischer Lastschalter für ein Kraftfahrzeug

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3127457C2 (de) * 1981-07-11 1985-09-12 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichtermodul
JPS5893358A (ja) * 1981-11-30 1983-06-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE3241508A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul
DE3241509A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul
US4630174A (en) * 1983-10-31 1986-12-16 Kaufman Lance R Circuit package with external circuit board and connection
DE3406538A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung
DE3505086A1 (de) * 1985-02-14 1986-08-28 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul mit einem kunststoffgehaeuse
DE3508456C2 (de) * 1985-03-09 1987-01-08 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls
DE3521572A1 (de) * 1985-06-15 1986-12-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat
DE3610288A1 (de) * 1986-03-26 1987-10-01 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
EP0249766B1 (de) * 1986-06-14 1991-12-04 Peter Hofsäss Isoliergehäuse für Thermoschalter
DE3621994A1 (de) * 1986-07-01 1988-01-14 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE3717489A1 (de) * 1987-05-23 1988-12-01 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls
US4739449A (en) * 1987-06-30 1988-04-19 Kaufman Lance R Circuit package with thermal expansion relief chimney
FR2620296B1 (fr) * 1987-09-03 1990-01-19 Bendix Electronics Sa Boitier pour circuit electronique
ES2011549A6 (es) * 1989-04-05 1990-01-16 Fagor Electrotecnica S Coop Lt Mejoras en la estructuracion de puentes rectificadores.
US5148264A (en) * 1990-05-02 1992-09-15 Harris Semiconductor Patents, Inc. High current hermetic package
DE4446527A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
WO2005024937A1 (de) * 2003-09-05 2005-03-17 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Elektronisches bauelement mit kühlfläche
DE102004035746B4 (de) * 2004-07-23 2009-04-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3638073A (en) * 1970-02-19 1972-01-25 Gen Instrument Corp Semiconductor assembly with heat sink and connector bodies
DE2617335A1 (de) * 1976-04-21 1977-11-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement
DE2728564A1 (de) * 1977-06-24 1979-01-11 Siemens Ag Halbleiterbauelement
US4394530A (en) * 1977-09-19 1983-07-19 Kaufman Lance R Power switching device having improved heat dissipation means

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19522126A1 (de) * 1995-06-19 1997-01-09 Hella Kg Hueck & Co Elektronischer Lastschalter für ein Kraftfahrzeug
DE19522126C2 (de) * 1995-06-19 1999-01-28 Hella Kg Hueck & Co Elektronischer Lastschalter für ein Kraftfahrzeug, beispielsweise Blinkgeber

Also Published As

Publication number Publication date
BR8102389A (pt) 1982-08-17
DE3028178A1 (de) 1982-02-25
US4436951A (en) 1984-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3028178C2 (de) Leistungshalbleiter-Modul
DE112007002446B4 (de) Elektronische Schaltungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69304304T2 (de) Kombination einer elektronischen Halbleiteranordnung und einer Wärmesenke
EP0205746B1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat
DE3508456C2 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls
EP0873673B1 (de) Steuergerät bestehend aus mindestens zwei gehäuseteilen
DE10331335B4 (de) Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE2818080C2 (de) Verkapselte Halbleitereinrichtung
DE102015115122B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit zweiteiligem Gehäuse
DE4021871C2 (de) Hochintegriertes elektronisches Bauteil
DE2712543A1 (de) In harz vergossene halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1639039A1 (de) Scheibenfoermiges Halbleiterbauelement
DE3837974C2 (de)
DE69021904T2 (de) Zusammengesetzte Halbleitervorrichtung.
DE3343034C2 (de) Gehäuse für Halbleitervorrichtungen
DE102014217266B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102016219084A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE10100460A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Gehäuse und Anschlußelementen
DE19959023A1 (de) Gehäuse für ein elektrisches Gerät
DE1763157A1 (de) Spannungsregler
DE69713635T2 (de) Unter internem Druck zusammengesetzte Halbleiteranordnung mit einem Chip-Rahmen, der eine längere Kriechstrecke erlaubt
EP0652694B1 (de) Steuergerät für ein Kraftfahrzeug
DE2630320A1 (de) Scheibenfoermige halbleiterzelle mit einem ringfoermigen gehaeuse
DE1614169C3 (de) Gekapseltes Halbleiter-Bauelement mit einer Vorrichtung zur Wärmeableitung
DE2625456A1 (de) Halbleitergeraet

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 25/04

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: BBC BROWN BOVERI AG, 6800 MANNHEIM, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: ASEA BROWN BOVERI AG, 6800 MANNHEIM, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee