DE1958684A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE1958684A1 DE19691958684 DE1958684A DE1958684A1 DE 1958684 A1 DE1958684 A1 DE 1958684A1 DE 19691958684 DE19691958684 DE 19691958684 DE 1958684 A DE1958684 A DE 1958684A DE 1958684 A1 DE1958684 A1 DE 1958684A1
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Byrns Jun Carl Joseph
Triggs William Michael
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General Electric Co
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Description

Patentanwälte
Dr.-Ing. Wilhelm Reichel '
Dipl-Ing. Wolfgang Keichel 6071
6 Frankfurt a. M. 1
Parksiraße 13
GENERAL ELECTRIC COMPANY, Schenectady, N.Y.f VStA
Halbleiterbauelement
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiterbauelemente und befaßt sich insbesondere mit einer Metall-Halbleiter-Verbindungsanordnung für Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung derartiger Verbindungsanordnungen.
Es ist bekannt, daß sowohl Verbindungsanordnungen aus Aluminium-Silicium als auch aus Aluminium-Titant-Silicium gewöhnlich verwendet werden, Verbindungen, Anschlußklemmen oder ähnliche Teile an dem Halbleiterkörper des Halbleiterbauelementes zu bilden. Diese aluminiumhaltigen Verbindungsanordnungen haben jedoch zahlreiche Nachteile.
Es ist beispielsweise bekannt, daß zum Löten von Zinn an Aluminiumflächen ein Flußsäurezufluß erforderlich ist, damit die Bildung von unerwünschten Oxiden auf der Aluminiumoberfläche verhindert wird. Dieser Zufluß hat jedoch den Nachteil, daß er erwünschte Oxidschichten, die auf dem Körper aus Halbleiterwerkstoff vorhanden sind, beispielsweise Schutzschichten aus Siliciumdioxid oder erwünschte Schichten aus glasigen Werkstoffen, wie sie beispielsweise in der Technik als Phosphorsilikat- und Borsilikat-'Olas" bekannt sind, angreift. Ein anderer Nachteil ergibt sich- daraus, daß Aluminium zur Bildung der spröden Verbindung AuAl2 ' neigt, die manchmal "Purpurpest1'
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genannt wird. Diese Verbindung hat einen schädlichen Einfluß auf die Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelementes, und sie ■ tritt häufig dann auf, wenn Aluminium bei Temperaturen, die notwendig sind, den Halbleiteraufbau herzustellen, d.h. die größer sind als 250 0C, mit Gold in Berührung kommt. Die einzige Möglichkeit, wie man mit diesem Problem vor der erfindungsgemäßen Anordnung fertig wurde, bestand darin, die Menge des AuAIp■', die während der Herstellung der Verbindungsanordnung erzeugt wurde, verminderte.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird dadurch gelöst,' daß ein metallischer Kontakt an dem Halbleiterkörper einen unteren Bereich mit mindestens einer Schicht aus metallischem Werkstoff enthält, die neben der freiliegenden Fläche angeordnet und mit Aluminium beschichtet ist, daß ein oberer Bereich mindestens eine obere Schicht aus verbindbarem metallischem Werkstoff enthält und daß ein mittlerer Bereich eine metallische Sperrschicht zwischen dem unteren Bereich und dem oberen Bereich aufweist.
Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend an Hand der Zeichnungen beispielshalber beschrieben. Dabei zeigen:
Figuren 1, Z9 3 und 4 eine Reihe von Teilquerschnitten von
aufeinanderfolgend hergestellten Halbleitergebilden gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, wobei das fertige Halbleiterbauelement in Fig/ 4 dargestellt
Fig* 5 einen Teilquersohnitt durch die Halblei
terpille nach Fig. 4, an deren Kontakten ein Satz von Zuföhrungsleitungen angebracht ist und * ,
Fig-δ eine dreidimensionale feüansicttt einer
anderen Ausföbrtmgsform aer Erfindung» .
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_ 3 —
In den verschiedenen Figuren sind gleiche Bezugszeichen für entsprechende Bauteile verwendet.
Ein metallischer Kontakt gemäß der Erfindung, der auf einen .Körper aus Halbleiterwerkstoff aufgesetzt ist, ist aus mehreren metallischen Bereichen zusammengesetzt. Die genaue Zahl der Bereiche ändert sich mit der Art des Herstellungsverfahrens ebenso-wie mit der Arbeitsweise des Kontaktes und der Dicke'des zu verbindenden Metalls, die erforderlich ist, damit die Erfordernisse bei einer Bindung oder beim Löten für eine Befestigung eines Halterungsteiles oder einer Elektrodenanschlußklemme an einem Halbleiterkörper eingehalten werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, die in den Figuren 1 bis 4 dargestellt ist, ist ein Ausführungsbeispiel eines Teiles eines Halbleiterelementes 1 gezeigt, das einen Teil einer Pille aus Siliciumhalbleiterwerkstoff enthält, der mit einem Kontakt versehen ist. Das Halbleiterbauelement, das in den Figuren 1 bis 4 dargestellt ist, ist ein Teil einer monolithischen bipolaren Mikrominiaturschaltung. Die beschriebenen Kontakte können auch in verschiedenen einzelnen Halbleiterbauelementen, beispielsweise bipolaren oder unipolaren Transistoren, Dioden, Thyristoren, Bauelementen mit begrenzter Raumladungszone und ähnlichen Bauelementen, verwen-
det werden. Die Zeichnungen sind nicht maßstabsgerecht, damit die Ausführungsformen der Kontakte leichter verständlich.sind. Die beiden Schaltungselemente, die in der Halbleitervorrichtung nach Fig. 1 angeordnet sind, sind eine pn-Diode mit einer p-leitfähigen Anodenzone 7 und einer n-leitfähigen Katodenzone 8 und ein npn-Transistor, der eine n-leitfähige Emitterzone 3, eine p-leitfahige Basiszone 4 und eine n-leitfähige Kollektorzone 5 aufweist. Der p-leitfähige Grundkörper 6 wird .dazu verwendet, eine Isolation für mindestens die beiden oben erwähnten am Übergang zum Grundkörper gebildeten Dioden zu bilden.
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Die planaren Übergänge der Schaltungselemente sind durch eine isolierende Schutzschicht 2, beispielsweise aus Siliciumdioxid,:geschützt* Die Herstellung der Teile des Halbleiterbauelementes 1, die bisjetzt beschrieben sind, wird nicht in. Einzelheiten ausgeführt* da sie nicht zu der vorliegenden Erfindung" gehört und. dem Burchschnlttsfachmann auch bekannt ist.. Es können natürlich zusätzlich aktive Schaltungselemente wie transistoren xmd JDiödsn mid passive Schaltungselemente wie Widerstände mtd Kondensatoren in der Pille 1 gefertigt sein imä is die Schaltuag eingeführt sein, μφώώ. sie auch nicht speziell in den figuren. 1 Ms 4 dargestellt sind* -Die Srfindmsg wird an Hand, eines feiles einer einsigen Halbleiterpille OescJariefeen, die auch mir einen ^Leinen fell eiaes HaXbleiterplairtetens Mldeä kann» es""kdnsen natürlich, die Herstellnngsschritte eatweder "bei äieser Pin© oder dem gesamten Balblei»
Ein Kontakt 30 in Pig· h ist auf etaeii Körper 6 aus BaTbleiter werkstaff angeortki&t, Der· Kontakt 30 enthält im wesentlichen drei Bereiche, die öbereiaanderüegen «ad swar &ismn imteren Bereicdi "10, einen nit-tleren Bereich 17 wne!" einen oberen Bereiefci 14* Ber lantere Bereicii 10, der sieben einer Fläche des Saiirters 3 liegt» enthalt eine aa Hallilelterwerksiwff anisafmetallische Schicht--10, der^i Oberfläche aus
"bestellt* Biese Schiclrt 10 wird dazu verwendet, eine gut haf- tende Bindimg iii*fc d^i HallbleitericoFper hei*znstellen. Der untere
10, der in Fig* 4 dargestellt ist, beeteirt sam !!«mi-&* ic&rm jedoch asäer-erseits aiaeli aus einem oder mehreren Metallen einer Griippe besteiiejif die AltEttinx-um^ Titan, ¥anadiumf Ctarom tma daraus hergestellte Legierungen enthalt.
Der mittlere Bereich 17 bedecfct d&n imteren Bereich 10 xma dient is wesentlichen als eise Sperrschicht» die verhindert t UmB sich der untere Bereich 10 irnci der o1?ere Bereich 14 ia tmerwönsch-fcer Weise "beeiaflössen, oisam daß die elektrische imü die thermische Leitfänigkeit zwischen des unteren Bereich 10 und deaf oberen Bereich 14 selsMliofe beeinflußt werden. Ber altt-
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lere Bereich 17 wird auch als Schutzschicht für die Teile des unteren Bereiches 10 verwendet, die nicht von dem oberen Bereich 14 abgedeckt sind. Der mittlere Bereich 17 wird im wese£tlichen durch eine Sperrschicht 12 gebildet, die insbesondere aus einem oder mehreren Metallen einer Gruppe besteht, die Nickel, durch chemisches Plattieren hergestelltes Nickel (mit weniger als 10% Phosphor), Kupfer, durch chemisches Plattieren hergestelltes Kupfer und aus diesen Metallen hergestellte Legierungen enthält. Durch den Ausdruck "durch chemisches Plattieren" wird auf einen metallischen Werkstoff hingewiesen, der ohne elektrischen Strom durch ein Plattierungsverfahren von selbst niedergeschlagen wird (d*h. durch eine autokatalytische oder selbstkatalytische Reduktion der Metallionen in einer wässrigen Lösung). Ferner kann der mittlere Bereich 17 zusätzliche metallische Schichten in einem Teil oder auf seiner ganzen oberen oder'unteren Fläche aufweisen, damit eine Adhäsion zwischen dem mittleren Bereich 17 und entweder dem oberen Bereich 14 oder dem unteren Bereich 10 gewährleistet ist, oder damit das Anbringen des oberen Bereiches 14 nach einem besonderen Verfahren erleichtert wird. Der mittlere Bereich 17 des Kontaktes 30 enthält eine Sperrschicht 12 aus durch chemisches Plattieren hergestelles Nickel, die auf der Unterseite mit einer katalytwlschen Schicht 11, beispielsweise aus Palladium, und an der Oberseite mit einer leitenden Schicht 13, beispielsweise aus Silber, beschichtet Ist, die neben dem unteren Bereich 10 liegt und ein leitendes Werkstoffplättchen bildet, auf dem der obere Bereich 14 durch ein elektrisches Plattierverfahren aufgebracht wird.
Der obere Bereich 14 bedeckt mindestens einen Teil des mittleren Bereiches 17 und enthält eine Schicht aus metallisch ver-r· bindbarem Werkstoff 14, an der äußere Elektroden und Anschlüsse' durch Löten, Abbinden und auf ähnliche Weise befestigt werden können. Der verbindbare Werkstoff 14 besteht aus'Gold, er kann jedoch beispielsweise aus einem oder mehreren Metallen der Gruppe bestehen, die Silber,.Gold, Zinn, Blei oder aus diesen Metallen bestehenden Legierungen enthält.
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'Ein Kontakt 3OA enthält einen unteren Bereich 10A aus Alumi-* nium,- der eine Halbleiterzone 7 abdeckt und über einen Teil ' der Isolierschicht 2 an der Zwischenfläche 22 ragt. Der mittlere Bereich 17A des Kontaktes 30A enthält eine Sperrschicht 12A aus im Handel erhältlichem durch chemisches Plattieren hergestelltes Nickel (welches weniger als 10% Phosphor enthält), unter der eine katalyt~*ische Schicht 11A, beispielsweise aus Palkdium, und über der eine leitende Schicht 13A, beispielsweise aus Silber, angebracht ist, und die neben dem unteren j Bereich 10A angeordnet ist und ein leitendes Werkstoffplättt chen bildet, auf dem ein oberer Bereich 14A durch elektrische Plattierung aufgesetzt werden kann. Der obere Bereich 14A des Kontaktes 30A besteht aus Gold und liegt neben einem Teil des ' mittleren Bereiches 17A.
Die Kontakte 30 und 30A werden vor allem zur Befestigung von Zuführungsleitungen zu der Pille 1 verwendet, wobei der" Kon-? takt 30A auch eine zweckmäßige und bequeme Verbindung zwischen der Diode 7,8 und anderen Schaitungselementen, die in dem Halbleiterkörper 6 vorgesehen sein können oder zusammen mit ihm verwendet werden können.
Es wird nun im folgenden ein geeignetes Verfahren zur Herstellung der metallischen Kontakte 3.0 und 30A, wie sie in den Figuren 1 bis 4 dargestellt sind, beschrieben. Die beiden unteren Bereiche 10 und 10A die jeweils aus einer Aluminiumschicht bestehen, sind an den Zwischenflächen 20,21 und 22 auf bekannte Weise angebracht. Die Pille 1 und die Aluminiumschichten 10 und 1OA werden dann für eine ausreichende Zeit von etwa einer Stunde auf eine Temperatur in dem Bereich von 300 bis 570 C erhitzt, damit eine gute, haftende, nichtgleichrichtende Verbindung zwischen der Pille 1 und den Aluminiumschichten 10 und 1OA entsteht.
Die Pille 1 wird dann gereinigt; dadurch daß sie beispielsweise in siedende Salpetersäure eingetaucht und anschließend in entionisiertem Wasser gespült wird. Die mittleren Bereiche 17 und ·
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■17Α werden in folgender Weise auf den unteren Bereichen 10 und 10A angebracht. Wenn durch chemisches Plattieren hergestelltes Nickel für.die Schicht 12 verwendet wird, dann werden zunächst katalytwische Schichten. 11 und 11A aus Palladium, die etwa 50 A dick sind, zunächst oben auf den Aluminiumschichten 10 und 10A und zwar nur an den Stellen, die in Fig. 2 dargestellt sind, angebracht. Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, daß die Pille 1 für etwa 30 Sekunden j.n eine Lösung aus 15 Teilen entionisiertem Wasser und einem Teil PaHadiumchloridaktivator, d.h. eine Vorratslösung, die aus 0,3 g der Verbindung PdCl2, 2 ml konzentrierter Salzsäure und 998 ml entionisiertem Wasser besteht. Die Palladiumschichten 11 und 11A bilden eine katalyt^ische Oberfläche (beispielsweise um das Niederschlagen von durch chemisches Plattieren gebildetes Metall zu erleichtern), damit ein Grundkörper für die oberen Bereiche 14 und 14A und insbesondere die Sperrschichten 12 und 12A, wie es weiter unten beschrieben ist, vorgesehen wird, so daß eine gute Bindung mit den Aluminiumschichten 10 und 1OA entsteht.
Die Sperrschichten 12 und 12A, die auch Katalysatoren sind, bestehen aus durch chemisches Plattieren hergestelltes Nickel,
ο dessen Dicke zwischen 5000 und 50000 A liegt, und sie werden als nächstes angebracht, damit sie diemonsmolekularen Schichten aus Palladium 11 und 11A, wie es in Fig. 2 dargestellt ist, bedecken. Ein bevorzugtes Verfahren, die durch chemisches Plattieren hergestellten Nickelschichten 12 und 12A herzustellen, besteht darin, die Pille 1 in eine für chemisches Plattieren geeignete Nickelplattierungslösung, beispielsweise in eine aufgerührte Lösung aus 25% "Roplate NiM", welches die Handelsbezeichnung für eine durch chemisches Plattieren hergestellte Nickellösung ist, die von-der R.O. Hull Co. in Cleveland, Ohio, USA, hergestellt wird, und 75% entionisiertem'Wasser, für etwa 10 Minuten pro 20000 £ von durch chemisches Plattieren hergestelltes Nickel einzutauchen.
Die Sperrschichten 12 und 12Λ sind mit leitenden Schichten 13 und 13A überzogen, die beispielsweise aus Silber bestehen können, das eine Dicke von 1000 bis 5000 S aufweist und welches
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durch geeignete Vorrichtungen, beispielsweise im Vakuumnieder- - schlagverfahren, hergestellt ist. Die SilberscMchten 13 und „ " 13A bilden leitende Metallplättchen, die insbesondere während einer chemischen Plattierungsablagerung dazu verwendet werden, dicke obere Bereiche 14·und 14A aus leitendem Material herzustellen, deren Dicke zwischen 20000 und 100000 £ liegt.
Um die oberen Bereiche 14 und 14A von guthaftendem Metall, beispielsweise Gold, aufzubringen, ist es zweckmäßig, zunächst : eine Schicht 16 aus lichtelektrischem Widerstandswerkstoff, beispielsweise KMER von Eastman Kodak über den Flächen der
) Pille 1 anzubringen, wo kein Gold hingelangen soll, so wie es in Fig. 3 dargestellt ist. Dies wird mit Hilfe von Einrichtungen erreicht, die dem Fachmann bekannt sind. Wenn dies abgeschlossen ist, dann wird die Pille 1 in ein GoId-Elektroplattier-Bad eingetaucht, bis sich Gold in genügender Stärke niedergeschlagen hat. Vorzugsweise sollte der Bereich 14 aus Gold bis zu einer Stärke von 60000 £ plattiert werden, wozu man etwa eine Stunde Plattierungszeit benötigt. Der Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, daß die Goldschichten 14 und 14A wahlweise nur auf den Flächen niedergeschlagen werden, wo Silberschichten 13 und 13A frei liegen. Die Schicht 16 aus lichtelektrischem Widerstandswerkstoff wird dann in bekannter Weise ' entfernt,und die dann freiliegende Silberschicht wird von den
" Flächen entfernt, die nicht mit Gold bedeckt sind. Ein bevorzugtes Verfahren dies zu erreichen besteht darin, das unerwünschte Silber mit einem geeigneten Silberätzmittel wegzuätzen, ohne daß das Gold angegriffen wird, wobei derartige Verfahren gut bekannt sind. Die metallischen Kontakte 30 und 3OA können zusammen oder getrennt, verwendet werden, was von der Anwendung des Halbleiterbauelementes abhängt.
Wenn es erwünscht ist, können die Pille 1 und der untere, mittlere und obere Bereich der metallischen Kontakte 30 und 3OA, wie es in Fig. 4 dargestellt ist^ für etwa 30 Minuten auf eine ;
; Temperatur in dem Bereich von 300 0C bis 400 0C erhitzt worden, • damit sie besser aneinander haften. . -
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• ■ -
In Fig. 5 ist ein Halbleiterbauelement entsprechend Fig. 4 dargestellt, bei dem mehrere Zuführungsleitungen 100 mit den entsprechenden erhabenen metallischen Kontakten 30 und 3OA verbunden sind. Damit die Kontakte 30 und 3OA mit den Zuführungsleitungen 100, die beispielsweise aus mit Zinn plattiertem Kupfer bestehen, wirklich verbunden werden, werden die Zuführungsleitungen 100 mit Hilfe geeigneter Bindevorrichtungen, beispielsweise mit Hilfe von Erwärmungsbindevorrichtungen, gegen die obere Fläche 50 der Schichten 14 und 14A der entsprechenden Kontakte 30 und 3OA gedrückt. Die dabei entstehende Wärme und der Druck verursachen, daß das Zinn an jeder Zuführungsleitung 100 und das Gold der oberen Bereiche 14 und 14A miteinander verschmelzen und eine nichtgleiehrichtende haftende Bindung erzeugen.
Fig. 6 zeigt eine dreidimensionale Teilansicht einer anderen Halbleiteranordnung 200, mit einem metallischen Kontakt, der dem Kontakt in Fig. 1 ähnlich ist, mit dem Unterschied, daß die Kontakte 60 und 60A wie Kragträger über den Rand der Pille 70 hinwegragen.
Die Herstellungsschritte und Werkstoffe, die zur Herstellung der Kontakte 60 und 6OA in.Fig. 6 verwendet werden, entsprechen bis auf folgende Ausnahme denen, die bei der Herstellung der Anordnungen nach den Figuren 1 bis 4 beschrieben wurden. Die Pillen 200 werden dadurch von dem Plättchen, auf dem sie vor der Aufteilung in einzelne Pillen angebracht, sind, getrennt, daß sie abgedeckt werden und daß das Silicium (in nach dem Stand der Technik bekannter Weise) um die Teile der Kontakte und 6OA, die über die Ränder der Pille 70 wegragen, weggeätzt wird. . · ·
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Claims (1)

  1. ■ j -
    Patentansprüche
    /1.j Halbleiterbauelement mit einem Körper aus Halbleiterwerkstoff mit einer mindestens einen Teil des Körpers bedeckenden
    'Schicht und mit einer einen Kontakt aufnehmenden Öffnung, die einen Teil der Oberfläche des Körpers freigibt, dadurch gekennzeichnet-, daß der metallische Kontakt an dem Körper einen unteren Bereich mit mindestens einer Schicht aus metallischem Werkstoff enthält, die auf der freiliegenden Oberfläche angeordnet und mit Aluminium beschichtet ist, daß er einen oberen Bereich mit mindestens' einer Schicht aus guthaftendem metallischem V/erkstoff enthält und daß er einen mittleren Bereich mit einer metallischen Sperrschicht zwischen dem unteren Bereich und dem oberen Bereich • aufweist. . ■ ■ "
    2, Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, . dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterwerkstoff Silicium ist, daß der untere Bereich eines oder mehrere Metalle aus einer Gruppe enthält, die Aluminium, Titan, Chrom, Vanadium und daraus gebildete Legierungen enthält, daß der mittlere Bereich eine metallische Sperrschicht aufweist,, die aus einem Metall aus einer Gruppe besteht, welche:1 durch chemisches Plattieren hergestelltes Nickel, Nickel, Kupfer, durch chemisches Plattieren hergestelltes Kupfer und daraus zusammengesetzte Legierungen aufweist, wobei diese Schicht neben dem unteren Bereich angeordnet ist, damit eine schädliche Bindung des unteren Bereiches und des oberen Bereiches verhindert wird, und daß der obere Bereich aus einem oder mehreren Metallen besteht, die zu einer Gruppe gehören, die Gold, Silber, Zinn, Blei und daraus bestehende Legierungen enthält, und mindestens dicht neben einem Teil des mittleren Bereiches angeordnet ist. ■
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    1958884
    3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht auf der Unterseite mit katalytischem metallischem Werkstoff beschichtet ist.
    4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht auf der Oberseite mit einer Schicht aus leitendem metallischem Werkstoff beschichtet ist.
    5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht auf der Unterseite mit einer Schicht aus katalytischem metallischem Werkstoff und "auf der Oberseite mit einer Schicht aus leitendem metallischem Werkstoff beschichtet ist.
    6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der untere Bereich aus Aluminium besteht, daß die Sperrschicht aus durch chemisches Plattieren hergestelltem Nickel besteht, daß die Schicht aus katalytischem Werkstoff aus Palla-.dium besteht, daß die Schicht aus leitendem Werkstoff aus Silber besteht und daß der obere Bereich aus Gold hergestellt ist.
    7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, ° daß der mittlere Bereich eine metallische Sperrschicht zwischen dem unteren Bereich und mindestens einem Teil des oberen Bereiches aufweist.
    8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterwerkstoff Silicium ist, daß der untere Bereich aus einem oder mehreren Metallen einer Gruppe besteht, die Aluminium, Titan, Chrom, Vanadium und daraus hergestellte Legierungen enthält, daß der mittlere Bereich eine metallische Sperrschicht aus einem Werkstoff der Gruppe besteht, die durch chemisches Plattieren hergestelltes Nickel, Nickel, Kupfer, durch chemisches Plattieren hergestelltes Kupfer und daraus
    009825/13S0
    _ 12 _ Ί958684
    hergestellte Legierungen enthält, und die ferner dicht neben dem unteren Bereich angeordnet ist, damit eine unerwünschte Zwischenwirkung zwischen dem unteren Bereich und dem oberen Bereich verhindert wird und damit eine Schutzschicht für die Teile des unteren Bereiches erzeugt wird, die nicht mit dem oberen Bereich abgedeckt sind, und daß der obere Bereich eines oder mehrere Metalle aufweist,-, die in der Gruppe enthalten sind, in der sich Gold, Silber, Zinn, Blei und daraus hergestellte Legierungen befinden, wobei der obere Bereich mindestens dicht neben einem Teil des mittleren Bereiches angeordnet ist.
    Rei/Gu
    009825/1350 .
    Leers eife
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