DE1764572A1 - Mehrschichtiger,loetfaehiger Halbleiteranschluss - Google Patents

Mehrschichtiger,loetfaehiger Halbleiteranschluss

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DE1764572A1
DE1764572A1 DE19681764572 DE1764572A DE1764572A1 DE 1764572 A1 DE1764572 A1 DE 1764572A1 DE 19681764572 DE19681764572 DE 19681764572 DE 1764572 A DE1764572 A DE 1764572A DE 1764572 A1 DE1764572 A1 DE 1764572A1
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electrical connection
semiconductor
chromium
nickel
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DE19681764572
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Totta Paul Anthony
Vandersea John Edward
Shepheard Robert George
Herdzik Richard Joseph
Jerry Leff
Sopher Raeman Paul
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International Business Machines Corp
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Description

Mehrschichtiger, lötfähiger Halbleiteranschluss
Die Erfindung betrifft einen mehrschichtigen, lötfähigen elektrischen Anschluss einer Halbleiter zone eines Halbleiterbauelements in Planartechnik mit einer passivierenden Isolationsschicht und einer ersten Metallschicht, welche durch ein Fenster der Isolationsschicht Kontakt macht mit der Halbleiterzone, sowie einer Chromschicht auf der ersten Metallschicht, welche in der Umgebung des Fensters gut an der Isolationsschicht haftet.
In der heutigen Mikroelektronik werden vielfach Transistoren und Dioden in Chipform verwendet. Daneben werden bereits integrierte Schaltungen auf einzelnen Monolithen hergestellt. In allen Fällen wird ein elektrischer Kontakt zwischen diesen Bauelementen und anderen peripheren Schaltkreisen
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benötigt. Elektrische Verbindungen durch Thermokompression zwischen Anschlussdrähten und einem Halbleiterbauelement sind bereits bekannt. Diese Technik ist jedoch anspruchsvoll,zeitraubend und nur schwierig anzuwenden für eine Massenproduktion.
Lötfähige Anschlüsse sind dagegen besser in einer Massenproduktion zu verwenden und bereits bekannt. Die Herstellung solcher Anschlüsse bereitet einige Schwierigkeiten aufgrund der verschiedenen an sie gestellten An-
W forderungen. Der Anschluss muss eine gute Leitfähigkeit besitzen, einen
stabilen Kontakt mit dem Halbleiter bilden, an Glas- oder Siliziumdioxid isolationsschichten auf dem Halbleiter haften, Lötmaterial muss auf ihm haften, aber nicht durch Diffusion die speziellen Eigenschaften des Halbleitermaterials zerstören. Da diese verschiedenen Anforderungen an einen Halbleiteranschluss gestellt werden, gibt es kein Metall, welches die geforderte elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiter und dem Lötmaterial herstellen könnte. Aluminium z. B. hat eine gute elektrische Leitfähigkeit,
fc haftet gut alt Glas und bildet einen ο hm sch en Kontakt direkt mit dem Halbleiterkörper. Leider ist es aber im, allgeis^lnenjmchi^durch ein Lötmaterial benetzbar, weshalb die Lötpunkte nicht direkt auf das Aluminium aufgesetzt werden können. Die besten elektrischen Leiter wie Silber, Kupfer und Gold haften nicht gut auf Siliziumdioxid, ausserdem bildet Gold mit dem Silizium ein Eutektikum bei geringer Temperatur, wodurch die Charakteristik des Bauelements wesentlich beeinträchtigt wird.
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Um trotzdem die gewünschten Eigenschaften eines elektrischen Anschlusses für ein Halbleiterbauelement zu realisieren, wurden bereits geschichtete Strukturen aus verschiedenen Materialien vorgeschlagen. Ein typisches Beispiel ist in der US-Patentanmeldung Nr. 466 625 beschrieben. Es besteht aus einem Planarhalbleiterbauelement mit einer schützenden Glas schicht und hat eine Aluminium schicht in Kontakt mit dem Halbleiterkörper, darauf einen geschichteten Anschluss aus einer Chromsehicht auf dem Aluminium, einer Kupfer schicht und einer Goldschicht. Schliesslich befindet sich noch ein Lötmaterial auf der Goldschicht. Hier wird das Aluminium zur Herstel- λ
lung eines ohmschen Kontaktes mit dem Halbleiter verwendet. Die Chromschicht dient zur festen Haftung mit dem Glas, und Aluminium und bildet die Unterlage für die darüberliegende Kupferschicht. Die Aufgabe der Kupferschicht ist, die Lötfähigkeit zu erhöhen, da Blei-Zinn-Lot nicht gut auf Chrom haftet. Obwohl die so entstehende Struktur relativ komplex ist, besteht doch so die Möglichkeit, die physikalischen Eigenschaften der einzelnen Metalle auszunutzen und ihre Mängel zu überwinden.
Eine solche geschichtete Anschluss Struktur ist besonders-sinnvoll zu verwenden zur Kontaktierung von Halbleiterbauelementen, welche eine begrenzte Anzahl von Anschlüssen mit relativ grossen Abmessungen besitzen. Dagegen ergeben sich Schwierigkeiten bei der Verwendung für integrierte Schaltkreise mit grosser Anschlussdichte und kleinen Abmessungen oder in Vorrichtungen, welche relativ hohe Temperaturen zu ihrer Herstellung benötigen. Schon ein
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fehlerhafter Anschluss bedingt den Ausfall einer ganzen Baugruppe, welche ausgetauscht werden muss. Wenn die Anzahl der Anschlüsse anwächst, erhöht sich ebenfalls die Wahrscheinlichkeit eines Ausfalls der Baugruppe. Da eine Baugruppe mit einer grösseren Anzahl von Anschlüssen auch teurer ist, wächst der Verlust bei einem Austausch. Auf der anderen Seite wird die Wahrscheinlichkeit eines Ausfalls bei einer Baugruppe um so kleiner, je geringer die Anzahl der Anschlüsse ist, z. B. bei zwei bis fünf wie bei Dioden und Transistoren. Der Verlust ist hier relativ gering, wenn ein fehlerhaftes Bauelement entdeckt wird, da die Gesamtherstellungskosten relativ niedrig sind. Ein weiterer Punkt, der die Zuverlässigkeit des Anschlusses beeinflusst, ist bei einem grösseren Integrationsgrad, d. h. bei kleineren Abmessungen, die Notwendigkeit, die Dicke der einzelnen Metallschichten zu reduzieren. Die Justierung der einzelnen Masken zum Niederschlagen der einzelnen Metall schichten wird dabei kritisch. Je dünner die Schichten werden, desto geringer wird ihre Fähigkeit die angrenzenden Schichten durch eine Diffusionsbarriere oder vor Erosion durch die Bildung von Intermetallen zu schützen.
Die bereits bekannt gewordene geschichtete Anschluss struktur ergibt besonders bei integrierten Schaltungen Probleme, die teilweise zu einem Ausfall der Anschlüsse führen. Insbesondere besteht die Tendenz, dass das Zinn im Lot und das Kupfer in der geschichteten Anschlussstruktur eine Kupfer-Zinn-Legierung bilden, welche in dem geschmolzenen Lot gelöst
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wird nach einer Reihe von Aufheizzyklen, die bei der Herstellung des Bauelementes im allgemeinen notwendig sind.
In einzelnen Fällen kann die gesamte Kupfer schicht in eine intermetallische Verbindung verwandelt werden. Im ganzen ergibt sich die Wirkung einer teilweisen oder vollkommenen Erosion der Kupfer schicht. Das Lot kann nicht mehr fest auf seiner Unterlage haften, da die unter dem Kupfer lie- ^
gende Chromschicht durch das Lötmaterial nicht benetzt wird. Auf diese Weise kann der Übergangswiderstand des Anschlusses wesentlich erhöht werden. Ein besonders ernster Zustand wird erreicht, wenn die Kupfer schicht völlig entfernt ist, worauf das Lötmaterial in direkten Kontakt mit der darunterliegenden Schicht kommt und durch die relativ dünne und poröse Chromschicht bis auf die mit dem Halbleiter in Verbindung stehende Aluminiumschicht hindurchdiffundiert. Mit dieser Schicht kann das Lot aber metallurgisch reagieren und ein Eutektikum, eine feste Verbindung oder eine intermetallische Verbindung bilden, welche einen relativ hohen elektrischen Widerstand aufweisen und den gesamten Übergangswiderstand des Anschlusses wesentlich erhöhen. Eine andere Möglichkeit für einen fehlerhaften Anschluss ergibt sich, wenn auf irgendeine Weise, wie z. B. bei einer schlechten Ausrichtung der Maske, die Barriere des Aluminiums das Kupfer nicht mehr wirksam vor einem Einwandern in den Halbleiterkörper bremst. Hierbei kann der sauber dotierte Halbleiter durch die zusätzliche Verunreinigung in seinen elektrischen Eigenschaften so gestört
Doci- -;
werden, dass das gesamte Bauelement ausfällt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, diese oben beschriebenen Nachteile zu verhindern. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass bei einem Anschluss der eingangs erwähnten Art die Chromschicht mit einer Ni ekel schicht und diese ihrerseits mit einem Lötmaterial bedeckt ist.
Vorteil dieser Erfindung ist, dass mit Hilfe der zusätzlichen Nickelschicht die Wahrscheinlichkeit, dass das Lötmaterial in Kontakt mit der ersten Metallschicht auf dem Halbleiterkörper kommt, sehr gering ist. Das Nickel bildet nämlich eine intermetallische Verbindung mit dem Zinn des Lötmaterials während der Erhitzung des Bauelementes, jedoch löst sich diese intermetallische Verbindung fast nicht in dem geschmolzenen Lötmaterial. Dagegen ist bei der bekannten Anschluss struktur, welche eine lötbare Kupfer schicht-aufweist, die resultierende intermetallische Verbindung an ψ der Kupfer-Zinni-Grenzfläche wesentlich mehr lösbar in dem geschmolzenen
Lötmaterial. Die Nickelschicht kann nicht aufgelöst werden und stellt deshalb auch bei Erhitzung des Bauelementes eine wirksame Barriere zwischen dem Lötmaterial und der mit dem Halbleiter in Kontakt befindlichen Metallschicht dar. Auf diese Weise kann die erste Metallschicht, die im allgemeinen aus Aluminium, Gold, Silber oder Molybden bestehen kann, nicht durch das Lötmaterial angegriffen werden, wodurch der gewünschte anfänglich niedrige Übergangswiderstand in dieser Schicht erhalten bleibt. Die HaIt-
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barkeit der lötbaren Nickelschicht bewirkt ausserdem eine feste Haftung mit dem Lötmaterial.Dadurch bleibt eine hohe elektrische Leitfähigkeit erhalten und eine Verbesserung der mechanischen und physikalischen Eigenschaften des gesamten elektrischen Anschlusses wird erreicht.
Weitere Vorteile und Teilaufgaben der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, die anhand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe der nachstehend aufgeführten Zeichnung die Erfindung näher erläutert, und aus den Patentansprüchen.
Es zeigen: \
Fig. 1 den Querschnitt durch eineAnschlusskontaktierung
einer integrierten Schaltung nach der Erfindung,
Fig. 2 den Querschnitt durch eine Anschlusskontaktierung
eines weiteten Ausführungsbeispiels der Erfindung, ™
Fig. 3 die Draufsicht auf eine Anschlusskontaktierung eines
Transistors innerhalb einer integrierten Schaltung,
Fig. 4 einen Querschnitt durch die Anordnung in Fig. 3,
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Fig. 5 den Querschnitt durch eine Anschlusskontaktie rung
einer integrierten Schaltung mit einer versetzten Lötkugel,
Fig. 6 den Querschnitt durch die elektrische Verbindung zwi
schen einer integrierten Schaltung und einer zweiten elektrischen Vorrichtung.
Fig. 1 zeigt einen Lötkontakt 10, welcher besonders gut in Halbleite rplanardioden verwendet werden kann. Der Anschlusskontakt 10 befindet sich über einem Halbleiterkörper 12 von P- oder N-Leitfähigkeit mit einer Diffusions zone 14 von entgegengesetzter Leitfähigkeit. Eine Siliziumdioxids chicht 15 deckt die Halbleiteroberfläche ab. Eine ohmsche Kontaktschicht 18 stellt den elektrischen Kontakt mit der Diffusionszone 14 durch das Fenster 17 in der Oxidschicht 15 her. Eine weitere Glas schicht 16 dient zum Schutz vor Umgebungseinflüssen und ist mit der Schicht 15 und der Kontaktschicht 18 verbunden. Die Wahl des Materials für die ohmsche Kontaktschicht sollte so gewählt sein, dass dieses Metall einen guten ohmschen Übergang mit der P- bzw. N-Diffusionszone ergibt und ausserdem eine feste mechanische Verbindung zu dem Halbleitermaterial hergestellt wird. Ein ohmscher Kontakt ist im allgemeinen dadurch definiert, dass bei einem Metall-Halbleiterübergang der Strom proportional zur angelegten Spannung für beide Stromrichtungen anwächst. Unter anderem sind bereits Aluminium, Aluminium-Docket FI 9-66-022
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Silizium, Platin, Palladium, Chrom, Molybden, für diesen Zweck vorgeschlagen worden.
Der geschichtete Anschluss 20 ist elektrisch mit der Kontaktschicht 18 durch das Fenster 19 der Glas schicht 1-6 verbunden. Er besteht aus einer Chrom schicht 22, welchemit der Glasschicht 16 fest verbunden ist und durch das Fenster 19 Kontakt mit der Kontaktschicht 18 macht, darüber befindet sich eine lötfähige Nickelschicht 24, darauf befindet sich eine Goldschicht 26. Λ
Diese Goldschicht 26 dient zur Verhinderung einer Oxydation der lötfähigen Schicht 24 während der Herstellung der Vorrichtung. Im allgemeinen wird sie mit der Lötmasse 28 während eines Aufheizprozesses legiert und verliert dabei ihre Eigenheit in der endgültigen Struktur. Die Lötmasse 28 dient zur Befestigung der Lötkugel 30 an den geschichteten Anschluss 20. Die Kugel kann auch ersetzt werden durch eine andere Lötpunktstruktur,
Bei der Herstellung des Anschlusskontaktes 10 wird die Oxidschicht 15 vor- *
zugsweise thermisch auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgewachsen, indem das Wafer in einem mit Schlitzen versehenen Quarzhalter in einem Ofen auf etwa 1050 C aufgeheizt wird. Das Wafer wird darauf trockenem Sauerstoff für etwa 10 Minuten ausgesetzt, ans chli es send dann für etwa 60 Minuten einer Dampf atmosphäre. Die resultierende Oxidschicht 15 hat danach etwa eine Dicke von 5300 A. Eine andere Möglichkeit der Herstellung dieser Schicht 15 ist das Aufstäuben von Quaarz in einer Hochfrequenzglimm-
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entladung. Unter anderem können auch Materialien wie Aluminium, Siliziumnitrid usw. in Anwendung kommen.
Mit Hilfe der gebräuchlichen photolitographischen Ätzmethoden wird ein "Fenster 17 in der Schicht 15 geöffnet unter Verwendung einer gepufferten HF-Ätzlösung. Die Diffusions zone 14 entsteht durch Eindiffundieren einer passenden Verunreinigung durch das Fenster 17 in bekannter Weise. Die Oxidschicht 15 wird darauf nachgewachsen und das Fenster 17 mit kleinerer Öffnung wiederum ausgeätzt, um sicherzugehen, dass der Metall-Halbleite rübergang an der richtigen Stelle zu liegen kommt. Die ohmsche Kontaktschicht 18 wird aufgedampft und bis auf die kleine Kontaktstelle und eine Umgebung darauf entfernt, z. B. unter Verwendung von Aluminium. Aluminium wird auf die Halbleiteroberfläche bei einer Oberflächentemperatur zwischen 200 und 550 C in einer Dicke von 5000 bis 20 000 A aufgedampft. . Die Aluminium schicht wird darauf bis auf eine kleine Stelle abgeätzt unter Verwendung einer warmen Lösung von H PO . + HNO + HO.
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Eine isolierende Glasschicht 16 wird über der Schicht 15 aufgebracht, um den ohmschen Kontakt vor Korrosion usw. zu schützen. Dieses kann durch Aufstäuben in einer Hochfrequenz glimmentladung geschehen. Das Fenster wird in der Glasschicht 16 durch eine geeignete Ätzlösung nach der photolitographischen Maskenaufbringung geöffnet, z. B. unter Verwendung einer HF-HNQ -Lösung. Anschliessend wird zur Herstellung des geschichteten
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Anschlusses 20 eine Metallmaske mit einer Öffnung, welche mit dem Fenster 19 zusammenfällt, über der Struktur angebracht und die entsprechenden Metall schichten durch Aufdampfen niedergeschlagen. Nach der Chrom schicht 22 und der Nickelschicht 24 wird vorzugsweise die Goldschicht 26 aufgebracht. Die Chromschicht hat eine Dicke von 1 000 bis 5 000 A, die Nickelschicht von 3 000 bis 10 000 A, die Goldschicht von 1 000 bis 2 000 A.
Bei der Herstellung der Chrom- und Nickelschichten 22 bzw. 24 können diese Schichten entweder durch aufeinanderfolgendes Aufdampfen aus zwei diskreten Aufdampfquellen aufgebracht werden oder in einem einzigen Aufdampfprozess durch Verdampfen einer Chrom-Nickel-Legierung hergestellt werden. In dem zweiten Verfahren wird eine Chrom-Nickel-Legierung, z. B. mit 80% Nickel und 20% Chrom, in einem Verdampf er schiffchen erhitzt. Da der Dampfdruck von Chrom wesentlich höher ist als der Dampfdruck des Nickels, wird zuerst das Nickel aus der Legierung verdampfen. Zuerst wird also auf dem Substrat eine reine Nickelschicht aufgebracht, und erst, wenn nahezu das gesamte Nickel verdampft ist, wird das verbleibende Chrom in einer nahezu reinen Chrornschicht auf dem Substrat niedergeschlagen.
Durch eine Maske wird nun noch zusätzlich eine Schicht aus einem Lötmaterial auf die letzte Oberfläche (Goldschieht) aufgebracht. Mit einer weiteren Maske werden nickelüberzogene Kupferkugeln 30 mit dem Lötmaterial in
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Berührung gebracht. Die ganze Anordnung wird darauf in einer Stickstoffatmosphäre oder in einer reduzierenden Atmosphäre bis etwa 350 aufgeheizt. Das Lötmaterial schmilzt bei dieser Temperatur und verbindet die Kugel mit dem geschichteten Anschluss 20. Auch ohne diese Kugel kann ein Lötkontakt hergestellt werden, indem das Lötmaterial in geeigneter Weise über dem Kontakt geformt wird.
In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Die Anschlusskontaktierung 40 befindet sich über dem Halbleiterkörper 12, der eine zu kontaktierende Diffusionszone 14 besitzt, eine Siliziumdioxiddeckschicht 15 und eine Glasschicht 16, wie bereits in Fig. 1 gezeigt. Die ohmsche Kontaktschicht 42 bedeckt aber im Gegensatz zu Fig. 1 die Glasschicht 16 in der Nähe des geöffneten Fensters und ist nicht zwischen den Schichten 16 und 15 eingeschlossen. Der geschichtete Anschluss 20 besteht wie oben aus den Schichten 22, 24 und.26, d. h. aus Chrom, Nickel und Gold. Durch Lötmaterial 28 ist eine Kugel 30 mit dem Anschluss 20 verbunden. Im wesentlichen ist die Herstellung des Anschlusskontaktes 40 identisch mit derjenigen des Anschlusses 10 in Fig. 1 mit der einzigen Ausnahme, dass die ohmsche Kontaktschicht 42 nach Ausbildung der Schicht 16 aufgedampft wird.
In Fig. 3 und 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung eines Kontaktanschlusses 50 gezeigt. Dieser Anschluss kann in vorteilhafter Weise für
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die Kontaktierung eines Transistors oder einer integrierten Schaltung verwendet werden. In Fig. 3 und 4 dient der Anschlusskontakt 50 zur elektrischen Verbindung mit dem Emitter eines Transistors. Der Halbleiterkörper hat eine erste Diffusions zone 14, die als Emitter dient, umgeben von einer Diffusionszone 52 vom entgegengesetzten Leitungstyp, die als Basiszone dient. Der Streifen 54 liegt auf der Schicht 15 und stellt den Kontakt mit der Emitterdiffusion 14 durch das Fenster 17 her. Wie aus der Zeichnung zu ersehen, stellt der geschichtete Anschluss 20 den Kontakt zwischen dem Lötpunkt und dem Streifen 54 durch das Fenster 19 innerhalb der Glasschicht 16 her, an einer Stelle, die nicht mehr über der zu kontaktierenden Diffusionszone 14 liegt. Ein Basisstreifen 56 stellt den Kontakt mit der Basiszone 52 her, wie es aus Fig. 3 ersichtlich ist, wobei der Streifen 56 mit einer weiteren Anschlusskontaktierung, die nicht dargestellt ist, verbunden ist, in gleicher Weise wie die Anschlusskontaktierung 50. Der geschichtete Anschluss 20 besteht wiederum aus Chrom-, Nickel- und GoIdschichten 22, 24 und 26, wie schon in Fig. I und Fig. 2 gezeigt. Auf dem Anschluss 20 befindet sich eine grössere Menge von Lötmaterial 58a, innerhalb der gestrichelten Linie, welches aufgrund seiner Oberflächenspannung bei Erhitzung die Form des Lötpunktes 58 annimmt.
In Fig. 5 ist als ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Anschlusskontaktierung 60 dargestellt, welche bei integrierten Schaltungen mit Doppel- oder Mehrfachmetallisierungen verwendet werden kann. In dem HaIb-
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leiterkörper 12 befindet sich wiederum eine Diffusionszone 14. In der ersten Metallisierungsebene befandet sich ein Streifen 68, welcher unterhalb der Glas schicht 66 zu liegen kommt und einen Kontakt mit einem zweiten Streifen 64 in einer zweiten Metallisierungsebene durch das Fenster 65 herstellt. -Der geschichtete Anschluss 20, der mit der Glasschicht 16 verhaftet ist, ist in Kontakt mit dem Streifen 68 durch das Fenster 19. Ein Lötpunkt 58 befindet sich über dem Anschluss 20. Der Streifen 68 kann aus einem geeigne- ^ ten Metall wie Aluminium, Silber, Kupfer, Molybden usw. bestehen oder aus einer geschichteten Struktur, z. B. Chrom- Silber-Chrom, womit eine höhere Leitfähigkeit und eine grössere Haftung an das Glas erreicht wird.
Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, in welchem ein isolierter Leitungszug 74 zwischen dem Halbleitersubstrat 72 und einer Glasschicht 76, versehen mit einer öffnung 77, durch eine Lötverbindung mit einem vom Substrat unabhängigen, separaten Element, z. B. einer Induktivität, einer Kapazität oder einem Widerstand verbunden werden kann. Mit Hilfe des Lötmaterials 78 wird der geschichtete Anschluss 20 mit dem Anschluss 81 des separaten Elementes 80 verbunden.
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Claims (10)

PATENTANSPRÜCHE
1. Mehrschichtiger lötfähiger elektrischer Anschluss einer Halbleiter zone eines Halbleiterbauelements in Planartechnik mit einer passivierenden Isolationsschicht und einer ersten Metallschicht, welche durch ein Fenster der Isolationsschicht Kontakt macht mit der Halbleiterzone, sowie einer Chromschicht auf der ersten Metallschicht, welche in der Umgebung des Fensters gut an der Isolationsschicht haftet, dadurch gekennzeichnet, dass
die Chromschicht (22) mit einer Ni ekel schicht (24) und diese ihrerseits ™
mit einer Lötmaterial (28) bedeckt ist.
2. Elektrischer Anschluss nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht (18) aus einem der Metalle Al, Cu, Ag, Au, Mo oder Legierungen bzw. Schichtfolgen dieser Materialien besteht.
3. Elektrischer Anschluss nach Anspruch 1 und Anspruch 2, gekennzeichnet
durch eine dünne Goldschicht (26) zwischen der Nickelschicht und dem J
Lötmaterial.
4. Elektrischer Anschluss nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die pas sivier ende Isolationsschicht aus einer Siliziumdioxidschicht (15) auf der Halbleiteroberfläche und einer weiteren bedeckenden Glasschicht (16) besteht.
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5. Elektrischer Anschluss nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Chromschicht 1 000 bis 5 000 A, die Nickelschicht 3 000 bis 10 000 Ä und die Goldschicht 1 000 bis 2 000 X dick ist.
6. Verfahren zum Aufdampfen der Chrom- und Ni ekel schichten des elektrischen Anschlusses nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass aus einer Verdampferquelle eine Legierung aus etwa 80% Nickel und ^ 20% Chrom kontinuierlich verdampft wird.
7. Elektrischer Anschluss nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Lötpunkt (50) des Anschlusses von der zu kontaktierenden Halbleiterzone (14) versetzt ist.
8. Elektrischer Anschluss nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht (54) als Streifen ausgebildet ist und sich die Chrom-Nickel-(Au)-Lötmaterial-Schichtung (22, 24, 26, 58) nicht über der Halbleiterzone befindet.
9. Elektrischer Anschluss einer integrierten Schaltung mit Doppel- oder Mehrfachmetallisierung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Metallschicht (68) in der zweiten Metallisierungsebene ebenfalls als Streifen ausgebildet ist, der von der ersten Metallschicht (64) verschoben ist, aber an einer Stelle (65) Kontakt macht, und die Cr-Ni-(Au)-
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Lötmaterial-Schichtung (22, 24, 26, 58) mit dieser zweiten Metallschicht (68) verbunden ist.
10. Elektrische Verbindung einer metallischen Leitbahn (74) zwischen einem. Halbleiterkörper (72) und einer Isolationsschicht (76) mit einem elektrischen Bauelement (80) über einem Kontaktierungsfenster (77) in der Isolationsschicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen der Leitbahn und der verbindenden Lötung (78) eine Metallschichtung aus Cr-Ni-Au befindet.
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