DE1614872A1 - Vielschichtiges Leitungssystem mit ohmischen Kontakten fuer integrierte Schaltkreise - Google Patents
Vielschichtiges Leitungssystem mit ohmischen Kontakten fuer integrierte SchaltkreiseInfo
- Publication number
- DE1614872A1 DE1614872A1 DE19671614872 DE1614872A DE1614872A1 DE 1614872 A1 DE1614872 A1 DE 1614872A1 DE 19671614872 DE19671614872 DE 19671614872 DE 1614872 A DE1614872 A DE 1614872A DE 1614872 A1 DE1614872 A1 DE 1614872A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- molybdenum
- level
- gold
- areas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Vielschichtiges Leitungssystem mit ohmischen Kontakten für
integrierte Schaltkreise
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiteranordnungen in Mikrobauweise
von der Art integrierter Schaltkreise und insbesondere
auf vielschichtig wechselweise übereinander mit isolierenden Zwischenschichten aufgebauten elektrisch leitenden
Schichten zum Aufbau eines vielschichtigen Leitungssystems für derartige Halbleiteranordnungen.
Sie zunehmende Forderung nach Mikrominiaturisierung spiegelt
sich im Bereich der Elektronik in der Entwicklung von integrierten
Schaltkreisen oder integrierten Schaltkreisnetzwerken wieder, bei denen eine Vielzahl aktiver und/oder passiven Schaltkreiskomponenten in oder auf einer Halbleiterscheibe
000000/0833
Fs/Ja ausgebildet
Fs/Ja ausgebildet
ausgebildet ist, wobei die Schaltkreiskomponenten für eine
bestimmte Betriebsfunktion in einer bestimmten Weise miteinander verbunden sind. Zum Beispiel kann bei einer monolithischen
integrierten Schaltkreisanordnung eine Vielzahl von Transistoren und Widerständen durch Diffusion in einer der
Oberflächen der Scheibe des beispielsweise aus Silicium bestehenden Halbleitermaterials ausgebildet werden, die von
einer üblicherweise aus Siliciumoxid, bestehenden Schutzschicht
bedeckt sind und über der Oxydschicht metallische Dünnschichten aufweisen, die die Widerstände und die verschiedenen Anschlüsse
der Transistoren in der gewünschten Weise mit einem entsprechenden Muster durch öffnungen in der Oxydschicht miteinander verbinden.
Hit der zunehmenden Komplexität der Schaltkreise und der entsprechend zunehmenden Komplexität der leitungsmäßigen
Verschaltung wurde es erforderlich, mehr als eine oiao Schicht
der metallischen Dünnschichten für die Verschaltung vorzusehen, wobei an den Kreuzungspunkten eine geeignete Isolation zwischen
den verschiedenen Schichten der einzelnen Ebenen nptwendig ist. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn auf einer einzigen
Halbleiterscheibe eine Vielzahl getrennter Schaltungen vorgesehen ist, und diese für eine bestimmte Schaltfunktion miteinander
verbunden werden müssen.
Die für die metallischen Dünnschichten und die elektrisch isolierenden
Schichten verwendeten Materialien müssen günstige Eigenschaften in chemischer, elektrischer, thermischer und
mechanischer Hinsicht aufweisen und miteinander verträglich
009809/0833
sein
sein, damit ein entsprechend geeignetes vielschichtiges Leitungssystem
entsteht. Zum Beispiel sollten die metallische Dünnschicht oder die metallischen Dünnschichten der ersten
Ebene eine niederohmige Kontaktverbindung mit dem Halbleitermaterial aufweisen und gut an der zum Schutz der Oberfläche
der Scheibe angebrachten Oxydschicht haften, jedoch sollen sie mit dem Halbleitermaterial bei den während der Herstellung
oder der Montage der Teile auftretenden Temperaturen keine unzulässigen Legierungen eingehen, wodurch die charakteristischen
Eigenschaften verschlechtert werden. Ferner sollen die metallischen Dünnschichten keinen Schmelzpunkt
aufweisen, der unterhalb der Temperatur liegt, welcher die Anordnung während der Herstellung und im Betrieb ausgesetzt
ist. Andererseits soll das isolierende Material zwischen den
metallischen Dünnschichten eine ausreichende Isolation gewährleisten, die frei von Mikrolöchern ist, um die Möglichkeit
eines elektrischen Kurzschlusses zwischen den beiden Ebenen zu unterbinden. Darüber hinaus soll das ganze System aus Metallen,
Isolatoren oder Oxyden hergestellt werden, die hart sind und steif, so daß sie während der Handhabung und Prüfung
der Scheibe sich weder verbiegen noch brechen« Alle diese Materialien sollen physikalisch und mechanisch stabil sein,
wenn sie hohen Temperaturen ausgesetzt werden, so daß keine unerwünschten Reaktionen untereinander oder mit dem Halbleiterträger
stattfinden. Die Metall- und Isolationsmaterialien sollen fest aneinander haften und sollen zumindest zwischen
den metallischen Dünnschichten der Leitungen an den Kreuzungspunkten der einzelnen Schichten, an welchen die metallischen
009809/0833
Schichten
Schichten freiliegen, einen guten ohmisclien Kontakt gewährleisten.
Bei bevorzugten Ausfuhrungsformen der Erfindung wird für das
Leitungssystem von einer Verbindung aus Molybdän und Gold Gebrauch gemacht, da diese Verbindung viele vorzügliche Eigenschaften
aufweist. Eine vollständige Beschreibung einiger dieser Eigenschaften wird in dem US Patent 3 290 570 gegeben.
Eine der günstigsten ist die Tatsache, daß Molybdän mit dem Siliciumhalbleitermaterial eine sehr gute elektrische Kontaktverbindung
eingeht, insbesondere, wenn der Kontaktbereich stark dotiert ist, jedoch an der Siliciumoberflache keine unerwünschten
Legierungen auftreten, durch welche das Halbleiterelement verschlechtert wird. Ferner haftet das Molybdän sehr gut an
Siliciumoxyd und ist leicht mit einem Ätzmittel zu bearbeiten, welches mit anderen Materialien verträglich ist. Wenn Molybdän
zusammen mit Gold benutzt wird, ist es für das Gold tatsächlich undurchlässig. Deshalb entsteht, wenn das Molybdän mit dem
Siliciumhalbleitermaterial in Kontaktverbindung gebracht wird und eine Goldschicht über dem Molybdän liegt, ein tatsächlich
legierungsfreies Kontaktsystem, bei dem das Molybdän mit dem Silicium und das Gold mit dem Molybdän keine Legierung eingeht.
Gold ist außerdem außerordentlich leitfähig, leicht mit den herkömmlichen Verdampfungstechniken aufzutragen, gut mit Hilfe
photolithographischer Ätzverfahren zur Festlegung der Kontaktbereiche und des Leitungsmusters zu bearbeiten und leicht mit
Anschlußdrähten aus Gold zu verbinden.
009809/0833 Außerdem
Außerdem tritt "bei einem Molybdän-Gold-Kontaktsystem keine Vergrößerung
des elektrischen Widerstands infolge einer Zwischendiffusion
oder der Entstehung einer Verbindung auf, wie dies bei vielen anderen Metallschichtkombinationen der Fall ist« Zum Beispiel
müssen bei der Herstellung von Kupferdrähten große Unkosten in Kauf genommen werden, um sehr reines Kupfer mit einer maximalen
Leitfähigkeit zu erhalten. Dies erklärt sich daraus, daß Fremdatome in selbst verhältnismäßig reinem Metall die Bewegung
der Elektronen im Metall beeinflußen, so daß der Widerstand vergrößert
wird. Dies ist jedoch bei einer Molybdängoldschicht nicht der Fall, da Molybdän und Gold eine sehr niedrige gegenseitige
Löslichkeit aufweisen, d.h. die Zwischendiffusion durch den Konzentrationsanteil
begrenzt wird, und dadurch keine Verbindung miteinander eingehen. Metallschichtkombinationen, wie z.B. Chrom-GoId,
Titan-Gold, Eisen-Gold, Nickel-Gold und viele andere, vermischen sich gegenseitig und diffundieren sehr rasch gegenseitig
ineinander, so daß ein ."Grenz^Metall tatsächlich fehlt und die
Schichten nicht metallurgisch stabil sind.
Der ffolybdän-Goldaufbau bietet Vorteile und Zuverlässigkeit bei
Anwendungen mit hoher Stromdichte. Es wurde beobachtet, daß ausgedehnte ohmische Kontakte bei integrierten Schaltkreisen und
diskreten Transistoren z.B. bei Dauerbetrieb mit Stromdichten in
der Größenordnung von 1 χ 10 A/cam oder größer in elektrischer
Hinsicht eine Unterbrechung erfahren können, und dadurch den Ausfall· der Einrichtung verursachen. Es wird angenommen, daß dieser
Ausfallmechanismus von einem Phänomen abhängt, das mit dem Begriff
Q09Ö09/0833 stromiEduzlgrte
16U872
strominduzierte Massenverschiebung bezeichnet wird, wobei die Geschwindigkeit
der Massenverschiebung ungefähr umgekehrt proportional der Aktivierungsenergie der betroffenen bestimmten metallischen
Leiter bezüglich der Selbstdiffusion ist.
Es wurde außerdem festgestellt, daß einige Metalle mit niederen Werten für die Aktivierungsenergie, wie z.B. Aluminium, ein größeres
Risiko hinsichtlich der Zuverlässigkeit darstellen als andere Metalle, welche einen höheren Wert für die Aktivierungsenergie aufweisen.
Gold und insbesondere Molybdän besitzen sehr hohe Werte für diese Aktivierungsenergie bei Seibstdiffusion und weisen da·=·
her eine minimale Neigung zur strominduzierten Massenverschiebung auf.
Eine beispielsweise Ausführungsforia der Erfindung ist in der Zeichnung
dargestellt; es zeigen:
Fig.1 eine vergrößerte Draufsicht auf eine Halbleiterscheibe mit einer Vielzahl von Komponenten, die für die Anwendung
der Erfindung geeignet sind;
Fig. 2 ein elektrisches Schaltbild einer in Fig.1 dargestellten
Komponente;
Fig. 3 eine vergrößerte Draufsicht auf eine Komponente gemäß Fig.1, die die aufbaumäßige Verwirklichung einer
Schaltung gemäß Fig.2 zeigt;
Fig.4-6 Schnitte längs der Linie 1I-1I der Fig.3 eines Teils
einer integrierten Schaltung, die die verschiedenen Aufbaustadien des vielschichtigen Leitungssystems gemäß
der Erfindung zeigen;
00 9 8 09/0833
00 9 8 09/0833
Fig.7a und 7b Teilausschnitte der in Fig. 4-6 dargestellten
Schnitte, jedoch für eine andere Ausführungsforni
der Erfindung;
Fig.8-11 Schnitte längs der Linie 4-4 der Fig.3 eines
Teils einer Halbleiterscheibe, die die verschiedenen
Aufbaustadien des vielschichtigen Leitungssystems nach einem anderen Herstellungsverfahren
zeigen.
Die vergrößerte Wiedergabe der Halbleiterelemente in den Figuren ist nicht maßstäblich; es wurden vielmehr im Interesse einer klaren
Darstellung der Merkmale der Erfindung Teile der Halbleiterelemente
besonders stark vergrößert dargestellt«
In den Figuren ist eine aus Halbleitermaterial,für das vorgesehene
Beispiel aus Silicium, bestehende Scheibe als Träger 10 verwendet. Auf dem Träger 10 ist eine Vielzahl einzelner Komponenten
angebracht. Obwohl nur sechzehn derartige Komponenten in der Zeichnung dargestellt sind, wird üblicherweise eine sehr viel
größere Anzahl verwendet. Jede der Komponenten 11 bis 26 umfaßt eine Anzahl von Transistoren, Widerständen und Kondensatoren oder
dgl., die für einen bestimmten Schaltungszweck entsprechend untereinander
verbunden sind. So kann z.B. die Komponente 13 entsprechend dem Stromlauf gemäß Fig.2 nach einem in Fig.3 dargestellten
Aufbau hergestellt sein. Die Schaltung dieser Komponente 13 würde dann die PHP Transistoren 32, 33, 34 und 35, die HPN Transistoren
36, 37, 4-3, 4-5, 46, 47 und 50, die Eingangsklemmen A, B und X
009B0 9/0833
und eine Ausgangsklemme G aufweisen. Diese Klemmen, zusammen mit
der Klemme V für die Stromversorgung, entsprechen den fünf mit
gleichen Buchstaben versehenen Klemmen der Komponente 13 in Fig.1,
Es sei angenommen, daß die vier Komponenten 13, 16, 21 und 26 aus sechzehn Komponenten 11 bis 26 im Interesse einer bestimmten
Schaltungsfunktion in geeigneter Weise miteinander verbunden werden
sollen. Vie in Fig.1 dargestellt, werden die Klemmen B, D, J
und O der Komponenten 13, 16, 21 und 26 durch eine Leitung 28 Jewells
untereinander verbunden. Die Klemmen V, F, L und E werden durch die Leitung 29, die Klemmen X, H, M und Q durch die Leitung
30 jeweils elektrisch miteinander verbunden. Es sei darauf hingewiesen, daß jedoch bereits eine große Anzahl von elektrischen Leitungsverbindungen
in der ersten Ebene zur Verbindung der verschiedenen Transistoren untereinander sowie mit den übrigen Elementen
und Anschlüssen entsprechend der vorgesehenen individuellen Funktion
der Komponente gemäß Fig. 3 vorhanden ist, so daß notwendigerweise
die Leitungen 28, 29 und 30 über Leitungen der ersten Ebene gemäß Fig. 3 liegen oder diese kreuzen. Aus diesem Grund und auch
auf Grund der Tatsache, daß die Leitungsverbindungen zwischen den einzelnen Komponenten separat von denen der einzelnen Elemente
auf einer Komponente hergestellt werden, wird das Leitungssystem gemäß Fig.1 in einer zweiten Ebene ausgebildet, die von dem Leitungssystem
der ersten Ebene durch ein isolierendes Medium getrennt
ist.
Die Transistoren und die übrigen Elemente der Schaltung können auf dem Halbleiterträger 10 nach irgendeinem in der integrierten
009809/0833 , Q fc n4.w 4 . . 4.
• - 16U872
Schaltkreistechnik bekannten Verfahren, z.B. durch epitaktischen Aufbau oder Diffusion, hergestellt werden. In Fig.4 ist ein Teil
der integrierten Schaltung gemäß Fig.3 als Schnitt in einem Zustand
dargestellt, bevor diese mit metallischen Leitungsverbindungen
versehen ist. Der UFN Transistor 36 besteht aus einem Kollektor mit N-Leitung, der von dem Halbleiterträger 1Ö gebildet
wird, einer diffundierten Basiszone 51 mit F-Leitung und
einer diffundierten Emitterzone 52 mit N-Leitung. Der Widerstand
R^ wird von einer diffundierten Zone 53 mit P-Leitung gebildet
und wird gleichzeitig mit der Basiszone 51 des Transistors herge- "
stellt. Eine Schutzschicht 54 lagert sich auf der Oberfläche des
Trägermaterials entsprechend der aufeinanderfolgenden Diffusionsschritte in stufenförmigem Aufbau ab. Darauf werden Öffnungen in
der Oxydschicht 54 an denjenigen Stellen vorgesehen, wo die Leitungsverbindungen
der ersten Ebene einen ohmischen Kontakt erhalten sollen.
Im nächsten Fabrikationsschritt wird eine dünne Metallschicht 55
von etwa 2000 2, z.B. aus Molybdän, welches einer der besseren elektrischen Leiter ist, auf die Oberfläche der Oxydschicht 54
aufgebracht und durch die Öffnungen in der Oxydschicht ein ohmischer
Kontakt mit dem Halbleitermaterial hergestellt. Für das Aufbringen'der Molybdänschicht 55 können verschiedenste Techniken
benutzt werden, wie z.B. durch Zerstäuben, 7er dampf en oder Sublimation.
Unter Verwendung der herkömmlichen photographischen Maskier-
und Ätztechnik werden ausgewählte Bereiche der Molybdänschicht 55 entfernt, wodurch das Muster der ohmischen Kontakte
ÖOS8Ö9/0833 3ä£ä
16U872
- ίο -
und Leitungsverbindungen der ersten Ebene geschaffen wird. Die Leitung 71 ist ohmisch mit der Basis des Transistors 36 und dem
einen Ende des Widerstands R1 und die Leitung 72 ohmisch mit dem
Emitter des Transistors 36 verbunden. Dagegen ist die Leitung 73 ohmisch mit dem Kollektor des Transistors 36 und mit der Klemme
V für die Stromversorgung, wie in Fig.5 dargestellt, verbunden.
Anschließend wird eine Isolationsschicht 56 mit Hilfe einer geeigneten
Technik, wie z.B. Verdampfen, Versprühen oder Kathodenstrahlzerstäubung
auf die Molybdänschicht 55 aufgetragen und dann, wie in Pig.6 dargestellt, die Oberfläche der Molybdänschicht im
Bereich der Klemme V durch Ätzung freigelegt. Die Isolationsschicht
56 dient dem Zweck der elektrischen Isolierung der Metallleitungen
der ersten Ebene von den Metalleitungen der zweiten Ebene, welche anschließend aufgebracht werden. Die Schicht 56
kann aus anorganischen Materialien, wie z.B. Siliciumnitrid, Aluminiumoxyd, Tantaloxyd oder verschiedenen anderen organischen
Isolationsmaterialien bestehen. Im vorliegenden Beispiel besteht die Isolationsschicht 56 aus Siliciumoxyd, das mit Hilf e eines
Sprühverfahrens mit einer Dicke von ungefähr 10000 £ aufgetragen wird. Die Schicht wird sodann teilweise entfernt, um die Oberfläche
der Molybdänschicht 55 im Bereich der Kontaktfläche V freizulegen.
Auf die Isolationsschicht 56 wird nun eine Molybdänschicht 57 mit einer Dicke von etwa 1200 £ aufgetragen, auf der z.B. durch Verdampfen
eine Goldschicht 58 mit einer Dicke von ungefähr 7500 £
009809/0833
angebracht wird. Die Metallschichten 57 und 58 werden sodann teilweise
geätzt, um das Muster der Leitungsverbindung 29 der zweiten Ebene zu schaffen. Die Kontakt verbindung der beiden Molybdänschichten
57 und 55 erfolgt über die Kontaktfläche V. Die Deckschicht 58 aus Gold besitzt eine extrem gute Leitfähigkeit und
haftet sehr gut an der Molybdänschicht 57. Anschlußdrähte z.B. aus Gold können sodann thermokompressiv mit der Goldschicht 58
verbunden werden. Einer der Vorteile des in Fig.6 dargestellten
Aufbaus ist die extrem gute Haftung der Molybdäns chicht en 55 und
57 an der Isolationsschicht 56. Wenn drei, vier oder mehr Ebenen für die Kontakte und Leitungsverbindungen gewünscht werden, kann
jede der Ebenen, außer der letzten, mit einer reinen Molybdänschicht hergestellt werden. Nur für die oberste Ebene besteht
die Schicht aus einer Molybdan-Goldkombination, wobei der Goldüberzug
das Anbringen der Anschlußdrähte erleichtert.
Es kann sein, daß vor dem Aufbau der Molybdänschicht 57 eine sorgfältige
Reinigung sowohl der Oberfläche der Isolierschicht 56 als auch der freiliegenden Oberfläche der Molybdänschicht 55 erwünscht
wird. Hierfür kann z.B. eine Sprühreinigung Verwendung finden. Diese Reinigung verringert oder beseitigt irgendwelche Oberflächenoxyde,
welche sich auf den freiliegenden Oberflächen des Molybdänfilms 55 gebildet haben, und gewährleistet einerseits
eine gute ohmische Kontaktverbindung zwischen den Molybdänschichten 55 und 57 und andererseits eine gute Haftung der Molybdänschicht
57 an der Isolationsschicht 56.
009809/0833
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann die einfache
Molybdänschicht mit den Abschnitten 7Λ » 72 und 73 des Leitungsmusters
der ersten Ebene durch einen dreifach übereinander geschichteten Aufbau, wie in Fig.7a und 7b dargestellt, ersetzt
werden. Dieser Aufbau umfaßt eine erste dünne Schicht 55a aus
Molybdän mit einer Dicke von ungefähr 1200 £, die ohmisch mit dem Halbleitermaterial 10 zusammenwirkt und die Schutzschicht
54· überzieht. Darüber wird eine zweite dünne Schicht 55b aus
Gold bis zu einer Dicke von 7500 % und eine dritte Schicht 55c
aus Molybdän bis zu einer Dicke von 1000 £ angebracht. Die oberste
metallisierte Ebene liegt über dem Isolationsmaterial und umfaßt die Schichten 57 und. 58 aus Molybdän und Gold, wie sie bereits
im Zusammenhang mit Fig.6 beschrieben wurden. Die Isolationsschicht
56 und die Molybdänschicht 55c werden im Bereich der Verbindungsfläche
V geätzt, so daß die Molybdänschicht 57 in direkter
ohmischer Verbindung mit der Goldschicht 55 steht. Durch die Verwendung eines Ätzmittels, das im wesentlichen Molybdän angreift,
jedoch Gold im wesentlichen unbeeinflußt läßt, und z.B. aus 70 Teilen phosphoriger Säure, 15 Teilen Acetylsäure, 3 Teilen Salpetersäure
und 5 Teilen entionisiertem Wasser besteht, kann das Freiätzen der Anschlußflache V sehr sorgfältig überwacht werden,
so daß die Goldschicht 55b nicht durchgeätzt wird. Zusätzlich tritt ein Farbumschlag während des Ätzprozesses auf, und zwar
von einer silbrigen Farbe zu einer Goldfarbe, wodurch eine visuelle Überwachung des Ätzvorgangs möglich ist. Die Molybdänschichten
55c und 57 haften fest an der Isolationsschicht 56, wodurch die Haftung des gesamten vielschichtigen Leitungssystems
009809/0833 zwischen
T6H872
zwischen den einzelnen Schichten verbessert wird. Der Ersatz der einen Molybdänschicht 55 durch die dreifach übereinander aufgebaute
Molybdän-Gold-Molybdänschicht bringt den weiteren Vorteil einer Verbesserung der elektrischen Leitfähigkeit der Leitungsverbindung
der ersten Ebene infolge der Hinzufügung der sehr leitfähigen Goldschicht 55b· Ein weiterer Vorteil ist die Abnahme des
elektrischen Kontaktwiderstands zwischen der ersten und zweiten Ebene auf Grund des guten ohmischen Kontaktes zwischen der Molybdänschicht
57 der Leitungsverbindung der zweiten Ebene und dem freiliegenden Oberflächenteil der Goldschicht 55° ^er ersten Ebene.
Eine weitere Ausfiihrungsform der vorliegenden Erfindung ist in
den Fig.8-11 dargestellt. Gemäß Fig.8 werden zwei dünne Metallschichten
50 und 61 aus Molybdän und Gold aufgetragen und durch
Ätzen dsLs Leitungsmuster der ersten Ebene, welches die Leitungen
71, 72 und 73 umfaßt, hergestellt. Die Molybdänschicht 60 sollte
eine Dicke von etwa 10000 bis 30000 & aufweisen und von einer dünneren Goldschicht 61 von etwa 1000 S. überzogen sein. Darauf
wird die Goldschicht in bestimmten Bereichen weggeätzt, so daß
z.B. nur noch der Flächenbereich 75» wie in Fig.9 dargestellt,
erhalten bleibt, der alis Kontakt fläche V für die leitende Verbindung
der Leitungen der ersten Ebene mit den Leitungen der zweiten
Ebene Verwendung findet. Die wahlweise Entfernung der GoIdschicht
61 erfolgt durch eine Ätzung Zr.B. mit einer Zyanidlösung,
welche die Goldschiclrfc entfernt, jedoch, die darunterliegende
Molybdänschicht im wesentlichen unbeeinflußt läßt«
6ÖS8Ö9/Ö833
16H872
Als nächster Verfahrensschritt wird eine sehr dünne Isolationsschicht
60a aus Molybdänoxyd (MoO,) über der Molybdänschicht 60 gebildet. Dies kann in der Weise ausgeführt werden, daß der gesamte
Aufbau.in einer Säuerstoffatmosphäre für ungefähr 10 Minuten
auf einer Temperatur von ungefähr 4000C gehalten wird, wodurch
die Oberfläche der Molybdänschicht 60 oxydiere. Dadurch entsteht eine isolierende Molybdänoxydschicht mit einigen Tausendstel Ä
Dicke. Der Goldbereich 75 bleibt bei dieser thermischen Oxydation im wesentlichen unbeeinflußt und stellt eine ochutzmaske für den
darunterliegenden Teil der Molybdänschicht 60 dar. Der sich daraus
ergebende Aufbau ist in Fig.10 dargestellt, in welcher der nicht oxydierte Teil der Molybdänschicht 60 die Leitungsverbindungen
der ersten Ebene und die über der Molybdänschicht liegende Oxydschicht eine Isolation darstellt, wobei der Bereich 61 der Goldschicht
über einem nicht oxydierten Teil der Molybdänschicht 60 liegt und die Kontaktfläche V für die nächste Leiterschicht bildet.
Darauf wird eine Schicht 56 aus isolierendem Material, z.B. Si-
liciumoxyd, mit einer Dicke von ungefähr 10000 bis 20000 2 über
der ganzen Oberfläche der Anordnung gemäß Fig.10 angebracht. Diese
Schicht wird sodann an bestimmten Stellen geätzt, um die Oberfläche des Bereiches 75 der Goldschicht freizulegen. Darauf wird
eine Molybdanschicht 57 und- Goldschicht 58, wie bereits beschrieben, aufgebracht und an bestimmten Stellen freigeätzt, um die
Leitungsverbindung 29 der zweiten oder oberen Ebene zu schaffen.
009809/0833
16U872
Der 3ich ergebende Aufbau ist in Fig.T1. dargestellt. Die zwei verschiedenen
isolierenden Oxydschichten 60a und 56, die schichtweise übereinander angebracht sind, haben den Vorteil, daß ineinander
übergehende Mikrolöcher vermieden werden. Dadurch wird die elektrische Isolation zwischen den Leitungsverbindungen der verschiedenen
Ebenen erhöht. Die Isolationsschichten 60a und 56 können
aus zwei verschiedenen Materialien aufgebaut sein und durch verschiedene physikalische oder chemische Prozesse aufgebracht werden.
Es sei darauf hingewiesen, daß die Oxydation der Molybdän- f schicht 60 nicht nur eine Isolation auf der Oberseite dieser
Schicht, sondern auch an den Kanten der Schicht bewirkt, wodurch eine weitere Verbesserung der elektrischen Isolation gegeben ist.
Obwohl in der vorliegenden Ausfübrungsform die Verwendung von
Molybdän und Gold als Metallschichten wegen ihrer besonders günstigen
charakteristischen Eigenschaften und der erwähnten erzielbaren Vorteile in Erwägung gezogen wurde, können trotzdem auch andere
Metallkombinationen für die Durchführung des beschriebenen Verfahrens verwendet werden. Es sei bemerkt, daß die Metallschicht
60 z.B. aus einem oxydationsfähigen Metall, wie Titan, Tantal, Rhodium, Kobald, Nickel oder sogar Aluminium, hergestellt sein
kann, während für die darüberliegende Schicht 61 ein oxydationsbeständiges
Metall, z.B. Gold, wegen dessen ausgezeichneter Leitfähigkeit sehr gut geeignet ist.
Die Vorteile einer doppelten Oxyd- oder Isolationsschicht zwischen
verschiedenen Ebenen, wie diese an Hand von Pig. 11 beschrieben vrarde, kann man auch durch die Oxydation der Oberflächenteile des
009809/0833 Molybdänfilms
Molybdänfilms 55c gemäß Fig. 7a un^ 7b erhalten, wenn diese vor
dem Aufbringen der Isolationsschicht 56 oxydiert wird. Der endgültige
Aufbau würde dann der Darstellung gemäß Fig.7a und 7b
entsprechen, jedoch eine zusätzliche Molybdänoxydschicht über der oberen Molybdänschicht 55c der Vielfachschicht aus Molybdän, Gold
und Molybdän der ersten Ebene aufweisen. Der Kontaktbereich V könnte sodann durch Wegätzen der Isolationsschicht 56 der Molybdänoxydschicht
und der Molybdänschicht 55c &Ώ. der freigelegten Oberfläche
der Goldschicht 55b angebracht werden, worauf sodann die " nächste Ebene aus einer Molybdänschicht 57 und einer Goldschicht
58 aufgebracht werden kann.
Die beschriebenen Ausführungsformen, sowie die beschriebenen Verfahren
zur Durchführung der Erfindung können in vielfältiger Weise abgeändert werden. Zum Beispiel kann eine sehr flache Diffusionszone mit Störatomen an den Koitaktber eichen zwischen der Molybdänschicht
und der Halbleiteroberfläche erwünscht sein, um an diesen Stellen einen niederohmigen Eontaktübergang zu schaffen. An Stelle
L der Ablagerung einer Molybdänschicht unmittelbar auf der Halbleiteroberfläche
können Bereiche oder Zonen metallischen Materials zwischen der SiI ic iumob er fläche und der Molybdänschicht angebracht
werden. Diese metallischen Bereiche können z.B. aus Platinsilicidablagerungen
bestehen, die in den Kontaktbereichen vor dem Aufbringen der Molybdänschicht angebracht werden; auch eine sehr
dünne Schicht aus Aluminium kann vor der Ablagerung der Molybdänschicht
aufgetragen werden. Es ist selbstverständlich, daß die in der vorausgehenden Beschreibung erwähnten Metalle Molybdän und
009809/0833
-: - ■.:. leu872
Gold nicht nur in Form reiner Molybdän- und Goldse'hiehten, sondern .,
auch als -solche- mit einem niederprοζentigen Anteil von Fremdatomen
verwendet werden können. So mag z.B. eine Spur von fremdatomen der
Molybdänschicht beigegeben werden, um deren Haftung zu verbessern.
Auch die Goldschicht kann mit einem niederprozentigen Anteil von
Platin versehen sein, um die Haftung des Goldes am Molybdän zuverbessern,
"i- ;
Obwohl die Beispiels und das Verfahren gemäß der Erfindung an Hand
monolithischer integrierter Schaltkreise beschrieben wurden, bei
welchen vielschichtige Leitungssysteme Verwendung finden, kann das
Verfahren sowie der Aufbau auch für viele andere Anwendungsfälle
benutzt werden, wie z.B. bei diskreten Halbleiterkomponenten, hybriden integrierten Schaltkreisen oder bei der Herstellung von
Bünns chichtkapazi tat en, wenn immer abwechselnde Schichten aus Metall
und elektrisch leitendem Material aufgebaut werden sollen.
, Patent'anspruche
00S&09/0833 -■■ -■■■-';■■?-■ -r :-?---_;
Claims (15)
1. Halbleiteranordnung, bei der in einem Stück aus Halbleitermaterial
eine Vielzahl von Schaltkreiskomponenten durch zu einer Oberfläche
des Stückes sich erstreckenden Halbleiterbereichen gebildet ist und jeder Bereich zumindest einen zu der Oberfläche sich erstrekkenden
PN-Übergang aufweist, und bei der eine Schutzschicht aus isolierendem Material über dieser einen Oberfläche angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet , daß ein ohmischer Kontakt
und elektrische Leitungsverbindungen vorgesehen sind, die aus einer
ersten Schicht aus Molybdän bestehen und ohmisch sowie elektrisch
durch öffnungen in der Schutzschicht mit bestimmten Halbleiterbereichen
verbunden sind, daß eine zweite aus Gold bestehende Schicht über der ersten Schicht verläuft, und daß eine dritte aus Molybdän
bestehende Schicht über der zweiten Schicht liegt.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, bei der eine Vielzahl von
Schaltkreiskomponenten durch übereinanderliegende Bereiche gegensätzlicher
Leitfähigkeit mit PN-Übergangen zwischen den Bereichen
vorhanden ist und sich zu der Haupt ober fläche des Halbleiterstückes
erstreckt, dadurch gekennzeichnet , daß ein
ohmischer Kontakt und elektrische Leitungsverbindungen vorgesehen
sind, die aus einer Vielzahl von Leitungsverbindungen einer ersten
Ebene bestehen und ohmisch sowie elektrisch durch Öffnungen in der
009809/0833
T6U872
Schutzschicht mit bestimmten Halbleiterbereichen in Verbindung
stehen, daß zumindest eine der Leitungsverbindungen der ersten
Ebene sich in einem Abstand von dem PN-Übergang über die Schutzschicht
hinaus zu einer bestimmten Stelle erstreckt, daß eine
Leitungsverbindung einer zweiten Ebene ohmisch zumindest an der
bestimmten Stelle mit der Leitungsverbindung der ersten Ebene verbunden ist, und daß eine Schicht eines isolierenden Mediums
eine elektrische Isolation zwischen den Leitungsverbindungen der ersten und zweiten Ebene mit Ausnahme der bestimmten Stelle
bewirkt.
3· Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch g e k e η η ze
ic h η e t , daß ein !Teil der dritten dünnen Schicht ent-*
fernt und ein entsprechender Teil der zweiten dünnen Schicht an
der bestimmten Stelle freigelegt ist, und daß die Leitungsverbindung
der zweiten Ebene eine erste aus Molybdän bestehende
Schicht aufweist, die eine direkte Kontakt-Verbindung mit der
Schicht des isolierenden Mediums und des entsprechenden freigelegten
leils hat, und daß eine weitere aus Gold bestehende i
Schicht über der ersten Schicht der Leitungsverbindung der zweiten
Ebene liegt.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch g e k e η η ζ
e i c h η e *t , daß die Schutzschicht und die Schicht des isolierenden
Mediums aus einem Oxyd des Silicium und das Halbleiter-Stück
aus Siliciummaterial besteht.
00 9809/0833
16U872
' - 20 -
5- Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis
4-, dadurch gekennzeichnet , daß eine Molybdänoxyd·*
schicht zwischen der dritten dünnen Schicht und der Schicht des
isolierenden Mediums angeordnet ist, und daß ein Teil der dritten dünnen Schicht und der Molybdänoxydschicht entfernt ist und ein
entsprechender !Teil der zweiten dünnen Schicht an der bestimmten Stelle freigelegt ist*
6. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis
5, dadurch gekennzeichnet , daß zumindest Leitungsverbindungen der ersten und zweiten Ebene vorgesehen sind, die
elektrisch bestimmte Bereiche bestimmter Schaltungskomponenten miteinander verbinden, daß eine dritte Molybdänschicht über der
zweiten Schicht aus Gold in der ersten Ebene mit Ausnahme an den freigelegten Stellen der zweiten Schicht angebracht ist, daß die
Leitungsverbindung der zweiten Ebene aus einer ersten Molybdäns chi ent, aus einer zweiten über der ersten Schicht liegenden Goldschicht und einer zwischen den Leitungsverbindungen der ersten
und zweiten Ebene liegenden SiIiciumdioxidschicht besteht, daß
zumindest eine der Leitungsverbindungen der ersten Schicht mit
zumindest einer der Leitungsverbindungen der zweiten Schicht durch öffnungen in der Siliciumdioxydschicht miteinander verbunden
ist, und daß die erste Molybdänschicht mit der freiliegenden Stelle der zweiten Goldschicht innerhalb der öffnung in Eontaktverbindung
steht.
009809/0833
. .-■: ,.-■ ϊ£14872
7. Halbleiteranordnung nach. Anspruch 6, dadurch ge kennze
ic h & e t »daß ein weiterer Metallbereich, zwischen der
Oberfläche des ausgewählten HaIbIeiterbereichsund der ersten.
Molybdänschicht liegt.
8. Halbleiteranordnung nach Anspruch 7» dadurch ge kenn-
z ei c h η e t , daß der weitere Metallbereich aus Aluminium
besteht.
9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch g β ke η η;-*-
ζ e i ch η e t , daß der weitere Metallbereich aus Platinsilicid
besteht. . -■" -. '" . ..-"-..." "-.;.." ;-.--.■. '',.-"■■ "; -'' ".■-■ """-'-.,-■■'
10. Verfahren zur Herstellung eines vielschichtigen Leitungssystems
mit ohmischen Kontakten für ein Halbleiter stuck nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, bei dem eine Vielzahl von Öffnungen in einer Schutzschicht zum beilegen der Oberfläche eines Je-"
den der vorgesehenen Bereiche vorhanden ist, dadurch ge k e η nze
ic h η et -». daß eine erste Molybdänschiciit auf der Schutzschicht
und innerhalb der öffnungen aufgebracht wird, die mit den
Bereichen in den öffnungen in Kontaktverbindung steht, daß eine zweite Goldschicht über der ersten Schicht angebracht wird % daß
eine dritte Molybdänschicht auf die zweite Schicht aufgebracht
wird, daß die erste, zweite und dritte Schicht^ in bestimmten Bereichen weggeätzt-wird, um eine Vielzahl von Leitungsverbindungen
der ersten Ebene zu schaffen, die elektrisch mit bestimmten der ausgewählten^ Bereiche In Verbindung stehen, daß öltt Oberflächen-
00S809/0833
teil der dritten aus Molybdän bestehenden Schicht der Leitungsverbindung
der ersten Ebene oxydiert wird, um eine Molybdänoxydschicht
auf der dritten Schicht zu bilden, daß eine Schicht eines isolierenden Mediums auf der Molybdänoxydschicht über den Leitungsverbindungen
der ersten Ebene angebracht wird, daß die Schicht des isolierenden Mediums die Molybdänoxydschicht und die
dritte Schicht an bestimmten Bereichen weggeätzt wird, um einen ÜJeil der Goldschicht der zweiten Schicht von zumindest einer Lei-
w tungsverbindung der ersten Ebene freizulegen, und daß die Leitungsverbindung
der zweiten Ebene auf dem verbleibenden Teil des isolierenden Mediums derart in bestimmten Bereichen angebracht
* wird, daß sie zumindest an der Stelle der freigelegten Goldschicht
der Leitungsverbindung der ersten Ebene in elektrischer Kontaktverbindung
steht*
11· Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Leitungsverbindung der zweiten Ebene aus einer ersten
. Molybdänschicht und einer darüberliegenden Goldschicht aufgebaut
wird, wobei die erste aufgebaute Schicht mit der Stelle aus Gold
in elektrischer Verbindung steht.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere metallische Schicht aus Aluminium
über der Schutzschicht und den Öffnungen vor. der. Ablagerung
der ersten Molybdänschicht angebracht wird.
009809/0833
16I4&72
15. Verfahren nach. Anspruch 10, dadurch ge ken η ze ic h η e t,
daß die erste und zweite Schicht in bestimmten Bereichen weggeätzt wird, um eine Vielzahl von Leitungsverbindungen der ersten
Ebene zu schaffen, die elektrisch mit bestimmten Bereichen der
Halbleiterbereiche in Verbindung stehen, daß bestimmte Bereiche
der zweiten Schicht aus Gold von jeder der Leitungsverbindungen
der ersten Ebene mit Ausnahme einer bestimmten Stelle entfernt
werden, die über einer entsprechenden Stelle-.der Molybdänschicht
von zumindest einer Leitungsverbindung der ersten Ebene liegt, Λ
wodurch die übrige Molybdänschicht freigelegt wird, daß der Teil
der freigelegten Oberfläche der Molybdänschicht unter Bildung einer Molybdänoxydschicht oxydiert wird, wobei die bestimmte Stelle
der Goldschicht als Maske während der Oxydation dient, daß
durch die Ätzung bestimmter Bereiche der Schichtödes isolierenden
Mediums die Oberfläche der bestimmten S,telle der Goldschicht
freigelegt wird, und daß die Leitungsverbindung der zweiten Ebene
über der verbleibenden Schicht des isolierenden Mediums in be- '
stimmten Bereichen derart angebracht wird, daß sie mit zumindest
einer Leitungsverbindung der ersten Ebene an den bestimmten Stel- "
len der Goldschicht in Kontakt verbindung steht.
00 9809/083 3
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60606466A | 1966-12-30 | 1966-12-30 | |
US60634866A | 1966-12-30 | 1966-12-30 | |
US79186269A | 1969-01-02 | 1969-01-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1614872A1 true DE1614872A1 (de) | 1970-02-26 |
DE1614872C3 DE1614872C3 (de) | 1974-01-24 |
Family
ID=27416936
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1614872A Expired DE1614872C3 (de) | 1966-12-30 | 1967-10-06 | Halbleiteranordnung |
DE19671789106 Pending DE1789106A1 (de) | 1966-12-30 | 1967-10-06 | Halbleiteranordnung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671789106 Pending DE1789106A1 (de) | 1966-12-30 | 1967-10-06 | Halbleiteranordnung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3434020A (de) |
DE (2) | DE1614872C3 (de) |
GB (3) | GB1200656A (de) |
MY (2) | MY7300372A (de) |
NL (2) | NL6714670A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4307182A1 (de) * | 1993-03-08 | 1994-09-15 | Inst Physikalische Hochtech Ev | Passivierungsschicht zum Schutz funktionstragender Schichten von Bauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5696402A (en) * | 1965-09-28 | 1997-12-09 | Li; Chou H. | Integrated circuit device |
US6849918B1 (en) * | 1965-09-28 | 2005-02-01 | Chou H. Li | Miniaturized dielectrically isolated solid state device |
US7038290B1 (en) * | 1965-09-28 | 2006-05-02 | Li Chou H | Integrated circuit device |
US3643232A (en) * | 1967-06-05 | 1972-02-15 | Texas Instruments Inc | Large-scale integration of electronic systems in microminiature form |
GB1243247A (en) * | 1968-03-04 | 1971-08-18 | Texas Instruments Inc | Ohmic contact and electrical interconnection system for electronic devices |
US3486126A (en) * | 1968-11-15 | 1969-12-23 | Us Army | High performance, wide band, vhf-uhf amplifier |
US3619733A (en) * | 1969-08-18 | 1971-11-09 | Rca Corp | Semiconductor device with multilevel metalization and method of making the same |
US3754168A (en) * | 1970-03-09 | 1973-08-21 | Texas Instruments Inc | Metal contact and interconnection system for nonhermetic enclosed semiconductor devices |
US3654526A (en) * | 1970-05-19 | 1972-04-04 | Texas Instruments Inc | Metallization system for semiconductors |
US3668484A (en) * | 1970-10-28 | 1972-06-06 | Rca Corp | Semiconductor device with multi-level metalization and method of making the same |
US3694700A (en) * | 1971-02-19 | 1972-09-26 | Nasa | Integrated circuit including field effect transistor and cerment resistor |
US3795975A (en) * | 1971-12-17 | 1974-03-12 | Hughes Aircraft Co | Multi-level large scale complex integrated circuit having functional interconnected circuit routed to master patterns |
US4631569A (en) * | 1971-12-22 | 1986-12-23 | Hughes Aircraft Company | Means and method of reducing the number of masks utilized in fabricating complex multi-level integrated circuits |
US4309811A (en) * | 1971-12-23 | 1982-01-12 | Hughes Aircraft Company | Means and method of reducing the number of masks utilized in fabricating complex multilevel integrated circuits |
FR2188304B1 (de) * | 1972-06-15 | 1977-07-22 | Commissariat Energie Atomique | |
US3833919A (en) * | 1972-10-12 | 1974-09-03 | Ncr | Multilevel conductor structure and method |
US3877051A (en) * | 1972-10-18 | 1975-04-08 | Ibm | Multilayer insulation integrated circuit structure |
US4234888A (en) * | 1973-07-26 | 1980-11-18 | Hughes Aircraft Company | Multi-level large scale complex integrated circuit having functional interconnected circuit routed to master patterns |
DE2435371A1 (de) * | 1974-07-23 | 1976-02-05 | Siemens Ag | Integrierte halbleiteranordnung |
US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
US3963354A (en) * | 1975-05-05 | 1976-06-15 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Inspection of masks and wafers by image dissection |
US4342957A (en) * | 1980-03-28 | 1982-08-03 | Honeywell Information Systems Inc. | Automatic test equipment test probe contact isolation detection apparatus and method |
WO1982003948A1 (en) * | 1981-05-04 | 1982-11-11 | Inc Motorola | Low resistivity composite metallization for semiconductor devices and method therefor |
US20040144999A1 (en) * | 1995-06-07 | 2004-07-29 | Li Chou H. | Integrated circuit device |
US20050235598A1 (en) * | 2001-10-23 | 2005-10-27 | Andrew Liggins | Wall construction method |
KR20040078106A (ko) * | 2001-11-28 | 2004-09-08 | 제임스 하디 리서치 피티와이 리미티드 | 접착성-주연부를 갖는 건축용 패널 및 그 제조방법 |
JP4351869B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2009-10-28 | 隆 河東田 | 半導体を用いた電子デバイス |
NZ543030A (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-28 | James Hardie Int Finance Bv | Cavity wall system |
US8835310B2 (en) * | 2012-12-21 | 2014-09-16 | Intermolecular, Inc. | Two step deposition of molybdenum dioxide electrode for high quality dielectric stacks |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3290565A (en) * | 1963-10-24 | 1966-12-06 | Philco Corp | Glass enclosed, passivated semiconductor with contact means of alternate layers of chromium, silver and chromium |
US3370207A (en) * | 1964-02-24 | 1968-02-20 | Gen Electric | Multilayer contact system for semiconductor devices including gold and copper layers |
US3325702A (en) * | 1964-04-21 | 1967-06-13 | Texas Instruments Inc | High temperature electrical contacts for silicon devices |
US3290570A (en) * | 1964-04-28 | 1966-12-06 | Texas Instruments Inc | Multilevel expanded metallic contacts for semiconductor devices |
US3341753A (en) * | 1964-10-21 | 1967-09-12 | Texas Instruments Inc | Metallic contacts for semiconductor devices |
US3365628A (en) * | 1965-09-16 | 1968-01-23 | Texas Instruments Inc | Metallic contacts for semiconductor devices |
US3419765A (en) * | 1965-10-01 | 1968-12-31 | Texas Instruments Inc | Ohmic contact to semiconductor devices |
-
1966
- 1966-12-30 US US606348A patent/US3434020A/en not_active Expired - Lifetime
-
1967
- 1967-09-15 GB GB42215/67A patent/GB1200656A/en not_active Expired
- 1967-09-15 GB GB03609/70A patent/GB1203087A/en not_active Expired
- 1967-09-15 GB GB42214/61D patent/GB1203086A/en not_active Expired
- 1967-10-06 DE DE1614872A patent/DE1614872C3/de not_active Expired
- 1967-10-06 DE DE19671789106 patent/DE1789106A1/de active Pending
- 1967-10-27 NL NL6714670A patent/NL6714670A/xx unknown
- 1967-10-27 NL NL6714669A patent/NL6714669A/xx unknown
-
1969
- 1969-01-02 US US791862*A patent/US3581161A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-12-30 MY MY372/73A patent/MY7300372A/xx unknown
- 1973-12-30 MY MY371/73A patent/MY7300371A/xx unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4307182A1 (de) * | 1993-03-08 | 1994-09-15 | Inst Physikalische Hochtech Ev | Passivierungsschicht zum Schutz funktionstragender Schichten von Bauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1789106A1 (de) | 1971-09-23 |
MY7300372A (en) | 1973-12-31 |
NL6714670A (de) | 1968-07-01 |
GB1203087A (en) | 1970-08-26 |
US3581161A (en) | 1971-05-25 |
MY7300371A (en) | 1973-12-31 |
GB1203086A (en) | 1970-08-26 |
NL6714669A (de) | 1968-07-01 |
DE1614872C3 (de) | 1974-01-24 |
US3434020A (en) | 1969-03-18 |
GB1200656A (en) | 1970-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1614872A1 (de) | Vielschichtiges Leitungssystem mit ohmischen Kontakten fuer integrierte Schaltkreise | |
DE1965546C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2637667C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
EP0002185B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Verbindung zwischen zwei sich kreuzenden, auf der Oberfläche eines Substrats verlaufenden Leiterzügen | |
DE1903961B2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1764951B1 (de) | Mehrschichtige metallisierung fuer halbleiteranschluesse | |
DE2810054A1 (de) | Elektronische schaltungsvorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
DE1690509B1 (de) | Verfahren zur bildung zweier eng voneinandergetrennter leitender schichten | |
DE1266406B (de) | Verfahren zum Herstellen mechanisch halternder und elektrisch leitender Anschluesse an kleinen Plaettchen, insbesondere an Halbleiterplaettchen | |
DE3906018A1 (de) | Verfahren zum einkapseln von leitern | |
DE3640248A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE10351028B4 (de) | Halbleiter-Bauteil sowie dafür geeignetes Herstellungs-/Montageverfahren | |
DE2033532B2 (de) | Halbleiteranordnung mit einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid | |
DE3544539C2 (de) | Halbleiteranordnung mit Metallisierungsmuster verschiedener Schichtdicke sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1811995A1 (de) | Vorrichtung zur Bildung ohmscher Anschluesse bei elektronischen Bauteilen oder Schaltungen | |
DE3343367A1 (de) | Halbleiterbauelement mit hoeckerartigen, metallischen anschlusskontakten und mehrlagenverdrahtung | |
DE4126775C2 (de) | Verbindungsstruktur eines Halbleiterbauelements und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0090820B1 (de) | Elektronische dünnschichtschaltung und deren herstellungsverfahren | |
DE3112215A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
DE4426364B4 (de) | Halbleiterbauelement mit einem selbstjustiertangeordneten Kontakt und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3227606A1 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE1764937C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Isolationsschichten zwischen mehrschichtig übereinander angeordneten metallischen Leitungsverbindungen für eine Halbleiteranordnung | |
DE10104265A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung | |
DE1564136B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE2165844C2 (de) | Integrierte Schaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |