DE3227606A1 - Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1
und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Verbesserung der
Zuverlässigkeit,indem Gegenmaßnahmen gegen Feuchtigkeit
getroffen werden.
Eine der wesentlichen Fehlerquellen für Halbleitervorrichtungen sind Feuchtigkeitsmängel, die durch Nässe
verursacht werden. Diese Feuchtigkeitsmängel werden durch Korosion von Aluminium (Al) in der Halbleitervorrichtung
verursacht. Entsprechend dem Stand der Technik wird Aluminium in weitem Umfang als Material für Halbleitervorrichtungen
verwendet, weil es gut verarbeitbar und billig ist. Verwendet wird Aluminium in Halbleiterchips
für Leiterbahnen, für Anschlußflecken und Anschlußbahnen für die elektrische Verbindung von Anschlußflecken und
einer Leiterstütze. Das dabei verwendete Aluminium neigt
zum Korodieren, wenn es mit Feuchtigkeit in Berührung kommt, die in das Gehäuse eingedrungen ist. Diese Korosion
tritt vorzugsweise dann auf, wenn Ionen wie Na oder Cl" l oder Schmutz in der Nachbarschaft des Aluminiums
vorhanden sind oder wenn an der Aluminiumschicht eine Vorspannung anliegt.
Im Stand der Technik sind verschiedene Vorschläge gemacht worden, um Feuchtigkeitsmängel zu verhindern. Bei
einem der bekannten Verfahren wird mit Rücksicht darauf, daß Aluminiumoxid (Al2O3) eine ausgezeichnete Korosionsbeständigkeit
besitzt, die Oberfläche von Aluminium oxidiert, so daß sich ein Aluminiumoxidfilm bildet und das Aluminium
aufgrund dieses korosionsbeständigen Oxidfilmes an einer Korosion gehindert wird. In der japanischen Offenlegungsschrift
Nr. 52-117551 ist beispielsweise offenbart, daß die Oberflächen einer Anschlußleiterbahn und eines Anschlußfleckens
oxidiert sind und Oxidfilme bilden. In. der
japanischen Offenlegungsschrift Nr. 53-9470 ist andererseits beschrieben, daß die Oberfläche einer Aluminiumleiterbahn
in einem Chip oxidiert ist und einen Oxidfilm bildet.
Ganz gleich, wie ausgezeichnet die Korosionsbeständigkeit eines Aluminiumoxidfilmes ist, es existiert kein
praktisches Produkt, bei dem ein Anschlußflecken aus Aluminium und ein damit zu verbindendefAnschlußdraht
eine oxidierte Oberfläche mit Oxidfilmen besitzen. Die Verhinderung von Feuchtigkeitsfehlern hängt vielmehr von
der Gasdichte eines Bauteils, d.h. von verbesserten Eigenschaften des Harzmaterials ab. Die Grund dafür, daß beim
Stand der Technik die Verwendung eines Aluminiumoxidfilms auf der Oberfläche von Aluminium zum Zweck der Verhütung
von Feuchtigkeitsfehlern fehlgeschlagen ist, liegt darin, daß beim Stand der Technik der Aluminiumoxidfilm nicht
in einer zufriedenstellender Weise ausgebildet worden ist. Insbesondere ist es beim Stand der Technik nicht gelungen,
in effektiver Weise einen Aluminiumoxidfilm mit einer gleichförmigen Dicke und einer ausgezeichneten Korosionsbeständigkeit
zu bilden. Diese Ursache ist bisher nicht klar geworden und führte damit zu erheblichen Schwierigkeiten.
Weiterhin besteht bei dem Aufbau nach dem Stand der Technik das Problem, daß die Verdrahtung häufig an dem
Anschlußfleckenteil bricht, so daß sie keine guten Verbindungen haben kann. Dies erklärt sich daraus, daß dann,
wenn die freigelegte .Oberfläche des Anschlußfleckens zur
Bildung eines Aluminiumoxidfilms oxidiert wird, das oxidierte Gebiet nicht bloß auf den Oberflächenteil beschränkt
ist, sondern einen tiefen Teil der Aluminiumschicht erreicht und damit die Verbindung zwischen der Aluminiumschicht
des Anschlußfleckens und der Aluminiumschicht der Leiterbahnen verschlechtert.
Bei der Konstruktion nach dem Stand der Technik besteht weiterhin das Problem, daß die Korosionsbeständigkeit
nicht in einem genügenden Ausmaß verbessert wird. Dies ist deshalb so, weil die unter einem letzten Passivations-
film liegende Aluminiumleiterbahn zu einer Korosion aufgrund von Feuchtigkeit veranlaßt wird, die durch einen
in dem letzten Passivationsfilm gebildeten Sprung eingedrungen ist.
Demzufolge ist es Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung
mit hoher.Zuverlässigkeit anzugeben, bei der die Leiterbahnschicht einschließlich eines Anschlußfleckens
aus Aluminium und dessen Anschlußdraht an einer Korosion gehindert werden, in_-dem Aluminiumoxidfilme
auf den Oberflächen der Leiterbahnschicht und des Anschlußdrahtes gebildet werden.
Weiterhin ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildung von Aluminiumoxidfilmen
sowohl auf einem aus Aluminium hergestellten Anschlußflecken wie auch auf einem aus Aluminium bestehenden Anschlußdraht,
der mit dem Anschlußflecken verbunden ist, zu bilden.
Diese Aufgabe wird mit einer im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Halbleitervorrichtung gelöst,
die erfindungsgemäß nach der im kennzeichnenden Teil des
Patentanspruchs 1 angegebenen Weise ausgestaltet ist.
Weitere, vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen
Halbleitervorrichtung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Gemäß einem ersten Merkmal der vorliegenden Erfindung sind das Material zur Bildung der Anschlußflecken und das
Material zur Bildung des Anschlußdrahtes Aluminiummaterialien, die Additiva enthalten und eine identische Ionisationstendenz besitzen.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird darüberhinaus dann, wenn der nicht mit einem letzten Passivationsfilm bedeckte Oberflächenteil eines Aluminium-Anschlußfleckens und die Oberfläche des aus Aluminium bestehenden Anschlußdrahtes für die Bildung von Aluminiumoxidfilmen oxidiert werden sollen, diese Oxidationen ausgeführt, indem die Leiter, die mit den jeweiligen Anschlußdrähten verbunden sind, kurz geschlossen werden.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird darüberhinaus dann, wenn der nicht mit einem letzten Passivationsfilm bedeckte Oberflächenteil eines Aluminium-Anschlußfleckens und die Oberfläche des aus Aluminium bestehenden Anschlußdrahtes für die Bildung von Aluminiumoxidfilmen oxidiert werden sollen, diese Oxidationen ausgeführt, indem die Leiter, die mit den jeweiligen Anschlußdrähten verbunden sind, kurz geschlossen werden.
Nach einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung besteht ein Anschlußflecken aus zwei, einer
oberen und einer unteren,Aluminiumschichten, von denen die
untere Aluminiumschicht die Leiterbahn zu dem Anschlußflecken bildet, wohingegen die obere Aluminiumschicht einen
Anschlußteil bildet, und der Anschlußdraht aus Aluminium wird an dem aufgeschichteten Teil befestigt, in dem die
beiden Aluminiumschichten verbunden sind.
Nach einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung sind zwei Aluminiumoxidfilme vorgesehen, von
denen der eine durch Oxidation der Oberfläche der unter dem letzten Passivationsfilm liegenden Aluminiumschicht gebildet
wird, und der andere durch eine Oxidation von sowohl eines Oberflächenteils des aus Aluminium bestehenden
Anschlußfleckens, der nicht mit dem Passivationsfilm bedeckt
ist, als auch der Oberfläche des Anschlußdrahtes aus Aluminium gebildet wird.
Auf diese Weise ist die vorliegende Erfindung in der Lage, die .Zuverlässigkeit einer Halbleitervorrichtung,
insbesondere einer Gießharz-Halbleitervorrichtung, bemerkenswert zu verbessern.
Folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf
die Figuren beschrieben und näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Teil eines
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Teil eines
fertigen Produktes einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht, die schematisch einen Anschlußflecken
der Halbleitervorrichtung der Fig. 1 vergrößert darstellt; und
Fign. 3A bis 3F, 4 und 5 Querschnitte, die den
Herstellungsprozeß der Halbleitervorrichtung : nach Fig. 1 verdeutlichen.
Die Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Dieses Ausführungsbeispiel zeigt einen Aufbau, bei dem die vorliegenden Erfindung auf eine harz-zergossene
Halbleitervorrichtung angewendet.ist. Die Halbleitervorrichtung
ist als ganze in ein Harz 31 eingebettet, mit Ausnahme eines Teils der Zuleitung 4, die den externen
Anschluß bildet. Die linke Seite des Querschnittes der Halbleitervorrichtung ist in der Fig. 1 weggelassen.
Mit dem Bezugszeichen 1 ist ein Silizium-Halbleitersubstrat bezeichnet. In diesem Substrat ist ein Halbleiterelement
gebildet, das in Fig. 3A dargestellt ist. über dem Substrat 1 ist eine Aluminiumschicht 6 ausgebildet,
die sich auf einem ersten Zwischenschicht-Isolationsfilm 5 befindet, der aus SiO2 besteht. Diese Aluminiumschicht
bildet sowohl einen Teil des Anschlußfleckens 28 mit einer gemäß der Erfindung geschichteten Struktur als auch einen
Teil einer unteren Leiterbahnschicht zum Verbinden des Anschlußfleckens 28 mit einem anderen Teil (d.h. einer
Aluminiumschicht 81). Auf dieser Aluminiumschicht 6 ist ein zweiter Zwischenschicht-Isolationsfilm 7 aus SiO-ausgebildet,
auf dem" zweite Aluminiumschichten 80 "und ausgebildet sind. Diese Aluminiumschichten bestehen aus
Aluminiummaterialien, die 1% Silizium (Si) und 1% Kupfer (Cu) enthalten.
Jene Aluminiumschichten bilden die obere Leiterbahnschicht 81 und den Anschlußteil 80, der einen Teil des
Anschlußfleckens 28 bildet, welcher gemäß der vorliegenden Erfindung eine geschichtete Struktur besitzt. Dank der
geschichteten Struktur des Anschlußfleckens 28, der aus der erwähnten Aluminiumschicht 6 und dem Anschlußteil
80 besteht, ist es möglich, einen Bruch zu verhindern, der anderenfalls während der späteren Oxidation des Aluminiums
für die Bildung eines Aluminiumoxidfilms 12 an dem Teil
des Anschlußfleckens auftreten kann.
Der Siliziumzusatz wird zugefügt, um zu verhinder, daß bei einer Wärmebehandlung Aluminium nach beiden Seiten
diffundiert oder in einem Teil, in dem es ein Halbleitergebiet unter Bildung einer flächenhaften Übergangszone
kontaktiert, reagiert, so daß die Verbindungszone unterbrochen wird. Kupfer wird andererseits zugefügt, um zu
verhindern, daß eine Aluminiumleiterbahn aufgrund von Ionenwanderungsphänomenen (Elektromikration) unterbrochen
wird. Die Bezugszeichen 90 und 91 bezeichnen Aluminiumoxidfilme/
die auf der Oberseite und der Seitenfläche des Anschlußteiles 80 und auf der Oberseite und der Seitenfläche
der Aluminiumleiterbahnschicht 81 (d.h. auf den Oberflächen, die nicht in Kontakt mit dem Zwischenschicht-Isolatiensfilm
5 stehen) jeweils ausgebildet sind, und die durch Oxidation der Oberflächen des Anschlußteiles 80
und der Aluminiumleiterbahnschicht 81 gebildet werden. Die so gebildeten Aluminiumfilme bestehen im wesentlichen aus
Al-O-. Die Aluminiumoxidfilme 90 und 91 sind unter einem
später beschriebenen letzten Passivationsfilm angeordnet, so daß sie als Schützfilme dienen um zu verhindern, daß
die Aluminiumschicht 81 korodiert, und sie tragen zu einer Verhinderung der Korosion insbesondere dann bei,-wenn
ein Sprung oder ähnliches in dem letzten Passivations- ___ film auftritt.
Die gesamte Oberfläche des Chips mit Ausnahme des Anschlußfleckens 28 wird mit dem letzten, abschließenden
Passivationsfilm 27 bedeckt, der aus einem Phosphorsilikatglassfilm
(PSG) besteht.
Die in soweit beschriebene Struktur ist mit einem Gold-Silizium-Eutektikum 3 an einen streifenförmigen
Leiter 2 angegossen (angelötet). Der streifenförmige Leiter 2 bildet einen Teil der Leiterplatte und besteht
aus einer 42-Legierung (oder aus Phosphorbronze).
Andererseits bildet der äußere Verbindungsleiter 4 einen Teil der Leiterplatte und besteht aus der Legierung
42 (oder aus Phosphorbronze), und eines seiner Enden ist mit einem aufgedampften Aluminiumfilm 11 für die
Verbindung mit einem Anschlußdraht versehen, sein anderes Ende tritt aus dem Harz 31 heraus.
Das Bezugszeichen 10 bezeichnet einen Anschlußdraht,
der verwendet wird um den äußeren Verbindungsleiter 4 und den Anschlußflecken 28 miteinander zu verbinden, und
dessen eines Ende mit dem Anschlußflecken 28 und dessen
anderes Ende mit dem aufgedampften Aluminiumfilm 11 verbunden
ist/ der auf dem äußeren Verbindungsleiter 4..aufliegt. Dieser Anschlußdraht besteht aus einem Aluminiummaterial,
das 3% Silizium und 1% Kupfer enthält. Gemäß der Erfindung bedeutet dies, daß das Material für den
Anschlußdraht die gleiche Ionisationstendenz besitzt wie das Material des Anschlußteiles 80.
Der Erfinder hat die Ursachen untersucht, aufgrund derer es nicht gelang, einen in hohem Maße korosionsbeständigen
Aluminiumoxidfilm mit einer gleichförmigen Dicke zu erzielen, und er hat herausgefunden, diese
Ursachen aus einer (elektrochemischen) Zellenreaktion herrühren, die lokal in der Nachbarschaft einer solchen,
oxidierten Teiles auftritt, wenn die Oberfläche von Aluminiummaterial zur Bildung eines Aluminiumoxidfilmes
oxidiert wird. Diese Untersuchungen haben ebenfalls ergeben, daß eine der Ursachen für das Auftreten der lokalen
(elektrochemischen) Zellenreaktion aus dem Unterschied zwischen dem Material der Aluminiumleiterbahnschicht, die
den Anschlußflecken bildet, und dem Material des Aluminiumdrahtes herrührt.
Gewöhnlich werden Silizium und Kupfer der Aluminiumleiterbahnschicht
zugefügt, wohingegen Silizium und Magnesium dem Aluminiumdraht zugesetzt werden. Entsprechend
den Unterschieden der Materialien und der Mengen der unterschiedlichen Zusätze - ausgenommen Silizium -, die unterschiedliche
Ionisationstendenzen besitzen und dem Aluminium zugesetzt werden, ergibt sich ein Unterschied in der
lonisationstendenz zwischen der Aluminiumleiterbahnschicht
und dem Aluminiumdraht.
Der Aluminiumleiterbahnschicht wird beispielsweise Kupfer (Cu) zugesetzt, um eine Materialwanderung (Elektromigration)
zu verhindern. Dem Aluminiumdraht wird andererseits Magnesium (Mg) zugesetzt, um die Härte (insbesondere
während des Verbindungsschrittes) hoch zu machen. In diesen Fall ist, wie die Experimente des Erfinders ergeben
haben, die Oxidationsgeschwindigkeit der Aluminiumleiter-
bahnschicht im wesentlichen gleich zu der von reinem Aluminium, wo hingegen die Oxidationsgeschwindigkeit
des Aluminiumdrahtes sehr viel höher als die von reinem Aluminium ist, so daß sich auf ihm ein dickerer Aluminium-5
oxidfilm bildet als auf dem Teil der Leiterbahnschicht. Es hat sich herausgestellt, daß dies einerseits durch den
Umstand verursacht wird, daß eine lokale Zelle entsprechend der Feuchtigkeit und den beiden, unterschiedliche Ionisationstendenzen
besitzenden Substanzen gebildet wird, und teilweise durch den Umstand, das Ionisationstendenzen
von Aluminium durch die Ungleichungen Mg > A£ > Cu ausgedrückt
werden können. Insbesondere wird eine Reaktion zwischen der Feuchtigkeit und dem Aluminium durch die
katalytische Wirkung von Magnesium, das eine höhere Ionisationstendenz
als Aluminium hat, vorangetrieben, so daß ein stabiles Aluminiumoxid gebildet wird. Da Kupfer eine
niedrigere Ionisationstendenz als Aluminium hat, ergibt^
sich die oben beschriebene katalytische Wirkung nicht, so daß die Oxidationsgeschwindigkeit des Aluminiums im wesentliehen
gleich der von reinem Aluminium ist. Darüber hinaus wirddieser Unterschied in den Oxidationsgeschwindigkeiten
weiter als Ergebnis des Umstandes vergrößert, daß die Bewegung von Elektronen während der Oxidation durch die erwähnte
lokale Zellenreaktion beschränkt wird.
Die vorliegende Erfindung gründet sich auf die erwähnten, von dem Erfinder durchgeführten Untersuchungen. In dem
gemäß der Erfindung die Aluminiumleiterbahnschicht, die den Anschlußflecken bildet, und der Aluminiumdraht aus
Materialien gemacht WBicden, die eine gleich große Ionisationstendenz
besitzen, ist es möglich, das Auftreten der lokalen Zellenreaktion zu verhindern, die anderenfalls durch
den Unterschied in den Ionisationstendenzen der Aluminiumleiterbahnschicht..und
des Aluminiumdrahtes verursacht würde. Durch Verhinderung dieser Reaktion können die Wachstumsgeschwindigkeiten
der Oxidfilme, die auf den Oberflächen von diesen beiden gebildet werden, gleich groß gemacht werden,
so daß man eine gleichförmige Dicke erzielen kann. Da weiterhin die Oxidationen mit einer gleichen Geschwindigkeit
über die gesamten Oberflächen voranschreiten, kann man
Aluminiumoxidfilme mit einer ausgezeichneten Qualität erreichen. Da weiterhin im Unterschied zum Stand der Technik
eine gleichförmige Dicke erzielt wird, wird der Nachteil verhindert, daß einer der Oxidfilme eine größere
als die notwendige Dicke hat, also die notwendige Dicke beibehält, so daß die Bildung der Oxidfilme besonders
wirkungsvoll ausgeführt werden kann.
Die sich ergebenden, insoweit beschriebenen Wirkungen sind nicht auf den Fall beschränkt, daß der Zusatz für das
Aluminiumgebiet Kupfer ist. Insbesondere können dann, wenn eine Substanz mit irgendeiner Ionisationstendenz
als Zusatz entweder für den Aluminium-Anschlußflecken oder
den Verbindungsdraht benützt wird, die erwähnten Wirkungen gemäß der vorliegenden Erfindung erreicht werden, wenn
die gleiche Substanz zu dem jeweils anderen dieser beiden zugesetzt wird, ganz gleich welcljer Art der Zusatz ist.
Bei diesem Fall ist es wünschenswert, daß die zugesetzte Menge jeweils soweit wie möglich gleich groß ist.
übrigens kann die Härte des Aluminiumdrahtes, die bei dem Verbindungsschritt ansteigen kann, an den Verbindungszweck
angepaßt werden, indem ihm Silizium und Kupfer zugesetzt wird.
Die Aluminiumoxidfilme 12 und 13 werden so ausgebildet,
daß sie die Oberflächen des Verbindungsteils 80 und des Anschlußdrahtes 10 der so gebildeten Drahtverbindungsstruktur
bedecken. Diese beiden Aluminiumoxidfilme werden durch Oxidation der Oberflächen der Aluminiumgebiete, die
sie bedecken, gebildet, und sie bestehen im wesentlichen aus AiI3O3. Die beiden Aluminiumoxidfilme sind so gebildet,
daß sie in einen einheitlichen Film übergehen. Indem die Aluminiumoxidfilme in der in soweit beschriebenen Weise
gebildet werden, wird verhindert, daß der Anschlußdraht 10 und der Anschlußteil 80 korrodieren und es wird erreicht,
daß ihre Beständigkeit gegen Feuchtigkeit bemerkenswert verbessert wird.
Mit dem Bezugszeichen 12, 13 und 14 sind andererseits Aluminiumoxidfilme bezeichnet, die eine zusammenhängende
Schicht bilden und die simultan durch Oxidation des Anschlußteiles 80, des Anschlußdrahtes 10 und des aufgedampften
Aluminiumfilmes 11 gebildet werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden sowohl die Aluminiumoxidfilme 90 und 91, die die obere, unter dem
letzten Passivationsfilm liegenden Aluminiumleiterbahnschicht bedecken, als auch die Aluminiumoxidfilme 12 und
13 (und 14) gebildet, welche den Aluminiumdraht und den Anschlußflecken (und den aufgedampften Aluminiumfilm) bedecken.
Weiterhin sind die Aluminiumoxidfilme 12 und 90 so ausgebildet, daß sie auf dem Anschlußteil 80 einen zusammenhängenden
Film bilden.
Daher wird gemäß der vorliegenden Erfindung verhindert, daß das Aluminium aufgrund einer Zusammenwirkung zwischen
der Feuchtigkeit, die von der Außenseite des IC entweder
in das Harz 31 selbst oder durch den Spalt zwischen dem Harz 31 und dem Leiter 4 eindringt, und den enthaltenen
Ionen von Verunreinigungen korrodiert. Durch die Aluminiumoxidfilme 12, 13 und 14 wird verhindert, daß der Anschlußteil
80, der Aluminiumdraht 10 und der aufgedampfte Aluminiumfilm 11 korrodieren. Da weiterhin diese Aluminiumoxidfilme
ineinander übergehen, kann die Korrosion auch nicht von den zwischen diesen drei Gebieten liegenden Grenzen ausgehen.
Weiterhin wird die Korrosion der oberen Aluminiumleiterbahnschicht 81 durch den Aluminiumoxidfilm 91 auch
dann verhindert, Venn in dem' letzten Passivationsfilm 27
sich ein Sprung aufgrund der Gußspannung, die durch die Brückenreaktionen des Gebietes oder aufgrund von Schrumpfspannungen
infolge einer Differenz zwischen den Koeffizienten der thermischen Ausdehnung der jeweiligen Gebiete oder aufgrund
verschiedener anderer mechanischer Spannungen gebildet wird. Da weiterhin die Aluminiumoxidfilme 12 und 90
so gebildet werden, daß sie ineinander übergehen, kann verhindert werden, daß eine Korrosion durch den Spalt
zwischen dem Endteil des letzten Passivationsfilms 27 und dem Anschlußteil 80 vordringt.
Die Figur 2 zeigt schematisch eine Draufsicht auf den oxidierten Anschlußflecken 28 der Figur 1. In dieser
Figur sind zur Vereinfachung die Aluminiumoxidfilme 12 oder 13 entfernt, um das darunterliegende Aluminiumgebiet
80 oder 10 zu zeigen.
Die erste Aluminiumschicht 6, die den Anschlußflecken
28 der geschichteten Struktur bildet, wie dies durch die einfach strichpunktierte Linie angedeutet ist, und der
die zweite Aluminiumschicht bildende Anschlußteil 80, der durch die doppelt strichpunktierte Linie angedeutet
ist, sind miteinander direkt über ein Kontaktloch 32 verbunden das entsprechend den gestrichelten Linien in dem
(nicht dargestellten) dazwischen vorhandenen Zwischenschichtisolationsfilm
gebildet ist. Das bedeutet, daß im Gebiet des Kontaktlochs 32 der Anschlußflecken 28 aus
einer geschichteten Struktur besteht, bei der die erste und die zweite Aluminiumschicht 6 bzw. 80 miteinander in
direktem Kontakt stehen. Der Schritt zum Befestigen des Anschlußdrahtes wird so ausgeführt, daß er sich über
den Teil dieser geschichteten Struktur, d.h. über das Kontaktloch 32 erstreckt. Insbesondere wird der Schritt zum
Verbinden des Drahtes so ausgeführt, daß das Anschlußgebiet, in dem der Aluminiumdraht 10 und der Anschlußteil 80
kontaktiert werden, vollständig das Kontaktloch 32 überdeckt, wie dies durch die durchbrochenen Linien 33 in der
Figur dargestellt ist..
Damit ist es möglich, einen Bruch des Anschlußfleckens vollständig zu verhindern, der andernfalls auftreten kann,
wenn der Aluminiumoxidfilm 12 durch Oxidation des Anschlußteiles
80 gebildet wird. Dieser Aluminiumoxidfilm 12 wird auf diesen Gebieten gebildet mit Ausnahme sowohl des
Teiles, der durch den PSG-FiIm 27 bedeckt ist als auch des Anschlußgebietes 33 (das mit dem Aluminiumdraht 10
bedeckt ist), und weiterhin nicht auf dem unter dem Kontakt-
loch 32 liegenden Teil. Demzufolge wird selbst dann, wenn der Anschlußteil 80 von seiner Oberfläche bis zum Boden
durchoxidiert wird, und damit der Aluminiumoxidfilm 12 den darunterliegenden Zwischenschicht-Isolationsfilm 7
erreicht, eine elektrische Verbindung mit einem ausgezeichneten Ausmaß durch die geschichtete Struktur in dem
Kontaktloch 32 erzielt. Der Anschlußteil in dem Anschluß gebiet 33, der mit dem Aluminiumdraht 10 bedeckt ist, wird
nicht oxidiert, weil er nicht Feuchtigkeit in einer oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt ist. Demzufolge bleibt die
Verbindung zwischen dem Anschlußteil 80 und der darunterliegenden Aluminiumschicht 6 über das Kontaktloch 32
in einem ausgezeichneten Maße erhalten.
Die Figuren 3A bis 3F, 4 und 5 zeigen den Herstellungsprozeß für eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung.
Auf einem P-artigen Silizium-Halbleitersubstrat 1 wird mit einem an sich bekannten Verfahren ein beispielsweise
in Figur 3A dargestelltes Halbleiterelement gebildet. Dieses Halbleiterselement ist ein NPN-artiger, bipolarer
Transistor, dessen Kollektorgebiet von einer N -artigen vergrabenen Schicht 15 und einer N -artigen epitaxialen
Schicht 17 gebildet wird, dessen Basisgebiet aus einem
P-dotierten Gebiet 19 besteht und dessen Emittergebiet von einem N -dotierten Gebiet 20 gebildet wird. Um diesen
bipolaren Transistor von einem anderen Halbleiterelement zu isolieren sind sowohl ein Feldoxidfilm 18, der aus SiO-besteht,
und ein P -dotierter Kanalstopper 16, der unter dem Feldoxidfilm liegt, vorgesehen. Der P -dotierte Kanalstopper
16 und die N -dotierte vergrabene Schicht 15 werden
mit Ionenimplantation oder ähnlichen vor der Bildung der epitaxialen Schicht 17 hergestellt. Der Feldoxidfilm 18
wird andererseits durch lokale Oxidation der epitaxialen Schicht 17 gebildet.
Nach der Herstellung des insoweit beschriebenen Halbleiterelementes wird die gesamte Oberfläche des
Substrates mit einem SiOo-FiIm 5 als ersten Zwischenschicht-
Isolationsfilm mit einem CVD-Verfahren (chemisches Abscheiden
aus der Gasphase) bedeckt. Sodann werden Kontaktlöcher 23, 22 und 21 geöffnet, die jeweils dem Kollektor-,
dem Basis- und dem Emittergebiet entsprechen. Sodann wird entsprechend der Figur 3B eine erste
Leiterbahnschicht gebildet. Auf der gesamten Oberfläche des SiO^-Filmes 5 wird eine erste Aluminiumschicht mit
einer Dicke von 2 ym durch Aufdampfen im Vakuum abgeschieden.
Die Aluminiumschicht wird mit einem Muster versehen und auf eine gewünschte Gestalt gebracht, so daß die
Aluminiumschicht 6 gebildet wird, die einen Teil des Anschlußfleckens
28 mit der geschichteten Struktur bildet, und die eine Verbindungsleitung zwischen dem Anschlußflecken
28 und einem anderen Gebiet in dem Chip liefert. Simultan hiermit werden weiterhin Aluminiumleiterbahnschichten 24,
25 und 26 für die Verbindung der jeweiligen Halbleitergebiete gebildat.
Entsprechend der Figur 3C werden eine zweite Leiterbahnschicht und der Anschlußteil 80 des Anschlußfleckens
2 8 gebildet. Der SiO2 -FiIm 7 wird auf der gesamten Oberfläche
mit einem CVD-Verfahren als zweiter Zwischenschicht-Isolationsfilm
gebildet. Sodann wird das Kontaktloch zum Verbinden der Leiterb'ahnschichten und des Kontaktlochs
zum Bilden des Anschlußfleckens 28 in der geschichteten Struktur geöffnet. Danach wird die gesamte Oberfläche
mittels Aufdampfen im Vakuum mit einer Aluminiumschicht versehen, die eine Dicke von 4 ym besitzt und 1 %
Silizium und 1 % Kupfer enthält. Diese wird sodann mit einem Muster versehen und auf die gewünschte Gestalt gebracht,
so daß der Anschlußteil 80 des die geschichtete Struktur besitzenden Anschlußfleckens 28 gebildet wird.
Gleichzeitig damit wird die zweite Leiterbahnschicht 81 gebildet.
Daraufhin wird entsprechend der Figur "3D eine erste
Aluminiumoxidation ausgeführt, um die Aluminiumoxidfilme 90 und 91 zu bilden. Indem man die Halbleiterscheibe als
Ganze in eine Atmosphäre mit .einer Temperatur von 1200C
und einem Dampfdruck von 2 atm über 10 Minuten aussetzt,
werden die frei liegenden Oberflächen der mit dem Muster versehenen Aluminiumleiterbahnschicht 81 und der Anschlußteil
80 oxidiert» Durch diese Oxidationen werden die Aluminiumoxidfilme 90 und 91 gebildet. Diese Aluminiumoxidfilme
bestehen hauptsächlich aus Ai^0O· Die Aluminiumoxidfilme
sind unter dem später zu bildenden letzten Passivationsfilm angeordnet und dienen als Schutzfilme zum
Schutz der Aluminiumschichten 80 und 81 vor Korrosion, sie sind insbesondere als Korrosionsschutz in einem Fall
wirksam, bei dem ein Sprung in dem letzten Passivationsfilm
gebiüidet wird.
Sodann wird entsprechend der Figur 3E der Phosphosilikatglasf ilm 27 als letzter Passivationsfilm auf der
gesamten Oberfläche durch ein CVD-Verfahren mit einer Dicke von 8000 S (800 nm) abgeschieden. Dann werden sowohl der
Aluminiumoxidfilm 90 wie der Phosphosilikatglasfilm 27 auf dem Anschlußteil 80 entfernt mit Hilfe eines Trockenätzprozesses
wie z»B. einem Plasmaätzprozeß, wodurch die Aluminiumoberfläche des Anschlußteiles 80 freigelegt wird.
Die auf diese Weise mit dem letzten Passivationsfilm bedeckte,Halbleiterscheibe wird in einzelne, getrennte
Tabletten aufgeteilt, die anschließend an den streifenförmigen Leiter auf der leiterplatte angelötet (die-bonded)
werden.
Die beiden Enden des Aluminiumdrahtes 10 werden mit dem Anschlußflecken auf der Tablette und mit dem äußeren
Verbindungsleiter der Leiterplatte jeweils verbunden. Dieser Aluminiumdraht besteht aus einem Aluminiummaterial mit
einem Durchmesser von 30 ym, das 1 % Silizium und 1 % Kupfer
enthält. Das für diesen Aluminiumdraht verwendete Material hat die gleiche lonisationstendenz wie das des Anschlußteiles
80, wie oben beschrieben worden ist.
Die lokale (elektrochemische) Zellenreaktion, die durch den Unterschied in den Ionisationstendenzen während
der später beschriebenen zweiten Aluminium-Oxidation aus-
gelöst würde, wird verhindert, so daß sich ein Aluminiumoxidfilm
mit einer ausgezeichneten Qualität und einer gleichförmigen Dicke bildet. Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird der Verfahrensschritt für das Befestigen des Anschlußdrahtes in dem Teil ausgeführt, in dem der
Anschlußflecken 28 die geschichtete Struktur entsprechend der Figur 2 aufweist, d.h. über dem Kontaktloch 32. Weiterhin
wird dieser Verfahrensschritt des "Anbondens" so ausgeführt, daß die die Verbindung bildende Oberfläche des
Anschlußdrahtes die das Kontaktloch .32 einschließende Oberfläche bedeckt, übrigens ist der draht-verbundene Zustand
klar anhand der Figuren 1, 3F und 4 ersichtlich.
Sodann wird entsprechend der Figur 3F eine zweite Aluminiumoxidation ausgeführt, um die Aluminiumoxidschichten
12, 13 und 14 zu bilden. Zunächst werden die äußerst dünnen Aluminiumoxidfilme, die sich von selbst auf den
freigelegten Oberflächen des Anschlußteiles 80, der Ober- ~f"Iäche des Aluminiumdrahtes 10 und des im Vakuum aufgedampften
Aluminiumfilmes 11 (vgl. Fig. 1) auf der Leiteraußenseite
der Figur bilden , in einer Vorbehandlung vor der Aluminiumoxidation entfernt. Hierzu werden diese
Oberflächen beispielsweise in Oxalsäure getaucht, so daß sie abgeätzt werden. Diese Vorbehandlung dient dazu, den
Aluminiumoxidfilm, der später gebildet wird, dicht zu machen und einen Film mit einer gleichförmigen Dicke zu
bilden. Sodann wird die zweite Aluminiumoxidation ausgeführt, indem die Leiterplatte, an der die Tabletten befestigt
sind, als Ganze einer Atmosphäre von 12O°C und mit einem Dampfdruck von 2 atm ausgesetzt wird. Die freigelegte
Oberfläche des Anschlußteiles 80, die Oberfläche des Aluminiumdrahtes 10 und der im Vakuum aufgedampfte
Aluminiumfilm 11 der Leiteraußenseite der Figur werden
oxidiert, so daß sich Aluminiumoxidfilme 12, 13 bzw. 14
bilden. Diese Aluminiumoxidfilme bestehen hauptsächlich aus AA2Oq* Die Aluminiumoxidfilme 12, 13 und 14 dienen
als Schutzfilme um zu verhindern, daß der Anschlußteil 80, der Aluminiumdraht 10 und der im Vakuum aufgedampfte
Aluminiumfilm 11 an der Leiter-Außenseite der Figur korro-
dieren. Dabei werden die Aluminiumoxidfilme 12, 13 und
14 so gebildet, daß sie nicht nur ineinander, sondern auch in den Aluminiumoxidfilm übergehen, der unter dem
letzten Passivationsfilm liegt und der bereits mit der ersten Aluminiumoxidation gebildet worden ist, so daß,
wie nachfolgend noch beschrieben wird, mit hoher Wirksamkeit eine Korrosion verhindert wird.
Kennzeichnend für die Erfindung ist, daß alle Leiter mit einem Kurzschlußteil 34 entsprechend der Figur 4 kurzgeschlossen
werden, wenn die zweite Aluminiumoxildation ausgeführt wird.
Der Erfinder, hat die Ursachen dafür untersucht, weshalb es nicht gelang, in effizienter Weise einen Aluminiumoxidfilm
mit einer ausgezeichneten Korrosionsbeständigkeit und einer gleichförmigen Dicke zu bilden und
er hat herausgefunden, daß diese Ursachen in einer Zellen-Reaktion liegen, die sich lokal in der Nachbarschaft des
oxidierten Teiles einstellt, wenn die Oberfläche des Aluminiummaterials zur Bildung eines Oxidfilmes oxidiert wird.
Nach den Ergebnissen der Untersuchungen des Erfinders hat sich herausgestellt, daß eine der Ursachen für diese
lokale Zellenreaktion daraus herrührt, daß das Potential an den jeweiligen Anschlußflecken und Letern unterschiedlich
ist aufgrund von Potentialdifferenzen an den PN-Grenzen in dem Halbleitersubstrat und aufgrund von Kontaktpotential
differenzen an den Teilen, die die Halbleitergebiete und die Aluminiumleiterbahnen verbinden. Die algebraischen Summen
der Potentialdifferenzen an den PN-Grenzen und der Kontaktpotentialdifferenzen
an den jeweiligen Halbleitergebieten mit den Aluminiumleiterbahnen verbindenden Teilen erscheinen
als relative Potentialdifferenzen der jeweiligen Anschlußflecken. Da die Anschlußbedingungen für alle Leiter
gleich sind, werden die Potentialdifferenzen der Anschlußflecken so, wie sie sind, zu relativen Potentialdifferenzen
zwischen den jeweiligen Leitern. Wenn der Chip in diesem Zustand einer nassen Atmosphäre ausgesetzt wird, so wirken
die Potentialdifferenz zwischen den Leitern entsprechend
zu der Kontaktpotentialdifferenz zwischen zwei Substanzen einer Batterie und einem Lösungsmittel, so daß also eine
äquivalente lokale Batterie gebildet wird.
Beispielsweise ist nach den von dem Erfinder ausgeführten Experimenten dann, wenn ein erster Anschlußflecken
mit einem bestimmten Potential mit einem zweiten Anschlußflecken verbunden ist, der ein höheres Potential als der
erste Anschlußflecken hat, die Geschwindigkeit für die BiI-dung
des Aluminiumoxidfilmes auf dem erwähnten ersten Anschlußflecken höher als die für die Bildung des Aluminiumoxidfilmes
auf dem zweiten Anschlußflecken, so daß sich ein dicker Aluminiumoxidfilm bildet. Dies rührt daher, daß
die bei der Oxidationsreaktion erzeugten Elektronen zu der Seite des relativ höheren Potentials (d.h. zur Seite des
zweiten Anschlußfleckens) angezogen werden. Mit anderen Worten werden die in dem ersten Anschlußflecken erzeugten-'
Elektronen zu der Seite des zweiten Anschlußfleckens herübergezogen.
Dementsprechend beginnt der erste Anschlußflecken mit seiner Aluminiumionisation, weil- die Elektronen außerhalb
des Systems der Oxidationsreaktion gehalten werden, so daß er leichter oxidiert wird. Demgegenüber wird bei
dem zweiten Anschlußflecken die Aluminiumionisation durch die überschüssigen Elektronen herabgesetzt oder unterdrückt,
so daß er nur zögernd oxidiert wird.
Die Erfindung beruht auf den erwähnten von dem -Erfinder
ausgeführten Untersuchungen. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden alle vier Leiter 4 mittels des Kurzschlußteiles 34
elektrisch kurzgeschlossen. Dadurch, daß alle Leiter kurzgeschlossen sind,ist es möglich, die lokale (elektrochemische)
Zellenreaktion zu verhindern, die sonst durch die Potentialdifferenzen zwischen jenen Leitern verursacht
würde, und die Wachstumsgeschwindigkeiten aller Aluminiumoxidschichten werden gleich, so daß man einen Film mit
einer gleichförmigen Dicke erhalten kann. Da weiterhin die Oxidationsreaktion mit einer gleichförmigen Geschwindigkeit
auf der gesamten Oberfläche fortschreitet, ist es möglich,
einen ausgezeichneten Oxidfilm mit einer gleichförmigen Dicke zu erhalten. Da weiterhin im Unterschied
zum Stand der Technik die Filmdicke gleichmäßig gemacht werden kann, wird der Nachteil verhindert, daß ein anderes
Gebiet eine größere Filmdicke als erforderlich ist, sondern eine notwendige Dicke erreicht, so daß die Aluminxumoxidation
in effektiver Weise ausgeführt werden kann.
Daraufhin wird die gesamte Struktur in ein Harz 31 eingegossen, und der Kurzschlußteil 34 wird nachfolgend
abgeschnitten zur Bildung von Leitern 4 mit einer gewünschten Gestalt.
Sodann wird entsprechend der Darstellung der Figur die harzvergossene Halbleitervorrichtung beispielsweise
in eine Lösung von Schwefelsäure (H2SO-) eingetaucht, um
die Oxidfilme von. den Oberflächen der Leiter 4 zu entfernen. Im einzelnen wird der unerwünschte Oxidfilm, der
sich auf den Oberflächen der Leiter aus der Legierung 42 (oder Kupferbronze) gebildet hat, weil die Leiter für die
Aluminxumoxidation einer feuchten Atmosphäre ausgesetzt worden sind, ausschließlich und lokal entfernt, in dem der
Unterschied zwischen den Eigenschaften des Aluminiumoxidfilms
und des unerwünschten Oxidfilms ausgenutzt werden. Zu diesem Zweck wird eine Lösung von Schwefelsäure als
Lösungsmittel verwendet, die nicht auf den Aluminiumoxidfilm einwirkt, aber die nur den anderen Oxidfilm ätzt, so
daß der Oxidfilm von den Leitern 4 entfernt wird, wenn die Leiter 4 in diese Lösung für etwa 5 Minuten eingetaucht
werden. Selbst wenn hierbei die Lösung von Schwefelsäure in das Harz eindringt, so werden doch der im Vakuum aufgedampfte
Aluminiumfilm, der Aluminiumdraht und der Anschlußflecken durch die Alumxniumoxidschxcht geschützt,
so daß sie letztlich nicht beeinflusst werden.
Auf diese Weise kann der Oxidfilm, der sich auf den Oberflächen der Leiter während der Aluminxumoxidation gebildet
hat, nach dem Schritt des Eingießens in Harz ent-
fernt werden, indem der Unterschied in seinen Eigenschaften
gegenüber dem Aluminiumoxidfilm ausgenützt wird. Denzufolge
wird wenigstens derjenige Oxidfilm auf den Oberflächen der Leiter, der außen freiliegt, vollständig entfernt,
so daß saubere Oberflächen der Leiter außen freiliegen. Demzufolge können die elektrischen Verbindungen
in einem ausgezeichneten Maß erzielt werden, so daß die Zuverlässigkeit.des IC erhöht wird. Wenn andererseits die
Leiteroberflächen in einem Lötschritt mit Lötmittelschichten überzogen werden, so kann der Lötvorgang in einem zufriedenstellenden
Ausmaß ausgeführt werden, ohne daß für den Lötvorgang die Leiter einer umständlichen Oberflächenbehandlung
unterzogen werden müssen.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die insoweit beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise
kann vor dem Eingießen in ein Harz der Chip mit einem weichen_3Zorlackierungsharz wie z.B. dem RTV-11-Harz
überzogen werden. Dann ist es möglich, die Aluminiumdrähte vor einem Bruch aufgrund von Harzspannungen zu schützen und
zu verhindern, daß das Harz und die Aluminiumdrähte sich voneinander trennen und Feuchtigkeit die Tabletten (Pellets)
erreichen kann. Es ist ebenfalls möglich, die Feuchtigkeitsbeständigkeit zu verbessern.
Weiterhin kann die vorliegende Erfindung auch auf andere Bauelemente als die harzvergossenen Typen angewendet
werden, z.B. auf keramische oder Glas-Bauelemente, so daß bei Ausnutzung der Merkmale der jeweiligen Bauteile
die Kosten reduziert werden und gleichzeitig die Zuverlässigkeit hoch ist.
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Claims (13)
- P4.TFNTAN·. 'ALTESTREHL SCHÜBEL-HOPF SCHULZ 3 227606WIDENMAYERSTRASSE 17, D-8000 MÜNCHEN 22HITACHI, LTD. 23. Juli 19 82DEA-25 749Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung PATENTANSPRÜCHE/1/. Halbleitervorrichtung, gekennzeichnet durchein Halbleitersubstrat (1) mit einem darin ausgebildeten Schaltungselement, wobei das Halbleitersubstrat einen auf einem Isolationsfilm (5) angeordneten Anschlußflecken (28) aufweist, der auf der Hauptseite ausgebildet ist und aus einem Aluminiummaterial besteht, das einen Metallzusatz und eine bestimmte Ionisationstendenz besitzt, einen Leiter (4), der in der Nachbarschaft des Halbleitersubstrates (1) angeordnet ist,einen Anschlußdraht (10), der aus einem Aluminiummaterial besteht und dessen eines Ende mit dem Anschlußflecken (28) und dessen anderes Ende mit dem Leiter (4) verbunden ist, wobei das Aluminiummaterial des Anschlußdrahtes (10) das gleiche Material als Metallzusatz enthält wie das Aluminiummaterial des Anschlußfleckens (2 8), und durcheinen .Aluminiumoxid!1 iIm (12, 13, 14), der sowohl auf der Oberfläche des Anschlußdrahtes wie auf der Oberfläche des Anschlußfleckens gebildet ist und der auf der Außenseite des Anschlußteiles zwischen dem Anschlußflecken (28) und dem Anschlußdraht (10) liegt.
- 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Metallzusatz des Anschlußfleckens (28) ein Kupfer enthaltendes Material ist.
- 3. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach :einem der Ansprüche 1 oder 2, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte Herstellen eines Halbleitersubstrates (1), das ein darin gebildetes Schaltungselement und eine Vielzahl von Anschlußflecken (28) aufweist, die auf einem Isolationsfilm (5) auf der Hauptfläche des Halbleitersubstrats gebildet sind und aus einem Aluminiummaterial bestehen, wobei eine Vielzahl von Leitern (4) vorgesehen sind, die in der Nachbarschaft des Halbleitersubstrates (1) enden und von denen ein jeder einem Anschlußflecken (28) entspricht, Verbinden der Anschlußflecken(28) und der entsprechenden Leiter (4) mittels Drähten (10) aus einem Aluminiummaterial undAusbilden von Filmen aus Aluminiumoxid (12, 13) auf den Oberflächen der Anschlußdrähte (10) und der Anschlußflecken (2 8) durch Oxidation dieser Oberflächen, wobei die Vielzahl von Leitern (4) elektrisch miteinander verbinden sind,so daß diese Leiter (4) auf einem gleichen Potential liegen.
- 4. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die folgenden weiteren Verfahrensschritte Eingießen des Halbleitersubstrates (1) und eines Teils der Leiter (4) in ein Harz undEntfernen der Oxidfilme von den Oberflächen der Leiter (4).
- 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durcheine erste leitende Schicht auf einem ersten Isolationsfilm (5) über einem Halbleitersubstrat (1), einen zweiten Isolationsfilm (7) auf der ersten leitenden Schicht mit einem Kontaktloch, das einen Teil der ersten leitenden Schicht (7) zur Außenseite freilegt, eine zweite leitende Schicht (80) aus Aluminium, die auf dem zweiten Isolationsfilm (7) ausgebildet ist und denjenigen Teil der ersten leitenden Schicht (6), der durch das Kontaktloch zur Außenseite freigelegt ist, bedeckt, einen Anschlußdraht (10),der so mit der zweiten leitenden Schicht (80) verbunden ist, daß er das Kontaktloch überdeckt, und durcheinen Film (12) aus einem Aluminiumoxid, der auf demjenigen Oberflächenteil der zweiten leitenden Schicht (80) gebildet ist, der sich von dem Oberflächenteil unterscheidet, mit dem der Anschlußdraht verbunden ist.
- 6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußdraht (10) aus Aluminium besteht und an seiner Oberfläche mit einem Aluminiumoxid (13) überzogenist.
- 7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet , daß die erste leitende Schicht (6) aus Aluminium besteht.
- 8. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch die weiteren Verfahrensschritte Herstellen einer ersten leitenden Schicht (6) auf dem ersten Isolationsfilm (5) über dem Halbleitersubstrat, Überziehen der ersten leitenden Schicht mit einem Isolationsfilm, der ein Kontaktloch besitzt, um einen Teil der ersten leitenden Schicht zur Außenseite freizulegen,ff*Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht (80) im Bereich des KOntaktlochs und auf dem zweiten Isolationsfilm (7), Verbinden eines Anschlußdrahtes (10) mit der zweiten leitenden Schicht (80), so daß er das Kontaktloch überdecktundAusbilden eines Films (12) aus Aluminiumoxid auf dem Oberflächenteil der zweiten leitenden Schicht (80), der verschieden ist von dem Oberflächenteil, an dem der Anschlußdraht (10) befestigt ist.
- 9. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß der Anschlußdraht (10) aus Aluminium besteht und an seiner Oberfläche mit einem Film (13) aus Aluminiumoxid überzogen wird, gleichzeitig mit dem Ausbilden eines Aluminiumöxidfilmes (120 auf der zweiten leitenden Schicht (80).
- 10. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2, 5 bis 7, gekennzeichnet durch eine auf einem ersten Isolationsfilm über einem Halbleitersubstrat (1) gebildete Aluminiumschicht, einem auf der Oberfläche der Aluminiumschicht gebildeten Film aus Aluminiumoxid,einen zweiten, auf dem Aluminiumoxidfilm gebildeten Isolationsfilm, ein derart in dem Aluminiumoxidfilm und in dem zweiten Isolationsfilm gebildeten Loch, so daß ein Teil der Aluminiumschicht, die mit einem Anschlußflecken zu versehen ist, nach außen freigelegt ist, einen Anschlußdraht (10) mit einem Anschlußteil, der mit der Aluminiumschicht, die durch das Kontaktloch freigelegt ist, verbunden ist, und durcheinen Aluminiumoxidfilm, der auf demjenigen Teil der Aluminiumschicht gebildet ist, die durch das Kontaktloch um den Verbindungsteil des Anschlußdrahtes freigelegt ist.
- 11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Anschlußdraht (10)aus Aluminium besteht und daß auf seiner Oberfläche ein Aluminiumoxidfilm (13) ausgebildet ist.
- 12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 3,4, gekennzeichnet durchAusbilden einer Leiterbahnschicht (6) und eines Anschlußfleckens (28), die aus Aluminium bestehen, auf einem ersten Isolationsfilm (5) über einem Halbleitersubstrat (1), Bilden eines Aluminiumoxidfilms auf denjenigen Oberflächen der Leiterbahnschicht und des Anschlußfleckens, die nicht in Kontakt mit dem ersten Isolationsfilm stehen, Ausbilden eines zweiten Isolationsfilmes auf dem Aluminiumoxidfilm um das Halbleitersubstrat zu bedecken, lokales Entfernen des Aluminiumoxidfilmes und des zweiten Isolationsfilmes, so daß ein Teil der Oberfläche des An- . schlußfleckens nach außen freigelegt wird, Verbinden eines Drahtes an einer freigelegten Fläche des Anschlußfleckens, undAusbilden eines Aluminiumoxidfilmes auf dem Oberflächenteil derjenigen freigelegten Fläche des Anschlußfleckens, die nicht der Oberflächenteil ist, an den der Draht befestigt ist.
- 13. Verfahren zurHersteilung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß der Anschlußdraht (10) aus Aluminium besteht und an seiner Oberfläche gleichzeitig mit dem Schritt zum Bildeneines Aluminiumoxidfilmes auf dem Oberflächenteil, der von dem mit dem Anschlußdraht versehenen Teil des Anschlußfleckens verschieden ist, mit einem Aluminiumoxidfilm überzogen wird.1 4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 , 5, 6, 7, 10 und 11, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (1) und der Anschlußdraht (10) in ein Harz eingegossen sind.
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