-
Verfahren zur Befestigung von Anschlußleitern an einem Halbleiterbauelement.
-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Befestigung von Anschlußleitern
an einem Halbleiterbauelement, welches eine Anzahl aktiver Bereiche und an einer
Oberfläche mehrere elektrisch leitende Anschlußflächen aufweist, die åe mit mindestens
einem der aktiven Bereiche elektrisch verbunden sind.
-
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen im allgemeinen und
integrierten Schaltungen im Besonderen wird das Element, welches erstens die aktiven
Halbleiterbereiche und zweitens eine Anzahl leitender Flächen, die jeweils mit einem
aktiven Bereich verbunden sind, enthält, üblicherweise zentral auf einem Sockel
montiert. Der Sockel hat normalerweise entsprechend der Anzahl der leitenden Flächen
auf dem Element eine Anzahl von Anschlußleitungen. Nach der Montage des Elementes
auf dem Sockel werden elektrische Verbindungen zwischen den leitenden Flächen und
den entsprechenden Sockelanschlußleitungen üblicherweise mit Hilfe kurzer dünner
Drahtstücke hergestellt. Diese kurzen Drahtstücke müssen Jeweils mit ihrem einen
Ende an einer leitenden Fläche und mit ihrem anderen Ende an einer entsprechenden
Anschlußleitung befestigt werden. Die Befestigungen werden Jeweils einzeln durchgeführt,
wobei für Jeden Leitungsanschluß zwei Befestigungsarbeitsgänge
erforderlich
sind. Der Aufbau wird dann geprüft, und im Falle eines Fehlers ist das gesamte Bauelement
einschließlich des relativ teuren Sockels Ausschuß.
-
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung eines Verfahrens,
bei welchem dieser Nachteil vermieden wird.
-
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein mit einheitlichen
Öffnungen versehener Metallfilm verwendet wird, welcher eine der Anzahl der leitenden
Flächen des Halbleiterelementes entsprechende Zahl von in die Öffnung hineinragenden
Pingern aufweist, deren jeder mit einem Endabschnitt mit einer entsprechenden leitenden
Fläche ausrichtbar ist, daß das Halbleiterelement so an der Öffnung angeordnet wird,
daß Jeder Fingerendabschnitt mit einer leitenden Fläche des Elementes ausgerichtet
ist, daß jeder Fingerendabschnitt mit der leitenden Fläche mechanisch fest und elektrisch
gut leitend verbunden wird und daß die Finger vor der Einkapselung oder Endumhüllung
aus dem Metallfilm derart abgetrennt werden, daß die gegeneinander isolierten Finger
von dem Halbleiterelement gehalten nach aussen ragen. Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren
führt zu einem Halbleiteraufbau, bei welchem ein Halbleiterelement, daS eine Mehrzahl
von Je mit.einem aktiven Bereich des Elementes verbundenen elektrisch leitenden
Flächen aufweist, an einem einheitlich mit Öffnungen versehenen metallischen Film
befestigt wird. Das Halbleiterelement wird so an den Öffnungen des Filmes, in welche
eine entsprechende Anzahl von Fingern hineinragt, angeordnet, daß die Endabschnitte
der Finger mit entsprechenden leitenden Flächen des Elementes ausgerichtet sind,
so daß diese Endabschnitte leicht und genau an den leitenden Flächen befestigt werden
können. Anschließend lassen sich die Finger von übrigen Teil des einheitlichen Filmes
abtrennen, so daß der entstandene Aufbau eine entsprechende Anzahl isolierter Filmsegmentfinger
aufweist, die sich von dem Halbleiterelement nach aussen strecken und von ihm getragen
werden.
-
Die Erfindung ist im Folgenden anhand von Ausführungsbei spielen näher
erläutert. Es zeigt: Fig. in eine Draufsicht auf einen Halbleiteraufbau nach der
Erfindung Fig. ib einen Querschnitt durch den Aufbau nach Figur la Fig.2 eine abgewandelte
AusfUhrungsSorm des erfindungsgemäßen Halbleiteraufbaues Fig.3a einen bei dem erfindungsgemäßen
Verfahren verwendeten einheitlichen Metallfilm Fig. 3b einen Querschnitt durch einen
Teil des in Figur 3a gezeigten Films entsprechend der Schnittlinie 3b Fig. 3c ein
Filmsegment der Figur 3b in Verbindung mit einer entsprechenden leitenden Fläche
eines Halbleiterelementes Fig.4 ein nach der Erfindung hergestelltes Halbleiterbauelement
in einem Zwischenstadium Fig.5 einen Querschnitt durch ein bei einer bevorsugten
Ausführungsform der Erfindung verwendetes Halbleiterelement und Fig.6 und 7 Varianten
der Metallfinger des in Figur 4 dargestellten Bauelementes.
-
BEISPIEL 1 Die Figuren la und ib zeigen einen nach der Erfindung
hergestellten Halbleiteraufbau 1. Er enthält ein äusseres Metallgehäuse 2, innerhalb
dessen ein Isoliersockel angeordnet ist, der beispielsweise aus Glas-, Eeramik-
oder Plastikmaterial bestehen kann. In Sockel 3 ist ein gut wärmeleitender Metallträger
4 gelagert. Durch den Sockel 5 ragen mehrere Anschlußleitungen 5 nach oben. Bei
dem dargestellten Aufbau sind zehn solcher Anschlußdrähte mit Abstand um den Umfang
des Trägers 10 herum angeordnet.
-
Jeder Anschlußleiter 5 kann aus einem geeigneten leitenden Metall
bestehen, dessen Ausdehnungskoeffizient zu dem des Sockelisoliermaterials passt.
Ist beispielsweise das Isoliermaterial ein Keramikmaterialglas bestehen die Anschlußleiter
5 vorzugsweise aus einem Metall mit niedrigem Ausdehnungskoeffizienten, wie einer
Verbindung von 29 Gewichtsprozent Nickel, 17 Gewichtsprozent Kobalt und dem Rest
im Wesentlichen Eisen ( Kovar ). Jeder der Anschlußleiter 5 hat neben dem Träger
4 einen Endkontaktbereich 6. Auf dem Träger 4 ist ein Halbleiterelement 7 befestigt,
welches auf seiner Oberfläche entsprechend der Anzahl der Anschlußleiter 5 mehrere
elektrisch leitende Flächen 8 hat.
-
Jede leitende Fläche ist elektrisch mit dem entsprechenden Anschlußleiter
5 über einen Finger 9 in Form eines sich verJüngenden metallischen Films verbunden.
Jeder Finger 9 hat einen Endabschnitt 10, der genügend schmal ist, um nur mit der
entsprechenden Fläche 8 des Elementes einen Kontakt zu bilden. Ferner hat Jeder
Finger 9 ein äußeres Ende 11, welches an einem entsprechenden Anschlußleiter 5 befestigt
ist. Das Element 7 ist mit Hilfe einer geeigneten Klebstoffschicht 12 auf dem Träger
4 befestigt.
-
BEISPIEL 2 Figur 2 zeigt einen Halbleiteraufbau entsprechend einer
anderen Ausführungsform der Erfindung. Dieser Aufbau besteht aus einem einen einheitlichen
Leiter bildenden Rahmen 13, der einen metallischen Film mit mehreren Anschlußleitern
14 umfasst, welche sich nach innen auf einen Mittelabschnitt 15 zu erstrecken. Innerhalb
des Mittelabschnittes 15 befindet sich ein Halbleiterelement 7 mit einer Anzahl
aktiver Halbleiterbereiche und einer Mehrsahl elektrisch leitender Flächen 8 entsprechend
der Anzahl der Anschlußleiter 14.
-
Ein sich verjüngender Finger 9 in Form eines metallischen Films verbindet
elektrisch jede leitende Fläche 8 mit dem entsprechenden Anschlußleiter 14. Das
Element 7 kanal lediglich von den Fingern 9 gehalten werden oder der gesamte Mittelabschnitt
15 kann mechanisch und elektrisch mit Hilfe eines geeigneten Isoliermaterials 16
geschützt sein, welches beispielsweise aus schmelzbarem Plastik oder niedrigschmelzendem
Glas besteht. Nach der Fertigstellung des Aufbaus wird der Leiterrahmen 13 entlang
den gestrichelten Linien aufgetrennt, so daß die Anschlußleiter 14 elektrisch gegeneinander
isoliert werden.
-
Nun sei das Verfahren beschrieben, nach welchem die in den Figuren
1a, ib und 3a dargestellten Aufbauten hergestellt werden.
-
Ein entsprechend Figur 3a ausgebildeter Kontaktrahmen 18 wird in Form
eines dünnen einheitlichen Metallfilmes einer Dicke von 25 bis 50/»ovo mm hergestellt.
Vorzugsweise ist die Dicke des Films nicht größer als 50/4ovo mm, da es bei Filmen
größerer Dicke schwierig ist, die Endabschnitte genügend schmal eu machen. Der Kontaktrahmen
18 besitzt mehrere sich verJüngende Finger 9, welche nach innen in eine Öffnung
19 des Filmes ragen. Jeder Film hat einen relativ schulen Endabschnitt 10 (typischerweise
0,05 - 0,1 mm breit), welcher mit einer entsprechenden Kontaktfläche 8 des Halbleiterelementes
7, mit dem der Kontaktrahmen 18 zusammengesetzt werden soll, ausgerichtet werden
kann.
-
Der Kontaktrahmen 18 enthält ferner Laschen 20 und 21. Die Lasche
20 hat ein Loch 22, während die Lasche 21 einen Schlitz 23 aufweist. Die Laschen
20 und 21 mit dem Loch 22 bzw. dem Schlitz 23 werden zu Ausrichtzweken gebraucht,
um ein Fluchten der Endabschnitte 10 der Finger 9 mit den entsprechenden Kontaktflächen
8 des Halbleiterelementes 7, mit dem der Kontaktrahmen 18 verbunden werden soll,
sicher zu stellen.
-
Der Kontaktrahmen 18 kann aus einer Vielzahl von Metallen bestehen,
wichtig ist nur, daß sich das Material mit einem Ende an die Kontaktflächen 8 des
Halbleiterelementes 7 und mit dem anderen Ende an die Anschlußflächen irgendeiner
Umhüllung (wenn ein solcher Aufbau verwendet wird), an welcher der Kontaktrahmen
befestigt werden soll, befestigen läßt. Der Kontaktrahmen 18 kann mit Hilfe eines
Photoätzprozesses hergestellt werden, so daß Finger mit genau in ihrer Lage bestimmten
Endabschnitten von den geeigneten Abmessungen entstehen. Geeignete Metalle für den
Kontaktrahmen 18 sind Kupfer, Phosphornickelbronze, Phosphorbronze, Eisen, Aluminium,
Nickel und Kovar.
-
Nach dem Herstellen des Kontaktrahmens 18 wird das Halbleiterelement
7 (dessen Kontaktflächen 8 in gleicher Anzahl und ausrichtbar mit den Endabschnitten
10 der Finger 9 vorliegen) so neben der Öffnung 19 angeordnet, daß jede Kontaktfläche
8 mit dem entsprechenden Fingerendabschnitt 10 fluchtet. Jede Fläche 8 trägt eine
erhöhte Lötperle. Wenn die Fingerendabechnitte 10 in Kontakt mit den entsprechenden
Elementkontaktflächen 8 gebracht werden, wird auf den Kontaktrahmen und das Halbleiterelement
ein heißes Gas (etwa Formgas(10% Wasserstoff, 90% Stickstoff) mit einer Temperatur
von 625 B Celsius) gerichtet, sodaß das Lot der Flächen 8 schmilzt und eine Lötverbindung
zwischen Jeder Fläche und dem zu ihr gehörenden Endabschnitt bildet. Auf diese Weise
werden sämtliche Lötverbindungen gleichezeitig ausgebildet.
-
Um eine gute Lötverbindung zwischen den Fingerendabschnitten 10 und
den zugehörigen Elementflächen 8 sicher zu stellen, soll die Oberfläche jedes zu
befestigenden Fingerendabschnittes sehr sauber und oxydfrei sein. Die Lötperlen
der Elementflächen müssen möglichst gleichförmig sein. Ein eutektisches Lötmaterial
mit 2,5 Gewichtsprozent Silber und 97,5 % Blei ergibt eine gute elektrische und
mechanische Verbindung. Dieses Lot schmilzt bei etwa 305 Grad Celsius.
-
Figur Db zeigt einen Querschnitt durch einen Teil eines der Finger
9. Der Finger 9 hat neben seinem Endabschnitt 10 eine Nute, welche verhindert, daß
der Finger 9 einen unerwünschten Kurzschluß mit der Kante des Xalbleiterelementes
bildet, wenn er anschließend mit einer der am Umfung des Elementes 7 angeordneten
Kontaktfläche 8 verbunden wird, wie dies Figur 3c darstellt.
-
Bei einer bevorzugten Ausführungsform werden Lötverbindungen verwendet,
jedoch können auch andere Verfahren zur Befestigung der Fingerendabschnitte 10 an
den entsprechenden Elementkontaktflächen 8 benutzt werden. Beispielsweise eignen
sich Ultraschall- oder Thermokompressionsverbindungsverfahren für ein gleichzeitiges
Befestigen aller Fingerendabschnitte an den entsprechenden Kontaktflächen, vorausgesetzt,
daß die Kontaktflächen und die Endabschnitte mit einem für die vorgesehene Verbindungstechnik
geeigneten Metall überzogen sind oder diese enthalten.
-
Nachdem das Element 7 an dem Kontaktrahmen 18 befestigt ist, werden
die Finger 9 vom Kontaktrahmen 18 entlang der gestrichelten Linie 24 abgetrennt.
Der dann entstehende Aufbau 25, welcher in Figur 4 dargestellt ist, ist ein Gebilde,
an welchem die Finger 9 befestigt sind und nur von dem Halbleiterelement 7 getragen
werden und sich frei von ihm nach aussen erstrecken. Jeder Finger 9 ist mit einem
Endabschnitt 10 elektrisch und mechanisch mit einer entsprechenden Elementkontaktfläche
8 verbunden. Anders ausgedrückt läßt sich sagen, daß das Element 7 mit den Fingern
9 verbunden ist und von ihnen getragen wird.
-
Der Aufbau 25 hat eine Reihe von Vorteilen als Zwischenfabrikat oder
Endfabrikat der Herstellung. Für Jede weitere Behandlung kann ein Vakuumgreifer
mit zehn Öffnungen (entsprechend der Anzahl der Finger 9) zum Aufnehmen des Gebildes
benutzt werden, in dem nur die Finger 9 berührt werden,
sodaß ein
unmittelbarer Kontakt mit dem Element 7 vermieden wird und daher Möglichkeiten einer
Beschädigung während nachfolgender Behandlungen ausgeschaltet sind.
-
Das Gebilde 25 läßt sich vor seinem Einbau in eine relativ teure Umhüllung,
wie sie die Biguren 1a, 1b und 2 zeigen, leicht prüfen. Hierzu können die Finger
9 mit einer geeigneten Prüfspitze in Kontakt gebracht werden, und es können die
gewünschten elektrischen Tests durchgeführt werden. Die Finger 9 des Gebildes 25
lassen sich leicht in Kontakt mit Prüfspitzen bringen, da die äußeren Fortsätze
11 der Finger im Verhältnis zum Abstand der Kontaktflächen 8 des Elementes relativ
weit voneinander entfernt sind. Die Tests lassen sich durchführen, ohne daß die
Prüfspitzen in unmittelbare Berührung mit den Kontaktflächen treten müßten, dadurch
wird die Möglichkeit von Kratzern oder anderen mechanischen Beschädigungen des Elementes
7 ausgeschaltet.
-
Nach den elektrischen Prüfungen kann das Gebilde 25 erstens als Endprodukt
verwendet werden, zweitens eingekapselt werden (durch überziehen des Elementes 7
und der angrenzenden Endabschnitte 10 der Finger 9 mit einem geeigneten Glas- oder
Plastikisoliermaterial), oder drittens zu einem üblichen Aufbau, wie er in den Figuren
1a, 1b oder 2 dargestellt ist, vervollständigt werden.
-
Das Gebilde 25 kann beispielsweise zu den Figuren 1a und 1b dargestellten
Aufbauten lediglich dadurch vervollständigt werden, indem man es mit einem Vaküumgreifer
aufnimmt und in dem Gehäuse 2 so anordnet, daß die äußeren Fortsätze 11 der Finger
9 mit den Kontaktbereichen 6 der entsprechenden Anschlußleiter 5 fluchten. Die Fingerfortsätze
11 werden dann an den entsprechenden Anschlußleiterkontaktbreichen 6 befestigt,
sodaß ein elektrischer Verbindungsweg zwischen Jeder Kontaktfläche 8 und dem zugehörigen
Änschlußleiter 5 besteht.
-
Entweder die Kontaktbereiche 6 oder die angrenzenden Oberflächen
der
Fortsätze 11 oder beide können mit einem geeignetem Lötmaterial überzogen sein.
-
Die Befestigung der Fortsätze 11 an den Kontaktflächen 6 kann unter
Verwendung eines geeignet geformten Lötkolbens verwendet werden, der die zu verlötenden
Bereiche erwärmt.
-
Es kann erwünschte sein, die Kontaktbereiche 6 auf eine Temperatur
vorzuheizen, die etwas unter dem Schmelzpunkt des verwendeten Lots liegt. Vorzugsweise
kann das für die Befestigung der Fingerfortsätze 11 an den Kontaktbereichen 6 verwendete
Lot einen Schmelzpunkt haben, der etwas niedriger als der desJenigen Lots ist, welches
für die Befestigung der Fingerendabschnitte 10 an den Blementkontaktflächen 8 verwendet
worden ist. Dies trägt dazu bei, sicherzustellen, daß die Verbindungen der Fingerendabschnitte
mit den Elementkontaktflächen sich nicht lösen, wenn die Fingerfortsätze 11 an die
Kontaktbereiche 6 der Anschlußleiter 5 gelötet werden.
-
Es hat sich als unnötig herausgestellt, daß das Lötmaterial, welches
die Fortsätze 11 an den Kontaktbereichen 6 befestigt, einen niedrigeren Schmelzpunkt
als das für die Verbindungen der Fingerendabschnitte mit den Elementkontaktflächen
verwendete Lötmaterial hat, wenn der Lötvorgang mit einem geeignetem Temperatur
Zeit- Verlauf genügend schnell erfolgt.
-
Ein eutektisches Blei- Antimon-Lot mit einem Schmelzpunkt von 252
Grad Celsius wird für die Ausbildung der Pingerfortsatz-Kontaktflächenverbindungen
vorgezogen. Ein solches Lot kann beispielsweise 88 Gewichtsprozent Blei und 12 %
Antimon enthalten.
-
Andererseits läßt sich auch heißes Formgas für den Lötvorgang verwenden.
Äuch können Schweißverfahren zur Durchführung der gewünschten Verbindungen angewandt
werden. Wenn man zwischen den BingerendabseknitLen 10 und den leitenden Flächen
8 Ultraschallverbindungen herstellen will, dann können die leitenden Flächen aus
Aluminiun bestehen, während die angrenzenden Fingerendabschnitte vorzugsweise aus
einem durch Ultraschall
verbindbarem Material, wie Aluminium, bestehen
oder mit einer dünnen Schicht überzogen sind.
-
Die Unterseite des Halbleiterelementes 7, auf welcher sich die leitenden
Flächen 8 nicht befinden, können mit einem geeignetem Klebstoff 12 überzogen sein,
welcher eine mechanisch feste Verbindung guter Wärmeleitfähigkeit mit dem Träger
4bildet. Andererseits kann auch erst eine Schicht Klebstoff 12 für diesen Zweck
auf den Träger abgelagert wer den.
-
Nach der Befestigung des Gebildes 12 auf dem Sockel, wie es die Figuren
ia und ib zeigen, kann eine nicht dargestellte Abschlußkappe aufgebracht werden,
welche das Gebilde 25 abschließt und mechanisch mit dem Gehäuse 2 verbunden hält.
-
Der in Figur 2 dargestellte andere Aufbau lässt sich in ähnlicher
Weise herstellen, indem das Gebilde 25 innerhalb des Mittelabschnittes 15 des Leitungsrahmens
13 so angeordw net wird, daß der äußere Fortsatz 11 jedes Fingers 9 mit einem entsprechenden
Anschlußleiter 14 fluchtet. Jeder der äusseren Fortsätze ii wird dann an seinem
entsprechenden Anschlußleiter 14 beispielsweise durch Lobten oder Ultraschallschweißverfahren
befestigt. Der Aufbau kann dann in dieser Form verwendet werden, oder er kann zunächst
eingekapselt werden! beisplelsweise durch Umschmelzen dgs Gebilde des 25 und der
den äußeren Fortsätzen 11 der er 9 be nachbarten Ende der Ansohlußleiter 14 mit
einer Glasschicht oder einem Plastikisoliermaterial16.
-
BEISPIEL 3 Figur 5 veranschaulicht einen Querschnitt durch einen
Teil eines typischen Halbleiterelementes, welches zur Herstellung eines Aufbaues
nach dex Erfindung verwendet werden kanne
Das Element 7 in Figur
5 weist ein monolithisches Halbleitermaterial, wie etwa Silicium, auf. Selbstverständlich
lässt sich die Erfindung auch auf jegliche andere Elemente anwenden, welche eine
Anzahl aktiver Halbleiterbereiche besitzt, unbeschadet ob diese Bereiche in einem
monolithischen Halbleiterkörper oder elektrisch isoliert auf einem dielektrischen
Körper sich befinden.
-
Das Siliciumelement 7 hat nach Figur 5 eine epitaktische Schicht 26,
beispielsweise aus n leitendem Halbleitermaterial, auf einem p leitenden Träger.
In der epitaktischen Schicht 26 ist eine Diode ausgebildet, welche benachbarte Zonen
27 und 28 jeweils Jeweils entgegengesetzten Leitungstyps enthält. Ferner ist in
der epitaktischen Schicht 26 ein Transistor mit benachbarten Zonen 29, 30 und 31
Jeweils abwechselnden Leitungstyps ausgebildet.
-
Jede der aktiven Zonen 27 - 31 ist mit einer entsprechenden Aluminiumelektrodenschicht
32 kontaktiert. Auf der Oberseite des Elementes 7 ist eine isolierende Schicht 33,
etwa aus Siliciumdioxyd abgelagert. Die Isolierschicht 33 hat Öffnungen, durch welche
verschiedene Kontakte 32 ragen. Über der Isolierschicht 53 ist eine Aluminiumschicht
abgelagert, welche Jeden Kontakt 32 mit einer entsprechenden leitenden Fläche 8
elektrisch verbindet. Zwischen dem Abschnitt 34 jedes Aluminiumverbindungsfilmes
und jeder darüberliegenden leitenden Fläche 8 ist eine Schicht 35 aus einem lötbaren
Material, wie er Gold (nur für Niedrigtemperaturbauelemente) oder Nickel abgelagert.
Jede leitende Fläche 8 enthält eine erhöhte Lötperle auf der entsprechenden lötbaren
Schicht 35.
-
Die Diode und der Transistor werden von Ringen 36 bzw. 37 aus P leitendem
Material umgeben. Diese Ringe dienen in erbindung mit dem darunterliegendem Träger
der elektrischen Isolierung der Diode und des Transistors gegenseitig und gegen
andere in dem Halbleiterelement 7 ausgebildete Bauelemente
Die
Biguren 6 und 7 zeigen Alternativausbildungen für die Finger 9. In Figur 6 ist ein
Finger 9' mit einem flexiblem gekrümmten Abschnitt 38 dargestellt. Der gekrümmte
Abschnitt 38 erlaubt Längenänderungen des Fingers 9 beispielsweise bei thermischer
Ausdehnung oder Zusammenziehung des Fingers.
-
In ähnlicher Weise zeigt Figur 7 einen Querschnitt durch einen Finger
9" mit einem gebogenen Abschnitt 39, welcher in gleicher Weise kleine, etwa thermisch
bedingte, Längenänderungen des Fingers ausgleicht.
-
Der in Figur 3a dargestellte Kontaktrahmen 18 braucht nicht notwendigerweise
ein Einzelteil zu sein, sondern kann ein Teil eines relativ langen Blattes oder
Streifens sein, der eine große Anzahl derartiger Kontaktrahmen enthält. Die Rahmenindexvorsprünge
20 und 21 und die entsprechenden Löcher 22 bzw. Schlitze 25 können für die automatische
Bearbeitung herangezogen werden, um die Kontaktrahmenfinger 9 mit den leitenden
Flächen eines zugehörigen Halbleiterelementes genau auszurichten.
-
Nach dieser Ausrichtung können die Fingerendabschnitte 10 automatisch
gleichzeitig an den entsprechenden leitenden Flächen 8 des Elementes befestigt werden.
Nach dem Abtrennen der Finger 9 eur Bildung des Gebildes 25 können die Fortsätze
i1 der Finger 9 des Gebildes 25 mit entsprechenden Anschlußleitern 5 (Fig. la und
ib) oder 14 (Fig.2) auBgerichtet werden, sodaß gleichzeitig alle Fingerfortsätze
mit den entsprechenden Anschlußleitern verbunden werden können.