DE10259292B4 - Verfahren zum Herstellen eines gleichmäßigen Kontaktes und damit hergestellter gleichmäßiger Kontakt - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines gleichmäßigen Kontaktes und damit hergestellter gleichmäßiger Kontakt Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zu einer Halbleitereinrichtung, – wobei eine erste Metall enthaltende Schicht (34) gebildet wird, wobei die Metall enthaltende Schicht im wesentlichen ein Metall umfasst, das einen Schmelzpunkt von etwa weniger als 700 Grad Celsius hat, und einen nicht bedeckten Bereich (32) berührt, der Siliziumcarbid umfasst, – und wobei die erste Metall enthaltende Schicht (34) eine Zusammensetzung besitzt, die keine ohmsche Verbindung mit dotiertem Siliziumkarbid bildet, wenn sie für eine Dauer von weniger als zehn Stunden bei einer Temperatur erwärmt wird, die kleiner ist als der Schmelzpunkt von dem in der ersten Metall enthaltenden Schicht (34) enthaltenden Metall, und wobei die erste Metall enthaltende Schicht (34) und der nicht bedeckte Bereich (32) bei einer Temperatur weniger als der Schmelzpunkt des in der ersten Metall enthaltenden Schicht enthaltendem Metalls, und für mehr als zehn Stunden erwärmt werden, sodass sich ein im wesentlichen kontinuierlicher ohmscher Kontaktbereich (50) zwischen der ersten Metall enthaltenden Schicht (34) und dem Siliziumkarbid bildet.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen und insbesondere Verfahren zur Bereitstellung von ohmschen Verbindungen mit wide-band-gap Schichten zur Verwendung in Halbleitereinrichtungen.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Halbleitereinrichtungen sind bekannt und finden breite Verwendung in vielen Anwendungen. Die meisten Halbleitereinrichtungen sind aus Silizium hergestellt weil es relativ einfach ist, mittels diesem elektrische Komponenten und Strukturen zu implementieren wie etwa ohmsche Verbindungen mit Metall. Halbleitereinrichtungen aus Silizium sind jedoch in bezug auf akzeptable Betriebstemperaturen und Wärmeverträglichkeit beschränkt. Um diese Beschränkungen zu überwinden, können Halbleitereinrichtungen aus wide-band-gap Materialien, wie etwa Siliziumkarbid, hergestellt und unter merklich höheren Temperaturen und Leistungsniveaus betrieben werden. Wide-band-gap Halbleitereinrichtungen müssen jedoch erst weit verbreiteten kommerziellen Erfolg erzielen, wegen der Komplexität ihrer Herstellung und der Schwierigkeiten bei der Herstellung niederohmiger Verbindungen mit wide-band-gap Schichten.
  • Elektrische Verbindungen mit wide-band-gap Schichten können dadurch hergestellt werden, dass ein Kontaktmaterial direkt auf eine wide-band-gap Schicht aufgebracht wird. Um eine ohmsche Verbindung zu erzeugen, müssen metallische Kontaktschichten auf wide-band-gap Schichten extrem hohen Temperaturen, z. B. 1000 Grad Celsius, ausgesetzt werden. Wenn Verbindungsmetalle 14 wie Aluminium solchen Bedingungen ausgesetzt werden, neigen sie dazu, zu schmelzen und sich zusammenballen oder sich in anderer Weise von der wide-band-gap Schicht zu lösen, wie dies in 1 gezeigt ist. Dieser Effekt verringert die Qualität und die Reproduzierbarkeit der Verbindung wegen variierender Kontaktflächen 16 aufgrund von Spalten 18 in der Kontaktschicht 14 und beschränkt damit die Funktionsfähigkeit der Kontakte. 2 zeigt eine Draufsicht auf eine Kontaktschicht 14 mit Spalten 18. Ein anderes durch das direkte Aufbringen eines Kontaktes auf wide-band-gap Material bedingtes Problem ist sogenanntes Spiking, insbesondere bei Verbindungen mit dünnen Schichten wide-band-gap Materials. Wie in 1 gezeigt, kann Spiking zu einem elektrischen Kurzschluss führen, wenn sich der Kontaktbereich 16 insgesamt durch die Schicht aus wide-band-gap Material 12 zu einem unterliegenden Substrat 10 erstreckt.
  • Zur Vermeidung von Spiking sind Sperrschichten zwischen dem Kontaktmetall und dem wide-band-gap Material während des Wärmebehandlungsprozesses (annealing process) verwendet worden. Solche Schichten erfordern einen weiteren Bearbeitungsschritt und erhöhen im allgemeinen den elektrischen Widerstand einer elektrischen Verbindung zwischen dem Kontakt und dem wide-band-gap Material. Zudem bestehen, wenn ein Wärmebehandlungsschritt zur Herstellung einer ohmschen Verbindung zwischen dem Kontaktmetall und der Isolierschicht notwendig ist, weiterhin Probleme in bezug auf Schmelzen und Trennung des Kontaktmetalls, die die Qualität des Kontaktes verringern.
  • Verfahren zum Kontaktieren von Siliziumkabid sind bekannt aus DE 100 51 049 A1 , US 5539217 A und JP H02-45976 A .
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Bei den im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen, können die obigen Probleme dadurch überwunden werden, dass die Herstellung von gleichmäßigen ohmschen elektrischen Kontakten zwischen Siliziumkarbid und Material mit niedrigem Schmelzpunkt mittels konventioneller Halbleiterprozesse erfolgt.
  • Bei einer Gruppe von Ausführungsbeispielen kann eine Halbleitereinrichtung einen Siliziumkarbidbereich mit einer Kontaktfläche umfassen. In einem speziellen Ausführungsbeispiel kann der Siliziumkarbidbereich p-dotiertes Siliziumkarbid umfassen. Die Kontaktfläche kann einen über die Kontaktfläche im wesentlichen gleichbleibenden und kontinuierlichen Kontaktbereich umfassen. Der Kontaktbereich kann eine Legierung aus Aluminium und Siliziumkarbid umfassen. Ein Material mit niedrigem Schmelzpunkt kann sich in direktem und im wesentlichen kontinuierlichen Kontakt mit dem Kontaktbereich befinden. Das Material mit niedrigem Schmelzpunkt kann einen Schmelzpunkt besitzen, der kleiner oder gleich in etwa 700 Grad Celsius ist.
  • Die elektrische Verbindung zwischen dem Kontaktmaterial und dem Siliziumkarbidbereich kann ohmsch sein.
  • Gemäß einer weiteren Gruppe von Ausführungsbeispielen kann ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zu einer Halbleitereinrichtung die Bildung eines nicht bedeckten Bereichs umfassen, der Siliziumkarbid umfasst. Das Verfahren kann auch die Bildung einer ersten Metall enthaltenden Schicht umfassen, die den nicht bedeckten Bereich berührt. Die erste Metall enthaltende Schicht kann eine Zusammensetzung besitzen, die keine ohmsche Verbindung mit dotierten Siliziumkarbid bildet, wenn sie für eine Dauer von weniger als zehn Stunden bei einer Temperatur erwärmt wird, die kleiner ist als der Schmelzpunkt von in der Metall enthaltenden Schicht enthaltenem Material ist. Das Verfahren kann weiterhin eine Wärmebehandlung (annealing) der Metall enthaltenden Schicht und des nicht bedeckten Bereichs umfassen, bis sich eine im wesentlichen kontinuierliche ohmsche Verbindung zwischen der ersten Metall enthaltenden Schicht und dem Siliziumkarbid bildet.
  • Gemäß einer weiteren Gruppe von Ausführungsbeispielen, kann ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zu einer Halbleitereinrichtung die Bildung eines nicht bedeckten Bereichs umfassen, der Siliziumkarbid umfasst. Das Verfahren kann auch die Bildung einer Metall enthaltenden Schicht umfassen, die den nicht bedeckten Bereich berührt. Das Verfahren kann weiterhin eine Wärmebehandlung (annealing) der Metall enthaltenden Schicht und des nicht bedeckten Bereichs für eine Zeitdauer von mehr als in etwa zehn Stunden auf eine Temperatur von mehr als in etwa 300 Grad Celsius umfassen.
  • Die obige allgemeine Beschreibung und die folgende detaillierte Beschreibung sind nur beispielhaft und erklärend.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • Die vorliegende Erfindung ist in den beigefügten Figuren beispielhaft beschrieben.
  • 1 umfasst die Beschreibung eines Querschnitts eines Teils eines bekannten Kontaktes, bei dem die Wärmebehandlung auf eine hohe Temperatur zum Schmelzen der Kontaktschicht geführt hat, was Diskontinuitäten im Kontaktbereich bewirkt.
  • 2 umfasst eine Beschreibung einer Draufsicht auf einen Teil eines bekannten Kontaktes aus 1.
  • 3 umfasst eine Beschreibung eines Querschnitts eines Teils eines Kontaktes zwischen einer Kontaktschicht und einem wide-band-gap Halbleitermaterial.
  • 4 umfasst eine Beschreibung eines Querschnitts eines Teils des Materials aus 3 nach dem Ätzen der Kontaktschicht.
  • 5 umfasst eine Beschreibung eines Querschnitts eines Teils des Materials aus 4 nach der Bildung eines Kontaktbereichs zwischen der Kontaktschicht und einem wide-band-gap Halbleiter durch Wärmebehandlung (annealing).
  • 6 umfasst eine Beschreibung eines Querschnitts eines Teils des Materials aus 5 nach der Ausbildung einer Isolationsschicht über der Kontaktschicht und dem wide-band-gap Halbleitermaterial.
  • 7 umfasst eine Beschreibung eines Teils des Materials aus 6 nach dem Ätzen eines Teils der Isolationsschicht, um Teile der Kontaktschicht frei zu legen.
  • 8 umfasst eine Beschreibung eines Querschnitts eines Teils des Materials aus 7, bei dem ein Teil der Isolationsschicht entfernt worden ist, um den Kontaktbereich frei zu legen.
  • 9 umfasst eine Beschreibung eines Querschnitts eines Teils der Einrichtung aus 8 nach der Entfernung der Kontaktschicht.
  • 10 umfasst eine Beschreibung eines Querschnitts eines Teils der Einrichtung aus 9 nach der Bildung einer zweiten Kontaktschicht Fachleute erkennen, dass die Elemente in den Figuren unter Berücksichtigung von Einfachheit und Klarheit und nicht notwendigerweise maßstabsgetreu gezeichnet sind. So sind z. B. die Größenordnungen einiger Elemente deutlich übertrieben gegenüber anderen Elementen dargestellt, um das Verständnis der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zu verbessern.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Es wird nun auf die Ausführungsbeispiele der Erfindung bezug genommen, von der Beispiele in den beiliegenden Zeichnungen dargestellt sind. Wo immer möglich bezeichnen die selben Bezugszeichen in allen Zeichnungen die gleichen Teile (Elemente).
  • Im folgenden ist ein Verfahren zur Herstellung eines ohmschen elektrischen Kontaktes zwischen einer Kontaktschicht und einer Siliziumkarbidschicht allgemein beschrieben. Ein nicht-ohmscher Kontakt kann auf eine Temperatur von weniger als die Schmelztemperatur von Material in der Kontaktschicht erwärmt (annealed) werden. Die Wärmebehandlung (annealing) kann mehr als zwei Stunden andauern. Ein ohmscher Kontaktbereich kann im wesentlichen kontinuierlich und frei von Diskontinuitäten bedingt durch Schmelzen, Zusammenballen, Ablösungen oder anderen zerstörerischen Mechanismen sein.
  • 3 zeigt eine über wide-band-gap Halbleitermaterial 32 und einem darunter liegendem Substrat 30 ausgebildete Kontaktschicht 34. Die Kontaktschicht 34 kann Material mit einem niedrigen Schmelzpunkt wie Aluminium, Zink o. ä. umfassen, dessen Schmelzpunkt weniger als in etwa 700 Grad Celsius beträgt. Die Kontaktschicht 34 kann reines Material oder Material mit Verunreinigungen umfassen. Die Verunreinigungen mögen weniger als zehn Gewichtsprozent der Kontaktschicht 34 betragen. Die Kontaktschicht 34 kann durch Sputtering, durch chemische Gasablagerung oder ein anderes konventionelles Ablagerungsverfahren erzeugt werden und kann im allgemeinen bis zu einer Dicke von etwa 20% der Dicke des darunter liegenden wide-band-gap Halbleitermaterials abgelagert werden. Die Kontaktschicht 34 kann durch die Ablagerung und vor der Wärmebehandlung (annealing) eine rektifizierende oder in anderer Weise nicht-ohmsche Verbindung mit dem wide-band-gap Halbleiter 32 ausbilden.
  • Das wide-band-gap Halbleitermaterial 32 kann jeder Halbleiter mit einem band-gap von mehr als in etwa 2 eV (Elektronenvolt), wie Siliziumkarbid, sein. Das wide-band-gap Halbleitermaterial 32 kann einen p-Typ Dotierstoff, wie Bor, Aluminium oder einen anderen ähnlichen Dotierstoff, aufweisen. Die Dicke des wide-band-gap Halbleiters kann jede durch die Spezifikation des gewünschten Endproduktes vorgeschriebene Dicke sein, kann aber im allgemeinen in einem Bereich von in etwa 0,1 Mikrometer (µm) und 100 µm, oder üblicherweise in etwa 0,1 µm und 4 µm, liegen. Das Material 32 kann die Basis eines Transistors sein. Die Kontaktschicht 34 und der wide-band-gap Halbleiter 32 können über die gesamte Fläche, über die sich die Kontaktschicht 34 erstreckt, direkten und im wesentlichen kontinuierlichen Kontakt aufweisen.
  • Das darunter liegende Substrat 30 kann wide-band-gap Halbleitermaterial umfassen. Insbesondere kann das darunter liegende Substrat 30 Siliziumkarbid sowie einen leitenden Dotierstoff und an der der leitend dotierten Seite der Schicht 32 gegenüberliegenden Seite umfassen, so dass ein P-N o. ä. Übergang zwischen dem Substrat 30 und der Schicht 32 gebildet wird. Die Schicht 30 kann der Kollektor eines Transistors sein.
  • Die Kontaktschicht 34 kann als Maske beim Ätzen des wide-band-gap Halbleitermaterials 32 dienen. Wie in 4 gezeigt, kann die Kontaktschicht 34 derart unter Verwendung konventioneller Trocken oder Nassverfahren gestaltet und geätzt werden, dass das darunter liegende Material frei gelegt wird. Die Kontaktschicht 34 kann unter Verwendung üblicher Ätzmittel, wie Phosphorsäure oder ähnlicher reaktiver Chemikalien, geätzt werden. In das wide-band-gap Halbleitermaterial 32 können unter Verwendung üblicher Verfahren, wie etwa Reactive Ion Etching mit Kohlenstofftetrafluorid, mit Schwefelhexafluorid oder anderer reaktiver Chemikalien, Strukturen geätzt werden. Der verbleibende Teil der Kontaktschicht 34 bestimmt i. a. die Kontaktfläche des Materials 32 in diesem speziellen Ausführungsbeispiel.
  • Die Kontaktschicht 34 und das wide-band-gap Halbleitermaterial 32 können derart erwärmt (annealed) werden, dass sich ein Kontaktbereich 50 wie in 5 gezeigt ausbildet. Die Wärmebehandlung (annnealing) kann bei einer Temperatur erfolgen, die kleiner ist als der Schmelzpunkt der Kontaktschicht 24, z. B. kleiner als in etwa 700 Grad Celsius und i. a. in einem Bereich von 400 bis 600 Grad Celsius. Die Wärmebehandlung (annealing) kann dadurch erfolgen, dass die Kontaktschicht 34 und das wide-band-gap Halbleitermaterial 32 bei einer ausgewählten Temperatur für eine Zeitdauer erwärmt (annealed) werden, die ausreicht, einen Kontaktbereich 50 mit ohmschen Eigenschaften zu erzeugen. Diese Zeitdauer kann z. B. mehr als in etwa zehn und üblicherweise in etwa 25 bis 60 Stunden betragen. Die Wärmebehandlung (annealing) kann in einer im wesentlichen Edelgas, wie Argon, umfassenden Atmosphäre oder im Vakuum erfolgen.
  • Der Kontaktbereich 50 kann eine Legierung der Kontaktschicht 34 und des wide-band-gap Halbleitermaterials 32 aufweisen und kann eine im wesentlichen ohmsche Verbindung zwischen dem Material 32 und der Kontaktschicht 32 bilden, wie es in 5 gezeigt ist. Dies hält einen Vergleich mit 1 aus, in der die Kontaktschicht 12 Zusammenballungen, Schmelzen und Ablösungen erfahren hat, wie sie bei Warmebehandlung oberhalb des Schmelzpunktes der Kontaktschicht 12 passieren können. Anders als in 1 kann der Kontaktbereich 50 der in 5 dargestellten Ausführung im wesentlichen kontinuierlich und frei von signifikanten Diskontinuitäten 40 sein, die durch Ablösen, Zusammenballen, Schmelzen oder andere Effekte bedingt sind, die die Kontaktschicht 34 bei der Wärmebehandlung (annealing) beeinträchtigen. Zudem kann es sein, dass der Kontaktbereich 32 sich nicht vollständig durch den wide-band-gap Halbleiter 10 zur darunter liegenden Schicht 42 erstreckt, was zu einem elektrischen Kurzschluss führt.
  • Über den frei liegenden Kontaktbereich 50, den wide-band-gap Halbleiter 32 und die Kontaktschicht 34, kann, wie in 6 gezeigt, isolierendes Material 60 aufgebracht werden. Das isolierende Material 60 kann einen Isolator wie Silizlumdioxid, Siliziumnitrid oder ähnliches isolierendes Material umfassen. Das isolierende Material 60 kann mit einer Dicke aufgebracht werden, die größer ist als die Dicke der Kontaktschicht 34, und kann i. a. in etwa 0,5 bis 20 µm dick sein. Teile des isolierenden Materials 60 können entfernt werden, um, wie in 7 gezeigt, darunter liegende Teile der Kontaktschicht 34 frei zu legen. Das isolierende Material kam mittels üblicher Ätzverfahren unter Verwendung von Flusssäure oder einem ähnlichen Ätzmittel entfernt werden. Um eine plane Struktur zu erhallten, kann, wie in 8 gezeigt, mechanisches Entfernen wie etwa Polieren vorgesehen sein.
  • Wie in 9 gezeigt, kann die Kontaktschicht 34 im wesentlichen vollständig durch Ätzen mit Phosphorsäure oder einem ähnlichen Ätzmittel entfernt werden, um den Kontaktbereich 50 frei zu legen. Wie in 10 gezeigt, kann eine zweite Kontaktschicht 100 zumindest teilweise in die Aussparungen 90 und in Kontakt mit dem Kontaktbereich 50 angeordnet werden. Die zweite Kontaktschicht 100 kann das gleiche Material wie die erste Kontaktschicht umfassen und kann eine im wesentlichen ohmsche Verbindung mit dem Siliziumkarbidbereich 32 bilden. Die zweite Kontaktschicht kann durch Sputtering oder andere übliche Ablagerungsmethoden erzeugt werden und kann eine Dicke in einem Bereich zwischen in etwa 0,5 bis 20 µm haben.
  • Eine im wesentlichen vollständige elektrische Einrichtung, wie eine Diode oder ein Transistor, kann durch Verbinden von Drähten, Zuleitungen oder ähnliche Einrichtungen (nicht gezeigt) mit Teilen der Kontaktschicht 34 hergestellt werden. Z. B. kann ein Emitterbereich (nicht gezeigt) über oder von einem Teil des Materials 32 angeordnet werden. Drähte, Zuleitungen oder ähnliche Einrichtungen können mit Teilen der nicht bedeckten Kontaktschicht 34 verschweißt, verlötet oder in sonstiger Weise elektrisch verbunden werden.
  • Deshalb können hergestellte Einrichtungen einen geringeren Kontaktwiderstand offenbaren. Ein geringerer Kontaktwiderstand kann zu einem schnelleren, effektiveren und zuverlässigeren Betrieb der Einrichtungen führen. Auch können die Herstellungskosten dieser Einrichtungen aufgrund größerer Reproduzierbarkeit und Ausbeute, die mittels des gleichmäßigen Kontaktbereichs erzielt werden können, gesenkt werden. Entsprechend hergestellte Einrichtungen erfordern keine Sperrschichten (barrier layer) oder dicke Halbleiterschichten, um Spiking zu verhindern.

Claims (23)

  1. Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zu einer Halbleitereinrichtung, – wobei eine erste Metall enthaltende Schicht (34) gebildet wird, wobei die Metall enthaltende Schicht im wesentlichen ein Metall umfasst, das einen Schmelzpunkt von etwa weniger als 700 Grad Celsius hat, und einen nicht bedeckten Bereich (32) berührt, der Siliziumcarbid umfasst, – und wobei die erste Metall enthaltende Schicht (34) eine Zusammensetzung besitzt, die keine ohmsche Verbindung mit dotiertem Siliziumkarbid bildet, wenn sie für eine Dauer von weniger als zehn Stunden bei einer Temperatur erwärmt wird, die kleiner ist als der Schmelzpunkt von dem in der ersten Metall enthaltenden Schicht (34) enthaltenden Metall, und wobei die erste Metall enthaltende Schicht (34) und der nicht bedeckte Bereich (32) bei einer Temperatur weniger als der Schmelzpunkt des in der ersten Metall enthaltenden Schicht enthaltendem Metalls, und für mehr als zehn Stunden erwärmt werden, sodass sich ein im wesentlichen kontinuierlicher ohmscher Kontaktbereich (50) zwischen der ersten Metall enthaltenden Schicht (34) und dem Siliziumkarbid bildet.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metall in der ersten Metall enthaltenden Schicht Aluminium ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Wärmebehandlung für mehr als zwanzig Stunden in einem Temperaturbereich von im wesentlichen 400 bis 660 Grad Celsius erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung im wesentlichen reines Aluminium ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei das Metall Aluminium ist, und wobei die Zusammensetzung Aluminium und einen ersten Dotierstoff umfasst und wobei der Anteil von Aluminium in der Zusammensetzung mindestens in etwa 90 Gewichtsprozent beträgt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, 4 oder 5, wobei die Wärmebehandlung für mehr als etwa 25 Stunden erfolgt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von nicht mehr als in etwa 660 Grad Celsius erfolgt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei durch die Wärmebehandlung eine Aluminium-Siliziumkarbid Legierung gebildet wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der nicht bedeckte Bereich (32) p-dotiert ist.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Wärmebehandlung in einem Vakuum erfolgt.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Wärmebehandlung in einem Edelgas erfolgt.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei ein Teil der ersten Metall enthaltenden Schicht (34) entfernt wird und wobei eine zweite Metall enthaltende Schicht (100) über dem Kontaktbereich (50) gebildet wird.
  13. Halbleitereinrichtung mit einem kontinuierlichen ohmschen Kontaktbereich, die mit dem Verfahren aus einem der Ansprüche 2 bis 12 hergestellt wurde.
  14. Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zu einer Halbleitereinrichtung, wobei eine Aluminium enthaltende Schicht (34) gebildet wird, die einen nicht bedeckten Bereich (32) berührt, der Siliziumkarbid umfasst, und wobei die Aluminium enthaltende Schicht (34) und ein Substrat für mehr als in etwa zehn Stunden bei einer Temperatur von mehr als in etwa 300 Grad Celsius erwärmt werden.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Aluminium enthaltende Schicht (34) im wesentlichem reines Aluminium ist.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei der Anteil von Aluminium in der Aluminium enthaltenden Schicht (34) mindestens in etwa 90 Gewichtsprozent beträgt.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die Wärmebehandlung für mehr als etwa 25 Stunden erfolgt.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von nicht mehr als in etwa 660 Grad Celsius erfolgt.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei durch die Wärmebehandlung eine Aluminium-Siliziumkarbid Legierung gebildet wird.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 19, wobei der nicht bedeckte Bereich (32) p-dotiert ist.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, wobei die Wärmebehandlung in einem Vakuum erfolgt.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, wobei die Wärmebehandlung in einem Edelgas erfolgt.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, wobei durch die Wärmebehandlung eine ohmsche Verbindung zwischen der Metall enthaltenden Schicht (34) und dem nicht bedeckten Bereich (32) gebildet wird.
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