DE2215357A1 - Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem HalbleiterbauteilInfo
- Publication number
- DE2215357A1 DE2215357A1 DE19722215357 DE2215357A DE2215357A1 DE 2215357 A1 DE2215357 A1 DE 2215357A1 DE 19722215357 DE19722215357 DE 19722215357 DE 2215357 A DE2215357 A DE 2215357A DE 2215357 A1 DE2215357 A1 DE 2215357A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- layer
- intermetallic
- metal
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/003—Anneal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/106—Masks, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/122—Polycrystalline
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/139—Schottky barrier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/147—Silicides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49204—Contact or terminal manufacturing
Description
Dipl.-lng. H.. Sauenland · Dn.-lng. R. König · Dipl.-lng. K. Bergen
Patentanwälte ■ 4gdo Düsseldorf · Cecilienallee 7S ■ Telefon 43S7aa
Unsere Akte: 27 348 ■' 28. März 1972
RCA Corporation, 30 Rockefeiler Plaza,
New York,' N.Y. 10020 (V.St.A.)
"Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil"
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil.
In der Halbleiterindustrie werden zur Zeit verschiedenartige, niedergeschlagene Kontaktschichten als Ohm'sche
Kontakte für Halbleiterbauteile verwendet. Die Art der Kontaktschicht, die zur Anwendung kommt, wird durch ihre
Zuverlässigkeit, Kosten und die Herstellungsbedingungen des Bauteils bestimmt.
Ein zuverlässigerer und teuerer Kontaktaufbau, der entwickelt wurde, wird im allgemeinen als "beam-lead"-Kontakt
bezeichnet. Tatsächlich wird mit diesem Ausdruck eine ganze Anzahl von ähnlichen Strukturen bezeichnet,
von denen die meisten durch eine erste.Platinschicht ge- '
kennzeichnet sind, die in einer Öffnung einer Isolier-' schicht und auf der Oberfläche des Halbleiters, beispielsweise
Silizium, niedergeschlagen sind. Die Platinschicht wird gesintert, um einen intermetallischen (Platin-Silizid-)
Bereich zu bilden, der sich bis unter die Oberfläche des Halbleiterkörpers erstreckt. Sekundäre Metallschichten
wie Titan und Gold, werden dann auf das verbleibende
209842/1081
Platin aufgebracht.
Die Tiefe und Leitfähigkeit des intermetallischen Bereichs kann durch Kontrolle der Dicke der Metallschicht und der
Sintertemperatur überwacht werden; so kann bei Verwenden einer relativ dünnen Metallschicht, die bei niedrigen
Temperaturen, z.B. zwischen 400 und 7000C hergestellt
wurde, ein Legierungsbereich geschaffen werden, der sich relativ flach im Halbleiterkörper erstreckt. Jedoch haben
intermetallische Kontakte, die auf diese Weise hergestellt sind relativ niedrige Leitfähigkeit.
Weiterhin besitzen intermetallische Bereiche, die bei
solch niedrigen Temperaturen hergestellt werden, nicht die Fähigkeit, nachfolgenden hohen Herstellungstemperaturen
standzuhalten, wie dies bei intermetallischen Bereichen der Fall ist, die bei höheren Temperaturen, z.B.
oberhalb 7000C, hergestellt werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren vorzuschlagen, das die Herstellung dicker, hochleitender intermetallischer Kontakte bei relativ hohen
Sintertemperaturen erlaubt, wobei sich die intermetallischen Kontakte nur bis zu geringen Tiefen unterhalb der
Oberfläche des Halbleiterkörpers erstrecken.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Halbleiterkörper an einer Oberfläche mit einer Isolierschicht
versehen wird, die eine sich bis zur Oberfläche erstreckende Öffnung aufweist, daß in dieser Öffnung
auf der Oberfläche eine Halbleiterschicht hergestellt wird, auf die eine Metallschicht aufgebracht wird,
die bei entsprechender Behandlung eine intermetallische Verbindung mit der Halbleiterschicht bildet, und daß die
Metall- und Halbleiterschichten derart behandelt werden, daß sie eine intermetallische Verbindung von Metall und
Halbleiter bilden.
20384 2/1081
_ 3 —
Anhand des in der Zeichnung dargestellten, "bevorzugten
Ausführungsbeispiels wird die Erfindung nachfolgend näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Bauteil während des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens,
an dem einige bekannte Verfahrensschritte bereits durchgeführt wurden, im
Querschnitt;
Fig, 2 bis 4 das in Fig. 1 dargestellte Bauteil während
weiterer, erfindungsgemäßer Verfahrensschritte,
im Querschnitt.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 4 wird das erfindungsgemäße
Verfahren nachfolgend am Beispiel der Herstellung
eines bipolaren Transistors erläutert. Es ist jedoch selbstverständlich, daß das Verfahren nicht auf solche
Bauteile beschränkt ist, vielmehr auch bei der Herstellung von Dioden, Thyristoren, integrierten Schaltungen
und anderen Arten von Halbleiterbauteilen Verwendung finden kann. -
Das in Fig« 1 dargestellte Bauteil ist bereits verschiedenen bekannten Herstellungsschritten unterworfen worden,
bevor es die dargestellte Struktur erhält. Wie sich aus Fig. 1 ergibt, führen diese Verfahrensschritte zu einem
hochleitenden Kollektorsubstrat 11 eines Leitungstyps (im dargestellten Beispiel N+), auf dem sich ein epitaxialer
Kollektorbereich 12 gleichen (N)-Leitungstyps jedoch mit höherem Widerstand befindet. Ein diffundierter Basisbereich
18 eines zweiten (P)-Leitungstyps erstreckt sich in den Kollektor 12 an dessen oberer Oberfläche 14 und
bildet einen Basis-Kollektor-PN-Ubergang 20 zwischen
Kollektor 12 und Basis 18. Ein Emitterbereich 19 des ersten (N)-Leitungstyps erstreckt sich in den Basisbereich
18 und bildet einen Emitter-Basis-PN-Übergang 21.
Vorzugsweise enthalten Kollektorsubstrat 11 sowie Kollek-
'2098 4 2/1081:
tor-, Basis- und Emitterbereiche 12, 18 bzw„ 19 Silizium;
ihre Abmessungen sind nicht kritisch.
Aus Fig. 1 geht weiterhin hervor, daß Teile einer ursprünglichen Isolierschicht 16, z.B. aus Siliziumdioxid,
an der Oberfläche 14 auf dem Kollektorbereich verbleiben.
Nach den zuvor durchgeführten Diffusionsschritten für Basis und Emitter wird eine weitere Isolierschicht 22
auf der Oberfläche 14 auf den Basis- und Emitterbereichen
18 bzw. 19 und den verbleibenden Teilen der ursprünglichen Isolierschicht 16 belassen. In der Praxis sind die
Isolierschichten 16 und 22 sehr dünn, ungefähr zwischen 10.000 und 20.000 Ä. Um jedoch die vorliegende Erfindung
deutlich darzustellen, ist die Dicke der Isolierschichten 16 und 22 sowie die anderer, noch zu beschreibender
Schichten stark vergrößert.
Gemäß Fig. 1 wird die Isolierschicht 22 so behandelt, daß Basis- und Emitterkontaktöffnungen 24 und 25 darin entstehen,
die Teile der Basis- und Emitterbereiche 18 bzw. 19 an der Oberfläche freilegen. Dieser Behandlungsschritt
kann beispielsweise durch photolithographische Verfahren realisiert werden, wobei die Isolierschicht 22 mit einöm
Photoresist abgedeckt, mit einem die Kontaktöffnungen 24 und 25 enthaltenden Muster maskiert, belichtet und entwickelt
wird. Die Schicht 22 wird sodann mit einem Ätzmittel behandelt, das nur die in den Öffnungen24 und 25
befindlichen Teile der Schicht 22 entfernt.
Gemäß Fig. 2 werden dann Schichten 26 und 27 aus Halbleitermaterial
nur in den Öffnungen 24 bzw. 25 niedergeschlagen.
Jede Schicht 26 und 27 hat dieselbe Leitung wie der Bereich 19 bzw. 18, den sie berührt, und ist vorzugsweise
sehr hochleitend. So besitzt im dargestellten Beispiel die Schicht 26 N+-Leitung und die Schicht 27 P+-Leitung.
2098^/1081
Vorzugsweise sind die Halbleiterschichten 26 und 27 monokristallin.,
obwohl polykristallines Halbleitermaterial auch verwendet werden kann. Weiterhin brauchen, die Halbleiterschichten 26 und 27 nicht aus .demselben Halbleitermaterial
zu bestehen, aus dem das Kollektorsubstrat 11 und die Bereiche 12, 18 und 19 bestehen, jedoch ist
dies vorzugsweise der Fall. Wenn beispielsweise das ... . Substrat 11 und der Bereich 12, wie im dargestellten . o.
Beispiel, Silizium enthält, enthalten die Halbleiterschichten 26 und 27 ebenfalls vorzugsweise Silizium.. Die
Dicke der Halbleiterschichten 26 und 27 ist nicht kritisch.
Allerdings bestimmt, wie dies noch näher ausgeführt werden wird, die Dicke der Halbleiterschichten 26
und 27 teilweise die Legierungstiefe des intermetallischen
Kontaktes unterhalb der Oberfläche 14, der nach-'
folgend gebildet wird. So können die Halbleiterschichten 26 und 27 beispielsweise eine Dicke von 5Q00 S aufweisen. Diese Schichten 26 und 27 können in den Öffnungen 24. und 25 durch irgendeine derverschiedenen bekannten
Techniken, die nicht in den Rahmen der vorliegenden Erfindungen gehören, niedergeschlagen werden. Beispielsweise
können die Halbleiterschichten 26 und 27 durch Wasserstoffreduktion von Siliziumtetrachlorid hergestellt
werden.
Gemäß Fig. 3 wird auf die Isolierschicht 22 und die Halbleiterschichten
26 und 27 in den Öffnungen 24 und 25 mittels bekannter Verfahren eine Metallschicht 28 niedergeschlagen,
z.B. durch Verdampfen oder Sprühen. Es ist wichtig, daß das Metall der Schicht 28 eines der Metalle
ist, das bei entsprechender Behandlung eine intermetallische Verbindung mit. dem Material der.Halbleiterschichten
26 und 27 bildet. Zu den dafür verwendbaren Metallen gehört Gold, Silber, Platin, Palladium und Rhodium. Wegen
der relativ gut erforschten intermetallischen Eigenschaften von Platin und Silizium wird jedoch Platin bevorzugt».
09842/1081
Die Dicke der Metallschicht 28 ist ebenfalls nicht kritisch; jedoch gilt auch hier wiederum, daß die
Dicke der Schicht 28 teilweise die Legierungstiefe des intermetallischen Kontaktes unterhalb der Oberfläche 14
bestimmt. Zur Erläuterung kann für die Metallschicht 28 eine Dicke von ungefähr 8000 S angegeben werden.
Danach werden die Halbleiter- und Metallschichten 26, und 28 behandelt, um eine intermetallische Verbindung
zu bilden, die einen intermetallischen Basiskontakt 30 lediglich in der Basisöffnung 24 und einen intermetallischen
Emitterkontakt 31 lediglich in der Emitteröffnung 24 definiert. Die Kontakte 3ß und 31 können durch Sintern
der Halbleiter- und Metallschichten 26, 27 und 28 bei
einer Temperatur zwischen 400 und 9000C in einer inerten
Atmosphäre, beispielsweise Argon, gebildet werden.
Wenn die Metallschicht 28 Platin und die Halbleiterschichten 26 und 27 Silizium enthalten, wie das beim vorliegenden
Ausführungsbeispiel der Fall ist, werden intermetallische Kontakte 30 und 31 aus Platinsilizid in den Öffnungen
24 und 25 durch Sintern der Schichten 26, 27 und 28 bei einer Temperatur von ungefähr 75O0C hergestellt.
Wenn die Dicke der Schichten 26, 27 und 28 entsprechend gewählt ist, erstrecken sich die Platinsilizidkontakte
30 und 31 bis zu einer flachen Tiefe in die Basis- und Emitterbereiche 18 bzw. 19, wie dies in Fig. 4 dargestellt
ist. Wenn beispielsweise die Platin- und Siliziumschichten jeweils 3000 S dick sind und eine Sintertemperatur
oberhalb 75O0C angewandt wird, werden sich die
Platinsilizidkontakte 30 und 31 ungefähr 1200 Ä tief in die Basis- und Emitterbereiche 18 und 19 erstrecken.
Nach Bilden der intermetallischen Kontakte 30 und 31 wird das verbleibende Platin 28 entfernt und metallische Emitter-
und Basiskontakt s chi cht en in 0hm'schein Kontakt auf
209842/1081
den intermetallischen Kontakten 30 -und 31 niedergeschlagen.
Das erfindungsgemäße Verfahren führt gegenüber dem Stand
der Technik unter anderem zu dem erheblichen Vorteil, daß
ein intermetallischer Kontakt an einem Halbleiterbauteil unabhängig von Erwägungen hinsichtlich der Legierungstiefe hergestellt werden kann.
2 0118 4 2/1081
Claims (7)
- RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)Patentansprüche;/ 1 .JVerfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontaktes an einem Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper an einer Oberfläche mit einer Isolierschicht versehen wird, die eine sich bis zur Oberfläche erstreckende Öffnung aufweist, daß in dieser Öffnung auf der Oberfläche eine Halbleiterschicht hergestellt wird, auf die eine Metallschicht aufgebracht wird, die bei entsprechender Behandlung eine intermetallische Verbindung mit .der" Halbleiterschicht bildet, und daß die Metall- und Halbleiterschichten derart behandelt werden, daß sie eine intermetallische Verbindung von Metall und Halbleiter bilden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Halbleiterschicht monokristallin ist.
- 3. Verfahren nach.Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht denselben Leitungstyp aufweist wie der Halbleiterkörper.
- 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper und die Halbleiterschicht aus gleichen Halbleitermaterialien bestehen. -
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial Silizium enthält.2U 9 8 h2/1081
- 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus,einem Metall der Gold, Silber, Platin, Palladium und Rhodium enthaltenden Gruppe besteht.
- 7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis6, d a d u r c h g e k e η η ζ e i eh. η e t , . daß die Schichten in einer inerten Atmosphäre auf eine Temperatur oberhalb ,-75O0C erhitzt werden.209842/1081Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13134071A | 1971-04-05 | 1971-04-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2215357A1 true DE2215357A1 (de) | 1972-10-12 |
Family
ID=22449017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19722215357 Pending DE2215357A1 (de) | 1971-04-05 | 1972-03-29 | Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3753774A (de) |
| AU (1) | AU465779B2 (de) |
| BE (1) | BE781643A (de) |
| CA (1) | CA968676A (de) |
| DE (1) | DE2215357A1 (de) |
| FR (1) | FR2132167B1 (de) |
| GB (1) | GB1321034A (de) |
| IT (1) | IT950802B (de) |
| NL (1) | NL7204469A (de) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3900344A (en) * | 1973-03-23 | 1975-08-19 | Ibm | Novel integratable schottky barrier structure and method for the fabrication thereof |
| US3956527A (en) * | 1973-04-16 | 1976-05-11 | Ibm Corporation | Dielectrically isolated Schottky Barrier structure and method of forming the same |
| US4000502A (en) * | 1973-11-05 | 1976-12-28 | General Dynamics Corporation | Solid state radiation detector and process |
| FR2280203A1 (fr) * | 1974-07-26 | 1976-02-20 | Thomson Csf | Procede d'ajustement de tension de seuil de transistors a effet de champ |
| US4042950A (en) * | 1976-03-01 | 1977-08-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Platinum silicide fuse links for integrated circuit devices |
| IT1110843B (it) * | 1978-02-27 | 1986-01-06 | Rca Corp | Contatto affondato per dispositivi mos di tipo complementare |
| US4276688A (en) * | 1980-01-21 | 1981-07-07 | Rca Corporation | Method for forming buried contact complementary MOS devices |
| US5202574A (en) * | 1980-05-02 | 1993-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor having improved interlevel conductor insulation |
| JPS5846193B2 (ja) * | 1980-07-15 | 1983-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US4339869A (en) * | 1980-09-15 | 1982-07-20 | General Electric Company | Method of making low resistance contacts in semiconductor devices by ion induced silicides |
| JPS584924A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置の電極形成方法 |
| JPS59110179A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造法 |
| DE3304642A1 (de) * | 1983-02-10 | 1984-08-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierte halbleiterschaltung mit bipolartransistor-strukturen und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPS61208869A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US4635347A (en) * | 1985-03-29 | 1987-01-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of fabricating titanium silicide gate electrodes and interconnections |
| US4818723A (en) * | 1985-11-27 | 1989-04-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silicide contact plug formation technique |
| US4873205A (en) * | 1987-12-21 | 1989-10-10 | International Business Machines Corporation | Method for providing silicide bridge contact between silicon regions separated by a thin dielectric |
| US4966868A (en) * | 1988-05-16 | 1990-10-30 | Intel Corporation | Process for selective contact hole filling including a silicide plug |
| US5196360A (en) * | 1990-10-02 | 1993-03-23 | Micron Technologies, Inc. | Methods for inhibiting outgrowth of silicide in self-aligned silicide process |
| US5100838A (en) * | 1990-10-04 | 1992-03-31 | Micron Technology, Inc. | Method for forming self-aligned conducting pillars in an (IC) fabrication process |
| US5074941A (en) * | 1990-12-10 | 1991-12-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Enhancing bonding at metal-ceramic interfaces |
| US5173354A (en) * | 1990-12-13 | 1992-12-22 | Cornell Research Foundation, Inc. | Non-beading, thin-film, metal-coated ceramic substrate |
| JP2611726B2 (ja) * | 1993-10-07 | 1997-05-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5670417A (en) * | 1996-03-25 | 1997-09-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating self-aligned semiconductor component |
| DE19828846C2 (de) | 1998-06-27 | 2001-01-18 | Micronas Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Substrats |
| US7226835B2 (en) * | 2001-12-28 | 2007-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for optimizing current gain in bipolar transistor structures |
| CN101826472A (zh) * | 2010-03-04 | 2010-09-08 | 江阴新顺微电子有限公司 | 芯片背面复合材料多层金属化方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3274670A (en) * | 1965-03-18 | 1966-09-27 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor contact |
| US3615929A (en) * | 1965-07-08 | 1971-10-26 | Texas Instruments Inc | Method of forming epitaxial region of predetermined thickness and article of manufacture |
| US3410250A (en) * | 1965-10-19 | 1968-11-12 | Western Electric Co | Spray nozzle assembly |
| DE1806980A1 (de) * | 1967-11-15 | 1969-06-19 | Fairchild Camera Instr Co | Halbleiter-Bauelement |
| US3574008A (en) * | 1968-08-19 | 1971-04-06 | Trw Semiconductors Inc | Mushroom epitaxial growth in tier-type shaped holes |
| US3558366A (en) * | 1968-09-17 | 1971-01-26 | Bell Telephone Labor Inc | Metal shielding for ion implanted semiconductor device |
| US3632436A (en) * | 1969-07-11 | 1972-01-04 | Rca Corp | Contact system for semiconductor devices |
| BE755371A (fr) * | 1969-08-27 | 1971-02-01 | Ibm | Contacts ohmiques pour dispositifs semi-conducteurs |
| US3604986A (en) * | 1970-03-17 | 1971-09-14 | Bell Telephone Labor Inc | High frequency transistors with shallow emitters |
-
1971
- 1971-04-05 US US00131340A patent/US3753774A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-03-08 CA CA136,598A patent/CA968676A/en not_active Expired
- 1972-03-27 IT IT22442/72A patent/IT950802B/it active
- 1972-03-29 GB GB1469272A patent/GB1321034A/en not_active Expired
- 1972-03-29 FR FR7210987A patent/FR2132167B1/fr not_active Expired
- 1972-03-29 DE DE19722215357 patent/DE2215357A1/de active Pending
- 1972-04-04 BE BE781643A patent/BE781643A/xx unknown
- 1972-04-04 NL NL7204469A patent/NL7204469A/xx unknown
- 1972-04-05 AU AU40780/72A patent/AU465779B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU465779B2 (en) | 1973-10-11 |
| AU4078072A (en) | 1973-10-11 |
| US3753774A (en) | 1973-08-21 |
| FR2132167B1 (de) | 1977-08-19 |
| IT950802B (it) | 1973-06-20 |
| NL7204469A (de) | 1972-10-09 |
| CA968676A (en) | 1975-06-03 |
| FR2132167A1 (de) | 1972-11-17 |
| BE781643A (fr) | 1972-07-31 |
| GB1321034A (en) | 1973-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2215357A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil | |
| DE2640525C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer MIS-Halbleiterschaltungsanordnung | |
| DE1282196B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge | |
| DE2921971A1 (de) | Schottky-anordnung, insbesondere schottky-diode, und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE1439935A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE1614283B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE2101609A1 (de) | Kontaktanordnung für Halbleiterbauelemente | |
| DE2133184A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen | |
| DE1236083B (de) | Legierungsverfahren zum Herstellen von Anschluessen an Halbleiterbauelementen | |
| DE1544214A1 (de) | Verfahren zum Zuechten von duennen,schwach dotierten homogenen epitaktischen Siliziumschichten bei niedrigen Temperaturen,insbesondere zum Herstellen von UEbergaengen mit extrem niedrigem Widerstand in Flussrichtung | |
| DE1764155A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement | |
| DE2033532A1 (de) | Kontaktsystem fur Halbleiteranordnungen | |
| DE2128884A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen | |
| DE1414538A1 (de) | Unterschiedliche Leitfaehigkeitszonen aufweisende Halbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2112114C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Planar-Siliziumtran sistors | |
| DE3419225A1 (de) | Gaas-halbleitervorrichtung | |
| DE1806980A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
| DE1170082B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE10259292B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines gleichmäßigen Kontaktes und damit hergestellter gleichmäßiger Kontakt | |
| DE1965565A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE1464305B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen sowie nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente | |
| AT201114B (de) | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen | |
| DE3129487C2 (de) | ||
| DE1236661B (de) | Halbleiteranordnung mit einem durch Einlegieren einer Metallpille erzeugten pn-UEbergang | |
| DE1923314A1 (de) | Elektrische Verbindungen und Kontakte fuer Halbleitervorrichtungen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OHW | Rejection |